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IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 3, NO. 4, OCTOBER 2005

Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo

Costo para MOSFET e IGBT
G. Ceglia, V. Guzmn, M. I. Gimnez, J. Walter


Resumen-- Este trabajo presenta el diseo y construccin de
un circuito de manejo de compuerta de bajo costo y de propsitos
generales para dispositivos electrnicos de potencia de
compuerta aislada, tales como MOSFET e IGBT. Se ilustra en
detalle la construccin de dicho circuito de manejo de compuerta
y se presentan los resultados y formas de onda de las pruebas
realizadas con un circuito troceador con IGBT controlado
mediante el circuito de manejo de compuerta prototipo.

Palabras clave: Circuito de disparo, circuito actuador,

IGBT, MOSFET.
Abstract--This work presents the design and implementation
of a general purpose low cost drive circuit for insulated gate
electronic power devices such as MOSFET and IGBT. The
proposed drive circuit implementation is explained in detail and
the results and waveforms obtained when the drive circuit is used
in a chopper circuit with IGBT are presented.

Keywords: Drive circuit, IGBT, MOSFET.

I. INTRODUCCIN
En todo sistema electrnico de control de potencia se
requieren circuitos especializados para controlar la actuacin
de los dispositivos conmutadores de potencia [1]. Estos
circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las
siguientes funciones bsicas:
1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y
los altos niveles de tensin y corriente manejados por los
dispositivos electrnicos de control de potencia.
2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente
necesarias para que los dispositivos de potencia operen hasta
en las condiciones mximas de voltaje y corriente definidas
por el fabricante.
3- Proporcionar proteccin local contra fallas,
Manuscrito enviado el 15 de febrero, 2005. Este trabajo ha sido realizado
en el Grupo de Sistemas Industriales y Electrnica de Potencia, con el apoyo
del Decanato de Investigacin y Desarrollo, Universidad Simn Bolvar.
Gerardo Ceglia es profesor del Dpto. Electrnica, Universidad Simn
Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (phone: 58-212-9063682, fax: 58-2129063631, e-mail: gceglia@usb.ve).
Vctor Guzmn es profesor titular del Depto. Electrnica, Universidad
Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (phone: 58-212-9063676, fax: 58212-9063631, e-mail: vguzman@usb.ve.).
Mara I. Gimnez es profesora titular del Depto. Electrnica, Universidad
Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (e-mail: mgimenez@usb.ve).
Julio Walter es profesor del Depto. Electrnica, Universidad Simn
Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (e-mail: jwalter@usb.ve).

especialmente en situaciones de sobrecorriente.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos
estn incluidos en un circuito impreso que contenga tambin
todas las fuentes de alimentacin y los componentes de
interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y
capacidades parsitas y facilitar el armado del sistema de
potencia.
Para cumplir los objetivos arriba descritos, se han
propuesto una serie de soluciones [2, 3], algunas de las cuales
se ofrecen ya como productos comerciales completamente
integrados, tales como los de las compaas Concept [4] y
Powerex [5]. El problema de estas soluciones es su alto costo,
lo que hace su uso econmicamente poco eficiente en circuitos
de potencias bajas y medias.
Otros fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos
integrados que contienen algunas de las funciones bsicas de
un circuito de manejo de compuerta; estos integrados son
econmicos pero no pueden ser conectados directamente a los
dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de
tensin de alimentacin independientes con aislamiento de
tierra y proporcionar las funciones faltantes de proteccin o de
interfaz aislada con el controlador.
En cuanto a las soluciones discretas propuestas, el
problema es su complejidad cuando se implementan todas las
funciones en una sola tarjeta. Un elemento difcil de incluir es
el transformador requerido por el conjunto de fuentes aisladas
que se necesitan en el circuito de manejo de compuerta
genrico.
El transformador presentado en [2] se construye en el
mismo circuito impreso. Esto reduce el nmero de
componentes discretos a insertar en la tarjeta, pero es una
solucin que difcilmente se puede generalizar, dada la
complejidad del diseo del transformador y su pobre
coeficiente de acople magntico. En [3] se propone un circuito
de manejo de compuerta que asegura la conmutacin del
dispositivo de potencia bajo una secuencia de pulsos bien
sincronizados, colocado en la compuerta del dispositivo. El
inconveniente principal de esta aproximacin es que el
algoritmo de control debe estar en concordancia con estos
pulsos, lo que lo hace intil como solucin de uso general.
En este trabajo se presenta un diseo basado en el uso de
circuitos integrados de mediano nivel de complejidad,
complementados con otros circuitos de propsitos generales
para sintetizar las dems funciones. El circuito de manejo de
compuerta genrico para IGBT as diseado tiene las
siguientes caractersticas:

