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Características Principales:
De unión:
JFET o simplemente FET (transistor de efecto de campo de unión)
De puerta aislada:
IGFET, MOS, MOST o MOSFET (transistor de efecto de campo metal-
óxido semiconductor )
TRANSISTORES FET
Analogía FET-BJT
(La polarización no es la misma)
“S” “E”
“G” “B”
“D” “C”
TRANSISTORES FET
En el FET la relación
entre ID y VGS está dada por la ecuación de
Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP))²
IDss y Vp son
valores que
se obtienen
de la hoja del
fabricante
TRANSISTORES FET
PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que
ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de
fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima
intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores
JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS,
presenta fuertes dispersiones en su valor.
RDS (ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se
mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje.
Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta
y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una
conducción por avalancha de la unión.
TRANSISTORES FET
MOSFET
Es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate
field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El
término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una
compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido.
ESTRUCTURA DEL MOSFET
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente
entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta está localizada encima del
sustrato y aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de dieléctrico,
que en el caso del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio.
TRANSISTORES FET
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es
que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor.
El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho
menor que en los JFET. Por ello, los MOS se S emplean para tratar señales de muy baja
potencia. I
M
B
O
L
O
S
TRANSISTORES MOSFET
MODO DE OPERACIÓN
Corte Óhmica o lineal Saturación o Activa
Cuando Cuando Cuando
VGS < Vth VGS >Vth y VDS < ( VGS VGS > Vth y VDS > (
En esta zona la Id=0 – Vth ) VGS – Vth )
Vth: tensión umbral del
transitor ID = k(VGS-VT)2
TRANSISTORES MOSFET
Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la Fuente es menor que la tensión
umbral, VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los terminales de Fuente y
Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo, cuando VGS es
mayor que VT se crea el canal, y el transistor entra en conducción. Cuanto mayor es la
TRANSISTORES MOSFET
APLICACIONES
CONCLUSIONES
El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente controlada
por voltaje. Básicamente el voltaje en la compuerta VGS, controla la corriente ID entre el
drenador y la fuente. Para el JFET, la ecuación que da cuenta del comportamiento es la
ley de Schockley,
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo
o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de
una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no
conducción, respectivamente. El Mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación
presenta una gran versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el
JFET.
Los Mosfet se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran
ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones.
Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la
selección de un dispositivo de conmutación. La elección no es sencilla, pues no puede
decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor
específico de corriente.