NANOCRISTALES

Carlos Emmanuel Monteza Ortiz

Facultad de ciencias, Universidad Nacional de Ingeniera, carlos_10_812@hotmail.com
La memoria flash no voltil es aplicada en
productos de electrnica porttil. Se predice
que la memoria flash tradicional llegar a
lmites fsicos a medida que sus dimensiones
se reducen; las cargas almacenadas en la puerta
flotante pueden filtrarse ms fcilmente a
travs de un tnel delgado xido, causando un
problema grave fiabilidad. Con el fin de
resolver este problema, se ha propuesto la
memoria discreta de nanocristal debido a su
alta
velocidad
de
operacin,
buena
escalabilidad y confiabilidad superior.
La estructura de puerta flotante (FG),
inventado por Sze y Kahng en los Laboratorios
Bell en 1967, constituye la principal tecnologa
necesaria para la construccin de memorias
flash.
Con el fin de satisfacer las demandas de
miniaturizacin, la contraccin de los
transistores evoluciono como un mtodo para
no slo empacar ms dispositivos en un rea
dada, pero tambin mejorando la velocidad de
conmutacin. En tal situacin, convencional la
memoria no voltil (FG) sufre de ciertas
limitaciones fsicas, tal como un espesor
insuficiente de xido de tnel. Debido a que la
puerta flotante (como una capa de
almacenamiento de carga) es conductor, toda la
carga se perder si una fuga ruta aparece en el
xido de tnel.
Memoria discreta nanocristales fue primero
propuestos por IBM en 1995, y por la dcada
del 2000 los investigadores lo consideran
candidato prometedor para la solucin del
problema de escala.
En la memoria de nanocristales, la
informacin se almacena en los
nanocristales mediante la inyeccin
(eliminacin) cargas; por lo tanto, un
transistor necesita grandes Voltaje
(ms pequeos) para encenderlo,

llamado
el
programa
Funcionamiento

(borrado)

Fig. 1 (a) Estructura de la memoria no voltil de puerta

flotante. (b) estructura de la memoria no voltil
Nanocristal. (c) Programa y el modo de borrado de la
nanocristales.

Dispositivo de memoria (Fig. 1c). El "0" o "1"

estado de la memoria digital est determinada
por la aplicacin de un voltaje de lectura
(Vread) para la puerta entre el programa y
operaciones de borrado para leer la
correspondiente corriente de drenaje.
Efecto Fowler-Nordheim (FN) tnel y canal de
inyeccin de electrones calientes (CHEI) son
los dos mecanismos ms comnmente
empleado para la operacin del programa, y
tunelizacin FN para la operacin de borrado.
FN tnel es un fenmeno por el cual los
electrones fcilmente puede pasar a travs de
una barrera triangular inducida por un campo
de alta verja. El mecanismo CHEI es el
proceso mediante el cual una un electrn gana
energa de un campo elctrico (cerca drenaje)
y luego choca con la red para redirigir en la
capa de almacenamiento de carga. Un
adecuado cambio de voltaje de umbral, alta
densidad de memoria, bajo consumo de
energa, as como propiedades de retencin y
resistencia superiores son, pues, necesario para
una memoria no voltil avanzada. La memoria
flash de Nanocristal tiene ahora demostrado
comercialmente, tal como en 90 nm de nodos
de memoria flash nanocristales incrustados

Freescales y 128KB puerta NOR dividida

memoria nanocristales y 4 MB de memoria
Numonyx nanocristal.
Esta revisin proporciona un estudio completo
y exhaustivo de nanocristales tecnologas de
memoria que pueden combinar de forma
compatible con los circuitos integrados (IC) de
la industria. Si la memoria nanocristales
mantiene compatibilidad con la industria de las
tcnicas de CI, pueden
comercializarse
rpidamente
dispositivos
de
memoria
nanocristal.
MTODOS
DE
NANOCRISTALES

FORMACIN

DE

La memoria no voltil de metal-xidonanocristal-xido-silicio se fabrica de la

siguiente forma. Se limpia una wafer de silicio
(~100) por el proceso de limpieza estndar de
la Radio Corporacin de Amrica (RCA), que
elimina impurezas de la superficie. Una capa
de xido de alta calidad con 5 nm de espesor se
cultiva entonces como un xido de tnel.
Despus, una capa de carga atrapada se
deposita, y entonces, dependiendo del material,
un tratamiento trmico necesario para producir
nanocristales. A continuacin, una capa de
xido gruesa para bloquear cargas. Por ltimo,
puertas de electrodos son depositados y
modelados. Fig. 2.

