Transistor de efecto de campo
Electrnica I
Caractersticas
1. Su operacin depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es ms sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, tpicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de seales.
Construccin
El FET consiste de una regin de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la regin n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p estn conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos hmicos
Canal-n
Compuerta (G)
Regin de
agotamiento
Fuente (S)
VGS = 0 y VDS > 0
D
ID
Regin de
agotamiento
+
VDS
G
p
VDD
IS
Potencial dentro de FET
Nivel de saturacin
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene caractersticas de
fuente de corriente con ID = IDSS.
VGS < 0
El nivel de VGS que da como
resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS =
VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.
Caractersticas de FET de canal-n
Resistor controlado por voltaje
La pendiente de las curvas en la regin hmica es funcin del
voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.
rd
ro
1 VGS / VP
Donde ro es la resistencia con VGS = 0.
Dispositivos de canal-p
Los voltajes de las fuentes
se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.
Caractersticas del FET canal-p
La corriente en la regin de ruptura est limitada solo por el
circuito externo.
Smbolos
FET canal-n
FET canal-p
Resumen
Caractersticas de transferencia
La relacin entre ID y VGS est definida por la ecuacin de
Shockley.
VGS
I D I DSS 1
VP
Las caractersticas de transferencia definidas por esta ecuacin no
se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
La grfica muestra que existe una relacin parablica entre ID
y VGS.
Aplicaciones de la ecuacin de
Shockley
V
I D I DSS 1 GS
VP
Para las curvas anteriores podemos obtener:
I D I DSS |VGS 0V
Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = 1 V
1
I D I DSS 1
8mA 1
4
4.5mA
La relacin inversa de la ecuacin de Shockley se obtiene con
facilidad
VGS
ID
VP 1
I Dss
Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = 4 V, se obtiene
VGS
4.5
1V
4 1
8
Mtodo manual rpido
Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Ms los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
Ejemplo
Trazar la curva para un FET de canal-p definida por IDSS = 4 mA y
VP = V
Ejemplo
Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = 6V
Hojas de especificacin
Valores mximos
rea de operacin
Trazador de curvas
Comparacin con el BJT
ID = IDSS(1 VGS/VP)2
IC = IB
ID = IS
IE = I C
IG = 0
VBE = 0.7V
MOSFET de tipo decremental
No existe conexin
elctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.
Operacin bsica
Aplicando 0V entre
compuerta y fuente, se
obtiene una corriente IDSS
entre drenaje y fuente.
Caractersticas de transferencia
Reduccin de portadores libre sen el canal debido al potencial
negativo en la terminal de la compuerta.
Si aplicamos un potencial positivo en la compuerta, se atraern
nuevos portadores desde el sustrato lo cual incrementar la
corriente (regin incremental).
Ejemplo
MOSFET de tipo decremental de
canal-p
Las corrientes y voltajes se invierten respecto al de cana-n.
Smbolos
Hojas de datos
MOSFET de tipo incremental
El MOSFET de tipo incremental se diferencia del decremental en
que no tiene canal entre la fuente y el drenaje, solo tiene sustrato.
Funcionamiento
Al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y drenaje se
inducir carga negativa en la regin cercana a la capa de xido,
produciendo un canal de portadores n. El voltaje necesario para
producir este canal se llama voltaje umbral VT (threshold)
Voltaje de saturacin
Si se mantiene VGS constante y se aumenta VDS se llegar a tener
un estrechamiento en el canal inducido.
El voltaje de saturacin est
dado por:
VDSsat = VGS VT
Curvas caractersticas
Caracterstica corriente voltaje
Laq caracterstica corriente voltaje en un MOSFET de tipo
incremental esta dada por:
ID = k(VGS VT)2
El valor de k depende del fabricante y puede calcularse de:
k = IDencendido / (VGSencendido VT)2
Donde los valores de encendido son dados para un punto particular
de las curvas del MOSFET.
Para las curvas anteriores si IDencendido = 10 mA y VGSencendido = 8 V,
entonces
ID = 0.278(VGS VT)2
Con VGS = 4V, se encuentra ID = 1.11 mA
Caractersticas de transferencia
Smbolos
Especificaciones
