Implantacin Inica

Realizado por: Lin Chou Chih Hsun

Historia
Siglo XIX. Physicist Robert Van de Graaff (MIT) 40s y 50s . High Voltage Engineering Corp. (HVEC). 1954 Patent. William Shockley

Implantacin Inica
Modificacin superficial (con cambio de composicin) Bombardeo de iones acelerados mediante diferencia de potencial N+, N2+, C+, B+, Ti+, Al+

Profundidades 1m

Proceso muy verstil, aplicable sobre cualquier material

Importancia
MicroElectronica IC Si a Smartphones Ciencia de Materiales Mejoramiento propiedades Produccion Limpia Cero emisiones

Principios
Bombardeo del sustrato con iones acelerados Alteracin Composicin Tipo Energa

Procesos asociados al bombardeo inico

Trayectoria

Izq.: Proceso de frenado y perfil de concentracin Der.: Simulacin de la implantacin

Ion implantation & synthesis of materials, Springer

Implantacin Inica vrs Otros Mtodos

Izq.: Temp vrs e Der.: Dureza vrs e

Parmetros Operativos
Tipo de in implantado Energa del in Dosis Substratos

Tipo de In

Distribucin profundidad

Ion implantation & synthesis of materials, Springer

Dosis y Energa

Figure 2. Dose and energy requirements of major implantation applications (species shown roughly in order of decreasing usage).

Aplicaciones
Microelectronica Dopado de semiconductores Metalurgia y Materiales TS metales (N, C, B, Cr, Ti) y polmeros (H)

mbito Metalurgia & Materiales

Propiedades superficiales modificadas Desgaste Friccin Fatiga Tenacidad a la fractura Corrosin hmeda Oxidadin Conductividad elctrica ndice de refraccin Sustratos estudiados Especies inicas Empleadas y flujo Aceros, Co-Cr Alloy, WC. Ti, NTi Aceros Aceros, Ti Alloys Cermicas: SiN, almina Aceros, Ti Alloys, platino Superaleaciones Polmeros N,C 10-20% >10e17 atom/cm Ti+C >10e17 atom/cm N,C >10e17 atom/cm Ar 10e15 atom/cm Cr, Ta, Cr-P >10e17 atom/cm Y, Ce >10e17 atom/cm Ar,F 10e12 atom/cm Vidrios, electropticos Li,Ar >10e15 atom/cm Dopado; conductividad /metal amorfo Dopado qumico y distorsin de la red Bajas dosis Tensiones residuales Tensiones residuales Gietas en superficie Ortoprdia Dan capas amorfas Comentarios

Caracterizacin
Perfiles de profundidad (SIMS) Espectroscopia de Masas de Iones Secundarios (XPS o ESCA) Espectroscopia Fotoelectrnica de Rayos X Espectroscopia Electrnica Auger (AES)

Fuerza atmica

Fig. 1. Atomic Force Microscopy images of ion implanted glass slide surfaces. Effects of ionimplantation on nano-topographic properties, Surface coating and tecnology

SEM

Fig. 2. SEM top view images showing the effect of N-ion implantation on the TiO2 nanotube layers. Top: As formed amorphous structures ion implanted at 1 1015 ions/cm2 (a) and 1 1016 ions/cm2 (b). Bottom (c, d): The nanotube layers that have been annealed to anatase before ion implantation at 1 1015 ions/cm2 (c) and 1 1016 ions/cm2 (d). TiO2 nanotube layers: Dose effects during nitrogen doping byionimplantation, Chemical Physics letters

TEM
The TEM images below show the outermost part of a feldspar grain. Implantation of gallium ions has formed a ~80 nm amorphous layer, whose interface with feldspar beneath is sharp on the atomic scale. Ion beam damage can be prevented by coating grain surfaces with a thick (>100 nm) layer of metal such as gold prior to FIB work. School of Geographical & Esarth Sciences, University of Glasgow, Martin Lee

Tendencias
(HTLEII)Implantacin inica a baja energa y alta temperatura N+ a mayor profundidad Implantacin inica por plasma CVD, PVD Implantacin atmica Au en SiC

Limitaciones
Alto costo Tiempos muertos Proceso secuencial