2015-II

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
DEPARTAMENTO ACADMICO DE TELECOMUNICACIONES

INFORME PREVIO DE LABORATORIO N3:

EL TRANSISTOR BIPOLAR, POLARIZACIN
Y GANANCIA
Curso:

LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALGICOS

Cod. Curso:

IT-144-M

Docente:

ING. ANGEL L. ALBURQUEQUE GUERRERO

Grupo N:

A.
Integrantes:

LIZETH CASTRO HUAMN (20124140C)

CSAR CONDORI ANAYA (20120040D)

NDI
CE

DAVID FALCN CORZO (20122096G)

ARI
Informe Previo de Laboratorio N2

NDICE

Comentarios de inicio.....3

Cuestionario..4

Bibliografa13

Informe Previo de Laboratorio N2

A. COMENTARIOS DE INICIO

Este informe presenta el cuestionario previo a la experiencia y las

simulaciones obtenidas en computadora del laboratorio N3 del curso
Laboratorio de Circuitos Analgicos de la FIEE-UNI, para luego
vereficar y contrastarlos con los datos experimentales que resulten de
la experiencia a realizarse.

Cabe destacar que las simulaciones de los circuitos a utilizarse en

este experimento se realizaron con el software Proteus v7.10 portable,
el cual posee una gran didctica que nos ayudar en el desarrollo de
este informe.

Informe Previo de Laboratorio N2

B. CUESTIONARIO

1. De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseo de

la etapa propuesta por el profesor.

Para el caso del transistor propuesto en la lista de materiales (BC548B),

obtenemos de su datasheet las caractersticas ms importantes (Fabricante:
Fairchild).
Caractersticas Elctricas:
Variables
Voltaje Colector-Emisor
Voltaje Colector-Base
Voltaje Emisor-Base
Corriente del Colector
Beta del Transistor
Temp. de funcionamiento

Smbolos
VCE
VCB
VEB
IC
hFE o
TJ

Valores
30 V.
30 V.
5 V.
500 mA (valor mximo)
200 (variable)
-55 a 150 C

Caractersticas trmicas
Variables
Disipacin trmica de
potencia
Resistencia Trmica,
juntura a cubierta
Resistencia Trmica,
juntura a ambiente

Smbolos

Valores

PD

625 mW

RJC

83.3 C/W

RJA

200 C/W

A continuacin presentamos el datasheet del transistor

Informe Previo de Laboratorio N2

Informe Previo de Laboratorio N2

2. Disear completamente el circuito de la fig.1 para un punto de

operacin ICQ = 2mA, VCEQ = 5 Volt. con un transistor BC548B y

tambin para Mxima Excursin Simtrica Posible.

Presentamos, a continuacin los dos circuitos solicitados. El primero con una

aproximacin del punto de operacin Q solicitado y el segundo con la
caracterstica de mxima excursin simtrica posible.

Informe Previo de Laboratorio N2

12V

R3

R4

23.5k

2.2k

+1.65
mA

C1

Q2
BC548

10uF

+4.74
Volts

C2
V1

50uF

VSINE

R5

R6

13.3k

2.2k

C3

R7

100uF

10k

Arriba: Circuito con el punto de operacin Q solicitado. Abajo: Circuito

con la mxima excursin simtrica posible.
12V

R1

RC

47k

1.2k

+2.43
mA

C4

Q1
BC548

10uF

+6.15
Volts

C5
V2
VSINE

50uF

R2

RE

22k

1.2k

C6

R8

100uF

10k

Informe Previo de Laboratorio N2

3.

Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores
comerciales de los elementos y los valores de tensin y corriente
esperados.
A continuacin se presenta lo solicitado

Informe Previo de Laboratorio N2

4.

Simule en computadora cada uno de los circuitos.

De los circuitos anteriores, aadimos el osciloscopio a la simulacin y obtenemos la forma de la

onda de salida vs. la forma de la onda de entrada.

Informe Previo de Laboratorio N2

Para el circuito con el punto de operacin Q.

12V

R3

R4

23.5k

2.2k

+88.8
mA

C1

Q2
BC548

10uF

+88.8
Volts

C2
A

V1
VSINE

50uF

R5

R6

13.3k

2.2k

C3

R7

100uF

10k

Informe Previo de Laboratorio N2

C
D

10

El osciloscopio muestra, para este circuito:

Para el circuito con mxima excursin simtrica posible.

12V

R1

RC

47k

1.2k

+88.8
mA

C4

Q1
BC548

10uF

+88.8
Volts

C5
A

V2
VSINE

50uF

R2

RE

22k

1.2k

C6

R8

100uF

10k

C
D

Informe Previo de Laboratorio N2

11

El osciloscopio muestra, para este circuito:

Informe Previo de Laboratorio N2

12

C. BIBLIOGRAFA

Circuitos Elctricos, Dorf Svoboda.

Fundamentos de Circuitos Elctricos, Charles K. Alexander Mathew N. O.

Sadiku.

Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Robert L.

Boylestad Louis Nashelsky 10ma edicin, Pearson, 2009.

Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de Seales, A. S. Sedra K. C.

Smith, McGRAW-HILL Interamericana de Mxico.

Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados, Donald L. Schilling Charles

Belove, Editorial Marcombo.

Recursos en la web:

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC548.shtml

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