2 EL DIODO SEMICONDUCTOR

2.1 INTRODUCCION
Los diodos rectificadores son elementos semiconductores
unidireccionales de dos terminales formados por una sola unión pn. Los
terminales son denominados ánodo (A) y cátodo (K). El gráfico 1
muestra la representación simbólica de un diodo rectificador. La
orientación de la punta de la flecha indica convencionalmente la
dirección de conducción de corriente, a la vez que representa el ánodo
del elemento. El cátodo está indicado por la barra proporcionando
corriente positiva a la carga.
Según la dirección de su montaje el diodo se dice que está polarizado
directa o inversamente. Así un diodo polarizado en directa conducirá
cuando el potencial del ánodo es superior al del cátodo.

+ P N -
A K
+
E i R
A K -

Gráfico 1 Gráfico 2

2.2 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS

Las características tensión−
− corriente de un diodo demuestra dos
estados posibles:
a) Estado de conducción: hasta una cierta tensión directa aplicada
denominada de "umbral" Vγ solo fluye una pequeña corriente a través

5
del mismo. Ello se debe a que la corriente aumenta exponencialmente
con la tensión directa. Superando esta tensión, normalmente de 0,3 V
para diodos de Germanio o 0,7 V para Silicio, la característica directa se
hace casi lineal, quedando limitada la corriente exclusivamente por la
resistencia diferencial del diodo en esta parte de la curva. Esta
resistencia es del orden de las centésimas de Ohm, y a veces menor. La
tensión en bornes del diodo, VA – VK tiene un valor positivo débil, del
orden de un voltio.
b) Estado de bloqueo: Cuando la tensión negativa en bornes del
rectificador tiende a hacer pasar la intensidad en sentido contrario, el
diodo no conduce ya que presenta una impedancia muy alta y por tal
razón sólo puede fluir una pequeña corriente en esta dirección. Esta
corriente aumenta ligeramente al incrementarse la tensión inversa
aplicada, hasta un determinado nivel conocido como tensión de
ruptura. Superando el mismo, la corriente aumenta abruptamente, con
pequeñas variaciones de tensión siendo un factor decisivo para provocar
la destrucción del diodo. Tanto la tensión de umbral como la corriente
inversa y la tensión de ruptura dependen de la temperatura.
Los gráficos 3 y 4 muestran las característica directas de un diodo real
y del modelo aproximado.
Modelo Real Modelo Ideal
I I
Conducción directa Conducción directa

Aproximación lineal

Región de Región de Tensión de umbral Región de Región de Tensión de umbral

ruptura bloqueo ruptura bloqueo
V V

Conducción inversa Región de conducción Conducción inversa Región de conducción

Gráfico 3 Gráfico 4

Estas características se expresan mediante la ecuación Schockley que

viene dada por:

 ηVV 
I = I R  e T − 1 Ec.2.1
 
 

Donde:
I Corriente a través de del diodo [A].
V Tensión entre ánodo y cátodo [V].
IR Corriente de fuga valor típico entre 10-6 y 10-15 [A].
η Coeficiente de emisión, valor empírico entre 1 y 2. Este
depende del material y de la construcción física del mismo.

6
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

VT Voltaje térmico. kT
VT =
q
k Constante de Boltzmann 1.3806.10-23 [J/K].
T Temperatura absoluta en grados Kelvins [ºK].
q Carga del electrón en culombios1.6022.10-19 [C].

2.2.1 Notaciones
Los parámetros correspondientes a las características de
funcionamiento de los diodos rectificadores pueden agruparse en cinco
categorías: símbolos de tensión, de corriente, potencia, térmicos y
diversos.

La nomenclatura más utilizada es la siguiente:

Símbolos de Tensión

VR Tensión inversa continua: tensión inversa en continua,

valor menor a 0.5 VRRM .
VRWM Tensión inversa de pico de trabajo.
VRRM Tensión inversa de pico repetitiva: Máximo valor de pico
de la tensión inversa repetitiva.
VRSM Tensión inversa de pico no repetitiva: Máximo valor de
pico de la tensión transitoria inversa no repetitiva.
V(BR) Tensión de ruptura de avalancha inversa: a partir de este
valor de tensión inversa la corriente comienza a subir
rápidamente.
VF Tensión directa continua.
VRMS Tensión eficaz.
V(TO) Tensión de umbral.

