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GOBIERNO DE TIRISTORES

ndice
4.1. PRINCIPIOS DE GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS
4.1.1. Disparo por corriente continua
4.1.2. Disparo por corriente alterna
4.1.3. Disparo por impulsos o trenes de onda
4.1.3.1. Disparo por impulso nico
4.1.3.2. Disparo por trenes de onda
4.2. C IRCUITOS DE MANDO
4.2.1. Circuitos todo o nada
4.2.1.1. Mando sncrono
4.2.1.2. Detector de cero-comparador
4.2.1.3. Control por paquetes semionda
4.2.1.4. Disparo a tensin nula
4.2.2. Control de disparo por ngulo de conduccin: control de fase
4.2.2.1. Circuito desfasador RC
4.2.2.2. Control horizontal
4.2.2.3. Control vertical
4.3. D ISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES
4.3.1. Introduccin
4.3.2. Disparo por UJT
4.3.2.1. Oscilador de relajacin con UJT
4.3.2.2. Sincronizacin con la red de alimentacin
4.3.3. Disparo por PUT
4.3.4. Disparo por DIAC
4.3.4.1. Circuitos de control de potencia en continua
4.3.4.2. Circuitos de control de potencia en alterna
4.3.4.3. Histresis. Circuitos con doble constante de tiempo

Este tutorial es original de J.A. Aguilar Pea


http://voltio.ujaen.es/jaguilar

4.1 PRINCIPIOS DE GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS


4.1.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA
El circuito tpico de disparo por c.c. es el representado en la figura 4.1.
RA
Circuito de disparo
IG
RS
VS

VG

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..1.- Circuitos de disparo por
C.C.
Los valores de RS y de VS se determinan a partir de la caracterstica de puerta del tiristor (Fig. 4.2),
teniendo en cuenta que:
La recta de carga del circuito de disparo debe ser tangente, o muy cercana, a la hiprbola de potencia
media en puerta (PGAV): VSmx y RSmn.
No se debe sobrepasar los valores mnimos de disparo (zona rayada): VSmn y RSmx.
VG (V)
VSmx

RGmx

PG(AV)

VSmn
RSmn
V0
RGmn
RSmx
0

I0
IG (A)
Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..2.- Determinacin del punto
de funcionamiento del SCR en el cebado.

Valor de VSmn:

VSmin = R Smax I 0 + V0
2

Valor de VSmx: para

PGAVmax

VSmax
=
R Gmax
R Smin + R Gmax

RGmx = pendiente media dv/di de la caracterstica de impedancia mxima utilizada.


VSmax = ( RSmin + R Gmax )

PGAVmax
R Gmax

4.1.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA


El circuito tpico de disparo por c.a. es el representado en la figura 4.3, donde:
La excursin inversa de VG debe permanecer menor al mximo admitido (diodo D).
La potencia de ataque mxima de pico PGDSmx puede aumentarse sin rebasar PGAV.

RA
Circuito de disparo
IG

RS
VS

VG

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..3.- Circuito bsico para el
disparo por C.A.
Valor de Vsmn: igual que para el disparo por c.c.
2

Valor de VSmx: Como

1
P = I 2ef R G
2

Relacin cclica efectiva para el cebado:

PGAVmax

1 VSmax 2

=
R G
2
R Smin + R G

Potencia media por periodo


100 = 25 %
Potencia de pico

4.1.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDA


4.1.3.1 DISPARO POR IMPULSO NICO
El disparo de un SCR por impulso nico equivale al disparo en c.c.
Circuito de puerta: atacado con un generador de corriente de forma:
IG debe superar la especificada como mnima, IGT (Fig. 4.4).
El tiempo de subida: lo mas corto posible (de 0,1 a 1 s).
Duracin del impulso: tal que IGT < IG < I L (IL = I. de enganche andica).

IG
5 IGT

IGT
0 0.1a 0.5

t (s)

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..4.- Forma del impulso de
corriente en puerta.

