Un termistor es un sensor resistivo de temperatura.

Su funcionamiento se basa en la variacin de

la resistividad que presenta unsemiconductor con la temperatura. El trmino termistor proviene
de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de termistor:

NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura negativo

PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura positivo (tambin

llamado posistor).

Cuando la temperatura aumenta, los tipo PTC aumentan su resistencia y los NTC la disminuyen.

Introduccin[editar]
El funcionamiento se basa en la variacin de la resistencia del semiconductor debido al cambio de la
temperatura ambiente, creando una variacin en la concentracin de portadores. Para los
termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentar tambin la concentracin de portadores,
por lo que la resistencia ser menor, de ah que el coeficiente sea negativo. Para los termistores
PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy intenso, ste adquirir propiedades
metlicas, tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los
termistores se fabrican a partir de xidos semiconductores, tales como el xido frrico, el xido
de nquel, o el xido de cobalto.
Sin embargo, a diferencia de los sensores RTD, la variacin de la resistencia con la temperatura no
es lineal. Para un termistor NTC, la caracterstica es hiperblica. Para pequeos incrementos de
temperatura, se darn grandes incrementos de resistencia. Por ejemplo, el siguiente modelo
caracteriza la relacin entre la temperatura y la resistencia mediante dos parmetros:

con

donde:

es la resistencia del termistor NTC a la temperatura T (K)

es la resistencia del termistor NTC a la temperatura de referencia

B es la temperatura caracterstica del material, entre 2000 K y 5000 K.

(K)

Por analoga a los sensores RTD, podra definirse un coeficiente de temperatura

equivalente

, que para el modelo de dos parmetros quedara:

Puede observarse como el valor de este coeficiente vara con la temperatura. Por
ejemplo, para un termistor NTC con B = 4000 K y T = 25 C, se tendr un coeficiente
equivalente

= -0.045

sensor Pt100 con

, que ser diez veces superior a la sensibilidad de un

= 0.00385

El error de este modelo en el margen de 0 a 50 C es del orden de 0.5 C. Existen

modelos ms sofisticados con ms parmetros que dan un error de aproximacin an
menor.
En la siguiente figura se muestra la relacin tensin corriente de un termistor NTC,
en la que aparecen los efectos del autocalentamiento.

Autocalentamiento.

A partir del punto A, los efectos del autocalentamiento se hacen ms evidentes. Un

aumento de la corriente implicar una mayor potencia disipada en el termistor,
aumentando la temperatura de ste y disminuyendo su resistencia, dejando de
aumentar la tensin que cae en el termistor. A partir del punto B, la pendiente pasa a
ser negativa.

Tipos[editar]

Termistor (tipo perla)

Termistor (tipo SMD)

Termistor (tipo disco)

Termistor (axial)

Sonda de medida

Aplicaciones[editar]
Hay tres grupos:

Aplicaciones en las que la corriente que circula por ellos, no es capaz de

producirles aumentos apreciables de temperatura y por tanto la resistencia del
termistor depende nicamente de la temperatura del medio ambiente en que se
encuentra.

Aplicaciones en las que su resistencia depende de las corrientes que lo

atraviesan.

Aplicaciones en las que se aprovecha la inercia trmica, es decir, el tiempo que

tarda el termistor en calentarse o enfriarse cuando se le somete a variaciones
de tensin.

Inconvenientes de los termistores[editar]

Para obtener una buena estabilidad en los termistores es necesario envejecerlos

adecuadamente. Pero el principal inconveniente del termistor es su falta de linealidad.

Panel solar:
Un panel solar (o mdulo solar) es un dispositivo que aprovecha la energa de la radiacin solar. El
trmino comprende a los colectores solares utilizados para producir agua caliente (usualmente
domstica) medianteenerga solar trmica y a los paneles fotovoltaicos utilizados para
generar electricidad mediante energa solar fotovoltaica.

Colector solar trmico[editar]

Dos colectores solares planos, instalados en un tejado.

Generacin de agua caliente con una instalacin de circuito cerrado.

Artculos principales: Colector solar y Energa solar trmica.

Un calentador solar de agua usa la energa del sol para calentar un lquido, el cual transfiere el calor
hacia un depsito acumulador de calor. En una casa, por ejemplo, el agua caliente sanitaria puede
calentarse y almacenarse en un depsito de agua caliente.
Los paneles tienen una placa receptora y conductos, adheridos a sta, por los que circula lquido.
Esta placa est generalmente recubierta con una capa selectiva de color negro. El lquido calentado
es bombeado hacia un aparato intercambiador de energa (un haz tubular dentro de un depsito de
almacenado o un aparato externo) donde cede el calor y luego circula de vuelta hacia el panel para
ser recalentado. Es una manera simple y efectiva de aprovechar la energa solar.

Energa solar fotovoltaica[editar]

El rbol solar, smbolo de la ciudad deGleisdorf, Austria

Artculos principales: Panel fotovoltaico y Energa solar fotovoltaica.

