Dispositivos Electronicos Novillo Carlos Capitulo 3

TRANSISTOR BIPOLAR DE
JUNTURA [BJT]
El transistor fue inventado por un equipo de 3 cientficos de los
Laboratorios Telefnicos Bell en diciembre de 1947. Aunque el primer
transistor no fue un dispositivo bipolar de juntura, fue el inicio
de una revolucin tecnolgica que todava contina. Todos los
dispositivos y sistemas electrnicos complejos actuales, son el resultado
del desarrollo de los transistores de semiconductor.
Hay 2 tipos de transistor: el transistor bipolar de juntura [BJT]
y el transistor de efecto de campo [FET].
Construccin y Principios de Funcionamiento.- La estructura de un transistor
bipolar de juntura determina sus caractersticas de operacin. En esta
seccin, se ver cmo se usan los materiales semiconductores para
construir un transistor y se estudiarn los smbolos normalizados del
transistor.
FIG U R A
3.1
El BJT se construye con 3-regiones de semiconductor dopado, separadas

por 2 junturas pn, como se muestra en la estructura coaxial de la fig.
3.1. Las 3-regiones se denominan Emisor, Base, y Colector. Las
representaciones fsicas de los 2 tipos de transistor bipolar se muestran
en las figs. 3.2 a) y b). Un tipo consiste de 2-regiones N separadas
por una regin P [NPN], y el otro consiste de 2-regiones P, separadas
por una regin N [PNP].
FIG U R A
Carlos Novillo Montero
3.2
Can
TR A N SIS TO R B J T
- 1 64 -
La juntura PN que une la regin de la Base con la de Emisor se denomina

juntura Base-Emisor [B-E]. La juntura que une la regin de la Base
con la de Colector, se denomina juntura Base-Colector [B-C], como se
indica en la fig. 3.2 a). A cada una de estas 3-regiones se conecta
un terminal de alambre. Los terminales se etiquetan como E, B y C por
Emisor, Base y Colector, respectivamente.
La regin de la Base est dopada ligeramente y es muy delgada en
comparacin con el Emisor altamente dopado y el Colector dopado
moderadamente. La relacin entre el ancho total y la capa central es
de 0,381cm /0,00254cm [0,15/0,001] = 150:1. El dopaje de la capa
central es considerablemente menor que el de las capas exteriores [por
lo general de 10:1 o menos].
FIG U R A
3.3
Este nivel de dopaje reduce la conductividad [incrementa la

resistencia] de este material al limitar el nmero de portadores
libres. En la fig. 3.3 se trata de mostrar esto, aunque no est
dibujada a escala. En ella se muestra la polarizacin correcta para
un transistor NPN.
A menudo se utiliza la abreviatura BJT (bipolar junction transistor
= transistor bipolar de juntura) para estos dispositivos de 3-terminales.
El trmino bipolar refleja el hecho de que, en la estructura cristalina,
existen dos tipos de portadores: electrones [negativos] y huecos
[positivos].
Operacin del Transistor.- La fig. 3.4 muestra al transistor NPN con la
polarizacin de Base-Emisor, sin polarizacin de Colector. Puede verse,
que la juntura Base-Emisor est polarizada directamente. Entonces,
la barrera de potencial disminuye, esto hace que la corriente EmisorBase sea alta y se debe a los portadores mayoritarios.
Can
- 1 65 -
FIG U R A
3.4
Ahora se estudia la polarizacin del Colector [fig. 3.5].
FIG U R A
3.5
En este caso, la juntura B-C queda polarizada inversamente; entonces,

la barrera de potencial se hace ms grande, la pequea corriente que
fluye es la corriente de saturacin inversa del diodo [IS] y se debe
exclusivamente a los portadores minoritarios.
FIG U R A
3.6
La fig. 3.6 muestra un transistor NPN con las polarizaciones tanto

de Emisor como de Colector con respecto a la Base. En ella se muestran
los voltajes de polarizacin y la direccin [no convencional] de las
corrientes. En los dispositivos semiconductores sigue cumplindose
la ley de Kirchhoff, por tanto
Can
- 1 66 -
Debido a la alta impedancia de la Base, la corriente de Base IB se

hace muy pequea. As mismo, se ve que la corriente del Colector est
formada por 2-tipos de corriente: la de portadores mayoritarios que
viene desde el Emisor y la de portadores minoritarios, esta ltima
corriente es la corriente de fuga y se la simboliza como ICO = ICBO [que
implica la corriente IC cuando el terminal del Emisor est abierto =
open], de aqu se tiene que
IC se expresa en miliamperios e ICBO en micro o nanoamperios; ICmayor,

es la parte de la corriente de portadores mayoritarios procedente del
Emisor. ICBO . IS.- [Diodo polarizado inversamente] es una corriente
muy sensible a los cambios de temperatura. Al mejorar las tcnicas
de fabricacin de los transistores, ICBO se hace ms pequea y su efecto
puede despreciarse.
Resumen.- La fig. 3.7 muestra las junturas NP [diodo], NPN y PNP
[transistores], y sus respectivos smbolos esquemticos y los voltajes
de las junturas.
FIG U R A
3.7
LA FLECH A D EL SM B O LO ESQ U EM TICO DEL TRANSISTO R, DEFINE LA DIRECCI N

DE LA CO RRIENTE DE EM ISO R [FLUJO CO NVENCIO NAL] A TRAVS DEL DIS P O SITIVO .
Can
- 1 67 -
Configuraciones del Transistor.- Existen 3-configuraciones bsicas

aceptables por su aplicabilidad: Base-comn (B-C), Emisor-comn (E-C)
y Colector-comn (C-C) [fig. 3.8]. El terminal comn sirve como
referencia tanto para el terminal de entrada como para el de salida.
FIG U R A
3.8
Curvas Caractersticas del BJT .- El transistor en un dispositivo no

lineal, por tanto es necesaria la representacin grfica de sus
propiedades. Como la impedancia de entrada del transistor para cualquiera
de las configuraciones es finita, se hace necesaria una curva
caracterstica de entrada y tambin una curva caracterstica que
represente las propiedades de salida del circuito. De modo que, para
describir completamente el comportamiento del transistor se necesitan
2-conjuntos de curvas. En cada caso es indispensable una familia de
curvas, como se indica en las siguientes ecuaciones.
Para B-comn:
Malla ENT. IE = f1(VBE, VCB)
Malla SAL. IC = f2(VCB, IE)
FIG U R A
3 .9
a)
FIG U R A
3 .9
b)
Para E-comn:
Malla ENT. IB = f1(VBE, VCE)
Malla SAL. IC = f2(VCE, IB)
Para C-comn:
Malla ENT. IB = f1(VBE, VEC)
Malla SAL. IE = f2(VEC, IB)
FIG U R A
3.9
c)
De estas ecuaciones se deduce que para cada configuracin del BJT

[figs. 3.9], hay dos conjuntos de curvas caractersticas: de entrada
y de salida respectivamente.
Can
- 1 68 -
Configuracin Base-Comn.- La Base es comn para el terminal de entrada

E (Emisor) y para el de salida C (Colector). Las figs. 3.10 a) y b)
muestran la configuracin en Base-comn para los transistores NPN y
PNP respectivamente. Adems la Base es el terminal ms cercano al
potencial de tierra. Las direcciones de las corrientes son las
convencionales.
FIG U R A
a)
3 .1 0
b)
En ambos casos se cumple la ley de Kirchhoff.

