UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA

TRANSISTOR UNIPOLAR FET

-LABORATORIO-

CURSO

: CIRCUITOS ANALGICOS I

DOCENTE

: ING. GUILLERMO EVANGELISTA ADRIANZN

INTEGRANTES

:
ARAUJO MACHUCA, SAUL ANDRE JIMENEZ CASAVERDE, JOHN LICO JUARES AVILA, EMERSON MULLER MELLIN RUBIO, IRVING VICENTE SALCEDO ESCOBEDO, LUIS ENRIQUE

CICLO

: V

SEMESTRE : 2013 10

TRUJILLO PER

TRANSISTOR UNIPOLAR FET

I.
-

OBJETIVOS
Estudiar las caractersticas de los transistores unipolares de efecto de campo (FET), tanto en su polarizacin como en operacin en seal alterna. Identificar los terminales, sistema de polarizacin, impedancia de entrada y niveles de seales de distorsin.

II.

FUNDAMENTO TEORICO

Los transistores de efecto de campo (FET) se denominan as porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la corriente a travs del dispositivo. Estos transistores tambin se denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unin y para destacar el hecho de que solo un tipo de portadores, electrones o huecos interviene en su funcionamiento. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales. Entre las caractersticas que ms destacan tenemos: Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

III.

MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS

Materiales 1 FET canal N NTE 312 1 resistencia de 1k 1 resistencia de 2k 1 resistencia de 3.3k 1 resistencia de 5.6k 1 resistencia de 10k 1 resistencia de 1M 2 condensadores de 10uF 1 condensador de 47uF 1 condensador de 100uF Protoboard Conductores de conexin Instrumentos 1 Osciloscopio 1 Generador de Seales 2 Fuentes DC 1 Voltmetro 0,01V 1 Ohmmetro 0,01

IV.

PROCEDIMIENTO
a) Colocar el dispositivo en protoboard y reconocer sus terminales. Dibujar su esquema de pines y colocar sus datos de manual, ms importantes.

Armar el circuito de la figura. 1

b) Polarizar el circuito y medir los terminales del FET con respecto a tierra, evaluando el punto de operacin

VOLTAJE VD VS VG 9.6 v 1.216 v 0.002 v

VDS 8.39 v VGS 1.179 v CORRIENTE ID 1.18 mA

ID = (- ) (VGS) ID = () (-1.179v) = 1.18 mA.

c) Llenar la tabla adjunta, cambiando RD y manteniendo RS en los 2 casos, tal como se indica.

RS = 1K RD = 3.3 K VD (v) VS (v) 8 1.214 RD= 5.6 K 5.230 1.207 RD = 2K 11.01 1.674

RS = 3.3 K RD= 5.6 K 9.17 1.672 RD = 1K 11.51 1.675

d) Aplicar en Vi una seal sinusoidal de 50 mV de frecuencia, 1 KHz y determinar con el osciloscopio la seal de salida.

Vo = 105 mv

Av(FET) = Vo/Vin = 105mV/50mV = 2.1

e) Aumentar la seal Vin hasta observar una notoria distorsin en la seal de salida. Anotar la Amplitud de Vo max sin distorsin: 2.28v. Vo(MAX) =

f)

Retire el condensador C3 y evaluar la nueva ganancia

Av(FET) = 1.10.

g) Aumentar la amplitud de Vi y encontrar el nuevo 1.13v.

Vo(MAX) =

V.

RESULTADOS

PUNTO Q RS = 1K / RD =3.3K RS =1K / RD=5.6 K RS =3.3K / RD =2K RS = 3.3K / RD = 5.6 K RS =3.3K / RD =1 K (4.39v,1.77mA) (0.318v,1.77mA) ( 7.92v,0.77mA) (5.15v,0.77mA) (8.69 v,077mA)

gm 2.046 m -1 1.652 m-1 1.84 m-1 1.42 m-1 2.046 m-1

Al colocar y retirar el condensador

Vo Con Condensador Sin Condensador 2.18 V 1.02 V

Av 1.28 1.10

IV.

CONCLUSIONES
En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

IV.

ANEXOS

Datashett NTE 312 Simulacion1 Simulacion2 Simulacion3