Descripcin de un panel[editar]
Los paneles fotovoltaicos: estn formados por numerosas celdas que convierten
la luz en electricidad. Las celdas a veces son llamadas clulas fotovoltaicas, del griego "fotos", luz.
Estas celdas dependen del efecto fotovoltaico por el que la energa lumnica produce cargas positiva
y negativa en dos semiconductores prximos de diferente tipo, produciendo as un campo elctrico
capaz de generar una corriente.
Los materiales para celdas solares suelen ser silicio cristalino o arseniuro de galio. Los cristales de
arseniuro de galio se fabrican especialmente para uso fotovoltaico, mientras que los cristales de
silicio estn disponibles en lingotes normalizados, ms baratos, producidos principalmente para el
consumo de la industria microelectrnica. El silicio policristalino tiene una menor eficacia de
conversin, pero tambin menor coste.
Cuando se expone a luz solar directa, una celda de silicio de 6 cm de dimetro puede producir una
corriente de alrededor 0,5 amperios a 0,5 voltios (equivalente a un promedio de 90 W/m, en un
campo de normalmente 50-150 W/m, dependiendo del brillo solar y la eficencia de la celda). El
arseniuro de galio es ms eficaz que el silicio, pero tambin ms costoso.
Las clulas de silicio ms empleadas en los paneles fotovoltaicos se puede dividir en tres
subcategoras:

Las clulas de silicio monocristalino estn constituidas por un nico cristal de silicio. Este tipo
de clulas presenta un color azul oscuro uniforme.

Las clulas de silicio policristalino (tambin llamado multicristalino) estn constituidas por un
conjunto de cristales de silicio, lo que explica que su rendimiento sea algo inferior al de las
clulas monocristalinas. Se caracterizan por un color azul ms intenso.

Las clulas de silicio amorfo. Son menos eficientes que las clulas de silicio cristalino pero
tambin ms baratas. Este tipo de clulas es, por ejemplo, el que se emplea en aplicaciones
solares como relojes o calculadoras.

Los lingotes cristalinos se cortan en discos finos como una oblea, pulidos para eliminar posibles
daos causados por el corte. Se introducen dopantes (impurezas aadidas para modificar las
propiedades conductoras) en las obleas, y se depositan conductores metlicos en cada superficie:
una fina rejilla en el lado donde da la luz solar y usualmente una hoja plana en el otro. Los paneles
solares se construyen con estas celdas agrupadas en forma apropiada. Para protegerlos de daos,
causados por radiacin o por el manejo de stos, en la superficie frontal se los cubre con una
cubierta de vidrio y se pegan sobre un sustrato (el cual puede ser un panel rgido o una manta
blanda). Se hacen conexiones elctricas en serie-paralelo para fijar el voltaje total de salida. El
pegamento y el sustrato deben ser conductores trmicos, ya que las celdas se calientan al absorber
la energa infrarroja que no se convierte en electricidad. Debido a que el calentamiento de las celdas
reduce la eficacia de operacin es deseable minimizarlo. Los ensamblajes resultantes se llaman
paneles solares o grupos solares.

Estructura[editar]
Las estructuras para anclar los paneles solares son generalmente de aluminio con tornillera
de acero inoxidable para asegurar una mxima ligereza y una mayor durabilidad en el tiempo. Las
estructuras pueden ser estndares para las medidas ms habituales
(superficie, orientacin e inclinacin -tanto en horizontal, como en vertical-).
La estructura suele estar compuesta de ngulos de aluminio, carril de fijacin, tringulo, tornillos de
anclaje (tringulo-ngulo), tornillo allen (generalmente de tuercacuadrada, para la fijacin del
mdulo) y pinza zeta (para la fijacin del mdulo y cuyas dimensiones dependen del espesor del
mdulo1 ).2

Uso de la energa[editar]
Deben su aparicin a la industria aeroespacial, y se han convertido en el medio ms fiable de
suministrar energa elctrica a un satlite o a una sonda en las rbitas interiores del Sistema Solar,
gracias a la mayor irradiacin solar sin el impedimento de la atmsfera y a su alta relacin potencia
a peso.
En el mbito terrestre, este tipo de energa se usa para alimentar innumerables aparatos
autnomos, para abastecer refugios o casas aisladas de la red elctrica y para
producir electricidad a gran escala a travs de redes de distribucin. Debido a la creciente demanda
de energas renovables, la fabricacin de clulas solares e instalaciones fotovoltaicas ha avanzado
considerablemente en los ltimos aos.3 4

Los paneles fotovoltaicos de este yate pueden cargar unas bateras de 12 V hasta a 9 amperios.