IE = IC + IB
La polarizacin indicada para las fuentes de voltaje es de modo que
se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama.
Curvas Caractersticas de Entrada en Base-Comn.- El conjunto de curvas
caractersticas de entrada para el amplificador B-comn relaciona la
corriente de entrada IE con el voltaje de entrada VBE para varios niveles
de voltaje de salida VCB, fig. 3.11 a).
Estas caractersticas muestran que para valores fijos de voltaje
de Colector (VCB), a medida que VBE aumenta, tambin aumenta la corriente
IE, de manera muy similar a la del diodo. Los aumentos de VCB tienen
un efecto insignificante sobre las caractersticas, entonces en primera
aproximacin, pueden ignorarse las variaciones de VCB y las
caractersticas de entrada quedaran como se muestra en la fig. 3.11
b).
Can
- 1 69 -
a)
FIG U R A
b)
3 .1 1
Una segunda aproximacin, de segmentos lineales se muestra en la

fig. 3.11 c), mientras que la fig. 3.11 d) muestra la aproximacin
de una cada de voltaje igual a V (VT). Para fines prcticos y de estudio
se utilizar el modelo equivalente de la fig. 3.11 d). Esto significa
que cuando el transistor est en estado de conduccin, se asumir que
el voltaje BE es
c)
FIG U R A
d)
3 .1 1
Para el transistor de silicio.

Esto implica que con el transistor en estado de conduccin VBE = 0,6V,
para cualquier valor de IE. Se puede decir que, para cualquier
configuracin en modo DC, VBE = 0,6V si el dispositivo est adecuadamente
polarizado, [transistor de silicio].
Curvas Caractersticas de Salida en Base-Comn.- Este conjunto de curvas
Can
- 1 70 -
relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB)

para diferentes valores de corriente de entrada (IE), como se muestra
en la fig. 3.12.
El conjunto de curvas caractersticas de salida o de Colector tiene
3-regiones de inters que se indican en la siguiente tabla.
R eg in: - A CTIVA NO R M A L
- CO RTE
- SA TUR A CI N
FIG U R A
3 .1 2
Los amplificadores lineales [sin distorsin], generalmente trabajan

en la regin activa normal [R. A. N.], de las curvas caractersticas
del BJT.
En la regin activa normal, la juntura
B-C
est polarizada
inversamente, mientras que la juntura
B-E
est polarizada
directamente.
Conforme IE aumenta, tambin aumenta IC en una magnitud casi igual
a IE. Esto es verdad en la regin activa normal. En una primera
aproximacin la relacin entre IE e IC, en la regin activa es
En la regin de corte [extremo ms bajo], cuando IE = 0, la corriente

del Colector es la corriente de fuga ICBO [del orden de los microamperios
o menos], de modo que [fig. 3.13] puede decirse que
IC . 0mA
Can
- 1 71 -
FIG U R A
3 .1 3
En este caso, se dice que el transistor est en la regin de corte,

y no conduce. La nica corriente que circula es ICBO que es despreciable
a temperatura ambiente. Sin embargo, ICBO, al igual que IS [del diodo]
es muy sensible a los cambios de temperatura. Para temperaturas altas,
el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante, puesto que
se incrementa muy rpidamente con la temperatura.
En la regin de corte, las junturas B-C y B-E del
transistor estn polarizadas inversamente.
La regin de saturacin se define como la parte de las curvas
caractersticas a la izquierda de VCB = 0. Puede observarse el incremento
exponencial de IC para pequeos incrementos de VCB.
En la regin de saturacin, las junturas B-C y B-E
del transistor estn polarizadas directamente.
Ejemplo: Utilizar las curvas caractersticas de salida de un transistor
en B-comn para determinar IC sabiendo que IE = 5mA y VCB = 12,5V.
De las curvas correspondientes puede verse que: IC . 4,95mA
Repita el problema anterior para IE = 5mA y VCB = 2V
De las curvas de salida se tiene: IC . 4,91mA
Ganancia de Corriente en Base-comn.- Como se ha visto de las curvas
caractersticas de salida, en los ejemplos anteriores, las corrientes
IE e IC son aproximadamente iguales. Y estn relacionadas por un factor
denominado alfa () que se define como
entonces
donde IE e IC son los valores de las corrientes en el punto de operacin.

De lo anterior se deduce que DC . 1, con valores que varan entre 0,925
Can
- 1 72 -
y 0,999. DC se define para portadores mayoritarios, por tanto,
Normalmente ICBO es muy pequea y su efecto puede despreciarse.

Con los datos del ejemplo anterior se puede calcular el valor de
DC para los dos casos:
a) IE = 5mA, IC = 4,95mA;
b) IE = 5mA, IC = 4,91mA;
entonces, DC = 0,99
entonces, DC = 0,982
Puede verse que DC no es constante y depende del punto de trabajo

seleccionado, aunque para muchos propsitos puede considerarse como
un valor aproximadamente constante. Para aplicaciones ac, en las que
el punto de operacin se mueve sobre las curvas caractersticas, la
definicin de ac es
Factor de amplificacin en B-C.
Para la mayora de los propsitos prcticos ac y DC tienen valores

bastante similares, permitiendo reemplazar la magnitud de la una por
la otra.
Amplificacin del Transistor.- Analizar la red de la fig. 3.14. Para la
configuracin en B-comn, la impedancia de entrada [Zin] es muy pequea,
normalmente entre 10 y 100; mientras que la impedancia de salida
[Zo] es alta entre 50K y 1M; [esto se debe a que la juntura BE de
la entrada est polarizada directamente y la juntura CB (salida)
inversamente]. Para este ejemplo se han tomado los valores de Rin =
20 y Ro = 100K. Adems, si Vin = 20mV sen(t), RC = 2,7K y = 0,99,
se tendr
FIG U R A
3 .1 4
Can
- 1 73 -
iC = 0,99 mA sen(t)
entonces,
VC = RCiC = 2,7K x 0,99mA sen(t) = 2,67V sen(t) = VO

la ganancia de voltaje es
Los valores para amplificacin de voltaje en B-comn varan entre