CEGLIA et al.: LOW COST GATE DRIVE CIRCUIT FOR

333

1- Bajo costo.
2- Proteccin contra corto circuito en la carga del dispositivo controlado con conmutacin suave.
3- Capacidad de aislamiento para alto dv/dt.
4- Utilidad para propsitos generales (componentes discretos o integrados en mdulos de 2 dispositivos).
5- Fcil operacin y modificacin.
6- Facilidad de prueba para verificacin de
funcionamiento.
7- Fcilmente adaptable a operar en un sistema con microprocesadores.

I. CONSIDERACIONES SOBRE EL PROCESO DE

CARGA DE LA COMPUERTA DEL IGBT.
El IGBT es un dispositivo de potencia que puede ser
modelado por dos componentes discretos fundamentales: un
MOSFET de canal N en la entrada y un transistor PNP en la
salida [6]. La Fig. 1 muestra el circuito de prueba bsico de
carga de compuerta y la Fig. 2 muestra las curvas de carga
simplificadas correspondientes con corriente constante [3, 7].
En el circuito base de prueba se considera nula la inductancia
parsita del cableado.

VG(th)
t0

t1

VDD

+VDD

IC

tensin en esta capacidad es insignificante comparado con el

cambio de tensin entre los terminales de la capacidad CGE
(Fig. 1). El perodo t0 t1 es el tiempo necesario para
acumular la carga QGE en la capacidad CGE
En t2, la corriente de colector alcanza el valor de IC, y el
diodo de libre conduccin conmuta al estado de apagado. La
corriente de colector, forzada por el circuito de carga,
permanece constante y el voltaje de colector empieza a
decrecer.
Dado que la tensin de compuerta est indisolublemente
relacionada con la corriente de colector por las caractersticas
de transferencia intrnsecas del IGBT (regin activa), la
tensin de compuerta es ahora constante, ya que la corriente
de colector es constante, forzada por el circuito.
VGE
Tensin VGE

t2

Voltaje
Colector

t3

t4

Corriente
Colector
IC

c
Fig. 2. Curvas bsicas de carga de compuerta.

CCG
RG

VIN

G
CGE

Fig. 1. Circuito bsico de prueba de carga de compuerta.

En la Fig. 2, para el tiempo anterior a to, el IGBT soporta

toda la tensin VDD entre sus terminales de colector y emisor,
y tanto la tensin de compuerta como la corriente de colector
son cero. En t0 se inicia el proceso de encendido, por lo que en
t0+ la capacidad compuerta-emisor, CGE, comienza a cargarse,
y la tensin compuerta-emisor (la cual est impuesta por la
capacidad CGE) comienza a crecer. La corriente de colector no
fluye hasta que la tensin de compuerta-emisor no alcance el
voltaje de umbral, VG(th). En este intervalo la tensin entre los
terminales de salida del IGBT es igual a la tensin mxima del
circuito, VDD; y el potencial entre los terminales de la
capacidad compuertacolector CGC, es constante; el cambio de

