Memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)

La memoria dinmica de acceso aleatorio, es un tipo de memoria que se usa

principalmente en los mdulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como
memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para mantener
almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto
perodo, en un ciclo determinado. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay
alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de
los sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad.
La memoria dinmica fue desarrollada en los laboratorios de IBM pasando por un
proceso evolutivo que la llev de usar 6 transistores a slo un condensador y un
transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invencin de esta
ltima la hizo Robert Dennard1 quien obtuvo una patente norteamericana en 1968
por una memoria fabricada con un solo transistor de efecto de campo y un
condensador.
El principio de funcionamiento bsico para la DRAM, es sencillo: una carga se
almacena en el condensador significando un 1 con carga y sin carga un 0. El
transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador.
Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho
muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en
arreglos de celdas transistor-condensador.
Memoria EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM
programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado
por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta
flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos
como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).
Es una memoria reprogramable, esto quiere decir que puede guardarse
informacin en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto permite realizar
de manera sencilla modificaciones, ampliaciones y correcciones del contenido de
la memoria. Dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de un
bus de datos. Internamente cada bit se almacena en una matriz de celdas de
memoria. Cuando la EPROM est activa y en modo de lectura, se produce la
decodificacin de las direcciones y el contenido de las celdas de memoria
seleccionadas se entrega a la salida.
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrnico que
proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos
electrnicos y una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente
mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones
de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.
Las EPROM se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte
alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que
admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Memoria Flash
La memoria flash, es una de las derivadas de la memoria EEPROM y permite la
lectura y escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin.
Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite
velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM
primigenia, ya que est slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en
cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los
dispositivos denominados memoria usb. Esta memoria fue inventada en 1984 por
Fujio Masuoka como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces.
Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si comercializ la
primera memoria flash de uso comn.
Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo
consumo y por completo silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos
ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora
de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para
todos los usos hacia los que est orientado.
Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado
de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de
la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su
borrado.
Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para
almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran
divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un
sistema de ficheros para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar
memorias basadas en ORNAND. Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica
de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras
digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de
temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas
soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C.

Memoria NVRAM
La memoria NVRAM (Non-volatile random access memory o memoria de acceso
aleatorio no voltil) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su
nombre indica, no pierde la informacin almacenada al cortar la alimentacin
elctrica. Un ejemplo bsico del uso de la memoria en la vida cotidiana es en los
routers ya que se utiliza para almacenar un archivo de configuracin de
respaldo/inicio.
Esto est en contraste con memoria dinmica de acceso aleatorio y la memoria de
acceso aleatorio esttica, que ambos mantienen datos slo durante el tiempo que
se aplica la alimentacin.
La forma ms conocida de la memoria NVRAM hoy es la memoria flash. Algunas
desventajas de memoria flash incluyen la obligacin de escribir en bloques ms
grandes que muchos ordenadores pueden abordar de forma automtica, y la
relativamente limitada longevidad de memoria flash, debido a su nmero limitado
de ciclos de escritura-borrado. Otro inconveniente es la prevencin de las
limitaciones de rendimiento de destello de la concordancia de los tiempos de
respuesta y, en algunos casos, la direccionabilidad aleatoria ofrecido por las
formas tradicionales de RAM. Varias nuevas tecnologas estn tratando de
reemplazar Flash en ciertos papeles, y algunos incluso dicen ser un recuerdo
verdaderamente universal, que ofrece el rendimiento de los mejores dispositivos
SRAM con la no volatilidad de flash. Hasta la fecha, estas alternativas no se han
convertido en la corriente principal.