Entre los aos 2001 y 2012 se ha producido un crecimiento exponencial de la produccin de energa
fotovoltaica, doblndose aproximadamente cada dos aos.5 Si esta tendencia contina, la energa
fotovoltaica cubrira el 10% del consumo energtico mundial en 2018, alcanzando una produccin
aproximada de 2.200 TWh,6 y podra llegar a proporcionar el 100% de las necesidades energticas
actuales en torno al ao 2027.7
Experimentalmente tambin han sido usados para dar energa a vehculos solares, por ejemplo en
el World Solar Challenge a travs de Australia o la Carrera Solar Atacama en Amrica. Muchos
barcos8 9 y vehculos terrestres los usan para cargar sus bateras de forma autnoma, lejos de la red
elctrica.
Programas de incentivos econmicos, primero, y posteriormente sistemas de autoconsumo
fotovoltaico y balance netosin subsidios, han apoyado la instalacin de la fotovoltaica en un gran
nmero de pases, contribuyendo a evitar la emisin de una mayor cantidad de gases de efecto
invernadero.10

Termistores;
Los termistores, o resistores trmicos, son dispositivos semiconductores que se comportan como
resistencias con un coeficiente de temperatura de resistencia alto y, generalmente negativo. En algunos
casos, la resistencia de un termistor a temperatura ambiente puede disminuir hasta un 6% por cada 1C
que se eleve la temperatura. Dada esta alta sensibilidad al cambio de temperatura hacen al termistor muy
conveniente para mediciones, control y compensar con precisin la temperatura. El uso de termistores
est muy difundido en tales aplicaciones, en especial en el rango ms bajo de temperatura de -100C a
300C.

Los termistores se componen de una mezcla sinttica de xidos de metales, como manganeso, nquel,
cobalto, cobre, hierro y uranio. Su rango de resistencia va de 0.5 ohms. a 75 ohms y estn disponibles en
una amplia gama de formas y tamaos. Los ms pequeos son cuentas con un dimetro de 0.15 mm a
1.25 mm. Las cuentas se pueden colocar dentro de una barra de vidrio para formar sondas que son ms
fciles demontar que las cuentas. Se hacen disco y arandelas presionando el material termistor en
condiciones de alta presin en formas cilndrica y plana con dimetros de 2.5 mm a 25 mm. Las arandelas
se pueden apilar y conectar en serie o paralelo con el fin de incrementar la disipacin de potencia.

Tres caractersticas importantes del termistor lo hacen extremadamente til en aplicaciones de medicin y
control:

a) Resistencia-temperatura
b) Voltaje-corriente
c) Corriente-tiempo

Las caractersticas resistencia--temperatura de la figura muestra que un termistor tiene coeficiente de

temperatura de resistencia muy elevado y negativo, lo cual lo convierte en un TRANSDUCTOR DE
TEMPERATURA IDEAL.

En la caracterstica voltaje-corriente de la figura se observa que la cada de voltaje a travs de un

termistor aumenta con el incremento de corriente hasta que alcanza un valor pico, ms all del cual la
cada de voltaje decrece con el incremento de corriente.

El constantano es una aleacin de 55% de cobre y 45% de nquel.

Cromel= Aleacin de Cromo y Nquel

Alumel =Aleacin de aluminio, manganeso y nquel.

TERMOPARES

Un termopar es un dispositivo de estado slido que se utiliza para convertir la energa en voltaje. Consta
de dos metales diferentes empalmados en una juntura.

Pueden utilizarse como materiales para la fabricacin de termopares, tales como: hierro y constantano,
cobre y constantano o antimonio y bismuto.

Los termopares se emplean como sensores de temperatura e instrumentos semejantes a los termmetros
denominados pirmetros. En un pirmetro, el voltaje producido por un termopar origina que una corriente
circule a travs de un medidor elctrico, el cual se calibra para indicar directamente el valor de la
temperatura. Un termopar puede colocarse en un horno; cuando aumenta la temperatura en el horno,
tambin aumenta el voltaje que se genera en el termopar. En consecuencia pasa ms corriente por el
medidor. En tal caso, el medidor indica el aumento de corriente como una temperatura mayor. Con los
pirmetros se puede medir con mucha precisin, temperaturas que van desde 2700 hasta 10,800F (1,500
a 6,000C).

Los termopares comerciales se designan por letras (T,E,J,K,R) que identifican los materiales que
contienen, se especifican generalmente por su sensibilidad o coeficiente trmico MV/C.

CELDA FOTOCONDUCTORA "crash"

CELDA FOTOCONDUCTORA
las fotoceldas son pequeos dispositivos que producen una variacion electrica en respuesta a un
cambio en la intencidad de la luz.la fotocelda es una recistencia ,(la resistencia
electrica,simbolizahabitualmente como r,es la dificultad u oposicion que presenta un cuerpo al paso
de una corriente electrica para circular atrabes de el )cuyo valor en ohmios (unidad de resistemcia
electrica )varia ante las variaciones de la luz incidente. tambien llamadas fotorresistencias o ldrs
(resistencia dependiente de la luz ), estan construidas con un material censible a la luz y un alto valor
de resistensia ante la ausencia de luz.convierte la luz del sol en energia electrica ,esta conducida
atrabes de un cableado asia las baterias donde es almacenada asta q se necesita , en el camino hacia
las baterias pasa atraves de un controlador ,el cual corta el flujo de corriente cuendo las baterias estan
completamente cargadas.