Fig. 2 Proceso de creacin de memoria de nanocristales

Los tres principales mtodos de formacin son

auto-ensamblaje, precipitacin y reaccin
qumica, descritos a continuacin

Auto-Ensamblaje
El proceso de auto-ensamblado se muestra en
las Figs. 3a-c. Una capa de captura de 1-5 nm
se deposita y luego la pelcula se recuece a una
temperatura prxima a su temperatura
eutctica en un gas inerte transformando la
capa de captura en la estructura de un
nanocristal. El dimetro de la nanocristal est
influenciada por el espesor de la capa de
captura, as como la temperatura y la duracin
del tratamiento trmico. Fig. 3d ilustra las
principales fuerzas motrices que contribuyen a
este proceso. Las fuerzas de dispersin y las
capas elctricas dobles afectan el tamao y
ubicacin distribuciones nanocristales. Este
proceso se logra a travs de la relajacin del
estrs de pelcula y es limitado por la
movilidad de superficie. Durante el tratamiento
trmico, estos tomos ganan movilidad
superficial suficiente, lo que permite que la
pelcula se auto-ensamblan en el estado ms
termodinmicamente
estable
y
energticamente. La pelcula rompe en "islas"
a lo largo de la perturbacin inicial para
reducir la energa elstica llevada por el estrs
incorporado en la pelcula durante el proceso
deposicin. Por otra parte, la minimizacin de
la energa superficial y la dispersin de fuerza
entre las interfaces superior e inferior son
propicio para la estabilizacin de la pelcula.
Por lo tanto, la geometra final depende del
equilibrio entre estas fuerzas impulsoras. Las
fuerzas entre esas regiones ayudan a estabilizar
los nanocristales y mantener una distancia
uniforme entre ellos. Sin embargo, no se puede
garantizar que la capa de captura es
completamente discreta.

Fig. 4 Proceso de Precipitacin

Fig. 3 (a), (b) y (c) Proceso de creacin con autoensamblaje (d) fuerzas que intervienen en la creacin

Precipitacin
Una capa de captura sobresaturada o mixta se
prepara mediante la implantacin de iones en
un sistema de capa de aislante o sistema de codepsito formando nanocristales con varios
recocidos trmicos. La nucleacin de la
formacin de nanocristales durante recocido
trmico rpido (RTA) proceso puede ser
descrito como sigue.
Slidos-solutos sobresaturados se separan
durante el recocido trmico. A medida que la
temperatura y la duracin del recocido trmico
aumentan, estos productos de partida pueden
obtener la energa suficiente para difundirse a
travs de la pelcula mixta con un gran nmero
de colisiones suficientes para formar ncleos
formando una alta distribucin de la densidad
de las estructuras de nanocristales, como se
muestra en Fig. 4. Sin embargo, el empleo de
la implantacin de iones de alta energa
tradicional para aplicaciones de memoria
nanocristal ha revelado algunas deficiencias:
La distribucin de iones (siguiendo una
distribucin gaussiana) es amplia con alta
energa de inyeccin (~ 30 a 150 keV), de tal
manera que el control de los nanocristales
cerca del xido de tnel es difcil. Adems,
incluso cuando el ion implantado llega a la
interfaz entre el xido de silicio y silicio
sustrato, puede causar daos en el xido de
tnel, lo que resulta en la degradacin del
rendimiento.

Reaccin qumica
El mtodo de reaccin qumica se usa para
formar una capa de captura nanocristal y se
ilustrada en Fig. 5. Inicialmente, una capa de
mezcla binaria o terciaria es co-depositada por
diferentes sistemas de materiales y despus la
capa se oxida por las capacidades debido a sus
diferentes energas libres de Gibbs; es ms
fcil para formar un compuesto de xido
estable cuando tiene baja entalpa. Por lo tanto,
durante la Oxidacin RTA, un material que
comprende la capa de mezcla binaria es
tpicamente ms fcilmente oxidado mientras
que el otro material tiende a conjugar con otros
tomos del mismo material para formar el
nanocristal. Un proceso similar tambin se
produce por la capa de mezcla terciaria.

