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Fisica Electronica
Fisica Electronica
Introduccin
Densidad de Estados (DeE)
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac
Densidad de portadores en semiconductores intrnsecos.
Nivel de Fermi
Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n
Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos
Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos
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Electrnica de dispositivos
Introduccin
Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados
Motivo
Poder determinaran los comportamientos caractersticos tensin/corriente de los dispositivos
Esquema
Densidad de portadores
Probabilidad de ocupacin
Densidad de estados
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Electrnica de dispositivos
Densidad de estados
Definicin
La densidad de estados es el nmero de
estados electrnicos posibles por unidad
de volumen y por unidad de energa.
En un metal (los electrones son libres):
N (E ) =
8m
2 h2
[1]
Apndice C
K. Kano
Nn (E ) =
8m
N p (E ) =
8m
2
2 h
2 h 2
E EC para E > EC
[2]
EV E para E < EV
[3]
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Electrnica de dispositivos
f (E ) =
e
E EF
kT
+1
[4]
Comentarios
Un estado con energa E>EF tendr mas posibilidades de ser ocupado a mayor temperatura.
A una temperatura T, la probabilidad de ocupacin disminuye si aumenta la energa
Para cualquier T, la probabilidad de encontrar un electrn con una energa EF es 1/2.
A T=0, la probabilidad de encontrar un electrn con E>EF es 0 y con E<EF es 1
Si la probabilidad de encontrar un electrn es f(E), la probabilidad de no encontrarlo es 1-f(E)
Aproximacin de Boltzmann (facilitar los clculos posteriores)
[5]
[6]
electrones fC (E ) = f (E )
huecos
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Electrnica de dispositivos
Densidad de portadores
2m kT
E EF
n = Nn (E ) fC (E ) dE = ... = NC exp C
N
con
2
=
C
EC
kT
n
2
[7]
2m kT
EF EV
kT
p
2
EV
[8]
semiconductor
Si
Ge
GaAs
N C (cm -3)
N V (cm -3)
3.2210 19
1.0310 19
4.2110 17
1.8310 19
5.3510 18
9.5210 18
E g (eV)
1.12
0.66
1.42
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Electrnica de dispositivos
n p = NC NV e
E E
C V
kT
Eg
=n np =n
2
i
2
i
[9]
2kT
ni = 2 2
h
(m m )
E
exp g [10]
2kT
EF =
EC + EV kT NV
ln
+
2
2 NC
[11]
Si usamos la relacin
3
3
2
2
m
NV mn
[12]
= = p
NC mp
m
n
Entonces
mn
mp EC + EV 3
EC + EV 3
+ kT ln =
kT ln [13]
EF =
m
2
4
2
4
n
mp
Para un semiconductor intrnseco:
mn
3
kT ln
E i = EF = EV +
2 4
mp
Eg
ni(Si,300K)=1.451010cm-3
EC
E F=E i
[14]
Eg
EV
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Electrnica de dispositivos
Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas
a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la
densidad de portadores de carga libres.
Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados.
En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.
Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III
II
III IV V VI
p
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
n
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Electrnica de dispositivos
estados localizados
(cargas fijas)
ionizacin completa
Tipo p
ionizacin completa
huecos
no generan
electrones!
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Electrnica de dispositivos
Nc, Nv = ctes.
Eg f(n)
n0 p0 = ni2
[15]
Dependencia
de la
concentracin
de portadores
con la
temperatura
De ambas:
ND N A ND N A
2
+
+ ni
2
2
n0 =
[16]
1
2
[17]
Para un semiconductor tipo n, ND>>NA, y ND>>ni :
n0 N D
p0
ni2
ND
[18]
T~300K
tipo p
p0 NA
p0 N A
n0
ni2
NA
[19]
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Electrnica de dispositivos
= n0 [20]
E EF
p = ni exp i
kT
= p0 [21]
cambiando: n, p ni
EF Ei
EC
EF
Ei
EC
E F-E i
Eg
EV
Ei
EF
EV
Eg
E i-E
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/bandAndLevel/fermi.html
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education
/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html
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Electrnica de dispositivos
Ejemplo
Sea una muestra de silicio a 300K.
a) Calcule la densidad de portadores intrnsecos.
b) Calcule la densidad de electrones y huecos si se dopa con fsforo en una
concentracin de 1017 cm-3.
c) Calcule la posicin de los niveles de Fermi intrnseco y extrnseco.
a) Utilizando la ecuacin [9]:
ni2 = NC NV e
Eg
kT
1.12 eV
86.2 10
eV K -1 300K
ni 1010 cm 3
-3
2
n
i
p0
ND
= (10
10
cm 3 )
2
17
10 cm
= 10 3 cm 3
EC
EF
Ei
EV
0.403 eV
E g= 1.12eV
E g/2 = 0.56 eV
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Electrnica de dispositivos
En fermiones:
f (E ) =
e
E EF
kT
mn
3
kT ln
E i = EV +
2 4
mp
Eg
+1
n p = ni2
N C (cm -3)
N V (cm -3)
3.2210 19
1.0310 19
4.2110 17
1.8310 19
5.3510 18
9.5210 18
E g (eV)
1.12
0.66
1.42
ni(Si,300K)=1.451010cm-3
En semiconductores extrnsecos:
n0 p0 = ni2
semiconduc tor tipo n
n
N
EF E i = kT ln 0 kT ln D
ni
ni
ni2
n0 ND y p0
ND
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Electrnica de dispositivos
Varias tcnicas:
Durante el crecimiento
Difusin
Implantacin inica
Estudiaremos:
Aplicaciones
Sistemas/mtodos/tecnologas
Teora
Ejemplos
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