EXAMEN PREVIO.

N 1 TEORÍA-EP II-MAYO 2020

Nombres y Apellidos: Juan Diego Delgado Delgado Código UFPS 1091150
TEORÍA

1(12%).Existe un paralelismo entre la teoría de circuitos eléctricos, circuitos magnéticos y

circuitos térmicos. Para cada una de esta teoría se pide.
a) Definir la relación entre la causa y el efecto, explicar de que depende esta relación,
e indicar el nombre que se le da: los paralelismos o analogías existentes entre los
circuitos magenticos, eléctricos y térmicos son la reluctancia magnética, resistencia
eléctrica y la resistencia térmica respectivamente, donde cada una de ellas se debe
a una causa y efecto.
R=V/I. Se le denomina resistencia eléctrica a la oposición al flujo de corriente eléctrica a
través de un conductor al aplicársele un potencial. Donde el Voltaje aplicado(V) es la causa y
el efecto es la corriente (I) que circulara a través del conductor.

Reluctancia magnética=NI/ꬾ al circular una corriente variable por un conductor con cierta
cantidad de espiras arrollado a un núcleo magnético genera un flujo magnético que
recorrerá este circuito magnético, y se evidenciara la reluctancia que es la oposición a
dicho flujo magnético. Causa fuerza magneto motriz (NI) y el efecto el flujo magnético (ꬾ).
∆T
Para los circuitos térmicos: La resistencia térmica (R Ꝋ= ); donde ∆ T es la causa (diferencia de
P
temperatura entre dos puntos) y la potencia térmica conducida por el elemento es el efecto.

b) ¿En qué casos la relación entre causa y efecto es lineal? ¿Cuándo no es lineal, y por
qué?
La relación es lineal en el caso de los circuitos eléctrico para elementos ohmicos y se podría definir
también lineal para los circuitos térmicos, en cambio no es lineal en el caso de los circuitos
magnéticos debido a que la reluctancia no es un valor que se pueda considerar constante por las
variaciones que se puedan presentar en la permeabilidad del núcleo magnético además de que se
pueden presentar efectos magnéticos de saturación.

c) En el caso de los circuitos térmicos ¿por qué conviene que la resistencia térmica
ente la fuente de calor y el medio ambiente sea lo más baja posible? Cuales son las
desventajas de tener una resistencia térmica baja.
Es prescindible mantener la resistencia térmica baja ya que se logra que con una misma
potencia disipada el elemento mantenga un diferencial de temperatura menor entre sus
extremos y por consiguiente la temperatura se mantenga por debajo del valor máximo
permitido para una óptima operación del dispositivo.
2(6%) ¿Cual es la razón para utilizar mosfets en paralelo? Esta razón también se aplica a la
utilización de IGBT en paralelo?¿Por qué?
La razón radica en repartir la corriente que se debe conducir para lograr que no supere la máxima
permitida o utilizar Mosfets de menor capacidad de corriente. También logra que la resistencia de
pérdidas equivalente disminuya al colocarlas todas en paralelo y por tanto se reduzcan las
pérdidas.

También aplica para los IGBT’s, debido a que funcionan de forma equivalente y podemos
representar sus perdidas en forma de resistencias al igual que los Mosfet.

3(4%).¿En qué casos se puede utilizar un transistor sin snubber? ¿Cuáles son los efectos
del snubber sobre el transistor?
Se puede utilizar el transistor sin snubber en el caso de que sus pérdidas por conmutación sean
muy menores y en caso de que no haya peligro para la integridad del dispositivo de acuerdo con la
forma en que se conmuta. Los circuitos snubber impiden cambios rápidos en el voltaje y la
corriente del interruptor haciendo que estas variables cambien de una manera cuasilineal

4. (4%)¿Cómo resuelve el CI IRF 2210,el problema del encendido del transistor con el lado
de alta? Defina en pocas palabras en que consiste este problema,
Utiliza una solución que se denomina circuito bootstrap y utiliza para la conmutación del
transistor, un diodo y un capacitor, que actúa como una bomba, para mantener el voltaje
requerido entre G y S del transistor de alta.

5. (4%) ¿Por qué se dejó de utilizar el BJT?¿Por qué razón a pesar de no utilizarse, se
continua estudiando?
El BJT dejó de utilizarse en los dispositivos actuales por sus fenómenos de segunda ruptura y de
recuperación inversa que limita la operación a alta frecuencia. Aún se estudia debido a sus
características de control y la forma en que opera como interruptor.

6 (6%) Definir con palabras: a) Intensidad de campo magnético. b) Permeabilidad;¿por qué

se usa en los cálculos la permeabilidad inicial, c)Densidad de campo magnético saturada.
d) Efecto piel del campo magnético-Efecto piel de J.
a. La intensidad de campo magnético es la causa que produce una densidad de
campo magnético (B) cuando se aplica este en un núcleo magnético H=B/µ.
 b. Es la relación (pendiente) entre B y H, se utiliza la permeabilidad inicial debido a
que esta no es lineal y siempre se trata de utilizar en las aplicaciones
c. La densidad de campo magnetico saturada se debe a cuando todos los dominios
del amterial magnetico se han alineado, resusltando una permeabilidad relativa
unidad.
d. El efecto piel hace que las perdidas del cobre de los conductores de gran diámetro
aumenten al reducir el aérea efectiva del conductor, esto se debe a las corrientes
parasitas que se generan al circular un flujo variable de corriente por estos
conductores.

7 (4%) ¿Cuál es la diferencia esencial entre el diseño de un inductor que utiliza el método
de Mohan, y el diseño aproximado que se utiliza en el DISEÑO SIMPLIFICADO DE UN
INDUCTOR CON ENTRE HIERRO.

La duración del examen será de 1 hora y se debe responder en el orden que se

presenta.
El examen se debe presentar en formato Word,y se debe remitir al correo institucinal
del profesor en el lapso definido