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Applications of atomic layer deposition to nanofabrication and emerging deposicin por capas atomicas nanodevices del (Aplicaciones de la Haga

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a la nanofabricacin y nanodispositivos patrn emergentes)

Por Alex Henry Tezen Acedo alextezen@hotmail.com

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Introduccin
Qu es ALD?

La deposicin por capa atmica (ALD) es una tcnica que permite controlar el crecimiento de pelculas delgadas a nivel atmico. Este depsito por capas atmicas se basa en la obtencin secuencial de estados estables y autocontrolados en la superficie.

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Introduccin
La

tcnica utiliza reactivos secuenciados en condiciones termodinmicas en las que ocurre una saturacin de la superficial entre cada reactante y la superficie. Cada una de estas reacciones adiciona una capa sobre la superficie de crecimiento, y al final de cada ciclo configura el arreglo cristalino final, y depende ste tambin del substrato utilizado, la temperatura y la exposicin de cada uno de los reactantes.

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Caracteristicas del ALD como una Herramienta para la Nanotecnologia


(i)

liberacin de un precursor (ii) evacuacin de las especies no adsorbidas (iii) liberacin del precursor oxidante (iv) evacuacin de las especies no adsorbidas

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Caracteristicas del ALD como una Herramienta para la Nanotecnologia


Conformalidad

excelente Control de la composicion y espesor a escala atomica.


Deposicin

a baja temperatura Algunos ejemplos de temperatura baja ALD debajo de 50 C incluyen TiO2, SiO2, B2O3, y CdS, tambin resumidos en un reciente papel. ALD procesa en termalmente materiales del polmero robustos, como para las barreras de difusin en dielectrics de k bajo, se ha estudiado durante varios aos. Por ejemplo, se 4/27/12 depositaron ALDWCN difusin barreras usando

Caractersticas del Mtodo ALD


Una

reaccin saturada en la superficie. Depsito de tomos capa por capa en forma auto-limitada. => la cantidad del material depositada en pelcula en cada ciclo de reaccin es constante. Control atmico del depsito de pelculas con una precisin de 0.1-3 por monocapa. Tpicamente con dos qumicos precursores. Gas inerte (N2 o Ar) de arrastre, tpicamente a 1 mbar, para evitar el crecimiento de parsitos en el substrato como en el caso de CVD.
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Ventajas
preciso del espesor. El espesor de la pelcula slo depende del nmero de ciclos de reaccin. Excelente conformidad y reproducibilidad. Menos problema de homogeneidad en flujos de reactivos como en el caso de CVD, y simplifica el uso de precursores slidos. Fcil de hacer multicapas.Atractivo para futuras generaciones de circuitos electrnicos.
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Control

Ventajas
amplio gama de materiales para depositar con alta densidad y baja nivel de impureza. a)Oxides: Al2O3, HfO2, La2O3, SiO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, ITO, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3 b) Nitrides: WN, Hf3N4, Zr3N4, AIN, TiN, NbNx c) Metals: Ru, Pt, W, Ni, Fe, Co Baja temperatura de depsito (< 400 C).
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Un

Limitaciones
Lentitud

en el depsito (cada ciclo puede variar entre 0.5 a varios segundos). Afortunadamente, para futuras generaciones de circuitos integrales solo se requieren capas muy delgadas. Algunos materiales no se pueden depositar de bajo costo, tales como Si, Ge, Si3N4, algunos xidos de multicomponentes, algunos metales. Riesgo de espape de residuos qumicos, como cualquier mtodo qumico. El nivel de impureza de las pelculas depende de la completacin 4/27/12 las de

ALD para nanodispositivos emergentes


ALD

es una de las tcnicas de deposicin ms prometedora para muchas aplicaciones en los dispositivos a nanoescala, como se ilustra en la figura. Una de las reas ms estudiadas son los altos k gate oxidos para MOSFET, ya que con el ALD se espera resolver los problemas que enfrenta causada por la ampliacin del dispositivo, tales como alta corriente de fuga. Adems de la deposicin de un material de k alto, el ALD tiene un beneficio adicional para depositar pelculas con 4/27/12 modulacin de la composicin atmica de