A partir de t2, no hay consumo de carga por parte de la

capacidad CGE, ya que la tensin de compuerta permanece
constante. La corriente entrante a la compuerta se desva a la
capacidad de Miller, CCG, contribuyendo ahora
exclusivamente a descargar dicha capacidad (efecto Miller).
La excursin del voltaje de colector durante el perodo t2 t3
es relativamente larga y el total de carga entregada a la
capacidad Miller es alta. Durante esta fase, la capacidad de
entrada se considera infinita, ya que la tensin de entrada
permanece constante a pesar de que el circuito de control de
compuerta entrega corriente a la compuerta. Esto se debe a la
reduccin de la tensin de colector causada por un aumento en
la capacidad CCG.
En t3 el efecto Miller termina, y la tensin de colector cae
a un valor igual a la tensin de saturacin del IGBT (en un
MOSFET esta tensin esta determinada por ID x RDS(ON)). El
perodo t2 t3 representa es el tiempo necesario para acumular
la carga QCG en la capacidad de Miller CCG. La carga total
acumulada hasta el instante t3 es la carga requerida para
conmutar la tensin VDD y la corriente IC.
En t4 la tensin de compuerta alcanza su valor final, por lo
que concluye el proceso de conmutacin.

334

IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 3, NO. 4, OCTOBER 2005

Del anlisis de las formas de onda de la Fig. 2 se pueden

sacar las siguientes conclusiones:
La pendiente de la corriente de colector est relacionada
con la carga presente en la compuerta del transistor en la
primera pendiente del voltaje de compuerta mediante la
siguiente ecuacin:
(1)

donde gm es la transconductancia, CISS es la capacidad de

entrada definida como: C ISS CGE  CCG y IG es la
corriente de carga de la capacidad de entrada CGE .
Durante la pendiente de la conmutacin de encendido, la
tensin de colector esta relacionada con la carga que entra a la
compuerta del transistor (mientras ocurre el efecto Miller)
segn:

dVCE
dt
dVCE
dt

IG
CCG (1)

( primera _ pendiente)

IG
CCG ( 2 )

( segunda _ pendiente)

(2a)

C. Descripcin general.
La Fig. 3 muestra el diagrama en bloques del circuito de
control de compuerta propuesto, compuesto por:
1- Reloj maestro (Astable).
2- Puente H y diodos de limitacin de tensin (BR1).
3- Transformador de aislamiento.
4- Rectificador BR2.
5- Filtro.
6- Circuito de control de disparo y proteccin.
7- Activacin de las resistencias de encendido y apagado.
8- Proteccin contra sobretensin en compuerta.
9- Dispositivo controlado (externo al circuito)
10- Carga.
+Va -Va

VDC

BR1

(2b)

VCC

Astable

La corriente de compuerta puede ser controlada por la

resistencia de compuerta, RG. De esta manera se llega a un
compromiso entre dos metas importantes: reducir el consumo
de potencia, lo cual requiere un valor de RG bajo y mantener
un nivel tolerable de generacin de interferencia
electromagntica (EMI), lo que requiere una RG alta.

(1)

OUT RB

B. Filosofa de diseo.
Para reducir la complejidad de un circuito de manejo de
compuerta para IGBTs / MOSFETs, sin sacrificar precisin en
la seal de control de la compuerta, es conveniente utilizar al
mximo las funciones proporcionadas por circuitos integrados
existentes en el mercado, convenientemente modificadas con
circuitos externos.
Dado que el circuito debe ser capaz de manejar dos
dispositivos de potencia conectados en configuracin puente,
las dos seales de manejo de compuerta a generar deben ser

Circuito

de
manejo
comercial

OUT

(4) (5) (6)

(3)

+Vbar

Q1

RG(on)

Q2

RG(off)

III. CIRCUITO PROPUESTO

A. Objetivos a cumplir.
-Proporcionar aislamiento galvnico entre el circuito de
control central y la etapa de potencia.
-Generar las fuentes flotantes necesarias para manejar dos
dispositivos de potencia conectados en configuracin
inversora.
-Sintetizar una seal ptima de manejo de compuerta, tal
como se present en II.
-Proporcionar proteccin de sobrecorriente.
-Informar al control central de condiciones de sobrecorriente.
-Ocupar el menor tamao y tener el menor costo posibles.

(2)
+V
.

