COMUNICADOR DE VOZ VIA LASER

Gonzlez Gutirrez Jos Guadalupe, franiento@hotmail.com Pichardo Amezcua Luis, pichardo_amezcua@hotmail.com Snchez Moreno Alejandro, alexsanmo@hotmail.com

INDICE Y CONTENIDO Resumen: informacin general del proyecto ..................................................................Pg. 01 Diagrama a bloques: descripcin general del proyecto ..................................................Pg. 02 Antecedentes: historia de los lser y fototransistores .....................................................Pg. 03 Desarrollo: ecuaciones, teora y funcionamiento de los dispositivos .............................Pg. 05 Resultados y conclusiones...............................................................................................Pg. 07 Apndice: especificaciones y caractersticas de circuitos utilizados ..............................Pg. 08 Referencias bibliografas. ..............................................................................................Pg. 10

RESUMEN Se desarrolla este proyecto con el fin de aprender una aplicacin nueva de los amplificadores operacionales. Esto es, lograr una transmisin de voz utilizando un transmisor y un receptor, construidos con dos amplificadores operacionales, un lser, transistores, resistencias y capacitores. Este sistema consiste, en transferir informacin (voz) de un lugar a otro, esto es, transmisin, recepcin y procesamiento de informacin, entre dos lugares mediante circuitos electrnicos. De lo anterior se deduce que un transmisor es un conjunto de uno o mas dispositivos o circuitos electrnicos, que convierten la informacin de la fuente original en una seal que se presta mas para su transmisin en un determinado medio de transmisin, el cual transporta las seales desde el transmisor hasta el receptor, este ultimo es el conjunto de dispositivos que acepta del medio de transmisin las seales y las reconvierte a su forma original [1]. Los resultados que se pretenden son: 1) Transmisin de voz va lser logrando una buena recepcin. 2) Que esta transmisin tenga varios metros de distancia.

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DIAGRAMA A BLOQUES

Entrada

Transductor (micrfono)

Acoplamiento de seal (operacional)

Amplificacin (2N2222)

Lser

Medio de transmisin

Fototransistor

Amplificacin y filtrado (operacional)

Amplificador de potencia

Salida (Bocina)

El transductor (Micrfono ) convierte las ondas de presin de la voz en un voltaje [3], el amplificador operacional acopla y filtra la seal del transductor y la entrega al transistor (2N2222) que funge como amplificador y es el que manda la seal al lser, despus la seal viaja en el espacio libre hacia el receptor, el fototransistor recibe la seal y la manda a un operacional que filtra y manda la seal a un amplificador de potencia y este a la salida (bocina).

ANTECEDENTES. La tecnologa lser se centra en la concentracin de luz en forma de haces muy pequeos y poderosos. El acrnimo se generaliz cuando la tecnologa pas de las microondas a las ondas de luz. EL primer lser fue desarrollado por Theodore H: Maiman, cientfico de Hughes Aircraft Company, de California. Dirigi un rayo de luz a cristales de rub, con una lmpara de xenn, y midi la radiacin emitida por el rub. Descubri que cuando la radiacin emitida aumentaba de cierto umbral, se volva en extremo intensa, y muy direccional. Los lser de uranio se desarrollaron en 1960, junto con los dos otros materiales de tierras raras .tambin -2-