Alta movilidad FETs


Ge

y GaAs se considera que tienen un gran potencial para este propsito. Aunque los dispositivos MOSFET planar con Ge o GaAs como un canal no puede sustituir a todos los dispositivos de silicio-basada en un futuro prximo debido a imprevistos obstculos tcnicos para la produccin masiva, nucleares o dilisis, de estos materiales se espera que sean importantes bloques de construccin bsicos en muchos nanodispositivos emergentes .
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Dispositivos de memoria no volatil (NVM) emergentes NVM incluyendo En cuanto a estos,

nanocristales (NC) de la memoria, la memoria de conmutacin resistiva (ReRAM), y la memoria de cambio de fase (PRAM) estn atrayendo la atencin para la sustitucin de las memorias voltiles corriente actual representado por la memoria de acceso aleatorio dinmico (DRAM). En primer lugar, puesto que la memoria de nanocristales es ms escalable y funciona bajo tensin ms baja que la memoria convencional de puerta flotante, que es uno de los candidatos ms 4/27/12

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Nanofabricacion usando ALD


nanofabricacinconbajasdimensionesna

nomaterialesy biomateriales Recubrimiento de nanoparticulas por ALD Nanomaterial sntesis utilizando nanomateriales 1D como plantillas

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nanofabricacinconbajasdimen sionesnanomaterialesy biomateriales


Recubrimiento

de nanoparticulas por ALD Nanomaterial sntesis utilizando nanomateriales 1D como plantillas Biotemplating

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Nanofabricacin usando materiales nanoporoso


Materiales

nanoporoso, como aerogel o AAO (Anodic Aluminun oxide), tienen un alto potencial para ser utilizado para los procesos de nanofabricacin. Por ejemplo, los nanomateriales 1D son producidos por el alto llenado de nanoholes y relacin de aspecto de los materiales nanoporoso mediante tcnicas de deposicin de pelcula con propiedades de alta brecha de relleno

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Nanofabricacin usando materiales nanoporoso


En

este caso, la calidad de la nanoestructura resultante est determinado fundamentalmente por conformalidad (o el grado de vaco de llenado) del proceso de deposicin de pelcula delgada.. Uno de los mtodos de deposicin utilizado para este propsito es la galvanoplastia, debido a su excelente espacio de relleno en los agujeros de tamao nanomtrico, pero por lo general requiere de una capa de semilla de la realizacin, por lo que todo el proceso complicado, y galvanizacin de los materiales no conductores es difcil. 4/27/12

Nanofabricacion con autoensamblado de materiales Uno de los elementos clave de la

nanotecnologa es la auto-montaje. A travs de auto-ensamblaje, tomos, molculas, y otros bloques de nano construccin -organizarse sin la gua en estructuras funcionales impulsado por la energtica, la realizacin de una amplia gama de sistemas de materiales a nanoescala. Procesos de autoensamblaje incluyen un amplio abanico de ejemplos, tales como nanopartculas / NW de auto-ensamblaje, polmero selfassembly, SAM, la formacin de las clulas vivas
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Nanofabricacion con autoensamblado de materiales


Auto-montaje

de copolmero di bloque (CDB) Auto-ensamblado de nanoesferas Fabricacin basado en SAM (Self-assembled monolayer)

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SAM
SAM

son finas pelculas orgnicas que forman espontneamente sobre superficies slidas. SAM ha demostrado ser til para muchos ejemplos de nanofabricacin como la deposicin selectiva de pelculas delgadas, la litografa blanda, la electrnica molecular, el control de los comportamientos de humedad y la friccin, y la proteccin de superficies contra ambientes corrosivos.

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CONCLUSIONES
Debido

a los beneficios delALD, tales como conformalidad excelente capacidad de control de espesor preciso y buenas propiedades de crecimiento de la pelcula a bajas temperaturas, sus aplicaciones se estn expandiendo ms rpidamente que nunca. En esta revisin, se discuten slo una pequea fraccin de la gran variedad de aplicaciones potenciales

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