Seccihri 2-13. La barrera de energia tensi6n inversa.

Tercera, la comente superficial de fu-

gas. Se incrementa cuando crece la tensi6n inversa.
La barrera de potencial de un diodo parece una barrera . .
de energia . Los electrones que intentan atravesar la
uni6n necesitan tener suficiente energia para escalar
esta barrera. Una fuente de tensi6n externa que polari-
za el diodo en directa da a 10s electrones la energia
suficiente para pasar a travis de la zona de deplexi6n.

Secci6n 2-14. Barrera de potencial y temperatura

LEYES
Cuarido la temperatura de la uni6n se incrementa, la
zona de deplexibn se hace m b esbecha y la barrera de (2-1) Saturaci6n de valencia: n = 8
potencial decrece. DecrecerA aproximadamente 2 mV
por cada grado Celsius de incremento de temperatura.

Secci6n 2-15. Diodo polarizado en inversa

Hay tres componentes en la comente inversa de un
diodo. Primera, la comente transitoria que ocurre
cuando la tensi6n inversa cambia. Segunda, la corrien-
te de portadores minoritarios, tarnbiin llarnada co-
rriente de saturacibn porque es independiente de la
(2-5) Porcentaje AIs = 100 % para un incremento de
10 "C
(2-6) Porcentaje AIs = 7 % por 'OC

CUESTIONES 7. ~ Q u Cnlimero de protones posee un' Btomo de si-

1. ~ C U ~protones
~ O Scontiene el nlicleo de un Bto- licio?
mo de cobre? a) 4 c) 29
a) 1 c) 18 b) 14 d) 32
b) 4 d) 29 8. Los Atomos de silicio se combinan en una esuuc-
2. La carga resultante de un komo neutro de cobre es tura ordenada que recibe el nombre de
a) 0 c) -1 a) Enlace covalente
b) +1 d) +4 b) Cristal
3. Si a un fitorno de cobre se le extrae su electr6n de c) Semiconductor
valencia, la carga resultante vale d) Orbital de valencia
a) 0 C) -1
b) + I d) t4 9. Un semiconductor intrinseco presenta algunos
4. La atracci6n que experimenta hacia el ndcleo el , huecos a temperatura ambiente causados por
electr6n de valencia de un Atomo de cobre es a) El dopaje
a) Ninguna b) Electrones libres
b) Dtbil c) Energia ttrmica
c) Fuerte d) Electrones de valencia
d) Imposible de describir 10. Cada electr6n de valencia en un semiconductor
5. iCuhtos electrones de valencia tiene un Atomo intrinseco establece un
de silicio? a) Enlace covalente c) Hueco
a) 0 c) 2 b) Electr6n libre d) Recombinaci6n.
b) 1 d) 4 11. La uni6n de un electr6n libre con un hueco recibe
6. El semiconductor m b empleado es el nombre de
a) Cobre c) Silicio a) Enlace covalente c) Recombinaci6n
b) Germanio d) Ninguno de 10s anteriores' b) Tiempo de vida d) Energia t6,rmica
12. A temperatura ambiente un cristal de silicio in- b) Aumenta
trinseco se cornporta como c) Se mantiene constante
a) Una bateria c) Un aislante d) Ninguna de las antenores
b) Un conductor d) Un hilo de cobre 24. El flujo de electrones de valencia hacia la iz-
13. El tiempo que.transcurre entre la creaci6n de un quierda significa que 10s huecos circulan hacia
hueco y su desaparici6n se conoce como a) La izquierda
a) Dopaje c) Recombinaci6n b) La derecha
b) Tiempo de vida d) Valencia c) En cualquier direcci6n
14. A1 electr6n de valencia de un conductor se le de- d) Ninguna de las anteriores
nomina tambiCn por 25. Los huecos se comportan como
a) Electr6n ligado c) Nlicleo a) ~ t o m o s c) Cargas negativas
b) Electr6n libre d) Prot6n b) Cristales d) Cargas positivas
15. jCubtos tipos de flujo de portadores presenta un 26. j€~&tos electrones de valencia tienen 10s &to-
conductor? mos trivalentes?
a) 1 c) 3 a) 1 c) 4
b) 2 d) 4 : b) 3 d) 5
16. jCuhntos tipos de flujo de portadores presenta un 27. jQuC nlimero de electrones de valencia 'tiene un
semiconductor? @om0donador?
a) 1 c) 3 a) 1 c) 4
b) 2 d) 4 b) 3 d) 5
17. Cuando se aplica una tensi6n a un semiconduc- 28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p,
tor, 10s huecos circulan jquC emplearia?
a) Distancibdose del potencial negativo a) ~ t o m o aceptadores
s
b) Hacia el potencial positivo b) Atomos donadores
c) En el circuit0 externo c) Impurezas pentavalentes
d) Ninguna de las anteriores d) Silicio
18. jCubtos huecos presenta un conductor? 29. Los huecos son minoritarios en un semiconduc-
a) Muchos tor tip0
b) Ninguno a) Extn'nseco c) Tipo n
c) S610 10s producidos por la energia ttnnica b) Intn'nseco d) Tipo p
d) El mismo nlimero que de electrones libres 30. jCufintos electrones libres contiene un semicon-
19. En un semiconductor inuinseco, el ndmero de
electrones libres es ductor tip0 p?
a) Igual a1 nlimero de huecos a) Muchos
b) Mayor que el nlimero de huecos b) Ninguno
c) Menor que el nlimero de huecos c) S610 10s producidos por la energia tCnnica
d) Ninguna de las antenores d) El mismo nlimero que de huecos
20. La temperatura de cero absoluto es igual a 31. La plata es el mejor conductor. jCuAl es el nlime-
a) -273 "C c) 25 "C ro de electrones de valencia que tiene?
b) 0 "C d) 50 "C . a) 1 c) 18
21. A la temperatura de cero absoluto un semicon- b) 4 d) 29
ductor inm'nseco presenta 32. Si un semiconductor intrinseco tiene un bill611
a) Pocos electrones libres de electrones libres a la temperatura arnbiente,
b) Muchos huecos jcufintos presentarh a la temperatura de 75 OC?
c) Muchos electrones libres a) Menos de un bill611
d) Ni huecos ni electrones libres b) Un bill611
22. A temperatura arnbiente un semiconductor in- c) M6s de un bill6n
m'nseco tiene d) Imposible de contestar
a) Algunos electrones libres y huecos 33. Una fuente de tensidn es aplicada a un semicon-
b) Muchos huecos ductor tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal
c) Muchos electrones libres es positivo, jen quC sentido circularhn 10s porta-
d) Ninglin hueco dores mayoritarios?
23. El nlimero de electrones libres y de huecos en un a) Hacia la izquierda
semiconductor intrinseco aumenta cuando la b) Hacia la derecha
temperatura c) En ninguna diiecci6n
a) Disminuye d) Imposible de contestar
 SEMICONDUCTORES 63

34. i C u d de 10s siguientes conceptos est6 menos re- 45. En un diodo de silicio la co*ente inversa es nor- .
lacionado con 10s otros tres? malmente
a) Conductor a) Muy pequeiia
b) Semiconductor b) Muy grande
c) Cuatro electrones de valencia c) Cero
d) Esuuctura cristalina d) En la regih de ruptura
35. i C u d de las siguientes temperaturas es aproxi- 46. La coniente superficial de fugas es parte de
madamente igual a la temperatura arnbiente? a) La corriente de polarizaci6n directa
a) 0 "C c) 50 "C b) La comente de ruptura en polarizaci6n directa
b) 25 "C d) 75 "C c) La comente inversa
36. iCuhtos electrones hay en la orbital de valencia d) La comente de ruptura en polarizaci6n in-
de un homo de silicio dentro de un cristal? versa
a) 1 c) b 8 47. La tensi6n que provoca el fendmeno de avalan-
b) 4 d) 14 cha es
37. Los iones positivos son 6tomos que
a) Han ganado un prot6n a) La barrera de potencial
b) Han perdido un prot6n b) La zona de deplexidn
c) Han ganado un electr6n c) La tensi6n de cod0
d) Han perdido un electr6n d) La tensi6n de ruptura
38. iCu6l de 10s siguientes conceptos describe un se- 48. La difusi6n de electrones libres a travCs de la
miconductor tip0 n? uni6n de un diodo produce
a) Neutro a) Polarizaci6n directa
b) Cargado positivamente b) Polarizaci6n inversa
c) Cargado negativamente c) Ruptura
d) Tiene muchos huecos d) La zona de deplexi6n
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y 49. Cuando la tensidn inversa crece de 5 V a 10 V, la
+ a) Iones positivos zona de deplexi6n
b) Ipnes negativos a) Se reduce c) No le ocurre nada
c) Atomos pentavalentes b) Crece a) Se rompe
d) Atomos donadores 50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la re-
40. i C u d de 10s siguientes conceptos describe un se-
combinaci6n de electrones libres y huecos puede
miconductor tipo p?
producir
a) Neutro
b) Cargado positivamente a) Calor
c) Cargado negativamente b) Luz
d) Tiene muchos electrones libres c) Radiaci6n
41. ~CUA de 10s siguientes elementos no se puede d) Todas las anteriores
mover? 51. Si aplicamos una tensi6n inversa de 20 V a un
a) Huecos diodo, la tensi6n en la zona de deplexi6n serfi de
b) Electrones libres a) 0 V
c) Iones b) 0,7 V
d) Portadores mayoritarios c) 20 v
42. LA quC se debe la zona de deplexih? d) Ninguna de las anteriores
a) Al dopaje 52. Cada grado de aumento de temperatura en la
b) A la recombinaci6n uni6n decrece la barrera de potencial en
c) A la barrera de potencial a) 1 mV c) 4 mV
d) A 10s iones b) 2 m V d) 10 mV
43. L a barrera de potencial de un diodo de silicio a
53. La comente inversa de saturaci6n se duplica
temperatura ambiente es de cuando la temperatura de la unidn se incrementa
a) 0,3 V c) 1 V
b) 0,7 V d) 2 mV por "C a) 1 "C c) 4 OC
44. Para producir una gran comente en un diodo de b) 2 "C d) 10 OC
silicio polarizado en directa, la tensi6n aplicada 54. La comente superficial de fugas se duplica cuan-
debe superar do la tensi6n inversa aumenta
a) OV c) 0,7 V a) 7 por 100 C) 200 por 100
b) 0,3 V d) 1 V b) lOOporlOO d) 2 m V