Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Tema 3. Transistor bipolar.

29 de abril de 2008
Feb-96. En el circuito de la figura, determinar:
a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la posicion 1, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la
posicion 2, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posicion 1 a la 2 despues de permanecer elevado tiempo en la 1.
VCC = +15V
C = 1F
1

RB = 2K

2
Vo

DZ

RE = 1K

VZ = 4,7V
IZ min = 1mA
DZ

RZ = 0

V = 0,5V

VBE = VBE SAT = 0,7V

BJT
VCESAT = 0V

= 200
Soluci
on:

a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Reg. permanente)

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VCC = +15V

RB = 2K

0,7V

Vo

RE = 1K

DZ

Vo = Vcc = 15V
IRB =

15 4,7
= 5,15mA
2

VE = VB VBE = 4,7 0,7 = 4V

IE =

4V
= 4mA
1k

VCE = 14 4 = 11V


IC
IC IE
IB =

IRB >> IB IRB IZ > 1mA

b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Reg. est. perm.)
VCC = +15V

RB = 2K

Vo

IB
0,7

0,7V

IE
RE = 1K

IC = 0; BJT = sat VCE = VCE

SAT

= 0V

4,7 0,7
= 4mA
1
15 4,7
=
= 5,15mA
2

IE = IB =
IRB

IZ = IRB IB = 5,15 4 = 1,15mA > IZ

c) Vo para t =

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min

1ms
, si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
10seg.
2

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Vo |t=10s = . . . = 4V
Vo = VE + VCE = 4V
Sep-93. En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50
y 2 = 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V .
b) Valor mnimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V
RE = 10K
T2
R1 = 20K
T1

Vi

Vo
RC = 10K

R2 = 80K

IC1 = 1 IB1
T1 =
VBE1 = 0,7V

IE1 = (1 + 1 )IB1

IC2 = 2 IB2
VBE2 = 0,7V
T2 =

IE2 = (1 + 2 )IB2

Soluci
on:

a) Pto. trabajo / Vi = 10V

Thevenin en la base de T1 :
RT = R1 k R2 =

R1

Vi

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R2

VT = Vi

1600
= 16K
100

R2
80
= 10
= 8V
R1 + R2
100

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VCC = 30V
IE2
10K
IC1 = IB2
T2
16
T1
IB1

IC2
Vo
IE1 + IC2

Ecuacion malla base T1

0,8Vi = IB1 RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + 2 )IB1 +
2 1 IB1 )RC
((Es un montaje Darlington en el sentido de que = 1 2 ))
Para Vi = 10V :
8 = IB1 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) 10
IB1 = 0,693A
IC1 = 1 IB1 = 0,0346mA = IB2
IC2 = 2 IB2 = 0,693mA
Malla de colector de T2
VCC = IE2 RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) RC
VEC2 = . . . = 15,45V Activa.
VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V Activa, suposicion correcta.
b) Valor de Vi quesature al grupo de los transistores y pto. func.
IC1 = IB1
T1 SAT
VCE1 = 0,8V

VBE1 = 0,8V

Malla colector T1 :
VCE = (1 + 2 )1 IB1 RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + 1 )IB1 + 1 2 IB1 ] RC
30 = 21 50 IB1 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] 10

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IB1 = IB1
IC1

SAT

SAT

= IB1

= 1,385A
SAT

= 0,0692mA

IC2 = IB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE

SAT 1

= 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V

0,8Vi = IB1 RT + VBE1

SAT

+ (IB1 + IC2 ) RC

Vi = 19,22V

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