Vin Fault

BR2

Puente H

dI C g m I G
#
dt
C ISS

flotantes; el circuito debe generar dos sistemas de fuentes

aisladas entre s. La forma ms eficiente de lograr esto es
mediante un conversor dc/dc con transformador. Para reducir
al mnimo el nmero de componentes, se decidi emplear
componentes integrados en el diseo del conversor dc/dc.

-V

(7)

(8)

(9)

(10)

Fig. 3. Diagrama en bloques del circuito de manejo de compuerta propuesto.

D. Conformacin de los pulsos de disparo:

Las etapas 6, 7 y 8 se encargan de generar los pulsos de
control de compuerta en forma segura.
La etapa 6, constituida por el circuito integrado (C.I.)
HP316J [8], sealado en la Fig. 3 como circuito de manejo
comercial, cumple las siguientes funciones:
-Proporciona aislamiento galvnico entre las etapas de
control que generan la seal de demanda de encendido, Vin, y
el resto del circuito de disparo.
-Conforma los pulsos de disparo, proporcionando el perfil
voltaje/tiempo deseado.
-Supervisa, mediante un diodo auxiliar externo, la tensin
de colector del dispositivo de potencia para detectar
condiciones de salida de saturacin. Cuando se detecta esta
condicin, se bloquea la generacin de pulsos de disparo, lo
que ocasiona el apagado de emergencia del dispositivo de
potencia manejado, como proteccin de sobrecorriente.
-Genera la seal de informacin sobre fallas (Fault en la
Fig. 3) aislada ptimamente.

CEGLIA et al.: LOW COST GATE DRIVE CIRCUIT FOR

335

F. Diseo del transformador de aislamiento.

El transformador de aislamiento se construye con un
ncleo toroidal de ferrita. La frecuencia de operacin se fija
en 200 kHz; la tensin de salida en el secundario cargado debe
ser de 31.4 V para obtener los 15 v nominales (descontando
las cadas en los diodos rectificadores).
La carga en cada fuente aislada es un circuito HP316J,
cuya corriente mxima es 2.5 A; para que las fuentes no
limiten la capacidad del circuito, se requiere que la corriente
de diseo en el bobinado del secundario del transformador sea
mayor o igual a 2.5 A.
La Fig. 5 muestra la forma de onda genrica de la corriente
de compuerta de un IGBT o MOSFET cuando se le aplica un
tren de pulsos de encendido.
Para calcular la potencia entregada por el circuito de
manejo, el peor caso se produce cuando los pulsos de
activacin se aplican en forma continua, y cada pulso de
corriente de compuerta se aproxima con una lnea de
pendiente constante, tal como se muestra en la Fig. 6. El valor
aproximado de la corriente IRMS de compuerta es:

VDC=31.4V

+31.4V

Q
1

Q
3

-31.4V

31.4V

V1

Q
2

Q
4

-31.4V

VDC=31.4V
VCC=5V
1

E. Generacin de las fuentes aisladas:

Los bloques 1 a 5 (Fig. 3) forman la etapa de alimentacin.
La Fig. 4 muestra el circuito de generacin y conmutacin de
la fuente de alimentacin aislada de doble polaridad, formado
por los siguientes componentes principales:
-Un oscilador astable (bloque 1), con un ciclo de trabajo de
50%, implementado con un LM555, proporciona la seal de
control a la etapa de conmutacin (puente H).
-Un puente H integrado (bloque 2) de la compaa
Unitrode (3706) acta como etapa de conmutacin del
conversor dc/dc, generando una seal de tres niveles de
voltaje. El bloque BR1 (bloque rectificador) fija las tensiones
de la seal de salida V1 a las tensiones de VDC de alimentacin
del 3706.
-Un transformador de aislamiento (bloque 4), con un
primario, manejado por el puente H, y secundarios para
alimentar a las etapas de rectificacin (bloque BR2) y filtrado
(bloques 5 y 6 de la Fig. 3) que proporcionan las salidas de r
15 V.