El oxgeno no slo puede ser introducido en la

capa de mezcla en la etapa de co-depositar sino
tambin durante la RTA proceso para un mejor
control de la concentracin de oxgeno. El
control de la concentracin de oxgeno en la
capa de mezcla es un tema importante. A bajas
concentraciones de oxgeno provoca la
oxidacin insuficiente de la capa de mezcla y
la corriente de fuga superior. A altas

concentraciones de oxgeno el nanocristal

puede oxidarse.
La precipitacin y reaccin qumica son
consideradas los mejores mtodos de
formacin de nanocristales para una capa de
atrapamiento de material mezclado, porque es
ms fcil controlar el tamao y la densidad de
los nanocristales.
La evolucin de los materiales y la
tecnologa
Actualmente, la memoria no voltil nanocristal
se clasifica en tres categoras principales,
determinados a travs de los materiales
utilizados: (i) de semiconductores, (ii)
metlicos, y (iii) nanocristales de alto dielctricos.
La memoria de nanocristales de silicio se
introdujo primero como un reemplazo para la
puerta flotante convencional en la estructura de
memoria no voltil (NVM) por Tiwari. En los
principios de 1990. Parece prometedor utilizar
nanocristales de Ge en lugar de nanocristales
de Si debido a su mayor constante dielctrica o
permitividad relativa (~16.0) y banda
prohibida ms pequea (~ 0,6 eV). Chen
propuso que los nanocristales de Ge tengan un
fuerte acoplamiento con el canal de
conduccin, y que una de memoria de ventana
de
gran
tamao
y
bajos
voltajes
programa/borrado podra ser alcanzado. Por
otra parte, el modelo de la memoria
nanocristales de Shi indic que los cargos
inyectados se almacenan principalmente en los
centros de captura de profundidad, dando lugar
de almacenamiento de carga a largo plazo.
Recientemente, Ge/Si memorias de heteronanocristales se demostraron por grupos de Shi
por primera vez, como un reemplazo para la
puerta flotante convencional en memoria de
estructura no voltil (NVM). Memoria de
Hetero-nanocristales
puede
mejorar
el
rendimiento del dispositivo; alargando el
tiempo de retencin, la aceleracin, la
velocidad de programacin, y el aumento de la
capacidad de almacenamiento de carga, cuando
en comparacin con la memoria de

nanocristales de Si. Esto es debido al hecho de

que una interfaz de Si alrededor de la de Ge
nanocristal aumenta altura de la barrera entre
la interfaz Ge / Si y evita que las cargas de
nanocristales almacenados se escapen.
Adems, una estructura de nanocristal Ge-Si
core-shell (ncleo-cascar)
Tambin fue propuesto para mejorar la calidad
interfaz nanocristal-aislador, lo que resulta en
mejores caractersticas de rendimiento de
dispositivos, tales como mejora el tiempo de
retencin
y
de
velocidad
programacin/borrado.
En la optimizacin de dispositivos NVM
nanocristales, la meta ideal es conseguir
simultneamente rpida programacin DRAM/
velocidad de borrado y largos tiempos de
retencin de memoria flash. Para ello, hay que
crear una asimetra en el transporte de carga a
travs del dielctrico de puerta para maximizar
la IG, programa / borrado / IG, retencin proporcin. Uno de
los enfoques para lograr este objetivo es
disear la profundidad del pozo de potencial en
los nodos de almacenamiento, por lo tanto la
creacin de una gran banda de energa de
desplazamiento entre el sustrato de Si y los
nodos de almacenamiento para las operaciones
de programacin y retencin. Esto puede ser
logrado si los nodos de almacenamiento estn
hechas de nanocristales de metal. Las mayores
ventajas de nanocristales de metal sobre
nanocristales semiconductores incluyen: (i)
una mayor densidad de estados en torno al
nivel de Fermi (ii) la escalabilidad del tamao
de los nanocristales (iii) una amplia gama de
funciones de trabajo disponibles y (iv) las
perturbaciones de energa ms pequeos
debido al confinado de portadores.
Adems, los nanocristales de metal mejoran
significativamente el campo elctrico entre el
nanocristal y el canal de deteccin creado por
el sesgo de puerta de control, y por lo tanto un
sistema de este tipo puede alcanzar una
eficiencia mucho mayor en el programa de
bajo voltaje / operaciones de borrado.