industrialmente
las aplicaciones de las fotoceldas caen en dos categorias generales :
1.-deteccion de precencia de un cuerpo opaco
a)la deteccion puede hacerce en una base de todo o nada ,en la que el circuito de la fotocelda tiene
solo dos estados de salida q representan la presencia o la ausencia de un objeto.esta es usada para
contar las parles q viajan por una banda transportadora ,o para evitar la operacion de un mecanismo
si las manos del operador no estan fuera de la luz de trabajo.
b)la deteccion puede hacerce en una base continua ,teniendo en el circuito de la fotocelda una salida
continuamente variable del objeto.este es el tipo de deteccion usada para observar la orilla de una tira
de material en movimiento para evitar q se desvie demasiado de su posicion adecuada .
la bentaja principal de las fotoceldas sobre otros dispositivos de deteccion es que no
se requiere de cobntacto fisico con el objeto de deteccion .
2.-deteccion del grado de tranlucides(capasidad de pasar luz)o el gardo de iluminiscencia(capacidad
de generar luz ) de un liquido a un solido.en estas aplicaciones ,proseso a sido dispuesto de manera q
la translucides o iluminiscensia representen una variable de proceso importante . algunos ejemplos
de variables q pueden ser medidas de esta manera pueden ser dencidad,temperatura y consentracion
de algun compuesto quimico espesifico.
la fotocelda se utiliza para controlar el encendido automatico del alumbrado pblico.tambien se
utiliza en circuitos contadores enectronicos de objetos y personas ,en alarmas,etc.

Un led1 (del acrnimo ingls LED, light-emitting diode: diodo emisor de luz; el plural
aceptado por la RAE es ledes2) es un componente optoelectrnico pasivo y, ms
concretamente, un diodo que emite luz.

Visin general[editar]
Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los primeros ledes
emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten luz de alto brillo en
el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Debido a su capacidad de operacin a altas frecuencias, son tambin tiles en tecnologas
avanzadas de comunicaciones y control. Los ledes infrarrojos tambin se usan en unidades de
control remoto de muchos productos comerciales incluyendo equipos de audio y video.
Archivo:SMD encendido.jpg
Led de montaje superficial de un indicador stand-by

Caractersticas[editar]
Formas de determinar la polaridad de un led de insercin[editar]
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:

La pata ms larga siempre va a ser el nodo.3

En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano.

Dentro del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es ms pequea que el
yunque, que indica el ctodo.

Ventajas y desventajas[editar]
Ventajas[editar]
Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente y fluorescente, tales
como: el bajo consumo de energa, un mayor tiempo de vida, tamao reducido, resistencia a las
vibraciones, reducida emisin de calor, no contienen mercurio (el cual al exponerse en el medio
ambiente es altamente nocivo), en comparacin con la tecnologa fluorescente, no crean campos
magnticos altos como la tecnologa de induccin magntica, con los cuales se crea mayor
radiacin residual hacia el ser humano; reducen ruidos en las lneas elctricas, son especiales para
utilizarse con sistemas fotovoltaicos (paneles solares) en comparacin con cualquier otra tecnologa
actual; no les afecta el encendido intermitente (es decir pueden funcionar como luces
estroboscpicas) y esto no reduce su vida promedio, son especiales para sistemas antiexplosin ya
que cuentan con un material resistente, y en la mayora de los colores (a excepcin de los ledes
azules), cuentan con un alto nivel de fiabilidad y duracin.
Tiempo de encendido[editar]
Los ledes tienen la ventaja de poseer un tiempo de encendido muy corto (menor de 1 milisegundo)
en comparacin con las luminarias de alta potencia como lo son las luminarias de alta intensidad de
vapor de sodio, aditivos metlicos, halogenuro o halogenadas y dems sistemas con tecnologa
incandescente.

Variedad de colores[editar]

Ledes1 de distintos colores.

Ledes1 azules.

La excelente variedad de colores en que se producen los ledes ha permitido el desarrollo de nuevas
pantallas electrnicas de texto monocromticas, bicolores, tricolores y RGB (pantallas a todo color)
con la habilidad de reproduccin de vdeo para fines publicitarios, informativos o para sealizacin.
Desventajas[editar]
Segn un estudio reciente parece ser que los ledes que emiten una frecuencia de luz muy azul,
pueden ser dainos para la vista y provocar contaminacin lumnica.4 Los ledes con la potencia
suficiente para la iluminacin de interiores son relativamente caros y requieren una corriente
elctrica ms precisa, por su sistema electrnico para funcionar con voltaje alterno, y requieren de
disipadores de calor cada vez ms eficientes en comparacin con las bombillas fluorescentes de
potencia equiparable.

Funcionamiento[editar]
Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con
los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es

llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se

determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Por lo general, el rea de un led es
muy pequea (menor a 1 mm2), y se pueden usar componentes pticos integrados para formar su
patrn de radiacin.

