INSTITUTO TECNOLGICO DE CHIHUAHUA

Materia:
ELECTRNICA DE POTENCIA

Profesor:
COSME RAL ALVARADO MEZA

Trabajo de Unidad #1:

INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Alumno:
Miguel Alberto Aguilar Garca 08061110

Fecha de entrega:
14 de Octubre de 2014

1. ANTECEDENTES HISTRICOS, DESCRIPCIN DE LOS DISPOSITIVOS

QUE SE UTILIZABAN ANTES DE 1970 Y QU ELEMENTOS LOS
FUERON REEMPLAZANDO

La historia de la electrnica de potencia se inicia en 1900 con la introduccin del

rectificador de arco de mercurio. Despus se introdujeron en forma gradual el
rectificador de tanque metlico, el de tubo al vaco controlado por rejilla, el
ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos se aplicaban para el control de
potencia hasta 1950.
La primera revolucin electrnica comenz 1948, con la invencin del transistor
de silicio en los Bell Telephone Laboratories, por Barden, Brattain y Schockley.
La microelectrnica moderna ha evolucionado a travs de los aos a partir de los
semiconductores de silicio. El siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en
los Bell Laboratories, o sea la invencin del transistor de disparo PNPN, que se
defini como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SCR).
La segunda revolucin de la electrnica empez en 1958 con el desarrollo del
Tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva
era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido muchas
clases distintas de dispositivos semiconductores de potencia y de tcnicas de
conversin. La revolucin microelectrnica nos permiti tener la capacidad de
procesar una gran cantidad de informacin con una rapidez increble. Cabe
mencionar que la electrnica de potencia vino a cubrir necesidades como la
conversin de energa para el control de los motores elctricos, as como tambin
encargarse de los dispositivos de estado slido para el procesamiento de seales
para lograr los objetivos de control deseados.
En la dcada de 1970 aparecen los circuitos integrados que con esto trajo ciertas
ventajas: como el menor tamao, menor costo, peso y ms confiables
posteriormente en esa misma dcada nacen los microprocesadores. Las vlvulas
diodo de cubeta de mercurio son probablemente las ms antiguas formas de
vlvulas electrnicas se han conocido por aos como rectificadores de arco de
mercurio, este consiste en una envoltura de vidrio o metlica que contiene una
cubeta de mercurio en el fondo de la cmara. La cubeta forma el ctodo del tubo.
La estructura envolvente soporta uno o ms nodos de hierro a una distancia
apropiada por encima de la superficie de la cubeta.
Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio
(SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos
semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban

utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones

industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos
se pueden dividir en cinco tipos principales:

Diodos de potencia
Tiristores
Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
MOSFET de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de
induccin estticos (SIT).

Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos:

Tiristor de conmutacin forzada

Tiristor conmutado por lnea
Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
Tiristor de conduccin inversa (RCT)
Tiristor de induccin esttico (SITH)
Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
Rectificador controlado de silicio foto activado (LASCR)
Tiristores controlados por MOS (MCT).

Los diodos de potencia son de tres tipos:

De uso general
De alta velocidad (o de recuperacin rpida)
Schottky.

2. DESCRIPCIN GENERAL DE LAS VLVULAS ELECTRNICAS COMO

EL TIRATRN, FANATRN, INGNITRN. DESCRIPCIN, OPERACIN
Y CONSTRUCCIN

TIRATRN.
Se llama tiratrn a una vlvula gaseosa de tres o cuatro electrodos, provista de
ctodo incandescente, nodo y rejilla, llena de vapor de mercurio o de gas noble.
Su conduccin se logra aplicando en la rejilla de control un voltaje de cierta
polaridad y magnitud. Es una vlvula termoinica parecida a un trodo, el trodo es
una vlvula termoinica de tres electrodos, nodo, ctodo y rejilla de control, que
est llena de gas. El tiratrn se utiliza para el control de grandes potencias y
corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero
limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un
gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio de los electrones termoinicos, se
tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el trodo.

El tiratrn es un tipo de tubo lleno de gas que se usa como un interruptor

elctrico de alta energa y como rectificador controlado, es bsicamente un
"rectificador controlado de gas", que puede manejar corrientes mucho mayores
que las vlvulas de vaco duras similares ya que en la multiplicacin de electrones
se produce gas ionizado por las colisiones de electrones con tomos de gases,
utilizando el fenmeno conocido como una descarga Townsend. La velocidad
media de los iones en el gas es mucho menor que la de los electrones, de modo
que los iones slo pueden representar el 10% de la corriente total. Los gases
utilizados que se incluyen son el vapor de mercurio, xenn, nen, y el hidrgeno. A
diferencia de un tubo de vaco, un tiratrn no se puede utilizar para amplificar las
seales linealmente.
Construccin y Funcionamiento.
El llenado de gas se representa con un punto en su smbolo. La formacin de la
descarga en el gas depende de la tensin que hay entre la rejilla y el ctodo. As

que si la tensin negativa de la rejilla con respecto al ctodo es mayor, mayor ser
la tensin positiva del nodo, para que se encienda la vlvula. Una vez encendida
la vlvula, la tensin de la rejilla no influye sobre la corriente andica, y la vlvula
solo se apaga cuando la tensin andica desciende por debajo del potencial de
retencin. Por medio de la tensin de rejilla se puede actuar sobre el encendido
del tiratrn.

Aplicaciones.
Hace algunos aos muchas de las aplicaciones estaban consideradas dentro de
los circuitos electrnicos para desempear ciertas tareas, por ejemplo realizar la
funcin de relay elctrico en circuitos de control de tiempo, en los circuitos de
barrido interno de los osciloscopios, tambin para el control y regulacin de
motores de corriente continua, o el control de luminosidad de lmparas
fluorescentes, entre otros.
FANATRN.
Se llama fanatrn a una vlvula termoinica parecida a un diodo de vaco que
est llena de gas. Se utiliza para la rectificacin de corriente alterna de gran
intensidad, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero
limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico.

