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TRABAJO 1ELECTRONICA v3
TRABAJO 1ELECTRONICA v3
TRABAJO # 1
NOMBRE: DIEGO FERNANDO ARAGON GARCIA
TEMA: Semiconductores.
FECHA ENVIO: 19 de febrero 2012.
FECHA DE ENTREGA: 22 de febrero 2012. Enviarlo va e-mail antes de la hora
de clase.
1. La atraccin que experimenta hacia el ncleo electrn de valencia de un tomo
de cobre es
a) Ninguna
b) Dbil
c) Fuerte
d) Imposible de describir
2. El semiconductor ms empleado es
a) Cobre
c) Silicio
b) Germanio d) Ninguno de los anteriores
3. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el
nombre de
a) Enlace covalente
b) Cristal
c) Semiconductor
d) Orbital de valencia
4. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente
causados por
a) El dopaje
b) Electrones libres
c) Energa trmica
d) Electrones de valencia
5. Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece un
a) Enlace covalente c) Hueco
b) Electrn libre
d) Recombinacin.
6. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como
a) Una batera
c) Un aislante
b) Un conductor
d) Un hilo de cobre