Historia[editar]
Desarrollo[editar]
Artculo principal: Oleg Lsev

Oleg Vladimrovich Lsev (1903-1942) desarroll el primer led en 1927.5

Invencin[editar]
Artculo principal: Nick Holonyak

Nick Holonyak invent el led en 1962 mientras trabajaba como cientfico asesor en un laboratorio
de General Electric enSyracuse (Nueva York).

Ledes rojos, verdes y amarillos[editar]

En los aos sesenta el led se comenz a producir industrialmente. Solo se podan construir de color
rojo, verde y amarillo, con poca intensidad de luz y se limitaba su utilizacin a mandos a
distancia (controles remotos) y electrodomsticos, como indicadores para sealar el encendido y
apagado.

Ledes ultravioletas y azules[editar]

A finales de los aos noventa se inventaron los ledes ultravioletas y azules.

Ledes blancos[editar]
Gracias a la invencin de los ledes azules es que se dio el paso al desarrollo del led blanco, que es
un led de luz azul con recubrimiento de fsforo que produce una luz amarilla. La mezcla del azul y el
amarillo (colores complementarios en el espectro RGB) produce una luz blanquecina denominada
luz de luna que consigue alta luminosidad (7 lmenes unidad), con lo cual se ha logrado ampliar
su utilizacin en otros sistemas de iluminacin.

Premio nobel de fsica[editar]

El 7 de octubre de 2014, los japoneses Isamu Akasaki, Hiroshi Amano y Shuji Nakamura (este
ltimo nacionalizado estadounidense), han sido distinguidos con elPremio Nobel de Fsica 2014 por
inventar el diodo emisor de luz LED azul, anunci la Real Academia de las Ciencias de Suecia.

Visin detallada[editar]
Aplicaciones[editar]

Pantalla de ledes en el Estadio de los Arkansas Razorbacks.

Los ledes en la actualidad se pueden acondicionar o incorporarse en un porcentaje mayor al 90 % a

todas las tecnologas de iluminacin actuales, casas, oficinas, industrias, edificios, restaurantes,
arenas, teatros, plazas comerciales, gasolineras, calles y avenidas, estadios (en algunos casos por
las dimensiones del estadio no es posible porque quedaran espacios oscuros), conciertos,
discotecas, casinos, hoteles, carreteras, luces de trfico o de semforos, sealizaciones viales,
universidades, colegios, escuelas, estacionamientos, aeropuertos, sistemas hbridos, celulares,
pantallas de casa o domsticas, monitores, cmaras de vigilancia, supermercados, en transportes
(bicicletas, motocicletas, automviles, camiones triler, etc.), en linternas de mano, para crear
pantallas electrnicas de led (tanto informativas como publicitarias) y para cuestiones
arquitectnicas especiales o de arte culturales. Todas estas aplicaciones se dan gracias a su diseo
compacto.

La pantalla en Freemont Street enLas Vegas es la ms grande.

Ledes aplicados al automovilismo, vehculo con luces diurnas de ledes.

Vestuario Led para espectculos escnicos, creado por Beo Beyond.

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a
distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos
de aire acondicionado, equipos de msica, etc., y, en general, para aplicaciones de control
remoto as como en dispositivos detectores, adems de ser utilizados para transmitir datos entre
dispositivos electrnicos como en redes de computadoras y dispositivos como telfonos mviles,
computadoras de mano, aunque esta tecnologa de transmisin de datos ha dado paso
al bluetooth en los ltimos aos, quedando casi obsoleta.
Los ledes se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en
dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor
del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan). Tambin
se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras,
agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras con
ledes.
El uso de ledes en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es moderado y
es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones son superiores a las de
la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminacin
con ledes presenta indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a
las vibraciones, mejor visin ante diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin de
energa, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de
modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con ledes se pueden producir luces de diferentes
colores con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lmparas utilizadas
hasta ahora que tienen filtros para lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de su
eficiencia energtica).
Las temperaturas de color ms destacadas que encontramos en los LED son:

Blanco fro: es un tono de luz fuerte que tira a azulado. Aporta una luz parecida a la de los
fluorescentes.

Blanco clido: el tono de luz tira hacia amarillo como los halgenos.

Blanco neutro o natural: aporta una luz totalmente blanca, como la luz de da.

RGB: el LED est permitiendo en muchos productos conseguir diferentes colores. Quedan muy
luminosos ya que es el propio LED el que cambia de color, no se usan filtros.

