SOLUCIONARIO DE PREGUNTAS DE TRANSISTORES DE POTENCIA

Preguntas de repaso:
4.1. Qu es un transistor bipolar BJT?
Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre
sus principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de
conmutacin.
4.2. Cules son los tipos de BJT?
NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p.
PNP; que cuenta con dos regiones p y una regin n.
4.3. Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p adems
en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la
corriente por esta misma.
4.4. Cules son las caractersticas de entrada de los transistores
NPN?
La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en un
NPN es la relacin que se tiene entre la corriente base (I B) y el
comportamiento de la tensin VBE este ultimo en funcin de IB.
4.5. Cules son las caractersticas de salida de los transistores
NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en funcin del voltaje
colector emisor VCE.
4.6. Cules son las tres regiones de operacin de los BJT?
Se tienen tres regiones y estas son:
De corte.
Activa.
De saturacin.
4.7. Qu es el beta (B) de los BJT?
Es la relacin de la corriente de colector (I C) y la corriente de base, se llama
ganancia de corriente en sentido directo.
4.8. Cul es la diferencia entre B, y la beta forzada (B F) de los BJT?
El BF, es la relacin de ICS (corriente de colector en la saturacin) y la I B, lo
cual esta relacin es cuando se analiza en el punto de saturacin.

4.9. Qu es la transconductancia de los BJT?

La transconductancia (gm), viene a ser la relacin de IC con VBE, lo cual es
una constante para una representacin o modelo de un BJT con generador
de corriente.
4.10. Qu es el factor de sobreexcitacin de los BJT?
Tambin llamado factor de sobresaturacin (ODF), es la relacin entre I B e IBS
(corriente base en la regin de saturacin).

4.11. Cul es el modelo de conmutacin de los BJT?

Estos modelos se pueden representar de dos formas:
1. Modelo con ganancia de corriente.
2. Modelo con transconductancia.
4.12. Cul es la causa del tiempo de retardo en los BJT?
Aumento de
permanente

la corriente del colector hasta el valor de I CS de estado

4.13. Cul es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?

Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base
tambin cambia a Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempo
ts es el tiempo de almacenamiento
4.14. Cul es la causa del tiempo de subida en los BJT?
El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la
capacitancia de la unin, que en el caso normal, la corriente de base es
mayor que la necesaria para saturar al transistor
4.15. Cul es la causa del tiempo de cada en los BJT?
Durante el tiempo de cada, el perfil de carga baja desde el perfil c hasta
que se remueven todas las cargas.
4.16. Cul es el modo de saturacin de los BJT?
Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente
de base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector.
El la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante
4.17. Qu es el tiempo de encendido de los BJT?
El tiempo de encendido o tiempo de activacin, t enc, es la suma del tiempo
de retardo con el tiempo de subida tr.

Tenc=td+tr
4.18. Qu es el tiempo de apagado de los BJT?
El tiempo de apagado o tiempo de desactivacin, t of, es la suma de
almacenamiento ts y el tiempo de cada tf.
Tapag=ts+tf
4.19. Qu es una FBSOA de los BJT?
Durante las condiciones de activacin y de estado activo, la temperatura
promedio de la unin y la segunda avalancha limitan la capacidad de
manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las
curvas FBSOA bajo las condiciones especificadas de prueba
4.20. Qu es una RBSOA de los BJT?
Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran
corriente y un alto voltaje, en la parte de los casos con polarizacin inversa
de base a emisor. El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un
nivel seguro, a un valor especificado de corriente de colector, o menos
4.21. Por qu es necesario invertir
durante su apagado?

la polarizacin de los BJT

Es necesario la polarizacin para saturar al transistor, y asi no daar al

dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes del
colector y el emisor.
4.22. Qu es la segunda avalancha de los BJT?
E un fenmeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequea
porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energa
de esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado excesivo
puede daar al transistor. Asi, la segunda avalancha se deba a la avalancha
trmica localizado debido a altas concentraciones de corrientes.
4.23 Cules son las ventajas y las desventajas de los BJT?
Desventajas:
Segunda Avalancha
Perdida de disipacin de potencia
Controlado por Corriente
Ventajas:
Area de Operacin segura en polariacion directa e indirecta
4.24 Qu es un MOSFET?
Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capas
dopados, consta basicamente de tres terminales ensu aspecto fisico,
denominados, drenador (drain), suministrador (source), y gate