Funcionamiento.
En el trayecto hacia el nodo, los electrones emitidos por el ctodo de estas
vlvulas chocan contra los tomos del gas, lo cual genera iones positivos y
electrones libres. Estos electrones se dirigen hacia el nodo del tubo. Los iones
positivos emigran hacia el ctodo. Ello favorece an ms la emisin de cargas
negativas. Por tanto se obtienen corrientes de nodo mucho ms intensas que
mediante el empleo de vlvulas de vaco. Por esta razn los fanotrones resultan
particularmente adecuados para rectificacin industrial de corrientes alternas. Se
fabrican fanotrones capaces de proporcionar intensidades comprendidas entre 0,1
y 100 A y, a la vez, soportar tensiones inversas de pico superiores a 15 kV. Con el
fin de limitar la corriente a un valor que no dae la vlvula, los fanatrones deben
trabajar siempre en serie, con una resistencia limitadora adecuada.

IGNITRON.
Un Ignitrn es un tipo de rectificador controlado, es una vlvula electrnica que
se utiliza como rectificador de corrientes alternas, como interruptor de conexin en
los equipos de soldadura, de disparo para las lmparas algenas y en general
para mltiples aplicaciones en que se requieran corrientes de intensidad elevada.
El ignitrn consta de un ctodo de mercurio lquido, de un nodo de grafito y de un
electrodo de encendido llamado ignitor, hecho de material semiconductor. Para
que se verifique el encendido es necesario, adems de establecer una diferencia
de potencial entre el ctodo y el nodo, que pase por el ignitor un corto impulso de
corriente suficientemente elevada.
El Ignitor es el elemento del circuito auxiliar del ignitrn y que se utiliza como
disparador al emitir un pulso de alta tensin que genera el encendido.
Construccin y Funcionamiento.
Suele presentarse como un contenedor alargado con una piscina de mercurio en
el fondo que acta como ctodo. Un cilindro de grafito o metal, sujeto sobre la
piscina por una conexin elctrica aislada, acta como nodo. A un electrodo de
encendido (llamado "ignitor"), hecho de un material semiconductor refractario
como el carburo de silicio se le aplica un breve pulso de mucha intensidad para

crear una nube de plasma de mercurio conductor. El plasma llena rpidamente el

espacio entre la piscina de mercurio y el nodo, permitiendo la conduccin de
electricidad entre los electrodos. En la superficie del mercurio, el calentamiento por
el arco resultante libera un gran nmero de electrones lo que ayuda a mantener el
arco elctrico en el mercurio. La superficie del mercurio sirve por lo tanto de
ctodo, y la corriente elctrica es normalmente en un solo sentido. Una vez
encendido, un ignitrn seguir conduciendo hasta que la corriente se interrumpa
externamente o el voltaje entre ctodo y nodo cambie de sentido.

Aplicaciones.
Los Ignitrones se utilizan mucho como rectificadores de alta tensin en las
grandes instalaciones industriales y de servicios pblicos, donde miles de
amperios de corriente AC se deben convertir a CC, como en las fundiciones de
aluminio, etc... Los Ignitrones se utilizan tambin para controlar la corriente en
mquinas de soldadura elctrica, motores elctricos grandes. De una manera
similar a los dispositivos semiconductores modernos tales como rectificadores
controlados de silicio y triacs, muchas locomotoras elctricas utilizan ignitrones en
conjuncin con los transformadores para convertir corriente alterna de alto voltaje
de las lneas areas a DC relativamente baja para los motores de traccin.
Debido a que son mucho ms resistentes a los daos por sobrecorriente o backvoltaje, Los ignitrones todava se fabrican y se usan en lugar de semiconductores
en algunas instalaciones, Por ejemplo, los ignitrones todava se utilizan en ciertas
aplicaciones de potencia pulsada. Estos dispositivos soportan cientos de
kiloamperios, los nodos en estos dispositivos a menudo se fabrican a partir de un
metal refractario, usualmente de molibdeno, para manejar la corriente inversa sin
daos. A menudo se utilizan para cambiar las bateras de condensadores de alta
energa durante el conformado electromagntico, electro-formacin, o en caso de
emergencia en los cortocircuitos de las fuentes de alimentacin de alta tensin.

3. CLASIFICACIN DE LOS TIRISTORES O SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA; NOMBRE, SMBOLO, CARACTERSTICAS DE V-I,
CONSTRUCCIN, ESTRUCTURA INTERNA Y APLICACIONES

TIRISTOR SCHOTTKY.
Es un tiristor con dos terminales llamadas nodo y ctodo, est constituido por
cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn, bsicamente
acta como un interruptor abierto hasta que se aplica un voltaje de encendido se
cierra el tiristor y permite el flujo de corriente a travs de l, permitiendo as mismo
la conduccin, dicha conduccin contina hasta que la corriente se reduce por
debajo del valor especfico IH.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente.

Estructura interna.

Aplicaciones.

Una de las aplicaciones y empleo de ste tiristor consiste un tiristor Schottky con
un voltaje de conduccin de 10 V. Por tanto, si el voltaje de la fuente es de 9 V, el
tiristor estar abierto y no circulara corriente por l, por lo tanto la lmpara estar
apagada. Ahora bien, si el voltaje de la fuente supera los 9V. Debido a una falla en
el sistema, el tiristor entrar en saturacin y la lmpara encender. Es importante
sealar que la lmpara permanecer encendida aunque el voltaje vuelva a 9V,
debido a que el tiristor estar cerrado, indicando de esta forma que ha habido una
falla. Para apagar nuevamente la lmpara es necesario quitar la alimentacin para
que el tiristor regrese a su posicin original inicialmente (circuito abierto).

TIRISTOR DE CONDUCION INVERSA PUERTA CANAL N CONTROLADO POR

NODO (RCT).
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a
travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a
una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de
conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por
debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones
transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido
en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.
Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR), cuenta con tres
pines nodo, ctodo y puerta, el voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000
volts y la especificacin de corriente hasta 500A. El voltaje de bloqueo inverso es
tpicamente de 30 a 40 Volts. Dada las caractersticas de relacin entre la
corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus
aplicaciones se limitan a diseos de circuitos especficos.

Smbolo.

Estructura Interna.

TIRISTOR DE CONDUCION INVERSA PUERTA CANAL P CONTROLADO POR

CTODO (RCT).
Es igual que el controlado por nodo, con la diferencia de que ste como su
nombre lo dice tiene el gate en el ctodo.
Smbolo.

Estructura Interna.

TIRISTOR DE DESCONEXIN INVERSA PUERTA CANAL N CONTROLADO

POR NODO (GTO).
Son semiconductores discretos que actan como interruptores completamente
controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento
con una seal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Estos
componentes estn optimizados para tener muy bajas prdidas de conduccin y
diseados para trabajar en las ms demandantes aplicaciones industriales. Estos
componentes son altamente utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta
Potencia para aplicaciones de baja y media frecuencia. Un tiristor GTO tiene la
estructura muy similar a un tiristor SRC convencional, como se muestra en la
figura I. con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales: nodo (A), ctodo (K)
y puerta (G).
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de
una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se
construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva
mediante un pulso negativo corto. Mientras el GTO se encuentre apagado y no
exista seal en la compuerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en
el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de vas en
directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es
alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y
la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la
aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak)
existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un
corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de
fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso
de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso
de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa
forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es
reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la
corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La
segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el
mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.
Ventajas de los GTO en comparacin con los SCR.
-Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da
como resultado una reduccin en costo, peso y volumen.

-Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de

bobinas de induccin en la conmutacin.
-Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms altas.
-Una eficiencia mejorada de los convertidores.
Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.
-Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.
-Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio.
-Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio, tpicamente de
10:1.
Alta ganancia en estado activo tpicamente de 600 Seal de compuerta pulsada de
corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO pasa a una
saturacin ms profunda debido a la accin regenerativa. Por otra parte, un
transistor bipolar tiende a salirse de saturacin.
Smbolo.

Caracteristica Voltaje-Corriente

TIRISTOR DE DESCONEXIN INVERSA PUERTA CANAL P CONTROLADO

POR CTODO.
Funciona igual que el controlado por nodo, con la nica diferencia de que el
gate est sobre el ctodo.
Simbolo.

SBS Silicon Bilateral Switch (INTERRUPTOR DE 2 SENTIDOS DE SILICIO).

El SBS o Silicon Bidireccional Switch es u dispositivo de baja pote cia si trico
para aplicacio es de disparo
s vers til que el I
. ie e ade s u ter i al
adicio al gate o
que per ite odificar sus caractersticas de disparo co
peque os pulsos de corrie te dece as de . u reducido coste alta velocidad
capacidad para disparar puertas de tiristores co altos valores de corrie te hace
que este dispositivo sea u til e
uchas aplicacio es.
o es
sola e te u versi
ejorada del diodo de cuatro capas si o que es fabricado
como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente

Estructura Interna.

SUS Silicon Unilateral Switch (INTERRUPTOR DE 1 SENTIDO DE SILICIO).

Es la combinacin de un tiristor con puerta andica y un diodo Zener entre puerta
c todo. e usa para el disparo de tiristores. u pri cipal par etro es V 6
10 V., Se dispara a una tensin fija, Vzener, y su corriente IS est muy cercana a
IH. La Sincronizacin es mediante impulsos en la puerta del SUS.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente y Estructura Interna

TRIGGER DIAC.
Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de
colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta
corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente.

FOTOTIRISTOR (LASCR).
Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR). Dispositivo semiconductor
de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que es
activado por medio de energa luminosa que incide sobre una de las junturas PN.
Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el LASCR se dispara y
permanece en ese estado aunque desaparezca esa luz.
Principio de funcionamiento: Este dispositivo se activa mediante radiacin directa
de luz sobre el disco de silicio. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la
radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico.

La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente

sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo,
LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede
ser reconocido por la simbologa que muestra la figura I. Como se observa cuenta
con tres terminales Puerta (G), nodo (A), Ctodo (K) y una ventana transparente
por donde entra la luz.
Aplicaciones.
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva
esttica o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento
elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos
cientos de kilovoltios.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente

Estructura Interna.

DITRIAC / QUADRAC.
Son un tipo especial de tiristor que combina un " cardaco "y un" triac "en un solo
paquete. El diac es el dispositivo de disparo para el triac. Los tiristores son de
cuatro capas (PNPN) semiconductores dispositivos que actan como
interruptores, rectificadores o reguladores de tensin en una variedad de
aplicaciones. Cuando se activa, los tiristores se encienden y vuelven de baja
resistencia actuales caminos. Siguen siendo as incluso despus de retirar el
gatillo, y hasta que la corriente se reduce a un cierto nivel (o hasta que se activan
apagado). Diacs son bidireccionales diodos que conmutan AC voltajes y triacs
gatillo o los rectificadores controlados de silicio (SCR). A excepcin de una
pequea corriente de fuga , triacs no llevan a cabo hasta que la tensin de ruptura
se alcanza. Triacs son de tres terminales, dispositivos de silicio que funcionan
como dos SCR configurados en una inversa, disposicin paralela. Ellos
proporcionan corriente de carga durante las dos mitades de la tensin de
alimentacin de CA. Mediante la combinacin de las funciones de diacs y triacs,
quadracs eliminan la necesidad de comprar y montar las piezas discretas.
Quadracs se utilizan en el control de iluminacin, control de velocidad, y
aplicaciones de control de modulacin de la temperatura. Llevan las
especificaciones de rendimiento, tales como pico repetitivo fuera de tensin,
repetitivo pico de voltaje inverso , raz cuadrada media (RMS) actual en el estado,
y la unin de la temperatura . Tensin de pico repetitiva es el mximo, el valor
instantneo de la tensin fuera del estado que se produce a travs de un tiristor,
incluyendo todos los voltajes transitorios repetitivos y excluyendo todas las
tensiones no transitorias. Pico de tensin inversa repetitiva es la tensin inversa
pico mximo que se puede aplicar de forma continua a las principales terminales
(nodo y ctodo) de quadracs. RMS actual en el Estado es la mxima corriente

RMS permitido para la temperatura de casos de uso especificado. Temperatura de

la unin para quadracs se expresa como una gama completa requerida.
Smbolo.

TRIAC.
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin,
con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el
momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se
ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se
aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR,
con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los
negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta
que su corriente cae por debajo de IH.
Smbolo.

Caracterstica Voltaje-Corriente

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para

distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de

polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de

VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que
este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer
bajar la corriente por debajo del valor IH.
Estructura Interna.

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT Insulated Gate Bipolar

Transistor).
Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la
caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT
es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son
como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta
entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las
aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos
acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente
conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor,
electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o
SAI (en Ingls UPS), etc.

Smbolo.

Estructura Interna.

Circuito Equivalente.

Caracterstica Voltaje-Corriente

Funcionamiento.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa
que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el
tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.
LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor
el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa
como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50
kW.

4. DEFINICIN DE LOS PARMETROS ELCTRICOS DE LOS

DISPOSITIVOS.
PARMETROS GENERALES.
VDRM = Tensin de pico mxima repetitiva en el estado bloqueado en el sentido
directo que soporta el tiristor.
VRRM = Tensin de pico mxima repetitiva en el sentido bloqueado que soporta el
tiristor.
IT = Corriente eficaz mxima permanente para una conduccin durante una
alternancia (180).
Io = Corriente media mxima permanente para una conduccin durante una
alternancia (180). Io est generalmente unida a IT por la relacin: Io = 2x
IT/3 14 .
ITSM = Corriente de pico mxima de sobrecarga accidental. Esta intensidad est
definida por una conduccin de una alternancia (10 ms). El componente debe
haber recuperado el equilibrio trmico antes de ser sometido a una nueva sobre
intensidad.
IFGM o IGM = Intensidad de puerta directa mxima. Magnitud definida para una
duracin de impulso mxima.
PGFS o PGM = Potencia de pico de puerta. Magnitud definida por una duracin de
impulso mxima; es superior a PGAV.
PGAV = Potencia media disipable por la puerta. Es la potencia media mxima que
puede disipar la puerta en el caso de una seal de control continua.
VGM = Tensin mxima de puerta.
Tstg = Margen de temperaturas de almacenamiento.
TJ = Margen de temperaturas de trabajo de la unin.
= Velocidad de incremento mxima de la intensidad del nodo.
PARMETROS ELECTRICOS.
IDRM = Intensidad de nodo de fuga mxima repetitiva en el estado bloqueado.
IRRM = Intensidad de nodo de fuga mxima repetitiva en el sentido de bloqueo.

IGT = Intensidad de cebado (llamada tambin de disparo) de puerta.

VGT = Tensin de cebado (o de disparo) de puerta.
IL = Intensidad de enganche, definida para un valor de IG*IL es siempre superior a
IH.
IH = Intensidad de mantenimiento, definida para un valor de IT.
VTM = Tensin nodo-ctodo mxima en el estado conductor o disparado, definida
para IT = ITM.
= Velocidad de incremento mxima de la tensin de nodo-ctodo en el estado
bloqueado.
PARMETROS DE CONMUTACION.
Tgt = Tiempo de puesta en conduccin del tiristor.
Tq = Tiempo de bloqueo del tiristor.
Parmetros Especficos Para el TRIAC
IDRM = IRRM para el triac.
IGT, VGT e IL estn definidos para los cuatro cuadrantes de trabajo del triac.
Vcd = Es el valor promedio del voltaje de salida o de carga.
Icd = Es el valor promedio de la corriente de salida (de carga).
Pcd = Es la salida de potencia en corriente directa, es directamente proporcional al
valor promedio de voltaje por el valor promedio de la corriente:
Pcd = VcdIcd
Vrms = Es el valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida.
Irms = Es el valor medio cuadrtico (rms) de la corriente de salida.
Pca = Es la potencia de salida y corriente alterna la cual es directamente
proporcional al valor medio rms de voltaje por el valor medio rms de la corriente:
Pca = Vrms Irms
F.F = Es el factor de forma, el cual es una medida de la forma de voltaje de salida,
y est dada por:

F.F =
R.F = Es el valor de la componente ondulatoria, el cual es una medida del
contenido de la componente ondulatoria y est dada por:
R.F =
T.U.F = Es el factor de utilizacin del transformador y est determinada por:
T.U.F =
P.I.V = Es el voltaje de bloqueo de pico inverso el cual es igual al voltaje de
entrada.
F.D = Es el factor de desplazamiento y se encuentra dado por:
F.D = Cos
P.F = Es el factor de potencia de entrada y se determina por:

5. VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Las principales razones tcnicas para la utilizacin de sistemas electrnicos y de

potencia son a menudo la gran velocidad y la dinmica de regulacin que se
asocia a sus dispositivos. La soldadura sin proyeccin, el tren de levitacin
magntica, la fabricacin de electroerosin y las mquinas de herramientas son
buenos ejemplos de ello.
Las principales razones econmicas son la reduccin del peso y volumen y el
buen rendimiento de los equipos. La alimentacin en modo conmutado en los
televisores reduce el costo de produccin. En los equipos informticos, tiene la
ventaja de una reduccin en la disipacin trmica en salas climatizadas. En los
medios de transporte, la alimentacin en modo conmutado permite obtener ms
ganancias en peso y volumen, lo que se traduce en la reduccin del peso y del
consumo de los vehculos.
A continuacin se presentan algunas ventajas y desventajas de los
semiconductores utilizados en la electrnica de potencia.
Ventajas.
-Menor costo.
-Menor tamao.
-Mayor rapidez de conmutacin.
-Libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior).
-Capacidad en manejo de altas corrientes.
-Operacin silenciosa.
-No necesitan de sistemas de enfriamiento.
-Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones.
-Ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico).
-Insensibilidad a las sobrecargas.
Desventajas.
-No provee aislamiento elctrico (los relevadores s).
-Requiere de cuidado en su conexin.

-Les puede afectar la alta temperatura.

-Fciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones.
-Requieren voltajes regulables.

6. CIRCUITOS DE APLICACIN POR SU FORMA DE CONVERTIR LA

ENERGA ELCTRICA. EJEMPLOS.

Para el control o el acondicionamiento de la potencia elctrica, es necesaria la

conversin de potencia elctrica de una a otra forma, y que las caractersticas de
conmutacin de los dispositivos de potencia permitan esas conversiones. Los
convertidores estticos de potencia hacen esas funciones de conversiones de
potencia. Se puede considerar que un convertidor es una matriz de conmutacin.
Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:
Rectificadores de diodo.
Un circuito rectificador de diodo convierte el voltaje de ca en voltaje fijo de cd. El
voltaje de entrada vi al rectificador podra ser tanto monofsico como trifsico.

Convertidores de CA-CD.
Un convertidor monofsico con dos tiristores conmutados naturales. El valor
promedio del voltaje de salida vo se puede controlar variando el tiempo de
co ducci de los tiristores o al gulo de retardo de disparo. a e trada
podra ser una fuente monofsica o trifsica. Estos convertidores se llaman
tambin rectificadores controlados.

Convertidores de CA-CA.
Se usan para obtener un voltaje variable de ca, vo, con una fuente fija de ca y un
convertidor monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla variando el
tie po de co ducci de u RI
o el gulo de retardo de disparo de . stas
clases de convertidores de voltaje tambin se llaman controladores de voltaje ca.

Convertidor de CD-CD.
Se llama tambin recortador de picos, o regulador de conmutacin. El voltaje
promedio de salida vo se controla haciendo variar el tiempo de conduccin t del
transistor Q1. Si T es el periodo de recorte, entonces t1 =
A se le llama ciclo
de trabajo del recortador.

Convertidores de CD-CA.
Se le llama tambin inversor. Si los transistores M1 y M2 conducen durante
medio periodo, y M3 y M4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida es
alterno. El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo de conduccin
de los transistores.

Interruptores estticos.
Ya que los dispositivos de potencia se pueden hacer trabajar como interruptores
estticos o contactores, el suministro a ellos podra ser de ca o de cd, y los
dispositivos se llaman interruptores estticos de ca o interruptores de cd.

Con frecuencia se pueden conectar en cascada varias etapas de conversin,

para producir la salida que se desee. Los suministros 1 abastecen el suministro
normal de ca a la carga a travs de la derivacin esttica. El convertidor de ca-cd
carga la batera de reserva desde las llegadas 2. El convertidor de cd a ca
suministra la energa de emergencia a la carga a travs de un transformador
desacoplador. Las lneas primarias 1 y 2 se suelen conectar a la misma fuente de
cd.

7. CONSTRUCCIN DE DIAGRAMAS A BLOQUE EXPLICANDO QUE

ELEMENTOS FORMAN UN SISTEMA O EQUIPO ELECTRNICO.

Se requieren sistemas electrnicos de potencia, por las siguientes razones:- la

forma en que se suministra la energa no coincide con la forma en que se desea
consumir, por ejemplo: la alimentacin de un ordenador personal.- en
determinadas aplicaciones resulta rentable cambiar la forma de la energa por
ejemplo para transmitirla.- no se puede hacer de otra forma. Supngase por
ejemplo el sistema de alimentacin de un satlite. Este est formado por bateras,
las cuales pueden cargarse mediante paneles solares. En este caso es necesario
un sistema electrnico que adapte dichas necesidades. Se requieren nuevas
prestaciones por parte de los consumidores de energa. Por ejemplo, en caso de
la conversin de una tensin alterna CA fija que llega a una industria proveniente
directamente de una subestacin, es una tensin variable en amplitud y
frecuencia, es necesaria para el control de la velocidad y el almacenamiento de los
motores de una correa transportadora.
La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos, hacen que
se apliquen para resolver en procesos cada vez ms complejos. Un equipo
electrnico de potencia consta fundamentalmente de dos partes:
1. Un circuito de potencia, compuesto de semiconductores de potencia y
elementos positivos, que liga la fuente primaria de almacenamiento con la
carga. En este circuito no se utilizan resistencias debido a su elevada
disipacin de potencia en forma de calor.
2. Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el
circuito de potencia y genera unas seales de excitacin que determina la
conduccin de los semiconductores controlados con una fase y secuencia
conveniente.

DIAGRAMA A BLOQUES DE UN SISTEMA DE POTENCIA.

Ejemplo de un Diagrama a Bloques de un Circuito de Velocidad de un Motor

de Continua.

8. EXPLICAR LA OPERACIN DE CADA UNO DE LOS TIRISTORES DE

LA TABLA.
Diodo (Shockley) De Cuatro Capas.
El diodo Schokley, tambin llamado diodo de cuatro capas o diodo tiristor, es un
dispositivo bipolar PNPN comparable en todos los aspectos con un tiristor del que
solo se dispusiera de los terminales de ctodo y nodo.
En efecto, cuando se aplica entre ctodo y nodo una tensin creciente, pero
inferior a un cierto valor de umbral, VS, su resistencia es elevada y solo pasa una
corriente de unos pocos microamperes. Este es su primer estado estable, el de
bloqueo.
Al alcanzar la tensin el valor VS abordamos la segunda zona, en el cual el diodo
presenta una resistencia negativa. Este estado es inestable. La resistencia del
diodo cae entonces rpidamente y, a partir del punto IH, no vale ms de unos
pocos ohm; el diodo es ahora plenamente conductor y permanece as mientras
subsista una corriente igual o superior a la de mantenimiento, IH. sta es la
tercera zona, en la cual es estable de nuevo el elemento; la cada de tensin, en
esa zona de trabajo, es del orden de 1 volt para el germanio, y de 1,3 a 1,7 V para
el silicio.
El bloqueo se efecta reduciendo la corriente por debajo de su valor de
mantenimiento, IH, o disminuyendo la tensin por debajo de VH.
Las tensiones de umbral Vs suelen ser del orden de 20 a 100V mientras que IH
se sita entre 1 y 50 mA.
SCR (Rectificador Controlado De Silicio).
El SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro
capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre
proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.
El SCR y la corriente continua.
Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su
compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este
conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa
Si no existe corriente en la compuerta el tiristor no conduce.

Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se

mantiene as. Si se desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser
reducido a 0 Voltios.

Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo

hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de
mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero).
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados:
1. Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es
muy baja
2. Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

El SCR y la corriente alterna.

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga (en
el caso de la figura es un bombillo o foco).
La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc.

El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la

tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del
SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con
respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un
poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el
valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el
desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el
SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por el ciclo
negativo de la seal y deje de conducir.
Para que el tiristor entre en conduccin, tienen que cumplirse dos condiciones:
que este polarizado directamente (tensin nodo-ctodo positiva, es decir, ms
tensin en el nodo que en el ctodo), y aplicar un impulso de tensin positivo o
una corriente entrante en la puerta.
SCR Con Compuerta Amplificadora.
Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se apagan por
conmutacin natural. Un tiristor inicia la conduccin en sentido directo, cuando se
aplica un pulso de disparo de corriente de la compuerta al ctodo, y se llega y se
mantiene con rapidez a la conduccin total, con una cada pequea de voltaje en
sentido directo. No puede hacer que su corriente regrese a cero mediante una
seal en su compuerta; en lugar de ello, se basa en el comportamiento natural del
circuito para que la corriente llegue a cero. El tiempo de apagado Tq es del
orden de 50 a 100 s. Es ms adecuado para aplicaciones con conmutacin de
baja velocidad, y tambin se llama tiristor convertidor. Es bsicamente un
dispositivo controlado hecho de silicio, tambin se le llama rectificador controlado
de silicio (SCR).
El voltaje VT en estado de encendido vara, desde unos 1.15V para 600V hasta
2.5V para dispositivos de 4000V, y para un tiristor de 1200V, 5500A, ese voltaje
suele ser 1.25V. Es un dispositivo de tres terminales usado para controlar
corrientes ms bien altas para una carga.
SCR activado por luz (LASCR).
Los fototiristores son como los fototransistores o FET muy similares a sus
correspondientes convencionales, excepto en la adicin de una ventana o lente
para enfocar la luz en un rea apropiada. Tienen tres terminales, y por tanto, el
umbral del disparo ptico puede controlarse electrnicamente. La ventaja principal
del fototiristor es que es un excelente conmutador, con una capacidad de gobernar

potencias muy superiores a otros fotodetectores. Con refrigeracin apropiada,

algunos fototiristores pueden trabajar a unos cientos de voltios con un ampere.

Con polarizacin apropiada los fotones entrantes crean pares electrn-hueco en

la vecindad de la segunda unin y estos portadores libres son atrados a travs de
las uniones produciendo una corriente nodo-ctodo. A un cierto nivel de
radiacin, la ganancia neta de corriente del dispositivo excede a la unidad y la
corriente nodo-ctodo slo viene limitada por la impedancia exterior. En este
punto, el SCR ha cambiado de ser un conmutador prcticamente abierto a uno
casi en cortocircuito.
La salida de un foto-SCR no es proporcional a la radiacin incidente como en el
caso de los fotodetectores anteriores. El foto-SCR est CORTADO (baja corriente
de nodo) antes que una irradiacin adecuada lo dispare y CONDUCE en cuanto
se supera el umbral ptico. La corriente de nodo no vara prcticamente con el
nivel de luz. Como los fototiristores se aproximan a los conmutadores, sus
aplicaciones principales son para sistemas pticos lgicos, tales como contadores
clasificadores y funcionamiento como rels.
La mayora de las aplicaciones de los foto-SCR requieren una resistencia
externa entre la puerta y el ctodo que puentea efectivamente parte de la corriente
en la porcin npn del dispositivo. De aqu que la resistencia puerta-ctodo (RGK)
determine la sensibilidad a la luz y a su vez influye en los efectos de temperatura,
respuesta en frecuencia y dv/dt. Aumentando R GK aumenta la sensibilidad a la
luz ya la temperatura, pero disminuye la respuesta en el tiempo. Como puede
esperarse, el nivel de disparo de un foto-SCR depende de la temperatura de la
unin, de la tensin aplicada, etc.
Antes que se alcance el umbral ptico, el SCR est CORTADO y solo huye una
pequea corriente de prdida (unos A) de nodo a ctodo, por tanto, la carga no
tiene conexin a masa. Cuando la irradiancia alcanza el valor de disparo
adecuado el
R ON U
0 9 . o o el foto-SCR no se CORTA al

eliminar la luz, debe emplearse un mtodo de conmutacin. C1 es necesario para

evitar que el SCR conduzca con un falso disparo si la alimentacin se aplica muy
rpidamente.
Conmutador con control de puerta (CGS).
La seal de puerta conmuta CGS lento en corte como en conduccin se aplica en
conmutadores de cc inversores, troceadores, circuitos lgicos.
Conmutador unilateral de silicio (SUS).
Destinado esencialmente al disparo de tiristores, el conmutador unilateral de
silicio (silicon unilateral switch = SUS) est constituido por un tiristor miniatura,
con puerta de nodo, al que asocia, entre puerta y ctodo, un diodo de avalancha
de baja tensin.