Cabe destacar tambin que diversas pruebas realizadas por importantes empresas y organismos
han concluido que el ahorro energtico vara entre el 70 y el 80 % respecto a la iluminacin
tradicional que se utiliza hasta ahora.6 Todo ello pone de manifiesto las numerosas ventajas que los
ledes ofrecen en relacin al alumbrado pblico.
Los ledes de luz blanca son uno de los desarrollos ms recientes y pueden considerarse como un
intento muy bien fundamentado para sustituir los focos o bombillas actuales (lmparas
incandescentes) por dispositivos mucho ms ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnologa
que consume el 92 % menos que las lmparas incandescentes de uso domstico comn y el 30 %
menos que la mayora de las lmparas fluorescentes; adems, estos ledes pueden durar hasta
20 aos.7 Estas caractersticas convierten a los ledes de luz blanca en una alternativa muy
prometedora para la iluminacin.
Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica. Sin
embargo esta aplicacin est en desuso ya que actualmente se opta por tecnologa lser que
focaliza ms las seales de luz y permite un mayor alcance de la misma utilizando el mismo cable.
Sin embargo en los inicios de la fibra ptica eran usados por su escaso coste, ya que suponan una
gran ventaja frente al coaxial (an sin focalizar la emisin de luz).
Pantalla de ledes: pantalla muy brillante formada por filas de ledes verdes, azules y rojos ordenados
segn la arquitectura RGB, controlados individualmente para formar imgenes vivas muy brillantes,
con un altsimo nivel de contraste. Entre sus principales ventajas, frente a otras pantallas, se
encuentran: buen soporte de color, brillo extremadamente alto (lo que le da la capacidad de ser
completamente visible bajo la luz del sol), altsima resistencia a impactos.

Tecnologa de fabricacin[editar]
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin cuando los pares
electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electronescaen desde la banda de conduccin
(de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa) emitiendo fotones en el proceso.
Indudablemente, por ende, su color depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de
energa entre las bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los
diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro
visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles.
Los ledes e IRED (diodos infrarrojos), adems, tienen geometras especiales para evitar que la
radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los
convencionales.

Compuestos empleados en la construccin de ledes

Compuesto

arseniuro de galio (GaAs)

Color

Infrarrojo

arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) rojo e infrarrojo

Long. de onda

940 nm

890 nm

arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)

rojo, anaranjado y amarillo 630 nm

fosfuro de galio (GaP)

verde

555 nm

nitruro de galio (GaN)

verde

525 nm

seleniuro de cinc (ZnSe)

azul

nitruro de galio e indio (InGaN)

azul

450 nm

carburo de silicio (SiC)

azul

480 nm

diamante (C)

ultravioleta

silicio (Si)

en desarrollo

Los primeros ledes construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el desarrollo
tecnolgico posterior la construccin de diodos paralongitudes de onda cada vez menores. En
particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los aos noventa por Shuji Nakamura,
aadindose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti por combinacin
de los mismos la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro de cinc puede emitir tambin luz
blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms
reciente innovacin en el mbito de la tecnologa led son los ledes ultravioleta, que se han empleado
con xito en la produccin de luz negra para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los ledes
azules como los ultravioletas son caros respecto a los ms comunes (rojo, verde, amarillo e
infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
Los ledes comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a 60 mW. En
torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de 1 vatio para
uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores para
poder soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor (vase conveccin)
generado por el efecto Joule.

Hoy en da se estn desarrollando y empezando a comercializar ledes con prestaciones muy

superiores a las de hace unos aos y con un futuro prometedor en diversos campos, incluso en
aplicaciones generales de iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que Nichia Corporation ha
desarrollado ledes de luz blancacon una eficiencia luminosa de 150 lm/W utilizando para ello una
corriente de polarizacin directa de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia, comparada con otras
fuentes de luz solamente en trminos de rendimiento, es aproximadamente 1,7 veces superior a la
de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces
la de una lmpara incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara
de vapor de sodio de alta presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz
ms eficientes.8

Explicaci
n detallada
de
funcionami
ento[editar]
El funcionamiento

A: nodo
B: ctodo
1: lente/encapsulado epxico (cpsula plstica).
2: contacto metlico (hilo conductor).

normal consiste
en que, en los
materiales
conductores,
unelectrn, al

3: cavidad reflectora (copa reflectora).

4: terminacin del semiconductor
5: yunque

pasar de
la banda de
conduccin a la

6: poste
7: marco conductor

de valencia,
pierde energa;

8: borde plano

esta energa
perdida se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase
aleatoria. El que esa energa perdida, cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a la de
valencia, se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo)
depende principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se
polariza directamente, los huecos de la zona positiva se mueven hacia la zona negativa y
los electrones se mueven de la zona negativa hacia la zona positiva; ambos desplazamientos de
cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones
pueden pasar a "ocupar" los huecos "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms
estable. Este proceso emite con frecuencia un fotn en semiconductores de banda prohibida
directa (direct bandgap)con la energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor).
Esto no quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores de banda prohibida
indirecta (indirect bandgap) no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas
emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como
el nitruro de galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).
La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y solo es
visible en diodos como los ledes de luz visible, que tienen una disposicin constructiva especial con

el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de
la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa
se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de
que el diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta
radiacin para producir radiacin visible mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que
absorban la radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en laslmparas incandescentes. Aunque el
plstico puede estar coloreado, es solo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la
luz emitida. Usualmente un led es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la
cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el led. Para
ello hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta
3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color de la
luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin. Los
valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un led corriente estn comprendidos entre los
10 y los 40 mA. En general, los ledes suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que
circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso
entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula
por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos). El primer led
que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick
Holonyak en 1962.