Liu reporto el crecimiento Au, Pt, Ag y

nanocristales en SiO2 utilizando el mtodo de
deposicin de haz de electrones.
Yang y Hu propusieron Ni y nanocristales de
Co en una estructura NVM de alto dielctrico. Nanocristales metlicos de siliciuro
Tambin fueron desarrollado, debido al hecho
de que los nanocristales metlicos de siliciuro
son fciles de fabricar y tienen buena
estabilidad trmica en comparacin con los
nanocristales de metal normales.
Memorias nanocristales de alto -dielctrico
no voltiles (HfO2 y nanocristales CeO2
incrustados en SiO2) se propusieron por
primera vez por Lin y Yang. HF y Si se codepositaban en oxgeno seguido con recocido a
alta temperatura para formar nanocristales de
alto -dielctrico. Estas caractersticas sugieren
que tales clulas podran ser muy tiles para
aplicaciones de memoria no voltil de alta
densidad de dos bits. A partir de la
consideracin de la energa libre de Gibbs, la
termodinmica indica que es ms fcil para el
Si a oxidar de un metal durante el proceso de
oxidacin trmica rpida (RTO). Debido a la
menor oxidacin de energa libre de SiO 2,
nanocristales metlicos precipitan fcilmente
en un SiO2 capa dielctrica de un metal de
silicio y la capa de mezcla. Por lo tanto, la
temperatura mxima RTO de la formacin de
nanocristales disminuye con un incremento en
la energa libre de Gibbs de un compuesto de
xido de metal, como se muestra en la Tabla 1.
La temperatura de RTO es un factor importante
en el presupuesto trmico para la
compatibilidad con los mtodos CMOS:
nanocristales de metal con temperaturas de
formacin ms bajas son preferibles para su
aplicacin en procesos CMOS estndar.
Un enfoque alternativo es disear la
profundidad del pozo de potencial (d eff) en los
nodos de almacenamiento, lo que podra
conseguirse
seleccionando
materiales
metlicos adecuados, considerando la funcin
de trabajo del metal se crea una barrera
asimtrica
entre
el
sustrato
y
el

almacenamiento de nodos, es decir, una

pequea barrera para la programacin y una
gran barrera para retencin. Durante el proceso
del programa, los cargos deben superar la
barrera de energa del xido de tnel, como se
muestra en la Fig.6a.
Tabla 1. Energa libre de Gibbs y las
correspondientes temperaturas RTA de diversos
materiales.

Para la retencin, la estructura de barrera

asimtrica ofrece el extra altura de la barrera
de energa (deff) para evitar las cargas
almacenadas escapan a partir de los nodos de
almacenamiento a travs del xido, como se
muestra en la Fig. 6b. Los efectos de memoria
de Ag, Au, Pt, W, Co, Ni, NiSi2, Ni 1-xFex, Hf,
estao y nanocristales de metal de Al han sido
fabricadas y estudiadas. Un mejorado efecto de
memoria se puede observar cuando deff es
mayor.
La relacin entre la funcin de trabajo de metal
y la banda de energa de silicio se muestra en
la Fig. 6c. Por otra parte, un resumen de los
resultados de la investigacin sobre el uso de
diversos nanocristales de metal como de
almacenamiento de carga puede ser encontrada
en la Tabla 2.
El semiconductor (Si-base) NC-NVM es
compatible con la industria de circuito
integrado; la fuente de las primeras
investigaciones y la tecnologa de fabricacin
ms maduro. Dispositivos de alto -dielctrico
NC-NVM pueden frenar la migracin de carga
almacenada.

Adems, tales celdas podran ser tiles

aplicaciones para altas densidades de memoria
no voltil de dos bits. En el metal NC-NVM
fabric la tecnologa, la eficiencia del
programa y de retencin de datos se pueden
mejorar mediante el diseo de una estructura
de barrera asimtrica. Adems, la oxidacin
formacin NC temperatura se puede reducir
por la mezcla metal/silicio.

Figura 6. Diagrama de bandas de energa para

nanocristales de metal incrustadas entre una xido de
control y xido de tnel durante (a) la programacin y
(b) la retencin.(c) las funciones de trabajo de diversos
materiales nanocristales

Tabla 2. Funciones de trabajo y las caractersticas de

memoria correspondientes de diversos materiales

Figura 7.
LA EVOLUCIN DE LA ESTRUCTURA DEL
DISPOSITIVO

Una buena memoria no voltil debe exhibir una

alta velocidad de programacin/borrado, bajo
consumo de energa, una ventana de memoria
suficiente, y confiabilidad superiores (resistencia
y retencin).