(compuerta), estos elementos, soportan mayor corriente que los

antecesores BJT, incluso, tienen una respuesta muy rapida ante el
corte y saturacion, por lo que es muy empleado para electronica de
potencia.
Dispositivo controlado por voltaje que solo requiere una
pequea corriente de entrada.
4.25 Cules son los tipos de MOSFET?
1. MOSFET decrementales
2. MOSFET incrementales
4.26 Cules son las diferencias entre los MOSFET tipo de
incremental y los de tipo decremental?
El decremental cuenta con canal, y el incremental no cuenta con
canal fsico.
Un Decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta
mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con
voltaje cero.
4.27 Qu es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET?
El valor de Vgs cuando es suficientemente negativo, el canal se
decrementa hasta desaparecer.
4.28 Qu es el voltaje umbral de los MOSFET?
Es el voltaje de entrada Vt para que se acumule una cantidad
suficiente de electrones para formar un canal virtual.
4.29 Qu es la transconductancia de los MOSFET?
Es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta,
define a las caractersticas de transferencia, y es un parmetro muy
importante.
4.30 Cul es el modelo de conmutacin de los MOSFET de canal n?

Modelo de Conmutacion
4.31 Cules son
MOSFET?

las

caractersticas

de

transferencia

de

los

gm

ID
VGS

VDS constante

4.32 Cules son las caractersticas de salida de los MOSFET?

El tiempo de retardo de apagado y el Tiempo de caida
4.33 Cules son las ventajas y las desventajas de los MOSFET?
Ventajas:
Controlados por voltaje.
Velocidad de Conmutacion muy alta.
Tiempos de comnutacion en el orden de nanosegundos.
Desventajas:

Perdidas en la zona activa

Problemas de descarga electrostatica

4.34. Por qu los MOSFET

no requieren voltaje negativo de
compuerta durante su apagado?
Por que para activar el MOSFET solo requiere que el voltaje de
compuerta VGS sea mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral
o voltaje de entrada, VT , as se acumula una cantidad suficiente de
electrones parar formar un canal virtual.
Y para apagar el MOSFET solo se requerir que VGS sea menor que el
voltaje umbral VT.
4.35. Por qu es distinto el concepto de saturacin en los BJT y en
los MOSFET?
Por que para un BJT en la regin de saturacin, la corriente de base
es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea
bajo.
En tanto que para un MOSFET la regin de estrechamiento o
saturacin es donde VDS=VGS VT.
4.36. Cul es el tiempo de encendido de los MOSFET?

Es el retardo de encendido t d(enc) es el tiempo necesario para cargar la

capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.
4.37. Cul es el tiempo de apagado de los MOSFET?
Es el tiempo de retardo de apagado t d(apag) es el tiempo necesario para
que la capacitancia de entrada descargue desde el voltaje de
sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento.
4.38. Qu es un SIT?
Es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde la
invencin de los dispositivos estticos de induccin. En esencia, es la
versin del tubo trodo al vacio, pero en estado solido .es un
dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. As no esta
sujeto a limitaciones de rea, y es adecuado para funcionamiento de
alta velocidad con alta potencia.

4.39. Cules son las ventajas de los SIT?

Presentan una alta capacidad de voltaje, tienen bajo ruido, baja
distorsin y capacidad de alta potencia en audio frecuencia. Los
tiempos de encendido y apagado son muy pequeos, en forma tpica
de 0.25 s.
4.40. Cules son las desventajas de los SIT?
Posee una menor capacidad de corriente, tiene una alta cada en
estado activo, encendido, es alta, en el caso normal de 90 V para un
dispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A
4.41. Qu es un IGBT?
Es un dispositivo en el cual se combinan las ventajas de los BJT y de
los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los
MOSFET, y pocas perdidas por conduccin en estado activo, como los
BJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los
BJT. Por el diseo y la estructura del microcircuito, se controla la

resistencia equivalente de drenaje a fuente, R DS, para que se comporte

como la de un BJT.
4.42. Cules son las caractersticas de transferencia de los IGBT?