50 y 300. La amplificacin de corriente (Ai = io/iin = ic/ie) siempre
ser menor que la unidad, aunque muy prxima a ella.
La accin bsica de amplificacin se produce al transferir una
corriente I desde un circuito de baja resistencia a uno de alta, de
ah el nombre transistor.
TRANSfer + resISTOR = TRANSISTOR
Problema relacionado.- Si en el problema anterior, se cambia el valor
de RC a 2,2K, Determine la ganancia del amplificador Base-comn.
Configuracin de Emisor-comn.- La configuracin en Emisor-comn (E-c)
es la que se encuentra con mayor frecuencia. Una vez ms se necesitan
2-conjuntos de caractersticas para describir de forma completa el
comportamiento de esta configuracin, una para la entrada o circuito
de Base y otra para la salida o circuito de Colector.
FIG U R A
3 .1 5
Can
- 1 74 -
Caractersticas de Entrada.- Las caractersticas de entrada se grafican

tomando IB en funcin del VBE, para diferentes valores de VCE, fig. 3.16.
En esta nueva configuracin, todava se cumplen las relaciones
Se observa que las caractersticas de entrada son similares a las

de la configuracin B-comn. Por tanto, se pueden hacer las mismas
aproximaciones y asumir que para cualquier corriente de Base IB mayor
que 0, se cumplir que VBE = V.
FIG U R A
3 .1 6
FIG U R A
3 .1 7
Caractersticas de Salida.- Muestran IC en funcin de VCE para diferentes

valores de IB. IB es del orden de los A, mientras que IC es del orden
de los mA. Las curvas de IB no son tan horizontales como las que se
observaron para IE [configuracin de B-c], esto indica que VCE afecta
a IC.
La regin activa normal [o regin de amplificacin lineal] para la
configuracin E-comn, comprende la regin de las curvas correspondiente
a IB que son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas.
La regin a la izquierda de VCE<sat> corresponde a la regin de saturacin.
Can
- 1 75 -
FIG U R A
3 .1 8
En la regin activa normal de un amplificador E-comn la

juntura B-E est polarizada directamente, y la juntura B-C
est polarizada inversamente.
Son las mismas condiciones que se indicaron para la regin activa
en B-comn.
La regin de corte del transistor en E-comn no est bien definida
como en el caso B-comn. Obsrvese que IC no es 0 cuando IB = 0. En
B-comn, cuando IE = 0, IC = ICBO . 0.
de donde
Para el caso en que
se tiene
si DC = 0,99, entonces
Can
- 1 76 -
Para una ICBO = 1A, IC = 100A, cuando IB = 0. A la ecuacin de IC, cuando

IB = 0 se la denomina ICEO y es igual a
FIG U R A
3 .1 9
LA R E G I N P O R D E B A J O D E I B = 0 , D E B E EV ITA R S E S I
SE N ECESITA UN A SA LID A SIN D ISTO RSI N .
Las regiones de corte y saturacin se emplean grandemente en la

circuitera lgica de los computadores. Idealmente, en la regin de
corte IC . 0, para transistores de silicio. En el caso de transistores
de germanio, es necesario que la juntura BE est polarizada inversamente.
Esta es una de las razones por las que se utiliza silicio en vez de
germanio.
De modo que la ecuacin de IC quedara como
Factor Beta [ DC ].- A la relacin DC/(1 - DC) se la denomina factor

DC. Por tanto
o lo que es lo mismo
Algunos valores de DC pueden ser tan bajos como 10 o tan altos como
1000. Conforme aumenta, el porcentaje de corriente de Emisor que
alcanza el Colector tambin aumenta, entonces, cuando aumenta, tambin
aumenta .
Otra forma de escribir la corriente del Colector es
Para muchas aplicaciones prcticas se puede considerar que ICEO es

cero, por tanto
Es decir:
es la relacin entre las corrientes de Colector y de Base. Puesto

Can
- 1 77 -
que IC es la corriente de salida e IB es la de entrada, entonces vendra

a ser la ganancia de corriente del transistor en E-comn.
Nuevamente: IE = IC + ICEO + IB, entonces, IE = IB + ICEO + IB, de donde
Como siempre, ICEO puede despreciarse, excepto a temperaturas elevadas

que incrementan las corrientes de fuga en el semiconductor.
Ejemplo: Un transistor tiene un = 100, IB = 20A, determine IC e IE.
IC . IB = 100 x 20A = 2mA.
IE . ( + 1)IB = 101 x 20A = 2,02mA
Del resultado puede deducirse que IE . IC. En muchas aplicaciones
prcticas [y cuando lo amerite el caso] se utilizar esta relacin.
Ejemplo: Un transistor opera en la regin activa normal y tiene una
corriente IB = 0.12mA que genera una corriente IC de 19,5mA. Qu
corriente IC resulta para una IB = 0.15mA?
asumiendo que se mantiene constante [independiente del valor de IB],

se tiene
IC = 162,5 X 0,15mA = 24,38mA
Ejemplo: En el circuito de la fig. 3.20 se utiliza un transistor de
silicio con los siguientes parmetros VBB = 10V, RB = 220K. Determinar
IB. Si = 100, calcular IC e IE.
FIG U R A
3 .2 0
Can
- 1 78 -
IC = 100x 42,73A = 4,27ma; IE = 101x 42,73A = 4,32ma
Anlisis por Recta de Carga.- La carga aplicada normalmente tendr

un efecto importante sobre el punto o regin de trabajo del transistor.
Si el anlisis se realiza de manera grfica, puede trazarse una lnea
sobre las caractersticas de salida del dispositivo, esta lnea
representa la carga aplicada. La interseccin de la lnea de carga
con las curvas caractersticas determinar el punto de operacin del
sistema.
En la malla de salida del circuito de la fig. 3.20 se puede deducir
que
A esta ecuacin se la conoce con el nombre de lnea o recta de carga

esttica [DC], puesto que VCC y RC son constantes, entonces, IC representa
el eje-Y y VC [VCE] representa el eje-X. De aqu se tiene
que tiene la forma matemtica
y = mx + b, donde m = pendiente de la recta y b = punto de interseccin

con el eje-Y.
Mediante la ecuacin de IC, podemos determinar los puntos de cruce
con el eje-X y con el eje-Y. Cuando IC = 0, se tiene
y cuando VC = VCE = 0, entonces
Can
- 1 79 -
FIG U R A
3 .2 1
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 3.22 se tienen los siguientes

parmetros: VCC = 12V, RC = 1K e IB = 50A. Determinar: IC, VCE y VRC
y el . Utilice las curvas caractersticas de salida que se muestran
en la fig. 3.23.
FIG U R A
3 .2 2
FIG U R A
3 .2 3
Para determinar la recta de carga se tienen las siguientes relaciones

Cuando IC = 0, entonces VCE = VCC = 12V.
Cuando VCE = 0, entonces IC = VCC/RC = 12V/1K = 12mA, con estos valores
se traza la recta de carga.
De las curvas caractersticas, y una vez trazada la recta de carga,
para IB = 50A y la interseccin con la recta, se tiene que
ICQ = 5mA
VC = VCEQ = 7V
= 5mA/50A = 100
VRC = 5V
La potencia que disipa el transistor es