Algunas de las caractersticas tpicas de este elemento, tomadas de un D 13 D 1

de General Electric, son las siguientes:

Tensin de disparo Vs = 6 a 10 V.
Corriente en el momento de disparo IS = 0,5 mA mx.
Tensin de mantenimiento VH =aproximadamente 0,7 V a 25 C.
Corriente de mantenimiento IH = 1,5 mA mx.
Cada de tensin directa (para IF = 200 mA ) = 1,75 V.
Tensin inversa VR = 30 V.
Pico de los impulsos Vo = 3,5 V mn.

El SUS se dispara a una tensin fija, determinada por su diodo de avalancha, y

su corriente IS resulta mayor, y muy cercana a IH. Estos datos limitan la frecuencia
(tanto alta como baja) de trabajo de elemento.
La sincronizacin se asegura mediante los impulsos aplicados a la puerta del
SUS.

Conmutador controlado de silicio (SCS).

Su estructura es como la de un tiristor pero tiene adems de la terminal puerta
conectada a P2, otra terminal puerta conectada a N1. El funcionamiento es similar
al del tiristor convencional con la salvedad de que tambin puede dispararse
mediante un circuito conectado entre A y PA que produzca un impulso de
intensidad saliente por este terminal. Puede asimismo bloquearse con un impulso
entrante en PA.

La sensibilidad de disparo es mucho mayor en la puerta de ctodo que en la de

nodo, pues mientras aquella dispara con intensidades del orden de 2 A, sta
necesita 2mA. El disparo por puerta de nodo es un fenmeno simtrico al
explicado para disparo por puerta de ctodo, en el que los papeles de electrones y
huecos se han intercambiado.
El bloqueo por impulso positivo en PA se basa en la polarizacin inversa a que
queda sometida la unin P1N1, que deja automticamente conducir. El tiempo de
apagado es de 1 a 10 s, mucho menor que el de un tiristor rpido, que necesita
de 5 a 30 s. Tambin es posible el bloqueo mediante un impulso negativo entre
PC y C, pero se necesita una resistencia exterior que limite la corriente de nodo a
un calor adecuado.
La intensidad de nodo mxima de estos semiconductores no suele pasar de 1
A. Se emplean en contactores de anillo, multivibradores y generadores de
impulsos.
DIAC.
El DIAC es un elemento simtrico que no posee, por tanto, polaridad. Su nombre
proviene de la contraccin de Diode Alternative Current. Su estructura es muy
simple ya que se obtiene por doble difusin de impurezas de tipo opuesto al del
sustrato.

La tensin de disparo se suele escoger cercana a los 30 V. Es difcil obtener

tensiones sensiblemente ms bajas con una resistencia negativa suficiente,
mientras que el empleo de valores ms elevados reducira las posibilidades de
control.

Los diacs son muy utilizados para realizar variadores de potencia muy simples.
Permiten obtener, con condensadores de poco volumen (por ejemplo, 0,1 F y 35
V) corrientes de disparo de valor elevado.
TRIAC.

Es un elemento semiconductor de tres electrodos, uno de los cuales es de

mando (la puerta) y los otros dos son los tres principales de conduccin. El
elemento puede pasar de un estado de bloqueo a un rgimen conductor, en los
dos sentidos de polarizacin (cuadrantes I y II) y volver al estado de bloqueo de la
tensin o por disminucin de la corriente por debajo del valor de mantenimiento,
IH.

El triac es, pues, la versin bidireccional del tiristor; en su representacin

elctrica se le puede comparar a la asociacin en antiparalelo de los tiristores,
presentando no obstante dos ventajas fundamentales sobre ese montaje en el que
solo se podra gobernar las puertas mediante un transformador de impulsos; el
circuito de mando resulta ms sencillo al no existir ms que un electrodo de
disparo; el dispositivo puede bascular al estado conductor independientemente de
las polaridades de puerta de nodo (el disparo se efecta en los 4 cuadrantes).
Conmutador bilateral de silicio (SBS).
El conmutador bilateral de silicio (silicon bilateral switch = SBS), derivado del
SUS, se compone de SUS idnticos en antiparalelo.

Funciona pues en los dos sentidos, como su nombre indica, y se aplica sobre
todo al control de triacs. En ese caso, el montaje de principio tiene como nica
diferencia la tensin de c.c. de ataque que habr de sustituirse por una tensin
alterna.

Las especificaciones del SBS son idnticas a las del SUS; no obstante, la nocin
de tensin inversa VR pierde todo significado.

9. EXPLICAR LA OPERACIN DEL GTO Y DEL IGBT Y CIRCUITOS DE

APLICACIN.
El GTO (Gate Turn-Off Switch).
Es un tiristor con posibilidades de ser bloqueado mediante un impulso de
corriente negativa en la puerta, sin necesidad de la resistencia limitadora de nodo
descrita para el SCS. Esta posibilidad se basa en una geomtrica de la zona de
puerta tal que la influencia de esta sobre el resto de la pastilla es mayor que en el
tiristor convencional. Para ello se ramifica el ctodo por gran parte de la zona de
puerta mediante una tcnica de inter-digitacin de manera que la polarizacin
negativa de la puerta extrae ms fcilmente los portadores que saturan la unin de
control casando el proceso regulativo que mantiene el estado de conduccin.
El GTO ya se construy en la dcada en de los sesenta, pero no se consiguieron
componentes tiles comercialmente hasta los setenta.