en 1960, A: Javin de los Bell Laboratories desarrollo el lser de helio. Los lser de semiconductor se fabricaron en 1962, en General Electric, IBM y Lincon Laboratories. Fuentes pticas: En esencia hay dos dispositivos que se usan con frecuencia para generar luz en sistemas de comunicacin: diodos emisores de luz (LED, por ligth emitting diode) y diodos de lser de inyeccin (ILD; de injectin lser diode). Ambos dispositivos se fabrican con materiales semiconductores, los LED tienen anchos espectrales de 30 a 50 nm, mientras que los laceres de inyeccin tienen anchos espectrales de 1 a 3 nm ( un manmetro corresponde a una frecuencia aproximada de 178 GHz). Por consiguiente, una fuente luminosa de 1320 nm con un ancho de banda espectral de 0.00566 nm tiene una amplitud de banda de frecuencias aproximada de 1 GHz. El ancho de raya es el equivalente , en longitudes de onda, del ancho de banda. Diodos emisores de luz: Un diodo emisor de luz (LED), es un diodo de unin p-n, fabricado con un material semiconductor como el arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) o el arseniuro fosfuro de galio (GaAsP). Los LED emiten luz por emisin espontnea: la luz se emite como resultado de la recombinacin de los electrones con huecos. Cuando tienen polarizacin directa , los portadores minoritarios se inyectan a travs de la unin p-n. Una vez atravesada la unin, esos portadores minoritarios se recombinan con portadores mayoritarios y desprenden energa en forma de luz. En los LED se eligen ciertos materiales semiconductores y dopantes tales que el proceso es radiativo; esto es, que se produce un fotn. ste es un cuanto de energa de onda electromagntica. Los fotones son partculas que viajan a la velocidad de la luz, pero que en reposo no tienen masa. La banda prohibida del material que se usa para fabricar un LED determina el color de la luz que emite, y si la luz emitida es visible al ojo humano. Diodo de lser de inyeccin. Los laceres se fabrican con diversos materiales, que incluyen gases, lquidos y slidos, aunque el lser que se usa en dispositivos de comunicacin, es el lser de semiconductor. El diodo lser de inyeccin se parece al LED. De hecho, por debajo de cierta corriente umbral, un ILD funciona en forma parecida a un LED. Arriba de la corriente de umbral, un ILD oscila y se produce la emisin lser. Al pasar la corriente por un diodo de unin p-n de polarizacin directa, se emite luz por emisin espontnea, a una frecuencia determinada por la banda prohibida del material semiconductor. Cuando se llega a determinado valor de la corriente, la cantidad de portadores minoritario s y de fotones que se producen en ambos lados de la unin p-n llega a un valor en el que comienza a chocar con portadores minoritarios ya excitados. Esto causa un aumento en el nivel de la energa de ionizacin y hace que los portadores sean inestables. Al suceder eso, un portador normal se recombina con un portador de tipo contrario a un valor de energa que es mayor que su valor normal antes del choque. En el proceso se crean dos fotones. Para que esto suceda se requiere una gran corriente directa que pueda suministrar muchos portadores (huecos y electrones ). Ventajas de los ILD sobre los LED: 1. Como los ILD tienen una distribucin de irradiacin ms dirigida, es ms fcil de acoplar su luz, esto reduce las prdidas por acoplamiento. 2. La potencia radiante de salida de un ILD es mayor que la de un LED. Una potencia normalmente de salida de un ILD es 5 mW (7 dBm), en comparacin con 0.5 mW (-3 -3-

dBm) para los LED. Eso permite que funcione su activacin a travs de mayores distancias. 3. Los ILD se pueden usar a frecuencias mayores de bits que los LED. 4. Los ILD generan luz monocromtica. Lo cual reduce la dispersin. Desventajas de los ILD. 1. Los ILD cuestan normalmente 10 veces ms que los LED. 2. Los ILD trabajan con mayores potencias, y tienen menores duraciones que los LED. 3. Los ILD dependen ms de la temperatura que los LED. [1] Detectores de luz. El inters en dispositivos sensibles a la luz se ha incrementado de manera casi exponencial en aos recientes. La opto electrnica recibe gran inters por parte de investigadores y diseadores. Las fuentes luminosas ofrecen una fuente de energa nica, la cual, es transmitida como paquetes discretos llamados fotones. Posee un nivel directamente relacionado a la frecuencia de la onda de la luz. La longitud de onda es importante porque determina el material que se utiliza en el dispositivo opto electrnico. El fototransistor es un dispositivo que se limita a la regin de polarizacin inversa..La aplicacin de la luz as la unin ocasionar una transferencia de energa de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones) hacia la estructura atmica, lo que ocasionara un incremento en el numero de portadores minoritarios un nivel mayor de corriente inversa. La corriente de oscuridad es la que se presentar sin iluminacin aplicada . Un incremento en la intensidad luminosa ocasionar un incremento similar en la corriente inversa, podemos asumir que la corriente inversa es cero en ausencia de la luz incidente, dado a que los tiempos de subida y bajada son muy pequeos para este dispositivo. El germanio abarca un espectro mas amplio de longitudes de onda que el silicio, esto lo vuelve adecuado para la luz incidente en la regin infrarroja, que proporcionan las fuentes luminosas de lser. El fototransistor posee una unin p-n colector base fotosensible. La corriente inducida por lo efectos fotoelctricos ser la corriente de base del transistor. [2]