Can
- 1 80 -
Saturacin.- Al aumentar IB se aumenta IC, mientras que VC = VCE disminuye,

de esta manera se llega a un punto en que al aumentar IB, la corriente
IC ya no puede incrementarse ms, este es el punto de saturacin del
transistor, en consecuencia ya no se mantiene constante. VCE disminuye
y se hace aproximadamente igual a cero. Para material de silicio
FIG U R A
3 .2 4
Resumen de la Configuracin en Emisor-Comn

R eg in d e
IB
IC
VCE
O p eracin
En tra d a
S alid a
S alid a
C O R TE
VCE = VCC
A C T IV A
0 < IB < IB < S A T >
IC = D C IB
0 < VC E< VC C
IB $ IB < S A T >
IC = IC < S A T >
SA TU R A CI N
VCE . 0
Configuracin de Colector-comn [Emisor-Seguidor].- Las figs. 3.25

a) y b) muestran esta configuracin para transistores NPN y PNP.
Can
FIG U R A
- 1 81 -
3 .2 5
a)
b)
Se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de

impedancias, ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de Basey Emisor-comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario
determinar otras caractersticas de entrada/salida para la configuracin
C-comn. Para propsitos prcticos, las caractersticas de salida de
C-comn son las mismas que las de E-comn. En las caractersticas de
C-comn los parmetros que intervienen son IE en funcin de VEC, para
diferentes valores de IB. De manera que, la corriente de entrada es
la misma que para E-comn y en C-comn; para el eje de voltaje,
simplemente se cambia el signo y hay un cambio casi imperceptible en
el eje de la corriente IE por IC, puesto que IE . IC.
Resumen de Configuraciones.
Base-com n.- G a na ncia d e volta je.

Im p ed a ncia
de
en tra d a
b aja .
Im p ed a ncia d e salid a alta
Em isor-com n.- G a na ncia s d e

volta je y corriente . Im p ed encia
d e entra d a b a ja. Im p ed a ncia
d e sa lida b a ja
Can
Colector-com n.- G a na ncia d e

co rrie n te .
Im p e d a n c ia
de
en tra d a alta . Im p ed a ncia d e
sa lida b a ja
- 1 82 -
Em isor-seg uid or.- El m ism o

C ole ctor-com n
FIG U R A 3.2 6
Lmites de Operacin del Transistor.- Para cada transistor existe una regin
de operacin sobre las caractersticas de salida que asegura que no
se excedan los valores nominales mximos, para que la seal de salida
presente una distorsin mnima. Los lmites de operacin se definen
mediante valores mximos dados por el fabricante para cada tipo de
transistor. Entre otros parmetros importantes se tienen: PCmax, ICmax
y VCEmax. Como ejemplo se ha utilizado un transistor NPN de silicio
[2N3904] que tiene las siguientes caractersticas: IC<max> [continua]
= 200mA; VCEo = 40V(min); (min) = 100, 300(max) [IC . 10mA]; P<max>
[continua] = 600mW(TI). La fig. 3.27 muestra la regin de lmites de
trabajo para el transistor indicado. Los parmetros indicados para
el transistor 2N3904, son del fabricante Texas Instruments [TI] que
difieren un poco de los que indican las organizaciones internacionales,
por ejemplo, para la potencia de disipacin continua se tienen los
siguientes datos.
V C E [V]
I C [m A ]
200
120
100
10
60
15
40
30
20
40
15
Cuando no estn disponibles las curvas caractersticas, [o no existe

la hoja de especificaciones], el diseador debe estar seguro de que
IC, VCE y PC = ICAVCE caigan dentro de la regin definida por las siguientes
ecuaciones.
Can
FIG U R A
- 1 83 -
3 .2 7
Para B-comn, la disipacin de potencia se

define como
Polarizacin DC del Transistor

Para el anlisis o el diseo de un amplificador que usa transistores,
se requiere del conocimiento de la respuesta del sistema tanto DC como
ac. La ganancia de corriente, de voltaje o ambas [ganancia de potencia]
depende completamente de las fuentes DC utilizadas. El anlisis o el
diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos partes: DC y
ac. De manera que podemos hacer uso del teorema de superposicin. Sin
embargo, se debe tener presente que durante la etapa de diseo
[sntesis], la seleccin de los parmetros para niveles DC requeridos
afectarn la respuesta ac y viceversa. Cada diseo tambin determinar
la estabilidad del sistema, es decir, que tan sensible es el sistema a las variaciones
de temperatura o de otros parmetros del transistor.
Punto Quiescente [Q] (del latn fijo, o inmvil).- Es el punto de

operacin fijo sobre las caractersticas y define la regin que se
Can
P O LA R IZ A CI N D EL B J T
- 1 84 -
emplear para la amplificacin de la seal aplicada. Q es un punto

fijo sobre las caractersticas alrededor del cual variar la seal
alterna de entrada. El siguiente es un resumen de las ecuaciones que
se utilizarn en el anlisis y el diseo de las configuraciones bsicas.
As mismo, la polarizacin de las junturas del transistor
para las diferentes regiones de las curvas caractersticas
es
1ra.-
2da.-
3ra.-
Operacin en la regin normal

Juntura B-E con polarizacin directa
Juntura B-C con polarizacin inversa
Operacin en la regin de corte
Juntura B-E con polarizacin inversa
Juntura B-C con polarizacin inversa
Operacin en la regin de saturacin
Juntura B-E con polarizacin directa
Juntura B-C con polarizacin directa
Conviene indicar que existen diferentes formas de polarizar al

transistor, cada una de ellas es conveniente para una aplicacin
particular. Aqu se estudiarn las ms comunes. Adems, estas formas
de polarizacin pueden utilizarse con cualquiera de las 3configuraciones.
Polarizacin con dos Fuentes DC.- La fig. 3.28 a) muestra este tipo de
circuito, utiliza una fuente DC para polarizar la Base y otra para
el Colector. Por esta razn no es muy prctico, sin embargo, conviene
analizarlo para su conocimiento.
FIG U R A
3 .2 8
En primer lugar se analizar la malla de entrada o de Base mediante

el circuito de la fig. 3.28 b). En esta malla, el voltaje VRB, que cae
sobre la resistencia de la Base, es
VRB = VBB - VBE = IB x RB, por tanto, la corriente de la Base es
Can
- 1 85 -
En la malla de salida, fig. 3.28 c), la corriente IC, se determina

en funcin de IB y del del transistor.
IC = IB, y la ecuacin de la malla de salida es
VCC = IC RC + VCE, o
VCE = VCC - IC RC
El voltaje VBC se lo calcula de la siguiente manera.
VBC = VB - VC, en este caso, VB = VBE y VC = VCE, por tanto
VBC = VBE - VCE.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 3.28 a), se tienen los siguientes
datos: VBB = 5V; RB = 56K; VCC = 12V; RC = 1,5K y = 50. Determinar:
VRB, IB, IC, VCE y VBC.
VRB = 5V - 0,6V = 4,4V
IC = 50 x 78,57A = 3,93mA
VCE = 12V - 3,93mA x 1,5K = 6,1V
VBC = 0,6V - 6,1V = -5,5V
De los resultados obtenidos se deduce que el transistor est polarizado
en la regin activa normal.
Polarizacin Fija o de Base.- El circuito que se muestra en la fig. 3.29
a) es un amplificador que usa la denominada polarizacin fija o de
Base. [Para DC, los capacitores se comportan como circuitos abiertos].
Can
FIG U R A
- 1 86 -
3 .2 9
Circuito de Entrada (Malla B-E).- Las figs. 3.29 b) y c), muestran la

malla de entrada; en ellas se observa que
de donde
VCC y VBE son constantes, por tanto, RB determina la cantidad de

corriente que circula por la Base del transistor para el punto de
operacin.
Circuito de Salida (Malla C-E).- La corriente de Colector se obtiene de
la corriente de Base.
IC = IB
FIG U R A
3 .3 0
En la ecuacin de IC se observa que es muy

dependiente de , esto hace que IC sea muy vulnerable a las variaciones
de temperatura.
La ecuacin de la recta de carga es
de donde
VCE = VCC - ICRC
Ejemplo: Para el circuito de la fig. 3.31 a) , se tienen los siguientes

datos: VCC = 12V, = 50, RB = 220K, RC = 2,2K. Determinar: IB, ICQ,
VB, VC, VCEQ y VBC.
Can
- 1 87 -
FIG U R A
2 .3 1
ICQ = 50 X 51,82A = 2,59mA, VB = VBE = 0,6V

VC = VCEQ = 12V - 2,59 X 2,2K = 6,3V
VBC = VB - VE = 0,6V - 6,3V = -5,7V
Puesto que VBC es negativo, la juntura B-C est polarizada inversamente,
esto implica que el transistor se encuentra en la regin activa normal.
Ejemplo: Repita el problema del ejemplo anterior, pero con = 75. Compare
los resultados.
La corriente IB es la misma, entonces
IB = 51,82A
ICQ = 75 X 51,2A = 3,89mA
VB = 0,6V
VC = VCEQ = 12V - 3,89mA X 2,2K = 3,45V
VBC = 0,6V - 3,45V = -2,85V
Porcentaje de variacin de ICQ y de VCEQ
Del anlisis de los resultados se deduce que la

variacin de los parmetros ICQ y VECQ es muy dependiente
de , casi en el mismo porcentaje.
Saturacin del Transistor.- La saturacin del transistor
se da cuando la corriente de Colector es muy alta,
en cuyo caso el voltaje Colector-Emisor es muy pequeo
[0,2V para silicio y 0,1V para germanio].
FIG U R A
3 .3 2
Can
- 1 88 -
Por esta razn, en aplicaciones de amplificacin lineal, hay que

evitar la condicin de saturacin porque la seal de salida amplificada
se distorsiona.
Clculo de la Corriente IC de Saturacin: Cuando VCE . 0, se llega a la
saturacin del transistor, entonces, VRC . VCC. Por tanto,
Una vez conocida la corriente IC<SAT>, se tendr una idea de la mxima

corriente de Colector para el diseo elegido y el nivel bajo el cual
permanecer, si se requiere una amplificacin lineal.
Ejemplo.- Para los dos ejemplo anteriores, determine IC<SAT> y cuales
seran las corrientes IB<SAT> respectivas.
1. IB<SAT>, cuando = 50,
Una corriente IB mayor o al menos igual a 109A, har que el transistor

se sature.
2. IB<SAT>, cuando = 75,
Recta de Carga Esttica.- Ahora se estudiar cmo los otros parmetros

de la red definen el posible rango de puntos Q y cmo se determina
el punto Q real. Para el circuito de la fig. 3.33, la salida relaciona
las variables IC y VC [VCE], mediante la ecuacin de la recta de carga.
Puesto que se trata de parmetros de polarizacin, esta es una recta
de carga esttica o DC.
Can
- 1 89 -
FIG U R A
3 .3 3
cuyos puntos de interseccin con los ejes VCE e IC, respectivamente,

son
Entonces, se tiene una ecuacin de laFIG U R A 3 .3 4

red de salida y un conjunto de caractersticas que utilizan las mismas
variables. Cuando estos parmetros cambian, necesariamente afectan
el punto de trabajo Q, como se muestra en los siguientes anlisis.
En otras palabras, la interseccin de la corriente de Base de las curvas
caractersticas con la recta de carga, genera el punto Q, que a su
vez proporciona la corriente de Colector [ICQ], el voltaje de Colector
[VC = VCE] y el voltaje en la resistencia de Colector [ICRC], fig. 3.34.
Cambios en RB.- Cuando IB se incrementa, debido a variaciones de RB [VBB
= constante], el punto Q se aproxima hacia la regin de saturacin.
Como se ve en la fig. 3.35, donde
Can
- 1 90 -
FIG U R A
3 .3 5
IB1 < IB2 < IB3

RB1 > RB2 > RB3
Cambios en RC.- Cuando se vara RC [VCC = constante, lo mismo que IB], puede verse que cuando
RC se hace ms grande, el punto Q se aproxima
a la regin de saturacin. Como se muestra en
la fig. 3.36, donde
RC1 < RC2 < RC3
Cambios en VCC.- Cuando IB se mantiene constante
al igual que RC, pero VCC es el parmetro que FIG U R A 3 .3 6
cambia, los resultados se muestran en la fig.
3.37. Cuando VCC se hace ms pequeo, el punto Q se aproxima a la regin
de saturacin. Para este grfico se tiene
FIG U R A
3 .3 7
VCC1 < VCC2 < VCC3
Can
- 1 91 -
De los anlisis realizados, puede deducirse que el punto Q puede

variar por mltiples causas. Lo deseable es que el punto Q sea lo ms
estable posible, a pesar de las variaciones de los parmetros
involucrados.
Polarizacin Estabilizada por Emisor

Como se mencion, cuando se trata de amplificadores, es necesario
que el punto Q sea inmune a los cambios en la ganancia de corriente.
Una forma de conseguir la estabilizacin es incluir una resistencia
en el Emisor como se muestra en la fig. 3.38.
FIG U R A
3 .3 8
Malla Base-Emisor.- La fig. 3.39 muestra de otra forma esta malla. Mediante
las leyes de Kirchhoff se tiene lo siguiente
FIG U R A
3 .3 9
Pero IE = ( + 1)IB , entonces

(1)
Resolviendo para IB se tiene
Al estudiar la ec. (1), se puede desarrollar el circuito equivalente,