Diagramas[editar]

Circuito bsico de polarizacin directa de un solo led.

Circuito bsico para polarizar varios ledes de manera directa.

Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados
directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin conectado al nodo y el polo
negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de alimentacin debe suministrarle una tensin o
diferencia de potencial superior a su tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la
corriente que circula por ellos no exceda los lmites admisibles, lo que daara irreversiblemente al
led. (Esto se puede hacer de manera sencilla con una resistencia R en serie con los ledes). En las
dos imgenes de la derecha pueden verse unos circuitos sencillos que muestran cmo polarizar
directamente ledes.
La diferencia de potencial vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el color y la
potencia soportada.
En trminos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes valores de
diferencia de potencial:9

Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.

Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.

Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.

Verde = 2 a 3,5 voltios.

Azul = 3,5 a 3,8 voltios.

Blanco = 3,6 voltios.

Luego, mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para la tensin de la
fuente Vfuenteque utilicemos.

En la frmula, el trmino I se refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa que

necesitamos. Lo comn es de 10 miliamperios para ledes de baja luminosidad y 20 mA para ledes
de alta luminosidad; un valor superior puede inutilizar el led o reducir de manera considerable su
tiempo de vida.
Otros ledes de una mayor capacidad de corriente, conocidos como ledes de potencia (1 W, 3 W,
5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o incluso a 3000 mA dependiendo de las
caractersticas optoelctricas dadas por el fabricante.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las diferencias de
potencial en cada uno. Tambin se pueden hacer configuraciones en paralelo, aunque este tipo de
configuraciones no son muy recomendadas para diseos de circuitos con ledes eficientes.

Tecnologas relacionadas[editar]
OLED[editar]
Artculo principal: Diodo orgnico de emisin de luz

El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (ledes orgnicos), fabricados con
materiales polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos
dispositivos est lejos de la de los diodos inorgnicos, y son biodegradables, su fabricacin promete
ser considerablemente ms barata que la de aquellos, siendo adems posible depositar gran
cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de pintado para crear pantallas en
color.
El OLED (organic light-emitting diode: diodo orgnico de emisin de luz) es un diodo basado en una
capa electroluminiscente que est formada por una pelcula de componentes orgnicos que
reaccionan a un determinado estmulo elctrico, generando y emitiendo luz por s mismos.
No se puede hablar realmente de una tecnologa OLED, sino ms bien de tecnologas basadas en
OLED, ya que son varias las que hay, dependiendo del soporte y finalidad a la que vayan
destinados. Su aplicacin es realmente amplia, mucho ms que cualquier otra tecnologa existente.
Pero adems, las tecnologas basadas en OLED no solo tienen una aplicacin puramente como
pantallas reproductoras de imagen, sino que su horizonte se ampla al campo de la iluminacin,
privacidad y otros mltiples usos que se le pueda dar.
Las ventajas de esta nueva tecnologa son enormes, pero tambin tiene una serie de
inconvenientes, aunque la mayora de estos son totalmente circunstanciales y desaparecern, en
unos casos, conforme se siga investigando en este campo, y en otros, conforme vaya aumentando
su uso y produccin.
Una solucin tecnolgica que pretende aprovechar las ventajas de la eficiencia alta de los ledes
tpicos (hechos con materiales inorgnicos principalmente) y los costes menores de los OLED
(derivados del uso de materiales orgnicos) son los sistemas de iluminacin
hbridos (orgnicos/inorgnicos) basados en diodos emisores de luz. Dos ejemplos de este tipo de
solucin tecnolgica los est intentado comercializar la empresa Cyberlux con los nombres
de HWL (hybrid white light:luz blanca hbrida) y HML (hybrid multicolor light: luz multicolor hbrida),
cuyo resultado puede producir sistemas de iluminacin mucho ms eficientes y con un coste menor
que los actuales.10

Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de
1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral
(tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como
"knee", es decir, rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria
para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado
la regin Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente
negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de forma similar a
como lo hara regularmente.

Funcionamiento[editar]
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky),
en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor Nutilizada por los
diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario".
Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezastipo N,
solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo
en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de
portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la
operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.

Caractersticas[editar]
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy alta frecuencia y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor
de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky
tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo,
como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias
inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el
diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad
para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante
su poca cada de voltaje en directo permite su operacin con un reducido gasto de
energa. Otra aplicacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) y
circuitos controladores de motores paso a paso, cuando el circuito controlador efectua la
desconeccin de los bobinados del motor estos diodos se encargan de drenar los picos de
corriente inductiva que regresan de los bobinados de un motor a tierra para que estos no
ingresen al circuito y quemen los transistores IGBT del chopper, destruyendo el dispositivo.
Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua
a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los
tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean
mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da

una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor
velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky
TTL con la misma potencia.