As, se han introducido algunos enfoques para

mejorar el programa / velocidad de borrado y/o
tiempo de retencin sin sacrificar otras
propiedades de memoria. Estos enfoques
incluyen un tnel de barrera de ingeniera, multicapa de nanocristales, funcin de ingeniera de
trabajo, y pasivacin de xido circundante.
El concepto de ingeniera de xido de tnel se
basa en una barrera de energa asimtrica en el
xido de tnel, que es dependiente del estado de
memoria, que es ya sea en el programacin/
borrado o modo de retencin. Generalmente, la
altura de la barrera () de xido de tnel
convencional no est influenciada por la tensin
de puerta, independientemente de si el sistema
est en el programa de estado o en estado de
retencin/ borrar, como se muestra en la Fig. 7a.
S. Baik propuso una estructura de nitruroxido-nitruro con una altura de la barrera
ajustable para mejorar la velocidad de
programacin/borrado. Este ajuste de altura
barrera de xido de tnel (j ') se reduce durante
el funcionamiento del programa cuando se
aplica un voltaje positivo en la puerta, como se
muestra por la lnea discontinua en la Fig. 7b.
Por lo tanto es ms fcil para que los electrones
se inyectan desde el sustrato en nanocristales.
Despus de la operacin del programa, la barrera
de energa vuelve a su altura original para evitar
que los electrones de tunelizacin de los
nanocristales de vuelta al sustrato durante el
estado de retencin, mostrada como la lnea
continua en la Fig. 7b. Adems, la memoria
nanocristal con una estructura asimtrica
SiO2/HfO2 ha sido propuesta en base a una
anchura de barrera modificable. La anchura de
barrera de SiO2/HfO2 es ms delgada que la de
una capa de xido nico cuando se aplica una
tensin positiva suficiente a la puerta para la
programacin, como se muestra en la Fig. 7c.
Durante la retencin, la barrera mantiene su
anchura original para evitar que el tnel del
electrn de los nanocristales de vuelta al
sustrato, como se muestra en la Fig. 7d. El uso
de estos enfoques de ingeniera de xido de
tnel, la velocidad del programacin/borrado se

puede mejorar sin sacrificar el tiempo de

retencin.
Un enfoque multi-capa nanocristal para mejorar
la retencin de la memoria ha sido propuesta por
R. d Ohba y WR Chen. Como se muestra en
Fig. 7e, nanocristales de capa inferior puede
suprimir la fuga cargo de nanocristales de capa
superior en el sustrato por el efecto del bloqueo
de Coulomb. Por lo tanto, la memoria
nanocristal multi-capa puede lograr una mejor
capacidad de almacenamiento de carga que la
memoria tpica nanocristal de una sola capa.
El enfoque de ingeniera funcin de trabajo en
nanocristales de metal, sobre la base de una
barrera asimtrica entre el sustrato y un
profundo pozo de potencial, se ha discutido
completamente en la seccin anterior de la
memoria de nanocristales de metal. Una barrera
de energa menor durante el funcionamiento del
programa y una ms grande uno durante la
retencin pueden lograrse, como se muestra en
las Figs. 6a, b. Por lo tanto, el programa /
velocidad y retencin de borrar tiempo se puede
mejorar de forma simultnea.
Finalmente, propiedades de memoria se pueden
mejorar significativamente mediante la mejora
de la calidad del xido que rodea a los
nanocristales. Despus del tratamiento del xido
circundante, la fuga de carga aunque que el
xido se puede suprimir de manera efectiva,
tanto durante el estado programacin/borrado y
el estado de retencin, como se muestra en la
Fig. 8. De este modo la ventana de memoria y
velocidad de programacin/borrado, as como
propiedades de retencin y la resistencia, se
puede mejorar. SC Chen propuso un mtodo de
tratamiento de plasma para mejorar las
propiedades de memoria. Los enlaces Si cuelgan
en el xido que rodea a los nanocristales pueden
pasivados por los tratamientos de plasma, lo que
resulta en una memoria de ventana y tiempo de
retencin superior. Adems, los resultados
experimentales revelan que la resistencia
tambin se mejora despus del tratamiento de
plasma como el resultado de la calidad de xido
superior. Otros mtodos, tales como la tcnica

del fluido supercrtico CO2 (SCCO2), tambin se

pueden utilizar para mejorar la calidad de xido.
Despus de los tratamientos de SCCO 2, las
trampas en el xido se pasivan, y por lo tanto la
corriente de fuga a travs de trampas (es decir,
trampa asistida tnel) se puede suprimir con
eficacia.

de alta densidad. Si el xido circundante no

puede prohibir efectivamente el transporte de
carga entre nanocristales, la memoria nanocristal
perder la ventaja de tener un nodo de
almacenamiento de carga discreta; es decir, la
prevencin de la prdida de carga total
almacenada a travs de una va de fuga en el
xido de tnel. A pesar de que rodea pasivacin
de xido puede aliviar el transporte de carga
entre nanocristales, con el tiempo las cargas en
nanocristales voluntad directamente tnel a
travs del xido alrededores delgados si la
densidad de nanocristales sigue aumentando.
APLICACIONES ADICIONALES

Figura 8.