Can
- 1 92 -
para la malla B-E, que se muestra en la fig. 3.40. Donde
FIG U R A
3 .4 0
Ecuacin que resulta muy til en el anlisis y diseo de amplificadores

con transistor.
Si se calcula la corriente IB, en el circuito equivalente, se tiene
el mismo resultado que antes. Esto significa que desde el lado de la
Base del transistor, la resistencia de Emisor se ha reflejado a la
entrada multiplicada por un factor ( + 1). En otras palabras, la
resistencia de Emisor, que es parte de la malla C-E, aparece como (
+ 1)RE en la malla B-E.
Se puede decir que Zin-T = ( +1)RE, es la impedancia de entrada al
transistor vista desde la Base [como se muestra en la fig. 3.40].
Malla de Salida o de Colector-Emisor.- La fig. 3.41 muestra la malla de salida.
FIG U R A
3 .4 1
Utilizando las ecuaciones de Kirchhoff, se obtiene

, o tambin
[Ecuacin de la Recta de Carga de Colector]
Clculo de los voltajes: VE, VC y VB con respecto a tierra.
[Ecuacin de la Recta de Carga de Emisor]
Can
- 1 93 -
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 3.42, se tiene que RC = 2,2K,

RE = 1K, RB = 470K, CC = 10F, CE = 40F, CB = 10F, VCC = 18V y =
50. Determinar: IB, ICQ, VE, VB, VC, VCEQ y VBC.
FIG U R A
3 .4 2
ICQ = 50 X 33A = 1,67mA

VE = 51 X 33A X 1K = 1,7V
VB = 1,7V + 0,6V = 2,3V
VC = 18V - 1,67mA X 2,2K = 14,33V
VCEQ = VC - VE = 14,33V - 1,7V = 12,63V
VBC = VB - VC = 2,3V - 14,33V = -12V
El ltimo resultado indica que el transistor est polarizado en la
regin activa normal.
Demostracin de la Estabilidad de la Polarizacin de Emisor.- En el circuito
de la fig. 3.43 se puede ver que
FIG U R A
3 .4 3
Can
- 1 94 -
VCC = IBRB + VBE + IERE

pero IB = IE/( + 1), entonces
Resolviendo para IE se tiene
Cuando
se tendra que
Si, adems,
entonces
Sabemos que IC . IE, entonces se puede concluir que IC puede ser casi
independiente del factor y de VBE, mientras se cumplan las condiciones
indicadas. Por tanto, el punto Q no se ve afectado apreciablemente
con las variaciones de estos parmetros; de este modo, la polarizacin
de Emisor es capaz de proporcionar un punto quiescente razonablemente
estable. Esto demuestra, a su vez, que ICQ es ms estable que en el
caso de polarizacin fija.
Rectas de Carga para el Circuito con Polarizacin Estabilizada de Emisor 1.Debido a que este circuito tiene una resistencia en el Colector y otra
en el Emisor, entonces, existen dos rectas de carga:
1.2.-
;
;
[Ecua cin d e la recta d e ca rga d el Colector]

[Ecua cin d e la recta d e ca rga d el Em isor]
Esto se debe a que el Emisor ya no est puesto directamente a tierra.

La fig. 3.44 muestra este efecto, adems se nota que las curvas
caractersticas del Colector se han desplazado hacia la derecha un
voltaje equivalente al del Emisor VE [en la figura R. E. E. = Recta
de Carga Esttica de]. Los puntos que permiten trazar la recta de carga
1
Ing eniero An tonio Caldern E.
Can
- 1 95 -
esttica de Colector son
Para la R. C. E. C.
FIG U R A
3 .4 4
y para la recta de carga esttica de Emisor
donde IE2 = IE es un valor arbitrario.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 3.45, se tienen los siguientes

datos RC = 1,5K, RE = 560, RB = 150K, CC = 10F, CE = 22F, CB = 10F,
VCC = 12V y = 55. Utilizar el mtodo de recta de carga para determinar:
IB, ICQ, VE, VB, VC, VCEQ y VBC.
Can
- 1 96 -
FIG U R A
3 .4 5
Clculo de la corriente de Base
Ecuacin de la recta de carga de Colector:

, para esta ecuacin se determinan dos puntos de
la recta.
Ecuacin de la recta de carga de Emisor:

VE = 0,56K x IE, de donde
donde IE2 = IE es un valor arbitrario.
Can
FIG U R A
- 1 97 -
3 .4 6
De la figura 3.46 se tiene

ICQ . 3,46mA;
VE = 2V;
VB . 2,6V;
VC . 6,7V.
Con estos valores se deduce que
VCE = 6,7V - 2V = 4,7V; y
VBC = 2,6V - 6,7V = -4,1V
Saturacin del Transistor con Polarizacin de Emisor.- Se tiene que
VCC . (RC + RE)IC + VCE
La saturacin se da cuando: VCE . 0V, entonces: VCC = (RC + RE)IC<SAT>, es
decir
de aqu se deduce que
Este clculo indica el mnimo valor de IB que lleva a saturacin al

transistor. Cualquier IB $ IB<sat>, har que el BJT se sature.
Polarizacin del Transistor con Divisor de Voltaje.- En los circuitos de
Can
- 1 98 -
polarizacin precedentes, la corriente de polarizacin ICQ y el voltaje

VCEQ eran una funcin del del transistor. Puesto que es sensible
a la temperatura, y el valor real de normalmente no est bien definido,
sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente,
de hecho independiente, del del transistor. El circuito que se muestra
en la fig. 3.47, denominado polarizacin con divisor de voltaje es
una forma de disminuir la dependencia del del transistor.
Si los parmetros del circuito se escogen apropiadamente, los valores
resultantes de ICQ y de VCEQ pueden llegar a ser prcticamente
independientes de .
FIG U R A
3 .4 7
El circuito equivalente para el anlisis DC, se muestra en la fig.

3.48.
FIG U R A
3 .4 8
Existen dos formas de realizar el anlisis DC de este tipo de

polarizacin: Exacto y aproximado.
Anlisis Exacto.- Malla de entrada [B-E], para resolver el problema podemos
hacer uso del teorema de Thevenin, como se indica en la fig. 3.49.
La resistencia RTH es equivalente al paralelo de R1 y R2, fig. 3.50.
Can
- 1 99 -
FIG U R A
FIG U R A
3 .5 0
e n
3 .4 9
Mientras que VTH es equivalente al voltaje sobre R2

el divisor de voltaje [fig. 3.51].
entonces, de la fig. 3.52 se tiene

FIG U R A
3 .5 1
VTH = RTH X IB + VBE + IERE

Pero:
, por tanto,
VTH = RTH X IB + VBE + ( +1)IBRE

FIG U R A
3 .5 2
de donde
Una vez que se conoce IB, las otras cantidades pueden encontrarse
del mismo modo como se lo hizo para la polarizacin por Emisor. Es
decir,
IC = IB . IE
por tanto,
[Ecuacin de la recta de carga]
de donde
VCE = VCC - (RC + RE)IC
Ejemplo: Para el circuito de la fig. 3.53, se tienen los siguientes