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DESARROLLO DIAGRAMA ESQUEMATICO

CALCULO DE COMPONENTES (TRANSMISOR)

C1 = Este capacitor es usado para acoplamiento de corrientes y separa las etapas de amplificacin y transmisin de datos. Adems de proporcionar un filtrado de la seal proveniente de la parte encargada de la amplificacin, para obtener una mayor nitidez en la seal que llega a la etapa de la transmisin de datos. Para el amplificador no inversor. Para el calculo de su ganancia se aplican las siguientes formulas:
R2 Vo = (Vi ) R1 100 K Vo = + 1(Vi ) 1K

Vo = 101Vi

Ganancia del Amplificador

Para el calculo de las resistencias se aplica de la siguiente manera: Debido a las propiedades del amplificador operacional que lo estamos usando como no inversor, para calcular la resistencia que va de la entrada no inversora hacia tierra se utiliza la siguiente formula:
R7 = R2 || R1 R7 = 100 K || 1k = 1K

R4 = Esta resistencia se encuentra ubicada despus del capacitor de acoplamiento, de las etapas de amplificacin y transmisin de datos y es el Divisor de voltaje que proporciona

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el suministro adecuado de voltaje al buse del transistor. Esta resistencia es una resistencia variable. Datos para el diodo: ID = 40mA Vi = 12V VDLS = 3V VR6 = 8V

R6 =

8V = 200 40 mA

El lser se enfoca frente al fototransistor y se ajusta R4 hasta obtener la mejor calida de voz, es por esto que la resistencia R4 es variable para as poder ajustarla a las necesidades del lser y del fototransistor que se estan utilizando en el circuito. El papel de R4 tambin es aplicar una prepolarizacin al lser. R6 limita la corriente mxima en el lser a un valor seguro de 40mA. DIAGRAMA ESQUEMATICO

CALCULO DE COMPONENTES (RECEPTOR) C1 = Se usa un capacitor de acoplamiento llamado para frecuencias menores a 3kHz y cuidar que entre la corriente indicada. C= 1 2 ( f )( R )
C = 1 = 0 .1 F 2 ( 3 kHz )( 500 )

Para el amplificador inversor

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Vo =

R3 Vi R2

Vo =

100K Vi 1K

Vo = 10Vi

Ganancia del Amplificador

Datos para el fototransistor VCEQ1 = 0.5V IQ1 = 52A R1 = 12V 0.5V = 220k 52 A

El alcance mximo del fototransistor es de decenas de metros en la noche con ayuda de lentes en el fototransistor y en el lser, para la etapa audio se usara un amplificador de potencia conectado a la bocina. [2] COSTOS
Cantidad 2 1 1 1 9 3 5 3 2 Descripcin TL071 2N222 Laser Fototrans Res. Fijas Res. Variables Capacitor 220F Capacitor 0.1F Baquilita Precio unitario 6.00 3.00 33.00 12.00 0.20 2.00 2.00 0.50 5.00 total total 12.00 3.00 33.00 12.00 1.80 6.00 10.00 1.50 10.00 89.30

CONCLUSIONES Al realizar este proyecto se obtuvo el objetivo deseado, transmisin de voz por medio de lser logrando una buena recepcin, colocando a varios metros de distancia el transmisor del receptor, encontrando como nica dificultad el enfoque del lser transmisor al fototransistor receptor, y encontrando como limitacin la distancia que alcanza el lser sin distorsionarse.

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APENDICE

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REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS [1] Wayne Tomasi, Sistemas de comunicaciones Electrnicas, Prentice Hall, 2003, pags [2] Boylestad y Nashelsky, Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Pearson, 2003, pags 681-697, 902-905, 950, 951. [3] Apuntes de Diseo con electrnica integrada

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