Reproducibilidad
Propiedades de memoria de nanocristales son
influenciadas por el tamao de los nanocristales,
la forma y configuracin. Nanocristales no estn
formados por patrones, por lo tanto, las
fluctuaciones apuestan dispositivos individuales
Ween se convierte en importante. Segn La
Internacional Technol ga Hoja de ruta para
Semiconductores (ITRS 2009), el tamao de
celda de memoria es probable que reduzca a
1.000 nm2 para el ao 2020. Esto significa que
slo unos diez nanocristales pueden ser
contenidos en cada clula de memoria. En una
escala tan pequea, se hace cada vez ms
desafiante sintetizar materiales adecuados con el
tamao y forma uniforme, y ensamblarlos en
una matriz nanocristales bien ordenada.
Fugas de carga
Nanocristales de alta densidad pueden almacenar
ms carga en un dispositivo de memoria y
mitigar la influencia de las fluctuaciones entre
los dispositivos individuales porque hay ms
nanocristales en cada celda de memoria. Sin
embargo,
las
cargas
almacenadas
en
nanocristales de fugas aunque el xido que rodea
ms fcilmente en los sistemas de nanocristales

Televisores Triluminos de SONY

Una nueva aplicacin en uso de los nanocristales
es la generacin de pantallas de televisores de
puntos cunticos ests se valen de las
propiedades pticas de los nanocristales que
pueden modificar la longitud de onda diferente a
la tecnologa led comn que solo se limitaba a
difraccin de luz blanca y un auto corrector para
obtener los colores primarios azul verde y rojo
Por el contrario siendo el caso de los
nanocristales formados de cadmio y selenio que
al incidirles luz de cierta longitud de onda
modifican a los 3 colores de forma directa, con
un mayor rendimiento y menor consumo[2]

Figura 9.

Est propiedad de cambio de longitud de onda

puede ser explicado con teoras de Fsica
cuntica (emisin espontnea y estimulada)
donde la luz es considerada un conjunto de
fotones y la energa de estos est dado por h y
con la interaccin con la materia tenemos
emisiones de fotones longitud de onda diferente.

Cristalografa de nanoparticulas crecimiento

y forma
Despus de la etapa de la nucleacin
mencionado en el proceso de precipitacin Un
ncleo individual de cristal puede producir
partculas de cristal individual, semillas gemelas
quntuples las cuales dotarn su simetra hasta
el producto final, pueden ser una Marcks
decaedro, decaedro estrella, varilla decagonal o
bipirmide pentagonal Anlogamente, las
partculas obtenidas de cristales nicos gemelos
tendrn al menos simetra de espejo. Tales
partculas pueden simplemente crecer a partir de
las semillas iniciales en la misma reaccin, o las
semillas pueden ser transferidas a una diferente,

tal vez menos energtica, medio para el

crecimiento adicional sin nucleacin. Este
proceso ha sido muy exitoso en la prestacin de
control de forma, ya que desvincula de manera
efectiva la seleccin del ncleo cristalogrfico
de la seleccin de facetas cristalogrficas
expresadas preferentemente. Muchos metales y
aleaciones simples cristalizan en una fase cbica
(fcc) centrada en las caras, compartiendo as
patrones
de
hermanamiento
similares
promovidos por baja energa {111} lmites
gemelos. Esta similitud hace comn la
nucleacin y los patrones de crecimiento que
conduce a una familia compartida de posibles
formas, como se muestra en la Figura 10

Figura 10. Familias de posibles formas de crecimiento de Cristales [3]

REFERENCIAS
Developments in nanocrystal memory
Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, ShihCheng
Chen
and
Yu-Ting
Tsai[1]
http://www.xataka.com/televisores/nan
ocristales-asi-funciona-la-tecnologia-

que-quiere-cambiar-los-televisores-en2015 [7:17/23/06/15]
... [2]
Nanocrystalline
materials:
recent
advances
in
crystallographic
characterization techniques Emilie
Ringe [3]