Can
- 2 00 -
datos: R1 = 27K; R2 = 3,9K; RC = 1,8K; RE = 470; VCC = 20V; = 120;

determine ICQ y VCEQ.
FIG U R A
3 .5 3
Mtodo exacto.-
por tanto,
ICQ = 120 X 31,92A = 3,83mA . IE;
de donde
VCEQ = 20V - 3,83mA(1,8K + 0,47K) = 11,31V

Mtodo aproximado.- El circuito de entrada, de la configuracin con
divisor de voltaje, puede representarse por medio de la red que se
muestra en la fig. 3.54. Donde Zin-T es
FIG U R A
3 .5 4
Si Zin-T R2, por decir: Zin-T $ 10R2, entonces IB ser mucho menor que
I2, es decir
Can
- 2 01 -
IB I2
y por tanto, I2 . I1.
Por consiguiente, R1 y R2 forman un divisor de voltaje, y VB [que es
igual a VR2] puede calcularse aproximadamente as
La condicin que definir si puede o no aplicarse el mtodo aproximado

es
Ecuacin que debe cumplirse estrictamente.
una vez determinado VB, puede calcularse VE
de donde,
En la malla de salida se tiene

, ecuacin de la recta de carga.
De donde
Como puede observarse de los clculos y deducciones, no se utiliza
el valor de , es decir, el punto-Q (determinado por ICQ y VCEQ) es,
prcticamente, independiente del valor de .
Ejemplo: Para el circuito de la fig. 3.55, se tienen los siguientes
datos: R1 = 27K; R2 = 3,9K; RC = 1,8K; RE = 470; VCC = 20V; = 120;
determine ICQ y VCEQ. Analice si es posible utilizar el mtodo aproximado.
Can
- 2 02 -
FIG U R A
3 .5 5
Mtodo aproximado.Zin-T = 121 x 0,47K = 56,87K

56,87K > 10 X 3,9K = 39K
por esta razn, si se puede usar el mtodo aproximado. Entonces,
de donde
VE = 2,52V - 0,6V = 1,92V

la corriente de Emisor, ser
por tanto,
VCEQ = 20V - 4,1mA(1,8K + 0,47K) = 10,71V
Anteriormente se analiz el mismo circuito mediante el mtodo exacto,
a continuacin se hace una comparacin de los resultados. Para el clculo
de la variacin de corriente de Colector se utilizar la siguiente
relacin.
Can
- 2 03 -
Remplazando valores se tiene
De igual manera, para el clculo de la variacin de voltaje ColectorEmisor, se utiliza la siguiente relacin.
con los valores obtenidos, resulta
al ver los resultados se observa que el error cometido con el mtodo

aproximado est dentro de los valores de tolerancia aceptados.
datos: RC = 820; RE = 220; R2 = 1,2K; VCC = 18V; VC = 12V. Determinar:
IC ; V E ; V B ; R 1 .
FIG U R A
3 .5 6
VRC = 18V - 12V = 6V
Can
- 2 04 -
VE = 7,32mA x 0,22K = 1,6V

VB = 1,6V + 0,6V = 2,2V
VR1 = 18V - 2,2V = 15,8V
y el valor normalizado sera

datos: RC = 3,6K; RE = 1,5K; R1 = 10K; R2 = 2,2K; VCC = 20V; = 50
[100]. Determinar ICQ; VC; VE; VB; VCE; VBC.
[1,96mA]
VC = 20V - 1,92mA x 3,6K = 13V
VE = 1,92mA x 1,5K = 2,9V
VB = 2,9V + 0,6V = 3,5V
[12,94V]
[2,94V]
[3,54V]
VCE = 13V - 2,9V = 10,1V
[10,0V]
VBC = 3,5V - 13V = -9,5V
[-9,4V]
Can
- 2 05 -
Lo que demuestra la estabilidad del punto Q para grandes cambios

de [100%].
Saturacin del Transistor.- La ecuacin resultante para determinar la
saturacin [cuando VCE . 0V], es la misma que se obtuvo para polarizacin
en la configuracin de Emisor comn.
Anlisis por Recta de Carga.- La similitud con el circuito de salida de

la polarizacin por Emisor, resulta en las mismas intersecciones para
la recta de carga para polarizacin con divisor de voltaje. La recta
de carga tendr el mismo aspecto de antes [fig. 3.57]. Donde las
ecuaciones de las rectas de carga son
1.2.-
; [Ecua cin
;
d e la recta d e ca rga d el Colector]
[Ecua cin d e la recta d e ca rga d el Em isor]
FIG U R A
3 .5 7
y los puntos para trazar las rectas son
Para el Colector
y para la recta de carga esttica de Emisor

Can
- 2 06 -
donde IE2 = IE es un valor arbitrario. Es recomendable que IE2 . ICQ.

Polarizacin DC con Realimentacin de Voltaje.- Se puede obtener una mejor
estabilidad del punto-Q de trabajo si se realiza una realimentacin
desde el Colector hacia la Base mediante una resistencia, como se indica
en la fig. 3.58.
FIG U R A
3 .5 8
Por este motivo, a este tipo de polarizacin, tambin se lo conoce

como realimentacin de Colector. Aunque el punto-Q no es totalmente
independiente de (incluso en condiciones aproximadas), la sensibilidad
a los cambios del valor de o a las variaciones de temperatura,
normalmente es menor que la que se encuentra para las configuraciones
de polarizacin fija o de Emisor.
Malla de Base-Emisor.- La fig. 3.59 muestra la malla de entrada (BaseColector). Del circuito se obtiene
Can
- 2 07 -
FIG U R A
3 .5 9
VCC = IERC + IBRB + VBE + IERE

IE = ( + 1)IB
VCC = IERC + IBRB + VBE + IERE
VCC = IE(RC + RE) + IBRB + VBE
VCC = ( + 1)IE(RC + RE) + IBRB + VBE
de donde
El formato de IB es similar al de otros tipos de polarizacin estudiados

antes.
Malla de Colector-Emisor.- El circuito de salida y las ecuaciones de la
malla se muestran a continuacin.
FIG U R A
3 .6 0
Can
- 2 08 -
Del grfico puede verse que IE . IC, entonces,
Que la misma que se obtuvo para las polarizaciones con divisor de voltaje
y estabilizada por Emisor.
Ejemplo.- a) Determine ICQ y VCE para la red de la fig. 3.61, en la que:
VCC = 22V; RC = 9,1K; RB = 470K; RE = 9,1K y = 90.
FIG U R A
3 .6 1
de donde ICQ . 0,9mA y VCE = 5,33V

b) Realice el mismo clculo con = 135.
IB = 7,27A
ICQ = 0,98mA
VCE = 4,02V
c) Determine el porcentaje de cambio en IC y en VCE. Emplee las siguientes
relaciones.
Mediante el uso de estas ecuaciones se tiene
Can
- 2 09 -
Ejemplo.- a) Determine ICQ y VCE para la red de la fig. 3.62, en la que:

VCC = 18V; RC = 3,3K; RB1 = 110K; RB2 = 91K; RE = 510 y = 75 [150].
FIG U R A
IB
ICQ
VC
VCE
=
=
=
=
3 .6 2
35,5A
2,66mA
9,22V
7,73V
Condicin de Saturacin.- La condicin de saturacin vuelve a darse cuando

VCE . 0V, en cuyo caso
Ejemplo.- a) Determine la variacin de ICQ y VCE para la red de la fig.