Símbolos de Corriente

IF Corriente directa.
IFAV Corriente directa media: valor absoluto de la corriente
continua directa dada para formas de ondas,
temperatura y refrigeración.
IFRMS Corriente directa eficaz: generalmente este valor esta
dado como valor límite permisible en operación continua
y válida para cualquier ángulo de conducción, forma de
onda de corriente y nunca debe superarse.
IFSM Corriente directa transitoria para una duración
determinada.

7
IF(OV) Corriente de sobrecarga permisible: generalmente dada
en función de la tensión inversa pico aplicada entre
instantes de conducción.
IR Corriente inversa.
IRM Corriente inversa de pico.

Símbolos de Potencia

Pd Disipación de potencia.
PFAV Disipación total de potencia media: esta dada en función
de la corriente media para distintas formas de onda y
ángulos de conducción.
PRSM Potencia de disipación inversa de pico admisible para
diodos de avalancha en función de la duración del
transitorio.

Símbolos Térmicos

Tj / Tvj Temperatura de la unión o juntura.

Tcase Temperatura de la base de montaje o carcaza.
Th Temperatura del radiador térmico o disipador.
Tamb Temperatura del medio ambiente.
Tstg Temperatura de almacenamiento.
Rt h Resistencia térmica total.
Rthjc Resistencia térmica entre unión y base de montaje.
Rthch Resistencia térmica base de montaje y radiador.
Rthha Resistencia térmica radiador ambiente.
Rthca Resistencia térmica base de montaje y ambiente.

Símbolos varios

rT Resistencia dinámica en conducción.

i2t Energía permitida para selección de fusibles de
protección.
tf Tiempo de bajada de la corriente inversa.
trr Tiempo de recuperación inverso.
Cj Capacidad de la juntura.
Qrr Carga de recuperación inversa: es la carga que fluye a
través del circuito de potencia durante el tiempo de
recuperación del diodo.
dv/dt Velocidad del aumento de tensión.
di/dt Velocidad del aumento de corriente.

8
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

Las características de los diodos pueden dividir en categorías diferentes:

a) directas,
b) inversas y
c) dinámicas.

2.2.2 Características directas

Los diodos normales, los protegidos por el efecto de avalancha y los de
recuperación rápida tienen características similares definidas por
curvas que representan la variación de la caída de tensión
ánodo−cátodo en función de la corriente que atraviesa el diodo. El
gráfico 5 muestra la forma de la caída de tensión VF de un
semiconductor a temperaturas máxima 160ºC y a 1os 25°C. Es
observable que la caída de tensión, con una corriente dada, es menor
con temperaturas altas en la juntura como consecuencia que la
resistividad aparente de la unión es menor. Con temperaturas altas la
agitación molecular es intensa y la ruptura de las valencias produce
electrones y huecos, que a causa de su mayor cantidad por unidad de
volumen reducen la resistividad del cristal. De todas maneras, el
incremento de temperatura tiene un efecto mayor sobre las
características inversas que sobre las directas.

iF[A]

Tip.
Máx.

50

160º 160º
Tvj=
25º 25º

25

0
0 0.5 1 1.5 2 VF [V]
Gráfico 5

9
2.2.3 Características inversas
Pueden definirse en varias formas, pero solo se refieren a un factor: la
corriente inversa IR. Esta puede graficarse en función de la tensión
inversa VR para distintos valores de Tvj (gráfico 6) o bien; fijando la
tensión inversa VR, graficar la variación de la corriente de fuga como
función de la Tvj (gráfico 7).
iR[mA] 0

-50 25º
Tvj=
160º

-100

-800 -600 -400 -200 0 VR [V]

Gráfico 6
iR[mA] 0

-50

-100

0 45 90 135 180 TJ [ºC]

Gráfico 7
Las características directas e inversas pueden combinarse como
muestra el gráfico 8.

Gráfico 8

10
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

2.2.3.1 CARACTERÍSTICA DE LA RECUPERACIÓN INVERSA

A cada lado de la unión, como es conocido, se forma una región en la
que no hay portadores libres y que consta solamente de átomos
ionizados, positivos en la región n y negativos en la p. Estos átomos,
que son fijos y constituyen parte de la red cristalina, forman una
barrera contra las partículas libres que de lo contrario se difundirían en
la juntura. El tamaño de la región varía inversamente con la cantidad
de impurificación y puede considerarse como un condensador entre las
regiones pn llamado capacidad de barrera y que determina el tiempo de
recuperación de la unión. La existencia de este tiempo provoca
limitaciones en la frecuencia y por ende en la velocidad necesaria en las
distintas aplicaciones. E1 tiempo de recuperación es aquel que
transcurre desde el instante en que el diodo en estado de conducción
pasa al bloqueo al ser polarizado inversamente. En los gráficos 9 y 10 se
observan dos casos de tiempos de recuperación.
Lo ideal seria que la unión tuviese una capacidad mínima con una
pequeña caída de tensión directa. Las junturas de esta naturaleza
pueden conseguirse usando una impurificación en la cuál las partículas
de gran energía estén localizadas en la banda prohibida del silicio. En
este caso, las partículas actuarán como centro de recombinación de los
portadores libres, que se transforman rápidamente en átomos ionizados
fijos.
E1 tiempo de recuperación trr es llamado a veces de apagado toff siendo
aquel tiempo necesario para que la unión recupere su valor de bloqueo
a continuación de una inversión en su polarización. Esto provoca que el
diodo sigue en condiciones de conducción un tiempo después de haber
pasado por cero la tensión ánodo−cátodo, observable en el gráfico 9 y 10
donde ta está generado por el almacenamiento de carga en la región de
agotamiento de la unión y representa el tiempo entre el cruce por cero y
la corriente inversa de pico IRM , tf es debido al almacenamiento de carga
en el material del cuerpo del semiconductor. La relación de tf /ta se
llama factor de suavidad SF.
t rr = ta + t f Ec.2.2

V,I V,I

di F di F
dt dt

IFM t rr I FM t rr

ta tf ta tf

0 t 0 t

IRM 0.25 IRM 0.25

IRM IRM
Q rr Q rr
IRM 0.90 IRM 0.90

v v
iR iR

Gráfico 9 Gráfico 10

11
La corriente inversa pico es:

di
I RM = t a Ec.2.3
dt
El tiempo de recuperación inversa trr se define como el intervalo de
tiempo entre el momento en que la corriente pasa por cero y el momento
en que la corriente inversa se ha reducido al 20% del valor pico IRM .
La carga de recuperación inversa Qrr es la cantidad de portadores de
carga que circulan a través del diodo en dirección contraria y esta
determinada por el área encerrada por la corriente de recuperación
inversa.

1 1 1
Qrr ≅ I RM .t a + I RM .t f = I RM .t rr Ec.2.4
2 2 2

Si tf fuese despreciable en comparación trr entonces trr = ta y la ecuación

anterior se transforma en:

2.Qrr 2.Qrr
t rr .t a = Ec.2.5 I RR ≅ Ec.2.6
di t rr
dt
2.Qrr
t rr ≅ Ec.2.7
di
dt
di
I RM ≅ 2.Qrr . Ec.2.8
dt

2.2.4 Características dinámicas

Las características dadas para los diodos rectificadores normales son:

2.2.4.1 TENSIONES TRANSITORIAS

Las redes de energía eléctrica en general, y las industriales en
particular, están sujetas a tensiones transitorias varias veces mayores
que la de pico de la tensión sinusoidal para la cuál están diseñadas
dichas redes. Los transitorios, causados por la conmutación o
interrupción de cargas inductivas, transformadores, etc., poseen
energías considerables, que las junturas han de poder resistir. Por tal
motivo, con una tensión cuyo pico sea VRWM será necesario adoptar un
factor de seguridad de 2 o 3 al elegir los componentes.

12
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

VRSM
VRRM VRWM

Gráfico 11

2.2.4.2 CORRIENTE DIRECTA MEDIA

Las características publicadas de corriente directa media IFAV, están
definidas para distintas temperaturas del semiconductor, en función de
la forma de onda y del ángulo de conducción del mismo tal como lo
muestra el gráfico 12.
30

cont.
A

sen.180

rec.120

20

rec.60

10

IFAV

0
0 50 100 150 200 TCASE[ºC]

Gráfico 12
Donde:
- sen.180º equivale a una forma de onda de corriente senoidal con
ángulo de conducción de 180º.
- rec.120º equivale a una forma de onda de corriente rectangular con
ángulos de conducción de 120º.
- rec.60º equivale a una forma de onda de corriente rectangular con
ángulos de conducción de 60º.

13
2.2.4.3 IMPULSOS DE CORRIENTE ACCIDENTALES
En cuanto a las corrientes se refiere, son aplicables las mismas
observaciones que respecto a las tensiones. Un diodo puede dar,
durante un periodo determinado, una corriente de pico superior a la
media para el cuál está proyectado. Con cada dispositivo se entregan
curvas de impulsos admisibles, que especifican la cantidad de ciclos
durante los cuáles puede tolerarse un valor pico dado en régimen
sinusoidal ó la duración del impulso de corriente. El gráfico 13 lo
muestra en forma general como relación entre Corriente de sobrecarga
permisible IF(OV) y el valor de Corriente directa transitoria dada para un
pulso de 10 ms de duración IFSM referenciadas a temperatura de juntura
y tensión inversa repetitiva máxima VRRM .
IF(0V)
IFSM
1.8 IFSM @ 25 ºC TVJ

1.6

1.4

1.2

1
0-VRRM

0.8
½-VRRM

1-VRRM
0.6

0.4 0 1 2 3
10 10 10 10 t [ms]
Gráfico 13

2.2.5 Diodos rectificadores de avalancha

A este tipo de unión se le ha dado mucha importancia, hasta el punto
de haberse proyectado para el manejo de grandes transitorios de
energía inversa sin peligro de destrucción de la estructura cristalina.
Estas uniones pueden absorber considerables energías inversas
transitorias sin destruirse con ellas, logrando este efecto impurificando
un poco los cristales.

14
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

2.2.6 Diodos rectificadores de recuperación rápida

Los diodos de recuperación rápida son necesarios en circuitos
rectificadores de alta frecuencia y en circuitos switching donde la
corriente de recuperación y el tiempo de recuperación son variables
críticas. El tiempo de vida media de los portadores de estos
semiconductores y el consecuente tiempo de recuperación son
controlados por difusión de oro o platino, lo que implica un aumento de
la caída directa. Estos dispositivos se encuentran en el rango medio de
tensiones (200/800 V) con tiempos de conmutación de hasta 100 ns y
caídas de 1,7 V.
E1 diodo SCHOTTKY es un ejemplo de diodo de recuperación rápida ya
que dicho tiempo es casi nulo. Está formado por una juntura metal-
semiconductor y son, por lo tanto, definidos como dispositivos de
portadores mayoritarios. Son ideales en uso en fuentes de alimentación
de gran corriente y de bajo voltaje.

2.3 MEDIDA DE LAS CARACTERISTICAS DE LOS

DIODOS

2.3.1 Medida de las características directas

Estas pueden hacerse con la ayuda del circuito del gráfico 14
obteniéndose la respuesta del dispositivo. En serie con el diodo
rectificador se conecta un amperímetro A, que dará el valor de la
corriente directa IF ; la caída de tensión entre los bornes ánodo−cátodo
se lee en el voltímetro V para cada uno de los valores de corriente.

V
+
E R A
- D

Gráfico 14

IF

VF
Gráfico 15
15
2.3.2 Medida de las características inversas
El equipo destinado para ello es similar al anterior con la diferencia que
la polaridad de la fuente de tensión continua está invertida.