4.1.3.2 DISPARO POR TRENES DE ONDA


Se utilizan para evitar, en c.a. con cargas inductivas, que la corriente en el elemento inductivo persista
tras el paso por cero de la 1 semionda de tensin que produjo el cebado del elemento, no permitiendo el
recebado en el siguiente impulso.
Consume poca energa, y facilita el ataque al elemento por transformador aislndolo de los circuitos de
control.
En la figura 4.5 tenemos un sistema de transferencia de pulsos a la puerta de un tiristor amplificador
con un transformador de pulsos de relacin de transferencia 1.

RC

RG

D2
i2

D1
DZ

RC

D2

D1
DZ

R0

RG
R0

V
T
Vp

i1

p=0

VCE = 0
i1 = im + i2

Vp

p=1
VCE = V + VZ
i1 = im ; i2 = 0

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..5.- Circuito de disparo por
trenes de ondas.
Se trata de un amplificador con un transformador de pulsos de relacin de transferencia la unidad. Est
formado por:
T transistor saturado cuando el pulso p=1, y bloqueado para p=0.
D1 limita sobretensiones en bornes de T cuando este se bloquea.
DZ desexcita ms rpidamente el transformador de pulsos.
RC limita la corriente de colector durante la saturacin del TRF. de pulsos.
D2 bloquea el impulso negativo producido en la desconexin del TRF. de pulsos.
R2 acta como una carga definida.
RG limita la corriente en puerta.
En la figura 4.6 tenemos las formas de ondas idealizadas de este sistema.
P
V
VZ

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..6.- Formas de ondas
idealizadas.

4.2 CIRCUITOS DE MANDO


4.2.1 CIRCUITOS TODO O NADA
El tiristor o triac trabajan como interruptores aleatorios substituyendo a rels o contactores ms rpidos,
ms pequeos y sin chispeo entre contactos.
La figura 4.7 muestra un montaje de interruptor aleatorio, para un tiristor, en el cual:
Orden de cierre del tiristor: con el interruptor auxiliar S.
Tensin de mando: positiva respecto al ctodo.
Si la tensin de alimentacin a interrumpir procede de una rectificacin, abierto S, el SCR se
extinguir por si mismo al anularse la corriente.
En caso de no se anularse la corriente en cada semiperodo (c.c), incorporamos un circuito de
extincin h forzando al tiristor al corte al abrir S (- - -).
La impedancia Z para VG continua (tiristor) ser una resistencia RS, y para VG alterna (triac) un
condensador CS de valor:
CS >

I GT
T

Vef 2 2

Carga
Z

c.a.
V. rectificada
c.c.

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..7.- Rel esttico con un SCR
alimentado en C.C.

4.2.1.1 MANDO SNCRONO


Interruptores sncronos (Fig. 4.8.): circuitos que impiden, al cerrar S, el disparo del triac cuando la
tensin presenta un valor importante evitando la aparicin de parsitos.
Carga
I

Red

II

IGT

R1

Vi

P
C1

A2

A1

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..8.- Interruptor sncrono con
triac y curvas del circuito con carga resistiva.
El circuito consta de:
P detector de cero de tensin, conectado a red (caso I: carga resistiva o ligeramente inductiva) o
al nodo A2 del triac (caso II: carga inductiva).
Q comparador de salida activa cuando P indica un paso por cero.
S interruptor de mando que puede inhibir la salida de Q al cerrarlo.
Generador de corriente de puerta (IGT), controlado por la salida de Q (pulsador X).
Funcionamiento bsico:
S cerrado Q inhibido corriente de puerta nula triac bloqueado.
S abierto Q disponible, se activa cuando P detecta el paso por 0 de la VRED.
C1 (entrada de P), introduce un ligero desfase que asegura el disparo del triac, haciendo llegar el
impulso de mando cuando hay una pequea V. en extremos del triac > VGT.
4.2.1.2 DETECTOR DE CERO-COMPARADOR
El circuito es el representado en la figura 4.9, donde, en este caso, el detector es un puente rectificador
de onda completa y el comparador es el transistor T1.
Va
R1
R4

S
T2

V1
P
C1

D1

T1
R2

R3

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..9.- Circuito detector de CeroComparador.