3.63, en la que: VCC = 12V; RC = 4,7K; RB1 = Potencimetro de 1M; RB2
= 150K; RE = 3,3K y = 180.
Can
- 2 10 -
FIG U R A
3 .6 3
Variacin de VC
5,98V # VC # 8,31V
Aplicaciones no Lineales del Transistor .- Hasta ahora las aplicaciones

del transistor se han limitado a la regin activa normal (R. A. N.).
Pero tambin se mencion que el transistor tiene aplicaciones especiales
en las regiones de corte y saturacin. Estas son las aplicaciones no
lineales del transistor, en las que el transistor o est en conduccin
(ON) o est en corte (OFF).
Ejemplo.- El circuito de la fig. 3.64 muestra una aplicacin no lineal
del BJT.
FIG U R A
3 .6 4
Se utilizan dos fuentes de polarizacin: VBB = 5V y VCC = 5V. Disear

el circuito para que se sature con una IC = 10mA cuando el interruptor
est cerrado, asuma que = 25 para saturacin. El LED requiere 1,6V
cuando est polarizado directamente.
Can
- 2 11 -
De los datos:
, por tanto RB = 10K
, entonces, RC = 330
Ejemplo.- El circuito de la fig. 3.65 muestra una forma de conectar

el transistor para una aplicacin no lineal. Cuando el interruptor
SW est abierto, la corriente de Base es 0 y el transistor est en
corte, en este caso el LED no se enciende. Cuando el interruptor est
cerrado, se cierra el circuito de la Base y el transistor conduce,
la resistencia RC se disea de manera que el transistor entra en la
regin de saturacin [generalmente entre 270 a 330], el LED se
enciende. Este circuito tiene muchas aplicaciones especialmente en
el campo de los Sistemas Digitales.
FIG U R A
3 .6 5
Ejemplo.- Aplicaciones comunes en el rea de Sistemas Digitales es en

la implementacin de compuertas lgicas, por ejemplo la compuerta NOT
[o compuerta inversora], con tecnologa TTL y salida Totem-Pole, que
se muestra en la fig. 3.66.
Can
- 2 12 -
FIG U R A
3 .6 6
VA
VX
VY
VZ
Y = VO
Unida des
0 ,2
4 ,8
3 ,4
1 ,4
0 ,7
1 ,6
0 ,2
En este caso VCC = 5V, prcticamente todo los transistores trabajan

en le regin de corte o en la saturacin, a excepcin del transistor
Q3.
C:\M YFiles\D isp ositivos\D E _Cp 3 .w p d ]
Revisin:
feb rero - 2 01 0
Can

Dispositivos Electronicos Novillo Carlos Capitulo 3

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Dispositivos Electronicos Novillo Carlos Capitulo 3

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El BJT se construye con 3-regiones de semiconductor dopado, separadas

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La juntura PN que une la regin de la Base con la de Emisor se denomina

Este nivel de dopaje reduce la conductividad [incrementa la

Carlos Novillo Montero

Ahora se estudia la polarizacin del Colector [fig. 3.5].

En este caso, la juntura B-C queda polarizada inversamente; entonces,

La fig. 3.6 muestra un transistor NPN con las polarizaciones tanto

Debido a la alta impedancia de la Base, la corriente de Base IB se

IC se expresa en miliamperios e ICBO en micro o nanoamperios; ICmayor,

LA FLECH A D EL SM B O LO ESQ U EM TICO DEL TRANSISTO R, DEFINE LA DIRECCI N

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Configuraciones del Transistor.- Existen 3-configuraciones bsicas

Curvas Caractersticas del BJT .- El transistor en un dispositivo no

De estas ecuaciones se deduce que para cada configuracin del BJT

Configuracin Base-Comn.- La Base es comn para el terminal de entrada

En ambos casos se cumple la ley de Kirchhoff.

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Una segunda aproximacin, de segmentos lineales se muestra en la

Para el transistor de silicio.

relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB)

Los amplificadores lineales [sin distorsin], generalmente trabajan

inversamente, mientras que la juntura

En la regin de corte [extremo ms bajo], cuando IE = 0, la corriente

En este caso, se dice que el transistor est en la regin de corte,

donde IE e IC son los valores de las corrientes en el punto de operacin.

y 0,999. DC se define para portadores mayoritarios, por tanto,

Normalmente ICBO es muy pequea y su efecto puede despreciarse.

Puede verse que DC no es constante y depende del punto de trabajo

Factor de amplificacin en B-C.

Para la mayora de los propsitos prcticos ac y DC tienen valores

Carlos Novillo Montero

VC = RCiC = 2,7K x 0,99mA sen(t) = 2,67V sen(t) = VO

Los valores para amplificacin de voltaje en B-comn varan entre

Carlos Novillo Montero

Caractersticas de Entrada.- Las caractersticas de entrada se grafican

Se observa que las caractersticas de entrada son similares a las

Caractersticas de Salida.- Muestran IC en funcin de VCE para diferentes

Carlos Novillo Montero

En la regin activa normal de un amplificador E-comn la

Para el caso en que

Carlos Novillo Montero

Para una ICBO = 1A, IC = 100A, cuando IB = 0. A la ecuacin de IC, cuando

Las regiones de corte y saturacin se emplean grandemente en la

Factor Beta [ DC ].- A la relacin DC/(1 - DC) se la denomina factor

Para muchas aplicaciones prcticas se puede considerar que ICEO es

es la relacin entre las corrientes de Colector y de Base. Puesto

que IC es la corriente de salida e IB es la de entrada, entonces vendra

Como siempre, ICEO puede despreciarse, excepto a temperaturas elevadas

asumiendo que se mantiene constante [independiente del valor de IB],

Carlos Novillo Montero

IC = 100x 42,73A = 4,27ma; IE = 101x 42,73A = 4,32ma

Anlisis por Recta de Carga.- La carga aplicada normalmente tendr

A esta ecuacin se la conoce con el nombre de lnea o recta de carga

que tiene la forma matemtica

y = mx + b, donde m = pendiente de la recta y b = punto de interseccin

y cuando VC = VCE = 0, entonces

Carlos Novillo Montero

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 3.22 se tienen los siguientes

Para determinar la recta de carga se tienen las siguientes relaciones

La potencia que disipa el transistor es

Saturacin.- Al aumentar IB se aumenta IC, mientras que VC = VCE disminuye,

Resumen de la Configuracin en Emisor-Comn