-
E R mA
+ D

Gráfico 16

VF

IF
Gráfico 17

2.3.3 Medidas con osciloscopio

Para la comprobación de diodos semiconductores, se dispone de un
divisor de tensión, alimentado con corriente alterna, formado por el
diodo a analizar D y una resistencia R. La diferencia de potencial en
borne del diodo se aplica a la entrada horizontal del osciloscopio,
mientras que la tensión en bornes de la resistencia se aplica a la
entrada vertical del instrumento. E1 selector de barrido debe colocarse
en "externo".
El circuito básico se muestra en la figura siguiente conjuntamente con
1as respuestas posibles.

R
+
V V T H
-
D

Gráfico 18

16
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

Diodo normal Diodo zener

Diodo abierto Diodo cerrado

2.4 CONEXION DE DIODOS SEMICONDUCTORES

Es recomendable utilizar un solo dispositivo semiconductor, aunque
hay ocasiones donde es necesario recurrir al conexionado de ellos para
incrementar las características individuales.
Los diodos rectificadores permiten su conexión de manera de soportar
altas tensiones inversas o elevadas corriente directas. Así, los
semiconductores pueden conectarse en serie y/o paralelo. Las ligeras
diferencias en sus características, dentro del mismo tipo, hacen que se
dé lugar a un reparto desigual de la carga y que debe ser considerado.

2.4.1 Conexión serie

Si los diodos de potencia se hallan conectados en serie, se requiere de
redes equilibradoras de tensión, tanto para las condiciones de
polarización inversa estática como para los transitorios producidos por
los efectos de recuperación y de capacidad parásita.

17
 VRD1
VRD2
VRD3
VR
Ifuga común
D1
D2
D3

Gráfico 19
IR
Estas redes se simplifican o anulan si los diodos utilizados son de
avalancha controlada puesto que se asegura una buena distribución de
la tensión en condiciones estáticas de polarización inversa.
En una sucesión de diodos conectados en serie sin equilibrar se
presentarán diferentes distribuciones de tensiones y las impedancias
equivalentes varían continuamente al conmutar la serie de un estado a
otro.
Los estados posibles que se asumen después de una conducción directa
son:
a) Conducción inversa antes de la recuperación inversa: No todos los
diodos tienen tiempos de recuperación idénticos; la desigualdad de
tensión depende de la capacidad de la juntura de cada diodo y de su
tiempo de recuperación. El diodo que haya almacenado la carga
menor será el primero en crear una barrera de potencial, con lo que
absorberá toda la tensión inversa.
b) Durante el estado de polarización inversa, las diferencias de
resistencia de fuga producirán nuevamente una mala distribución
de la tensión. Debido a la corriente de fuga común, el diodo que
tenga resistencia de fuga más elevada tomará la mayor parte de la
tensión inversa aplicada.
+ - - -

1.0 V 1.0 V 0.7 V 600 V

1.1 V I (A) 1.1 V I (A) 0.7 V I (mA) 500 V I (mA)

1.2 V 1.0 V 1000 V 400 V

- + + +
Conducción Conducción Recuperación Estado de
Inversa Inversa parcial Bloqueo
Gráfico 20

18
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

El efecto de una desigual distribución de tensión en el estado de

polarización inversa se corrige con el conexionado en paralelo de una
resistencia con cada diodo cuyo valor sea de aproximadamente la
cuarta parte del valor previsto para la mínima resistencia de fuga del
diodo (gráfico 21).

VR
VR IS1 R
IS1
D1 IS2
D2 IS3
VR IS2 R
D3

IR VR IS3 R

Gráfico 21

Se añade también un condensador en paralelo con cada semiconductor

para absorber el exceso de carga almacenada de los diodos que tienen el
mayor tiempo de recuperación, produciendo una distribución de la
tensión uniforme.
El equilibrio de tensión tiene la ventaja de aumentar la tensión inversa
tolerable por la cadena de n diodos.

R
R1 D1
C

R2 D2
R

Gráfico 22

19
2.4.2 Conexión en paralelo
Si se conectan diodos de potencia en paralelo, es preciso asegurar una
adecuada distribución de la corriente. Para equilibrar la corriente se
pueden utilizar distintas técnicas.
Cuando se conectan en paralelo, los diodos están sometidos a la misma
tensión directa instantánea. El diodo con la menor resistencia directa
absorberá la mayor parte de la corriente.
La adaptación debe realizarse para tensión directa en dos niveles de
corriente distintos, con el fin de asegurar una buena distribución de
ésta, tanto en funcionamiento normal como en el caso de avería. Debido
a que la adaptación no tendría utilidad sin un buen equilibrio de
tensiones, será necesario equilibrar cuidadosamente las resistencias e
inductancias de las redes en paralelo. Se deben eliminar también las
diferencias de temperatura entre diodos, lo cual puede lograrse
montando cada diodo uno cerca del otro en un disipador común.
El gráfico 23 muestra el fenómeno del reparto desigual de corriente. Es
obvio que si IT es el doble de la corriente máxima de cada
semiconductor, el diodo D1 funcionará superando sus valores límites de
corriente.

IF
D1 D2

IF1 D1 D2 V
I F1 IF2
IF2
IT

V VF
Gráfico 23

Este efecto empeora con el aumento de temperatura de la juntura que

se produce en dichas condiciones de funcionamiento, pues para valores
de corriente próximos al límite, la tensión directa disminuye al
aumentar la temperatura. Las características de ambos diodos se
desplazarán hacia menores tensiones directas, pero este desplazamiento
será mayor para el diodo D1 con lo cual este absorberá una parte
todavía mayor de la corriente directa total, a menos de que su
característica muestre solo pequeñas desviaciones. Esto se muestra en
el gráfico 24.

20
 EL DIODO SEMICONDUCTOR

IF
D1 D2

IF1
Tvj = 25 ºC
IF1’ Tvj = 130 ºC

IF2’
IF2

VF
V
Gráfico 24

2.4.2.1 DISTRIBUCIÓN FORZADA DE LA CORRIENTE

Esto significa un reparto uniforme de la corriente de todos los diodos
conectados en paralelo. Si se añaden resistencia idénticas en cada rama
del circuito se reduce el efecto de la dispersión de la característica
directa, mejorando el equilibrio de corrientes (gráfico 25).

IF
D1 R+D1
R D2
R+D2 R R

V’
IF1
IF1’
D1 D2
IF2’
IF2 IF1 IF2

IT
VF
V V’
Gráfico 25
Como es notorio, la distribución forzada de corriente por este
procedimiento aumenta las pérdidas de potencia y afecta tanto al
rendimiento del sistema como a la regulación de la carga. Para una
adecuada distribución de corriente mediante resistencias en serie se
debe exigir una caída de tensión pequeña en el resistor para la corriente
directa de trabajo de pico.
El método de equilibrado de corriente que utiliza reactancias provoca
menor pérdida de potencia y por ende es el mas conveniente. El
esquema circuital de esta técnica se representa en el gráfico 26.

21
 +
+ -

L1 L2
I1 I2
- +
D1 D2

IT
-
Gráfico 26

Si el diodo D1 tiene el menor umbral, éste será el primero en empezar a

conducir. La corriente I1 produce una fuerza contraelectromotriz a
través de los bobinados L 1 y L 2 . Así, se reduce la tensión directa en D1,
aumenta en D2 y lo obliga a conducir. Cuando cesa el período de
conducción, I2 disminuye en primer lugar. Ello crea una nueva fuerza
contraelectromotriz que aumenta el período de conducción de D2 y
reduce el de D1 . El resultado es que por D1 y D2 circulan corrientes
prácticamente iguales. El resultado de esta disposición es producir una
tensión diferente, dependiente de la corriente aplicada, en los bornes
ánodo−cátodo de cada diodo semiconductor que constituye el conjunto.
Si hay en paralelo mas de dos diodos, el circuito a utilizar es el indicado
en la gráfico 27.

I1 I2 I3 I4

D1 D2 D3 D4

- IT

Gráfico 27

22