En conduccin tiene ms cada de tensin que el tiristor convencional (2,5 V

frente a 1,5 V). El mecanismo de disparo es muy parecido al del tiristor. No
obstante, el fabricante suele recomendar mantener cierto nivel de corriente
positiva en la puerta durante todo el periodo de conduccin para asegurar que
toda el rea de la pastilla se halla en conduccin. El tiempo de disparo es del
orden de 4 s. El tiempo de bloqueo es de unos 8 s, necesitndose extraer por
puerta de intensidad de un quinto de la que circula por nodo, aproximadamente.
Esta relacin depende de la familia usada y de la propia intensidad de nodo.
Como es necesario prever que sta sobrepase el valor nominal del componente
por si hubiera que efectuar el bloqueo durante una sobrecarga, el circuito des
excitador de puerta no resulta pequeo. A pesar de ello, el hecho de no necesitar
componentes para el bloqueo, hace del GTO un componente apreciado en
convertidores de gran potencia donde se busque la seguridad de funcionamiento,
como es el caso de las locomotoras elctricas.

Lo mismo que el tiristor convencional, puede realizarse en variante asimtrica

con conduccin libre en sentido inverso. La anulacin del diodo P1N1 se efecta
de forma similar al tiristor, es decir, introduciendo una zona de alto dopado N1+,
que adems puede ser distribuida en pequeas islas. El GTO asimtrico puede
mejorar algunas caractersticas de conduccin directa y bloqueo, pero los
fabricantes no suelen caracterizar el diodo interno anti paralelo. Por tanto, debe
emplearse normalmente con un diodo anti paralelo o en serie externo.
Conviene considerar que aunque el GTO no necesita componentes auxiliares
para provocar el bloqueo, como en el caso del tiristor, si necesita una red
acicaladora que permita derivar la corriente de nodo sin provocar sobretensiones
que destruirn el componente. En circuitos de gran potencia como los que se
construyen con GTO, solo la tercera red suele usarse, pues permite controlar la
tensin mxima y la derivada de tensin en el semiconductor (du/dt = IA/C).
Cuando la carga es muy inductiva, el lmite de la frecuencia de conmutacin puede
estar marcado por la potencia que es razonable disipar en la red protectora, ms
que por los tiempos de disparo y bloqueo del GTO. Esta observacin es vlida
para cualquier semiconductor de potencia empleado en un circuito; por tanto, es
necesario tener en cuenta que la frecuencia mxima de conmutacin de un circuito
electrnico de potencia est condicionado por la rapidez del semiconductor
disponible y por la propia topologa y funcionamiento del circuito. As, los FET
disponibles hoy, enormemente rpidos, han obligado a investigar sobre circuitos
resonantes (que conmutan con intensidad baja, disminuyendo las prdidas de
conmutacin) para poder elevar la frecuencia de las fuentes conmutadas por
encima de los 100 kHz.

En la figura se representan variaciones de las intensidades y tensiones de nodo

y de puerta durante el proceso de bloqueo. Durante el intervalo t1 la regin de
puerta se vaca de portadores, comenzando a disminuir la intensidad de nodo al
final del mismo. Se llama tiempo de almacenamiento. La intensidad negativa de
puerta crece lentamente (en trminos relativos) debido a la inductancia parsita en
el control.
El intervalo t2 o tiempo de cada es el que transcurre desde que la intensidad de
nodo disminuye al 90% de su valor inicial hasta la entrada en funcionamiento
efectivo del acicalador. Este retraso se debe a la inductancia parsita Lp asociada
a los conductores y componentes de dicha red y al tiempo de recuperacin directa
del diodo. Debe minimizarse, pues la disipacin instantnea es alta debido a la
coexistencia de intensidad de nodo y tensin nodo-ctodo elevada durante el
mismo. Para ello hay que reducir las longitudes de las interconexiones y emplear
un diodo rpido y un condensador con baja inductancia serie.
El intervalo t3 est determinado por los valores de la intensidad de nodo a
bloquear y de C. No debe ser inferior a cierto valor para que la disipacin
instantnea en la pastilla no alcance el valor destructivo. Durante el mismo circula
un resto de intensidad andica por la capacidad parasita nodo-ctodo del GTO
no mostrada en el circuito.

IGBT
Durante muchos aos se ha buscado la forma de crear un dispositivo que fuese
lo sufrientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido
nuevas ideas con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un BJT
de dispositivo de potencia y de esta forma se lleg a la invencin del IGBT.
La sigla IG
correspo de a las i iciales de isolated gate bipolar transistor es
decir, transistor bipolar de puerta de salida.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los
atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el
MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno
de ruptura secundario como el BJT.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que
generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de

unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El

circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para
velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones.
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta,
COLECTOR (C) y EMISOR (E).
COMO FUNCIONA.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa
que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el
tiempo TON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.
LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de

encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor
el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente ID se auto-limita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa
como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50
kW.

BIBLIOGRAFA

Electrnica De Potencia Teora y Aplicaciones, Manuel Benavent, Alphaomega

Electrnica De Potencia, segunda Ed, Muhammad H. Rashid
http://www.arrakis.es/~fon/simbologia/simbolos/tiristores.htm
http://wilmerelectronicadep.blogspot.mx/2011/12/blog-post.html
http://www.monografias.com/trabajos12/repract/repract.shtml
http://pels.edv.uniovi.es/pels/pels/Pdf/Leccion%20Snubbers.pdf
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm
http://proton.ucting.udg.mx/~cruval/scr.doc
http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r90570.PDF