PWM

1
2

Astable

BR1

2 2

+ 4

. =+15V
+V
A

C
1

BR2

T
1

El bloque 7 ajusta la impedancia vista por el circuito de

compuerta a los valores requeridos para lograr la conmutacin
ptima, tanto en el encendido como en el apagado.
El bloque 8 evita que el circuito de manejo aplique
tensiones que puedan daar a la compuerta del dispositivo
manejado en caso de falla interna.

C
2
. =-15V
-V
A

Fig. 4. Esquema de las etapas de potencia de la fuente flotante.

2.5A

15V

15V

VGE

IG
Fig. 5. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un
dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada.

2.5A

15V

VGE

IG

T=1/200Khz
Fig. 6. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un
dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada (peor caso).

Y la potencia de salida (PSalida) es:

PSalida

1
2S

2S

Sal

I Sal

21.6W

(4)

I RMS
I RMS

2
2.5
( Zt ) 2 dZt

2S 0 S
6.25
3

1.44 A

(3a)

(3b)

La potencia mxima consumida (PEntrada) por el HP316J es:

PEntrada
PSalida  Pint erna
(5)
Segn las especificaciones, la corriente consumida por el
HP316J para su funcionamiento es 30mA. Con una tensin
nominal de alimentacin de 30v (tensin total +Va y Va), la
potencia de entrada (PEntrada) consumida por el HP316J es:

336

IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 3, NO. 4, OCTOBER 2005

21 . 6W  ( 30 V 30 mA ) # 22 . 5W

PEntrada

(6)

N2

V2 2.5 106 s

2 BmaxAe

N2

31.4 2.5 10 6 10 6
2 0.41 14.8834

Las prdidas aproximadas en el rectificador (PRecf) son:

1.44 A 2(0.7V )

PRe cf

2W

(7)

La potencia total aproximada de salida del secundario del

transformador (PSal_Tranformador) es:

PSal _ Transformador

21.6W  2W # 23.6W

(8)

La Fig. 7 presenta la forma de onda aproximada en el

secundario del transformador.

(13a)

7vueltas

(13b)

Recalculando el nmero de vueltas para una tensin de

32.4V, f=100 kHz, Bmax= 0.2 T, V2= 32.4 V, se tiene:

N2

31.4 5 10 6 10 6
2 0.2 14.8834

26vueltas

(14)

El primario y secundario se enrollan en forma simultnea

(26 vueltas con relacin 1:1) para mejor acople.

VCC=31.4V

Forma aproximada
Peor caso

Fig. 7. Forma de onda aproximada de la corriente en el secundario del

transformador de aislamiento.

Tomando en consideracin el valor de la potencia en (8),

el clculo de la corriente pico y RMS es el siguiente:
2S

1
V 2 i 2 dZ t
2S
0

23.6W

V2 I 2 Pr om

23.6W
0.75 A
31.4V
# 2 I prom 1.5 Apico

I 2 Pr om
I pico
I RMS

0.55 I pico

(9a)

(9b)
(10a)

0.75 ARMS

(10b)
En base a esto se selecciona un alambre AWG 21 (segn
manual) = 1.6 A / 155 Vueltas / cm2 , Area del conductor =
5.094x10-3cm2 = Sr2.
Por consiguiente el dimetro del conductor es:
d

2r

conduct

# 0 . 8 mm

Fig. 8. Forma de onda aproximada del flujo en el secundario del

transformador.

IV. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Para las pruebas iniciales del circuito de manejo de
compuerta se emple una configuracin de troceador simple
formado por un IGBT modelo IRGPH40F de 17Amp / 900V,
y una carga formada por 20 mH / 2 .
La Fig. 9 muestra la forma de onda del secundario del
transformador de la fuente dc/dc del circuito de manejo de
compuerta construido. Como puede observarse, el
transformador cumple con las condiciones de diseo.

V1

(11)

Suponiendo el peor de los casos y dibujando una forma

aproximada de la forma de onda del secundario, V2 (donde
hay solo dos niveles de tensin como muestra la Fig. 8) es
posible calcular la tensin del secundario del transformador:

V2

dO2
dt

N2

N 2 2 I max
2 . 5 (10  6 s )

dI
dt

dI
dt

2 d I max
T
2

(12)

N 2 2 B max
2 . 5 (10  6 s )

Utilizando un Toroide de la marca Steward 35T0500-106

con un Bmax de 0.41 T y un rea efectiva Ae=14.8834 mm2 es
posible obtener el nmero de vueltas del secundario:

Fig. 9. Forma de onda de la tensin en el secundario del transformador del

conversor dc/dc, V1.
(escalas: vertical, 10 V/div.; horizontal, 2 s/div.).

CEGLIA et al.: LOW COST GATE DRIVE CIRCUIT FOR

La Fig. 10 muestra la forma de onda de tensin de

compuerta del IGBT cuando se aplica como seal de entrada
al circuito de manejo un tren de pulsos de prueba. Se observa
claramente que el circuito de manejo define con precisin
tanto los niveles de la tensin de encendido, +15 V, como la
tensin de apagado, -15 V, y que las transiciones son limpias
y de alta velocidad.
La Fig. 11 muestra las formas de onda de la corriente de
colector, la tensin colector y la tensin de compuerta del
IGBT durante un ciclo completo de operacin, en el cual
puede observarse el proceso de encendido y apagado del
dispositivo de potencia.

337

encendido, en la Fig. 12, una ampliacin de la Fig. 11, se

muestra en forma detallada la corriente de colector, la tensin
colector-emisor y la tensin de compuerta del IGBT durante el
perodo de encendido. Es fcilmente observable el efecto
Miller explicado en el aparte II de este trabajo. Los resultados
obtenidos en esta ltima figura son similares a las formas
obtenidas en forma terica en la Fig. 2, lo que demuestra que
el circuito de manejo de compuerta diseado efectivamente
logra que el dispositivo de potencia que controla opere en las
condiciones ptimas de conmutacin desde el punto de vista
de la seal de compuerta aplicada.

VCE

IC

VGE

VGE

Fig. 10. Forma de onda de la tensin compuerta-emisor, VGE, en el IGBT

controlado por el circuito de manejo de compuerta.
(escalas: vertical, 5 V/div.; horizontal, 40 s/div.).

Fig. 12. Detalle de las formas de onda onda del voltaje de compuerta, VGE, la
tensin colector-emisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el encendido del
IGBT.
(escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal: 5
s/div.)

V. CONCLUSIONES

IC

VGE

VGE

Fig. 11. Formas de onda del voltaje de compuerta, VGE, la tensin colectoremisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el IGBT durante un ciclo
completo de operacin.
(escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal:
5 s/div.)

Para poder analizar el funcionamiento del circuito de

Este trabajo presenta el diseo y las pruebas bsicas de un

circuito de manejo de compuerta para dispositivos de control
de potencia de compuerta aislada tipo IGBTs o MOSFET.
Como lo demuestran las pruebas en el prototipo circuital, la
seal de control aplicada a la compuerta produce la
conmutacin del dispositivo de potencia controlado siguiendo
la trayectoria ptima.
De ser necesario, la pendiente de conmutacin del
dispositivo controlado puede ser modificada cambiando los
valores de las resistencias Rg(on) y Rg(off) en la etapa de
salida del circuito de manejo de compuerta. Con esto es
posible reducir la interferencia electromagntica (EMI)
generada en la conmutacin.
El bajo costo del circuito de manejo de compuerta
propuesto, y la fcil implementacin del mismo hacen de esta
propuesta una opcin de gran eficiencia, especialmente
cuando el nmero de dispositivos electrnicos de potencia
presentes en el conversor es significativo. El costo actual del
circuito de manejo (driver) que aqu se propone es un 60%
menor al circuito comercial tipo Concept encontrado en el

338

IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 3, NO. 4, OCTOBER 2005

mercado.
Mediante la retroalimentacin de la seal de falla (fault)
del HP316J, el circuito de manejo de compuerta propuesto
posee un sistema de proteccin capaz de suspender cualquier
pulso de conmutacin en la compuerta del dispositivo de
potencia controlado si se presenta una condicin de
cortocircuito, lo que hace la implementacin de este circuito
de manejo de compuerta ms confiable a la hora de alguna
falla.
El circuito de manejo de compuerta de bajo costo
propuesto puede ser utilizado tanto para transistores MOSFET
como para IGBT manteniendo las mismas caractersticas de
funcionamiento.
VI. REFERENCIAS
[1]