4.2.1.3 CONTROL POR PAQUETES SEMIONDA


Paquetes semionda: se usan cuando el tiempo de respuesta del sistema a controlar >> perodo de la c.a.
de alimentacin.
Circuito: interruptor sncrono (con el triac) sustituyendo S por un multivibrador.
4.2.1.4 DISPARO A TENSIN NULA
Si la conmutacin se hace a V 0, o en el bloqueo de los dispositivos para carga inductiva, se
producen transitorios que generan interferencias a alta frecuencia. Para evitarlo se realizan las
conmutaciones en los puntos de cruce por cero.
Actualmente esto se realiza con circuitos integrados que realizan la conmutacin antes que la
tensin de lnea exceda un valor.

4.2.2 CONTROL DE DISPARO POR NGULO DE CONDUCCIN: CONTROL DE


FASE
La forma ms simple de disparo de un tiristor o triac es c.c. Inconvenientes: la puerta
consume energa constantemente y el control slo puede realizarse desde 0 a 90. Solucin: control
horizontal y vertical a c.a. mediante un circuito desfasador.
4.2.2.1 CIRCUITO DESFASADOR RC
El circuito desfasador es el representado en la figura 4.10.a.

VAO C
I

VC
VS

RI

VR

VS
0
VAB

I1
C

/
2
VAO

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..10.- Circuito desfasador RC y
diagrama vectorial.
VAB = VC + VR

si I S << I

VAB =

I
+ RI
C

Esta igualdad la vemos en el diagrama vectorial de la figura 4.10.b segn el cual:


VOA =

VAB
I
; VS = VOA +
2
C

Tringulo rectngulo BSA al variar R, varia I describe una semicircunferencia de radio OS = VS


VS cte y desfasada con respecto a VAB un ngulo que depende de R:
tg 2 = RC
= 0 R = 0; = 180 R =
4.2.2.2 CONTROL HORIZONTAL
Variamos el instante t en el que V S del circuito desfasador pasa a ser positiva (Fig. 4.11.a)
disparando el SCR, mediante la variacin de R 1 (Fig. 4.11.b).

RL

R2
Th

R1
= ng. desfase
= ng. conduc.
= ng. disparo

Z
V

VAK del SCR


Seal desfasador
Desfasador Prot. puerta Etapa Pot.
Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..11.- Principio de
funcionamiento del control horizontal y circuito tpico.

DISEO:
transformador: Para un factor de regulacin dado (10 %) y los datos del problema tensin mx. de
salida en vaco del transformador :
VSmax = 2 ( VS + VS 0,1)

Circuito desfasador: Fijando C (0,1 F), R1 la hallamos, para un desfase dado:


tg 2 = RC
Circuito de proteccin (circuito de disparo): segn las necesidades de puerta del SCR
D: de caractersticas poco importantes, elimina los semiciclos negativos de VS.
VZ > VGT.
Para una IZ supuesta (1 mA) I = IZ + IGT
R2 :

R2 =

V1 VZ
I

Circuito de potencia: vemos que el dispositivo cumple las especificaciones del diseo.
VRMS (eficaz) = red (2202)
IRMS (eficaz por la carga): PL = Ve (RMS) I RMS
IT(AV) (media de conduccin): para = 0 (caso ms desfavorable) y siendo: R L =
IT( AV) =

1
2

Ve ( RMS)
PL

V0
Sen t d t
RL

PAV (media de disipacin): mediante la grfica que nos relaciona esta potencia con la IT(AV) para un ngulo
de conduccin dado ( = 180).
Necesidad del uso de radiador: calculamos la PAV que el SCR disipa sin radiador, y la comparamos
con PAV obtenida por grficas, si es mayor no lo necesitaremos.
P( AV ) =

Tj Ta
R ja

4.2.2.3 CONTROL VERTICAL


Consiste en aplicar, al circuito de mando del tiristor, una seal alterna desfasada 90 (Fig.
4.12.a) de atraso respecto a la tensin de alimentacin A-K, (fijando R 1 ) y superpuesta a una tensin
continua regulable (V) que variar el ngulo de disparo. Un circuito tpico es el de la figura 4.12.b.


