Cuestionario

1. ¿Cuántos protones contiene el 5. ¿Cuántos electrones de valencia 9. Un semiconductor intrínseco tiene

núcleo de un átomo de cobre? tiene un átomo de silicio? algunos huecos a temperatura am-
a. 1 a. 0 biente. ¿Qué causa estos huecos?
b. 4 b. 1 a. dopaje
c. 18 c. 2 b. electrones libres
d. 29 d. 4 c. energía térmica
2. La carga neta de un átomo de d. electrones de valencia
6. ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso
cobre neutro es está más extendido? 10. Cuando un electrón se mueve a un
a. 0 orbital de nivel mayor, su nivel de
a. Cobre
b. +1 energía con respecto al núcleo
b. Germanio
c. —1 a. aumenta
c. Silicio
d. +4 b. disminuye
d. Ninguno de los anteriores
c. permanece igual
3. Suponiendo que se elimina el elec-
trón de valencia de un átomo de 7. ¿Cuántos protones contiene el nú- d. depende del tipo de átomo
cobre. La carga neta del átomo cleo de un átomo de silicio?
11. La unión de un electrón libre y de
será a. 4 un hueco se denomina
a. 0 b. 14 a. enlace covalente
b. +1 c. 29 b. tiempo de vida
c. —1 d. 32 c. recombinación
d. +4 d. energía térmica
8. Los átomos de silicio se combinan
4. ¿Qué tipo de atracción experimen- formando un patrón ordenado 12. A temperatura ambiente, un cris-
ta el electrón de valencia de un denominado tal de silicio intrínseco se com-
átomo de cobre hacia el núcleo? porta de manera similar a
a. enlace covalente
a. ninguna
b. cristal a. una batería
b. débil
c. semiconductor b. un conductor
c. fuerte
d. orbital de valencia c. un aislante
d. imposible saberlo
Semiconductores 51
d. 50°C
d. un fragmento de cable de cobre 21. A la temperatura de cero
absoluto, un semiconductor
13. El tiempo transcurrido entre la intrínseco tiene
creación de un hueco y su desa-
parición se denomina a. pocos electrones libres
a. dopaje b. muchos huecos
b. tiempo de vida c. muchos electrones libres
c. recombinación d. ni huecos ni electrones libres
d. valencia 22. A temperatura ambiente, un semi-
14. El electrón de valencia de un conductor intrínseco tiene
con- ductor también se puede a. unos pocos electrones libres y
llamar huecos
a. electrón de enlace b. muchos huecos
b. electrón libre c. muchos electrones libres
c. núcleo d. ningún hueco
d. protón
23. El número de electrones libres y
15. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un huecos en un semiconductor in-
conductor? trínseco disminuye cuando la
a. 1 temperatura
b. 2 a. disminuye
c. 3 b. aumenta
d. 4 c. no varía
d. Ninguna de las anteriores
16. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un
semiconductor? 24. El flujo de los electrones de va-
a. 1 lencia hacia la derecha indica que
los huecos se mueven hacia
b. 2
a. la izquierda
c. 3
b. la derecha
d. 4
c. cualquier lado
17. Cuando se aplica una tensión a
un semiconductor, los huecos d. Ninguna de las anteriores
fluyen
25. Los huecos son como
a. alejándose del potencial
a. átomos
negativo
b. cristales
b. hacia el potencial positivo
c. cargas negativas
c. en el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores d. cargas positivas

18. En un material semiconductor, 26. ¿Cuántos electrones de valencia

el orbital de valencia se satura tienen los átomos trivalentes?
cuando contiene a. 1
a. 1 electrón b. 3
b. Los mismos iones (+) y (—) c. 4
c. 4 electrones d. 5
d. 8 electrones
27. ¿Cuántos electrones de valencia
19. En un semiconductor intrínseco,
tiene un átomo aceptor?
el número de huecos es
a. 1
a. igual al número de electrones
libres b. 3
b. mayor que el número de c. 4
electro- nes libres d. 5
c. menor que el número de
electro- nes libres 28. Para producir un semiconductor
de tipo n, ¿qué utilizaría?
d. Ninguna de las anteriores
a. Átomos aceptores
20. La temperatura de cero absoluto
es igual a b. Átomos donantes
a. —273°C c. Impurezas pentavalentes
b. 0°C d. Silicio
c. 25°C
29. ¿En qué tipo de semiconductor
los portadores minoritarios son
elec- trones?
a. extrínseco
b. intrínseco
c. tipo n
d. tipo p

30. ¿Cuántos electrones libres

contie- ne un semiconductor de
tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Sólo los producidos por la
energía térmica
d. Los mismos que huecos