Caractersticas tpicas de transferencia de un IGBT.

4.43. Cules son las caractersticas de salida de los IGBT?

Caractersticas tpicas desalida de un IGBT.

4.44. Cules son las ventajas y desventajas de los IGBT?
Ventajas: bajo voltaje en estado de encendido, poca potencia en la
compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemas
de segunda avalancha.
Desventajas: menor capacidad de voltaje en estado apagado,
dispositivo de voltaje unipolar, mayor cada de voltaje en estado
encendido, menor velocidad de conmutacin comparado a los MOSFET.

SOLUCIONARIO DE LOS PROBLEMAS

4.4. La temperatura mxima de unin del transistor bipolar en el problema

4.3 es Tj= 150 C, y la temperatura ambiente es T A= 25 C. Si las
resistencias trmicas son R JC=0.4 C/W y RCS= 0.05 C/W, calcule la
resistencia trmica del radiador RSA. (Sugerencia: no tome en cuenta la
disipacin de potencia debido al circuito de la base)
Solucin:
Datos: Tj= 150 C, TA= 25 C, RJC=0.4 C/W y RCS= 0.05 C/W.
Del problema 4.3 se tiene que para un ciclo completo P T = 482.258 W, pero
el ciclo de trabajo del transistor es de k= 50%, as que en ese periodo P T
= (0.5) 482.258 W = 241.27 W.
Asi: TJ TA = PT (RJC + RCS + RSA)
150 25 = 241.27 (0.4 + 0.05 + RSA)
RSA = 0.0681 C/W.

4.5. Para los parmetros del problema 4.3, calcule la disipacin de potencia
debido a la corriente de la base P B.
Solucin:
Datos: VBE(sat) =3V, IB=8 A, td =0.5 s, tr = 1 s, ts= 5 s, tf =3 s y fs = 10
kHz. El ciclo de trabajo es k=50%.
T= 1/ fs = 100 s, k = 0.5, kT= 50 s, t enc = td + tr = 1.5 s, tn = 50 1.5 =
48.5 s
PB = IB VBE(sat) (tenc + tn + ts + tf) fs
PB = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10-6 x 10 x 103
PB = 13.92 W

4.6. Repita el problema 4.3, si V BE(SAT) = 2.3 V, I B = 8 A, VC(sat) = 1.4 V, td=

0.1us tr=0.45 us, ts=3.2us y tf=1.1 us
Solucin:

T= 1/ fs = 100 s, k = 0.5, kT= 50 s, t enc = td + tr = 1.5 s, tn = 50 1.5

= 48.5 s
PB = IB VBE(sat) (tenc + tn + ts + tf) fs
PB = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10-6 x 10 x 103
PB = 13.92 W

4.7. Un MOSFET se usa como interruptor. La corriente de fuga del drenaje a

la fuente es 250uA El ciclo de trabajo es k=60%. Calcule la disipacin de
potencia debido a la corriente de drenaje a) durante el encendido, b)
durante el periodo de conduccin c) durante el apagado, d)las
disipaciones totales promedio
Sus parmetros son:

VDD 40V
I D 35 A
RDS 20m
VGS 10V
td 25ns
tr 70ns
t f 25ns
fs 20kHz
SOLUCION:
TJ=150C=423K
TA=30C=303K
RJC=1K/W
RCS=1K/W
RSA=?
Como las resistencias RJC=RCS por lo tanto
Tc=