[2]

[3]

[4]

[5]
[6]

[7]

[8]

B. K. Bose, Evolution of Modern Power Semiconductor Devices and

Future Trends of Converters, IEEE Trans. On Industry Applications,
vol. 28, No. 2, pp. 403-413, Mar./Apr. 1992.
S.Y. (Ron) Hui, H. Shu-Hung Chung, and S. C. Tang, Coreless Printed
Circuit Board (PCB) Transformers for Power MOSFET/IGBT Gate
Drive Circuits, IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 14, No. 3, pp.
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Desaturation Detection and Fault Status Feedback, Data Sheet [Online].
Disponible: www.agilent.com

Vctor Guzmn Arguis obtuvo los

ttulos de Ingeniero Electrnico
(Universidad Simn Bolvar, 1975),
MSc en Power Electronics and Systems
(UMIST, Instituto de Ciencia y
Tecnologa de la Universidad de
Manchester, 1978) y Ph. D. (UMIST,
Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de
Manchester, 1991). Su experiencia profesional abarca el
diseo y montaje de convertidores DC-AC y AC-DC, sistemas
de control e instrumentacin industrial y sistemas
mecatrnicos. Desde 1975 se desempea como Profesor en la
Universidad Simn Bolvar, donde ha alcanzado la categora
de Profesor Titular y sus principales reas de inters son:
Fuentes No Convencionales de Energa, Electrnica de
Potencia y Sistemas Industriales.
Mara Isabel Gimnez obtuvo los
ttulos
de
Ingeniero
Electrnico
(Universidad Simn Bolvar, 1974), MSc
en Power Electronics and Systems
(UMIST, Instituto de Ciencia y
Tecnologa de la Universidad de
Manchester, 1978) y Ph. D. (UMIST,
Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de
Manchester, 1991). Su experiencia profesional abarca el
diseo y montaje de convertidores DC-AC y AC-DC, sistemas
de control e instrumentacin industrial y tcnicas de
modulacin para minimizacin de armnicas en UPS. Desde
1974 se desempea como Profesora en la Universidad Simn
Bolvar, donde ha alcanzado la categora de Profesora Titular
y sus principales reas de inters son: Fuentes No
Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y
Sistemas Industriales.

VII. BIOGRAFIAS
Gerardo Ceglia obtuvo el ttulo de
Ingeniero de Sistemas (UNEXPO, 1996),
MSc
en
Ingeniera
Electrnica
(Universidad Simn Bolvar, 1994) y
actualmente es candidato a Doctor en
Ingeniera Electrnica (Universidad Simn
Bolvar). Su experiencia profesional abarca
el diseo, montaje y optimizacin de circuitos amortiguadores
para inversores de potencia, convertidores multi-nivel y
sistemas de control e instrumentacin industrial. Desde 2001
se desempea como Profesor en la Universidad Simn
Bolvar, donde se desempea la categora de Profesor
Asistente y sus principales reas de inters son: Fuentes No
Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y
Sistemas Industriales.

Julio Walter obtuvo los ttulos de

Licenciado en Fsica (Universidad Simn
Bolvar, 1984), MSc en Ingeniera
Electrnica (Universidad Simn Bolvar,
1994) y actualmente es candidato a
Doctor en Ingeniera (Universidad Simn
Bolvar). Su experiencia profesional
abarca el diseo y montaje de convertidores DC-AC basados
en tcnicas de modulacin Delta, desarrollo de
transformadores de alta potencia y alta frecuencia y sistemas
de potencia para Radio Frecuencia. Desde 2000 se desempea
como Profesor en la Universidad Simn Bolvar y sus
principales reas de inters son: Fuentes No Convencionales
de Energa, Calentamiento Inductivo, Sistemas de Potencia de
Radio frecuencia y Audio.