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo

que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de
la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa,
este dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos
sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad.

Operacin[editar]
Cuando un diodo Varicap es polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que
forman los materiales N y P a partir del punto de unin de las junturas se produce una
capacitancia. Visto en forma metafrica y prctica, es el equivalente a dos placas de un
capacitor que van separndose a medida que la tensin de alimentacin se incrementa.
Este incremento de tensin provoca una disminucin de la capacidad equivalente final en
los terminales del diodo (a mayor distancia entre placas, menor capacidad final). Por este
motivo queda claro el concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de
esta naturaleza se encuentra en un punto de baja tensin de alimentacin (no cero),
mientras que la mnima capacidad final estar determinada por cunta tensin inversa
pueda soportar entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos, los ms habituales
suelen encontrarse entre 3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para ejemplos como el diodo
BB148 de NXP. Con una tensin menor a un volt alcanza su mxima capacidad, llegando
al mnimo valor con 12 o 13V, segn podemos ver en la grfica obtenida de su hoja de
datos.
Para poder medir la capacitancia de estos diodos se puede recurrir a la formula de MBR
Cd = C/[ raz cuadrada de (1+2|Vd|)] =pF

donde C = capacitancia del diodo con polarizacin inversa (Farads)

Vd= magnitud del voltaje de polarizacin inversa del diodo (Volts) como esta entre barras el
valor siempre es positivo
Cd= C

Diodo varicap. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en
el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa
aplicada entre sus extremos.

Funcionamiento

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno
que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del
diodo. De este modo se obtiene un condensado variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos
van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que
ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est
situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada,
aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de elevadas
prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor
muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos
la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje
a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un
condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia
disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta.

Aplicacin

Diodos varicap

La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de
condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est variando (mecnicamente) el eje del
condensador variable que incorpora ste en su etapa de sintona; pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla
o, ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona del receptor de TV a color lo que se est haciendo es variar
la tensin de polarizacin inversa de un diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo.

Curva caracterstica y simbologa del diodo

Varicap.
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado
inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los
lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de
transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el
ancho de la regin de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a
su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El
intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa
aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n
dnde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.

VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

DIODOS DE POTENCIA

Indice

El diodo de potencia.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo.
Parmetros en conduccin.
Modelos estticos de diodo.

Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso.

Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.

Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx).

Potencia media disipada (PAV).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).

Caractersticas trmicas

Temperatura de la unin (Tjmx).

Temperatura de almacenamiento (Tstg).
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc).
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).

Proteccin contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades.

Organos de proteccin.
Parmetro I2t.

El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensin inversa mxima

VD: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.

Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobreintensidades.

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Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de
1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en

estado de bloqueo.

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Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de

impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms
, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula
(normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conduccin.

Volver
Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que
necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos

ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos
modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir
ya en las libreras del programa.
Volver

Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta

instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin
inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar
que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores
que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en
sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no
se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en
el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en
pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciedo el exceso de portadores.
o
o

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.

o
o

di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos
siguientes casos:
o
o

Para ta = tb trr = 2ta

Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

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Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
o
o

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.

Factores de los que depende trr :

o
o

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser
la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

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Tiempo de recuperacin
directo

tfr (tiempo de
recuperacin directo): es
el tiempo que transcurre
entre el instante en que
la tensin nodo-ctodo
se hace positiva y el
instante en que dicha
tensin se estabiliza en el
valor VF.
Este tiempo es bastante
menor que el de
recuperacin inversa y
no suele producir
prdidas de potencia apreciables.
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Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con
la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de
trabajo.

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Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la

potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.

Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con
la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad
eficaz dividida entre la intensidad media).
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Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

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Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating

temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el

dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

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Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso
de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).

Proteccin contra sobreintensidades

Volver
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en
la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en
el caso de alimentacin de motores, carga de condesadores, utilizacin en rgimen de
soldadura, etc.

Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin,

que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantnea
al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
Organos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrpidos" en la mayora de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que
pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

Volver
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caractersitca de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se
indica en segundos y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el
fusible el que se destruya y no el diodo.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz
visible oinfrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construccin, los fotodiodos se comportan comoclulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz
exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en elnodo y el negativo en el ctodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Principio de operacin[editar]
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide
en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos
portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una
fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa.
En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso.
En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso
al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado
por la luz.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicados en la zona de
avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.

Composicin[editar]
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta
1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro
material semiconductor.

Material

Silicio

Longitud de onda (nm)

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios
(longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

Uso[editar]

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y

viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta
ms pequeo.

Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd

transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

Usados en fibra ptica

Investigacin[editar]
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el
desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS,
as como de fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica.
Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT
Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgnico, basado
en fotodiodos orgnicos.