PT=

4.8. La temperatura mxima de unin del MOSFET en el problema 4.7 es

Tj=1500C y la temperatura ambiente es TA=300C. Si las resistencias
trmicas son RJC=1K/W y RCS=1K/W, calcule la resistencia trmica del
disipador RSA=. (nota: K=C+273).
Solucin:
TJ=150C=423K
TA=30C=303K
RJC=1K/W

RCS=1K/W
RSA=?
Como las resistencias RJC=RCS por lo tanto
Tc=

PT=

4.9. Se conectan en paralelo dos BJT en forma parecida a la figura 4.32. La

corriente total de carga de IT=200. El voltaje del colector a emisor del
transistor Q1 es VCE1=1.5V, y la del transistor Q 2 es VCE2=1.1V. Calcule la
corriente en el colector de cada transistor, y la diferencia de particin de
corriente, si las resistencias de corriente compartida son a)R e1=10m y
Re2=20m, y b) Re1= Re2=20m.
SOLUCION:

DATOS
IT=200A
VCE1=1.5V
VCE2=1.1V
IC1, IC2=?

A) Si Re1=10m, Re2=20m
VCE1+IC1*RE1=VCE2+IC2Re2..
1.5+0.01Ic1=1.1+0,02Ic2
0.01Ic1-0.02Ic2=-0.4 (1)
De dato tenemos:
Ic1+Ic2=200 (2)
Resolviendo 1 y 2 tenemos las corrientes
Ic1=120A
Ic2=80A
POR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:
Dif=Ic1-Ic2=120-80=40A
Que 40A es el 20% de 200A
B) Si Re1= Re2=20m
Reemplazamos valores en
1.5+0.02Ic1=1.1+0.02Ic2
0.02 (Ic1-Ic2) =-0.4(3)
Ic1-Ic2=-20
De igual de dato
Ic1+Ic2=200.. (4)
Resolviendo 3 y 4 tenemos las corrientes
Ic1=90A
Ic2=110A
POR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:
Dif=Ic1-Ic2=90-110=-20A
Que 20A es el 10% de 200A
4.10. Un transistor bipolar funciona como interruptor pulsado a una
frecuencia fs = 20 kHz. El arreglo de circuito se ve en la figura 4.35a. El
voltaje de entrada de cd al interruptor es V S = 400v; y la corriente de la
carga es IL = 100 A. los tiempos de conmutacin son t r = 1us y tf = 3 us.
Calcule los valores de a) LS; b) CS; c) RS para la condicin de
amortiguamiento critico, d) RS si el tiempo de descarga se limita a un
tercio del periodo de conmutacin; e) R S si la corriente pico de descarga
se limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipacin de potencia
PS debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductor
LS sobre el voltaje del capacitor amortiguador C S. Suponga que VCE(sat)
=0.
Solucin:
Datos:
fs = 20 kHz; Vs = 400 v; IL = 100 A; tr = 1us; tf = 3us; VCE(sat) = 0
En condicin de amortiguamiento critico:
a) LS:

b) CS:

c) RS:

d) RS; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de

conmutacin:

e) RS; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente de

carga:

f) PS:

4.11. Un MOSFET funciona como interruptor pulsado a una frecuencia f s =

50 kHz. El arreglo del circuito se ve en la figura 4.35a. El voltaje de
entrada de cd al interruptor es V S = 30v; y la corriente de la carga es I L
= 40 A. los tiempos de conmutacin son t r = 60 ns y tf = 25 ns.
Determine los valores de a) LS; b) CS; c) RS para la condicin de
amortiguamiento critico, d) RS si el tiempo de descarga se limita a un
tercio del periodo de conmutacin; e) R S si la corriente pico de descarga
se limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipacin de potencia
PS debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductor
LS sobre el voltaje del capacitor amortiguador C S. Suponga que VCE(sat)
=0.
Solucin:
Datos:
fs = 50 kHz; Vs = 30 v; IL = 40 A; tr = 60 ns; tf = 25 ns; VCE(sat) = 0
a) LS:

b) CS:

c) RS:

d) RS; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de

conmutacin:

e) RS; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente de

carga:

f) PS: