Luis David Cruz Vásquez No.

Cuenta: 186379

Capítulo 2: Cuestionario y problemas.

Cuestionario:
1. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
9. Un semiconductor intrínseco tiene algunos huecos a temperatura
ambiente. ¿Qué causa estos huecos?
a. dopaje
b. electrones libres
c. energía térmica
d. electrones de valencia
13. El tiempo transcurrido entre la creación de un hueco y su desaparición
se denomina:
a. dopaje
b. tiempo de vida
c. recombinación
d. valencia
21. A la temperatura de cero absoluto, un semiconductor intrínseco tiene:
a. pocos electrones libres
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ni huecos ni electrones libres
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29. ¿En qué tipo de semiconductor los portadores minoritarios son

electrones?
a. extrínseco
b. intrínseco
c. tipo n
d. tipo p
36. ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia de un átomo de silicio
que está dentro de un cristal?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14
43. ¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura
ambiente?
a. 0,3 V
b. 0,7 V
c. 1 V
d. 2 mV por grado Celsius
49. Cuando la tensión inversa disminuye de 10 a 5 V, la zona de deplexión:
a. se hace más pequeña
b. se hace más grande
c. no se ve afectada
d. entra en disrupción
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa
aumenta:
a. un 7%
b. un 100%
c. un 200%
d. 2 mV
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Problemas:
2.1 ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana dos electrones?
R: -2.
2.2 ¿Cuál es la carga neta de un átomo de silicio si gana dos electrones de
valencia?
R: -2
2-3 Clasificar cada uno de los siguientes elementos como conductor o
semiconductor:
a. Germanio: Semiconductor
b. Plata: Conductor
c. Silicio: Semiconductor
d. Oro: Conductor
2.4 Si un cristal de silicio puro tiene en su interior 500.000 huecos, ¿Cuántos
electrones libres tendrá?
R: 500,000 electrones libres
2.5 Un diodo está polarizado en directa. Si la corriente es de 5 mA en el lado
n, ¿cuál será cada una de las siguientes corrientes?
a. en el lado p: 5mA
b. en los cables de conexión al exterior: 5mA
c. en la unión: 5mA
2.6 Clasifique cada uno de los siguientes elementos como semiconductor de
tipo n o de tipo p:
a. Dopado con átomos aceptores: tipo p
b. Cristal con impurezas pentavalentes: tipo n
c. Portadores mayoritarios y huecos: tipo p
d. Átomos donantes añadidos a un cristal: tipo n
e. Portadores minoritarios y electrones libres: tipo p
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2.7 Un diseñador va a emplear un diodo de silicio en un rango de

temperatura comprendido entre 0° y 75°C. ¿Cuáles serán los valores mínimo
y máximo de la barrera de potencial?
R: ∆ V =(−2 mV /° C ) ∆T ∆ V =(−2 mV /° C ) ∆T

∆V = ( −2° CmV )( 0° C−25 ° C ) ∆V = ( −2° CmV )( 75 ° C−25° C )

−2 mV −2 mV
∆ V =(
°C )
∆ V =(
°C )
(−25° C )=50 mV ( 50 ° C ) =−100 mV

Vmax=0.7V + 0.05V =0.75 V Vmin=0.7 V −0.1 V =0.6 V

2.9 Un diodo tiene una corriente superficial de fugas de 10 nA cuando la

tensión inversa es 10 V. ¿Cuál será la corriente superficial de fugas si la
tensión inversa se aumenta a 100 V?
R: Dado que la corriente superficial es proporcional al numero de veces en que
aumenta la tensión inversa, tenemos:
100V
= Aumentó 10 veces ∴ Isf =10 nA∗10=100 nA
10V