31. La plata es el mejor conductor.

¿Cuántos electrones de valencia
cree que tiene?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29

32. Suponiendo que un

semiconductor intrínseco tiene
1000 de millones de electrones
libres a temperatura ambiente,
si la temperatura dis- minuye a
0°C, ¿cuántos huecos tendrá?
a. Menos de 1000 millones
b. 1000 millones
c. Más de 1000 millones
d. Imposible decirlo

33. Se aplica una fuente de tensión

externa a un semiconductor de
tipo p. Si el extermo izquierdo
del cristal es positivo, ¿cómo
fluyen los portadores
mayoritarios?
a. Hacia la izquierda
b. Hacia la derecha
c. No fluyen
d. Imposible decirlo

34. ¿Cuál de las siguientes

respuestas no se ajusta al grupo?
a. Conductor
b. Semiconductor
c. Cuatro electrones de valencia
d. Estructura de cristal

35. ¿Cuál de las temperaturas

siguien- tes es aproximadamente
igual a la temperatura ambiente?
a. 0°C
b. 25°C
c. 50°C
d. 75°C
52 Capítulo 2

36. ¿Cuántos electrones hay en el or-

bital de valencia de un átomo de d. Iones d. no conduzca
si- licio que está dentro de un 43. ¿Cuál es la barrera de potencial
cristal? 49. Cuando la tensión inversa dismi-
de un diodo de silicio a
nuye de 10 a 5 V, la zona de
a. 1 temperatura ambiente?
deplexión
b. 4 a. 0,3 V
a. se hace más pequeña
c. 8 b. 0,7 V
b. se hace más grande
d. 14 c. 1 V
c. no se ve afectada
37. Los iones negativos son átomos d. 2 mV por grado Celsius
d. entra en disrupción
que han
44. Al comparar las bandas
a. ganado un protón 50. Cuando un diodo está polarizado
prohibidas de los átomos de
en directa, la recombinación de
b. perdido un protón germanio y de silicio, un átomo
electrones libres y huecos puede
c. ganado un electrón de silicio tiene una banda
producir
prohibida
d. perdido un electrón a. calor
a. aproximadamente igual
38. ¿Cuál de los siguientes términos b. luz
b. menor
describe a un semiconductor de c. radiación
tipo n? c. mayor
d. Todas las anteriores
a. Neutro d. impredecible
51. Una tensión inversa de 10 V cae
b. Positivamente cargado 45. Normalmente, en un diodo de
en un diodo. ¿Cuál es la tensión
c. Negativamente cargado silicio, la corriente inversa
existente en la zona de
d. Tiene muchos huecos a. es muy pequeña deplexión?
b. es muy grande a. 0 V
39. Un semiconductor de tipo p con-
tiene huecos y c. es igual a cero b. 0,7 V
a. iones positivos d. está en la región de disrupción c. 10 V
b. iones negativos 46. Manteniendo la temperatura d. Ninguna de las anteriores
c. átomos pentavalentes cons- tante, la tensión de
d. átomos donantes polarización inversa de un diodo 52. La banda prohibida de un átomo
de silicio aumenta. La corriente de silicio es la distancia entre la
40. ¿Cuál de los siguientes términos de satura- ción del diodo banda de valencia y
describe a un semiconductor de a. aumentará a. el núcleo
tipo p?
b. disminuirá b. la banda de conducción
a. Neutro
c. permanecerá constante c. la parte interna del átomo
b. Positivamente cargado
d. será igual a la corriente d. los iones positivos
c. Negativamente cargado superficial de fugas
53. La corriente inversa de
d. Tiene muchos electrones libres
47. La tensión a la que se produce el saturación se duplica cuando la
41. Comparada con un diodo de ger- efecto de avalancha se temperatura de la unión
manio, la corriente inversa de denomina aumenta
saturación de un diodo de silicio a. barrera de potencial a. 1°C
es
b. zona de deplexión b. 2°C
a. igual a altas temperaturas
c. tensión de codo c. 4°C
b. menor
d. tensión de disrupción d. 10°C
c. igual a bajas temperaturas
d. mayor 48. La barrera de energía de la 54. La corriente superficial de fugas
unión de un diodo pn disminuirá se duplica cuando la tensión
42. ¿Qué es lo que genera la zona de cuando el diodo inversa aumenta
deplexión? a. un 7
a. esté polarizado en directa
a. Dopaje b. un 100
b. se fabrique
b. Recombinación c. un 200
c. esté polarizado en inversa
c. Barrera de potencial d. 2 mV