RL

=90

V(-)
V

VAK del SCR


Seal desfasador

R2
Th

(+)

R1
= ng. desfase
= ng. conduc.
= ng. disparo

Z
V
Desfasador Prot. puerta Etapa Pot.

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..12.- Principio de


funcionamiento del control vertical y circuito tpico.

4.3 DISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES


4.3.1 INTRODUCCIN
Otra forma de disparo es acumular energa til, mediante un condensador, descargarla sobre
un circuito de puerta, un circuito de relajacin, y suministrarla a la puerta del SCR en forma de
impulsos en el momento deseado (Fig. 4.13).
En los circuitos de relajacin, el dispositivo usado (UJT, PUT o DIAC), tiene una tensin e
intensidad de disparo, VS e IS, y una tensin e intensidad de mantenimiento, VH e IH, el impulso de
salida del circuito ser eP . Su terminologia es distinta como podemos ver en el siguiente cuadro:

Caracterstica UJT PUT DIAC


VS
VP
VP
VS
I
I
I
IS
S
P
P
V
VH
VV
VV
C

eP
IH
IV
IV

eP
VOB1
VO
eP
Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..13.- Circuito de
relajacin
R0 Dispositivo
de disparo
I (VS, IS,VH, IH) iP
R2

4.3.2 DISPARO POR UJT


4.3.2.1 OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT
DESCRIPCIN DEL CIRCUITO:
El circuito es el mostrado en la figura 4.14.a.
RT (resistencia de carga de CT) y CT: de ellos depende la frecuencia de oscilacin.
UJT: proporciona el impulso VOB1 a la puerta del SCR.
R1: Proporciona un paso a la corriente de base del UJT (IBB) antes de dispararlo.
Evita que IBB circule por la puerta del SCR produciendo un disparo indeseado.
Valor: el necesario para que VGK est por debajo de la mnima tensin de disparo.
R2: Estabiliza el funcionamiento del dispositivo frente a aumentos de temperatura.

c.a.
c.c.

VBB
RT

R2
G
B1
R1

CT
IBB

IE

VE
VP
RL
A

VE ( min )

VB1
VGT

IV
RTmx

R Tmn

IP

VEB1

IBB R1

VP

VV

VBB

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..14.- Circuito de disparo con
UJT, formas de onda y caractersticas estticas.
DISEO DEL CIRCUITO:
Clculo de RT: Se calcula a partir de la caracterstica del UJT (Fig. 4.14.b) en la que se representan las
2 rectas de carga correspondientes a los valores lmites de RT.
R Tmax =
R Tmin =

VBB VP
IP

R Tmax =

VBB VV
IV

V VV
VBB VP
RT R Tmin = BB
IV
IP

Perodo de oscilacin TD: sabiendo que toff = tiempo de carga de C y ton = tiempo de descarga,
aplicamos logaritmos a la ecuacin de carga de C: VC ( t ) = VC (inicial) e

R C ,

obteniendo la Ecuacin de

la Constante de Tiempo. Como:

t tot = t off + t on t off >> t on t tot = t off

VBB >> VV

VP = VBB

TD = R T CT Ln

1
1

TDmx: para Rtmx

TDmn: para RTmn

Clculo de R1:

R 1max

r > > R1 + R 2
VGKmin
como BB

I
I BB
BB = VBB rBB

R1max

rBB VGKmin
VBB

Clculo de RB2: Su valor no es crtico y suele estar entre 100 y 330 .


Clculo de VOB1: a partir de la grfica de relaciona la tensin de salida con la capacidad del
condensador para una determinada resistencia de base R1.
4.3.2.2 SINCRONIZACIN CON LA RED DE ALIMENTACIN
Si los impulsos de salida del oscilador se aplican directamente a la salida del SCR, tanto la
frecuencia como la fase del tren de impulsos de salida, con respecto a la tensin de alimentacin
variara y no obtendramos un funcionamiento correcto del sistema por falta de sincronismo.
Una forma de obtener la sincronizacin es la sincronizacin con la red de c.a. de
alimentacin, cuyos circuitos bsicos se muestran en la figura 4.15, y sus formas de onda en la figura
4.16.

R3

R3

R4
R2

RT

R2

R5
V

CT

CT

R0

R1

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..15.- Circuitos de disparo por
UJT sincronizados con la red de C.A.
VI
VBB ( MAX )

2 34

6 78

9 101112

VAA V

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..16.- Formas de onda.
DISEO DEL CIRCUITO:
I.- Limites de funcionamiento:
Diodo Zener: Estabiliza la tensin alterna en todo el margen de funcionamiento de la onda rectificada.
Para su estudio, el ngulo de conduccin dado debe oscilar entre los que obtenemos al sustituir el valor
de VZ en la siguiente expresin:
VZ = Ve = V0 sen

min = arcsen

VZ
V0

max = 180 min

Oscilador de relajacin: Para hallar los lmites de funcionamiento, calculamos entre que valores
mximo y mnimo puede estar la resistencia de carga del condensador RT tal como se vio en el apartado
4.3.2.1.
II.- Diseo del oscilador:
Nos basamos en las frmula expuestas en el apartado 4.3.2.1 de este tema.
Hallamos el perodo de oscilacin TD para los ngulos de conduccin () dados y una frecuencia de red,
que depende del tipo de rectificacin (1/2 onda 50 Hz, onda completa 100 Hz), mediante la siguiente
expresin:
TD =

T'
T'
180

TDmax : para max


TDmin : para min

T'=

1
fred

Sustituyendo estos valores en la ecuacin de la constante de tiempo (apartado 4.3.2.1) obtenemos


los valores mximo y mnimo de R que deben estar dentro de los hallados en los lmites de
funcionamiento RT mximo y mnimo
Clculo de R1 y R2:
R1 garantiza un ngulo mnimo de conduccin, por lo que: R1 = R min

R2: R max = R1 + R 2
A veces, en las mejores condiciones, la tensin del oscilador no es la suficiente para disparar el
dispositivo, por lo que cambiaremos RB1 por un transformador de impulsos.
III.- Circuito adaptador de tensiones R1:
Se disea de forma que asegure la polarizacin del zener y del UJT. Sabiendo que, para un determinado
ngulo de conduccin (unos 15):

Ve > VZ

VR1 = Ve = V0sen15
I R1 = I Z + I(UJT) (4mA)

R1 =

VR1 VZ
I R1

PR1 =

V0 VZ
R1

IV.- Eleccin del tiristor:


Elegimos un tiristor con caractersticas de puerta lo ms prximas posibles a la tensin de
pico a la salida del oscilador:
VDRM > V 0
VGT<V OB1
V.- Disipadores:
Para ve la necesidad de un radiador hacemos referencia a las frmulas expuestas en el
apartado 1.6.5 del tema 1: Limitaciones de la Temperatura.

4.3.3 DISPARO POR PUT


De propiedades similares al UJT, puede usarse como elemento de disparo en el mismo tipo de
circuitos como el oscilador de relajacin PUT (Fig. 4.17).
Al igual que en el UJT, el perodo de la seal de oscilacin se calcula:
TD = R T C Ln

VC
10.5 V

VBB
RA
A G

R2

CA

R1
RK

VBA VV
VBB VP

VG
10 V
VK
9.5 V

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..17.- Circuito oscilador de
relajacin con PUT y formas de onda.
En cuanto a los lmites de la resistencia de carga del condensador (R T), tambin se determina
como en el UJT.

4.3.4 DISPARO POR DIAC


Los circuitos que veremos a continuacin se basan en la carga de un condensador a travs de
resistores, a la tensin de disparo del elemento de disparo V S (diac = 30 V) y la descarga de este a
travs del diac sobre la puerta del tiristor o triac.
La velocidad de la carga de C depende del valor de la resistencia en serie con C, cuanto ms
baja sea esta, antes se alcanza la tensin de disparo del diac.

4.3.4.1 CIRCUITOS DE CONTROL DE POTENCIA EN CONTINUA


C se carga a partir de una tensin continua VCC (Fig. 4.18) desde VC(0) (suponemos 0 al conducir el
SCR) hasta la tensin de disparo del elemento de disparo VS.
R1
R2

Vcc

Th

Ve

Diac

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..18.- Circuito de control de
potencia con carga de C en continua.
Hemos de tener en cuenta que:
ngulo de conduccin C: varia entre los lmites: C1 < C < C2.
ngulos de retraso: sD1 = 180 - C1 para R = R1 +R2.
sD2 = 180 - C2 para R = R1.
Frecuencia de lnea: 50 Hz T= 10 ms.
Tiempo de retraso:
D1
10ms
180

= D 2 10ms
180

TD1 =

TD =

D
T'
180
TD 2

Clculo de R1 y R2: fijamos el valor de C y aplicamos la ecuacin de la cte de tiempo.


TD1 = ( R1 + R 2 )C Ln

VCC VC (0)
VCC VS

TD2 = R1 C Ln

VCC VC (0)
VCC VS

4.3.4.2 CIRCUITOS DE CONTROL DE POTENCIA EN ALTERNA


El condensador se carga a partir de la lnea de c.a. (Fig. 4.19).

R1
Ve

R2
C

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..19.- Circuito de control de
potencia con carga de C en alterna.
El diseo de este circuito se basa en las curvas que relacionan VC (como una fraccin de la tensin
eficaz alterna de lnea), en funcin del ngulo de conduccin (o de retardo) y la constante de carga
(Fig. 4.20).
Diseo:
VC (como fraccin de Ve(RMS) )=

VS VC
para VC = VS - tensin de trabajo del diac.
Ve(RMS)

Con esta relacin y los ngulos de conduccin deseados, de las curvas obtenemos los valores la
constante de carga : (C1) y (C2).
Con estos valores y fijando C, obtenemos los valores de R1 y R2 sabiendo que:

= 2 R C f

(C1) = 2 ( R 1 + R 2 )C f
(C2 ) = 2 R 1 C f

1.80
1.40

Applied voltage, V

R
C VC

0.1

1.20
1.00

= 0.2
0.3
0.4

Capacitor
voltage, VC

0.5
0.7

0.80

1
1.5

0.60

0.40

3
5

0.20
0
0
180

20
160

40
140

60
120

80
100

100
80

Conduction Angle

120
60

140
40

160
20

180
0

Delay Angle

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..20.- Tensin en C, cargado
por C.A. en funcin del ngulo de conduccin.

4.3.4.3 HISTRESIS. CIRCUITOS CON DOBLE CONSTANTE DE TIEMPO


En estos circuitos, en el siguiente semiperodo, al descargar C, la seal en la carga comienza
en otro nivel diferente al debido, el 2 punto de disparo se alcanza antes de lo regulado. Esta
diferencia entre puntos de disparo se llama Histresis, debida a la carga residual de C.
Para solucionarlo, la carga en C debe estar constante, lo que conseguimos con una doble cte.
de tiempo (Fig. 4.21). Cuando C 2 dispara el diac, C 1 le suministra un refuerzo de tensin que acerca
los puntos de disparo deseado al real.

R1

R2

Ve
C1

C2

Fig. Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..21.- Circuito de control de
potencia en alterna con doble constante de tiempo.
El clculo de R 2 es a partir de las curvas del apartado anterior. Para el clculo de R 1 sabemos
que 1 << 1 por lo que:
2 R1 C f << 2 R1 C f R1 << R1
El valor de la resistencia de paso R se elige arbitrariamente para que el diac no se dispare
por efecto de C 1 (unos 100 K ).

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