Universidad tecnológica de Pereira

Laboratorio de
Electrónica análoga y digital
Ingeniería eléctrica
Características del BJT
Carlos Andrés Guevara 1225092976.

Juliana Manzo Bañol 1225093091.

Juan Camilo Buitrago Franco 1088029083.

Resumen – En este laboratorio se busca identificar y se procedió a identificar el tipo de transistor, NPN
reconocer correctamente los terminales de un O PNP para ello se usó un multímetro.
transistor BJT, para posteriormente conformar
distintos circuitos en los que se utilizaron transistores
de unión bipolar con el fin de obtener algunos valores
de corriente y tensión que permiten entender las
características y funcionamiento que definen el
transistor al cambiar los parámetros de los circuitos
estudiados para así obtener su curva característica.

Índice de Términos – Transistor, unión PN,

semiconductor , amplificador.

Procedimos mediante el multímetro a clasificar

I. INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo
electrónico, su principio básico de funcionamiento
es el uso de la tensión existente entre dos de sus
terminales para controlar la corriente que circula a
través del tercero de ellos, este dispositivo consta
de 3 terminales (colector, la base y el emisor). El
transistor bipolar está formado por capas de
material semiconductor tipo n y tipo p, de acuerdo
a la distribución de material pueden ser NPN o
PNP, el transistor bipolar tiene 3 zonas diferentes
en los cuales puede operar, los cuales se conocen
como región activa, región de corte y región de
saturación.
cada uno de los transistores, el primero tenía una
resistencia muy alta entre el colector y el emisor,
por lo cual sabemos que un tipo NPN, lo cual fue
comprobado en la hoja de datos y seguidamente el
segundo transistor tenía una resistencia alta entre la
base y el emisor, lo cual lo identificamos como uno
tipo PNP, por su composición y lo descrito en el
preinforme.
B. Obtención de las curvas características
Ic vs Vce, con Ib como parámetro.

II. PROCEDIMIENTO
A. Identificación de tipo de BJT y sus
terminales.
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0 0 8 0 10 0 12

50 0,002 0,13 0,005 0,17 0,010 9,16

91 73 45

100 0,003 0,1 0,005 0,12 0,000 0,018

82 01

150 0,003 0,084 0,005 0,11 0,000 0,015

82 01

200 0,003 0,07 0,005 0,097 0,000 0,015

Se procedió a armar el circuito de la figura 3, donde 05 82 01
se obtuvieron los siguientes datos, variando la
tensión Vcc en pasos de 2 voltio, hasta alcanzar los 250 0,003 0,065 0,005 0,087 0,000 0,012
05 82 02
12 voltios.

Procedemos a tomar nuevamente los datos de la

Vcc=2 Vcc=4 Vcc=6
tabla anterior pero esta vez se acerca el circuito a
una fuente de calor
Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce A partir de los datos anteriores se graficó la curva
(uA) (mA ) (mA ) (mA ) del transistor BJT, para cada uno de los valores de
Vcc.
0 0,000 10,16 0 4 0 5,99
43

50 0,008 0,208 0,001 0,1 0,002 0,11

14 5

100 0,008 0,15 0,001 0,079 0,002 0,08

2 5

150 0,008 0,12 0,001 0,062 0,002 0,072

2 5

200 0,008 0,11 0,001 0,055 0,002 0,061

23 5

250 0,008 0,1 0,001 0,047 0,002 0,053

24 5 05 De la gráfica obtenida y comparándola con los
curva que nos presenta el datasheet se puede
verificar la gran similitud entre estas, la única
diferencia es la curva suave para el datasheet, pero
esto se presenta debido a que en la práctica los
instrumentos no son precisos.
Vcc=8 Vcc=10 Vcc=12
Curva característica presente en la base de
datos(datasheet)
Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce
(uA) (mA ) (mA ) (mA )
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Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce

(uA) (mA ) (mA ) (mA )

0 0,000 10,16 0,000 4 0,000 5,99

44 01 01

50 0,008 0,208 0,001 0,1 0,002 0,11

15 51 01

100 0,008 0,15 0,001 0,079 0,002 0,08

21 51 01

150 0,008 0,12 0,001 0,062 0,002 0,072

21 51 01

200 0,008 0,11 0,001 0,055 0,002 0,061

Cálculo de resistencia estatica base-emisor
24 51 01
Con Vcc= 6 voltios
250 0,008 0,1 0,001 0,047 0,002 0,053
VBE=0.7 V 25 51 06

Ib=50 microamperios

RBE= (0.7 V) / 50*10^-6=14 Megaohmios

Cálculo de ganancia estática

Vcc=8 Vcc=10 Vcc=12
Ib= 50 microamperios

Ic= 0,00200 A
Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce
(uA) (mA ) (mA ) (mA )
Hfe=(0,00200 A) / (50*10^-6)

Hfe= 40 0 0,000 8 0,000 10 0,000 12

01 01 01
Cálculo de resistencia estática colector-emisor
50 0,002 0,13 0,005 0,17 0,010 9,16
VCE=0,072 V
92 74 46
Ic= 0,00200 A
100 0,003 0,1 0,005 0,12 0,000 0,018
RCE= (0,072 V) / (0,002) 01 83 02

RCE= 36 ohmios
150 0,003 0,084 0,005 0,11 0,000 0,015
Dependencia de los parámetros del BJT con la 01 83 02

temperatura.
200 0,003 0,07 0,005 0,097 0,000 0,015
Se armo el circuito de la figura 3, y se expuso el 06 83 02
transistor a una fuente de calor, de este se
obtuvieron los siguientes resultados y la siguiente 250 0,003 0,065 0,005 0,087 0,000 0,012
gráfica respectivamente. 06 83 03

Cálculo de resistencia estatica base-emisor

Vcc=2 Vcc=4 Vcc=6
Con Vcc= 6 voltios
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VBE=0.7 V C. Obtención directa de la curva

característica Ic vs Vce, con Ib como
Ib=150 microamperios parámetro.
RBE= (0.7 V) / 150*10^-6=4666.6 ohmios

Cálculo de ganancia estática

Ib= 50 microamperios

Ic= 0,00201 A

Hfe=(0,00200 A) / (50*10^-6)

Hfe= 40.2

Cálculo de resistencia estática colector-emisor Se montó el circuito de la figura 4, donde se usó un

VCE=0,072 V generador con una amplitud de 5V a una frecuencia
de 60 ciclos, se ajustó la tensión de la fuente hasta
Ic= 0,00201 A obtener una corriente de base de 200uA.

RCE= (0,072 V) / (0,002) valor de la fuente =2.3V

RCE= 35,820 ohmios

Debido a fallas en los aparatos o errores en la

medición, no obtuvimos oscilaciones en la curva
característica, la muestra más clara de ello se puede
evidenciar en la gráfica anterior.

III.CONCLUSIONES
a. Para explicar la dependencia de
● Los transistores BJT son muy
los parámetros del BJT con
constantes con sus puntos de activación y
temperatura se puede decir que la
mantienen sus características a lo largo de
corriente depende directamente
su manejo, lo podemos ver a la hora de
de las resistencias que
hacer una identificación, conocer sus
conforman el circuito del BJT
partes y el hecho de que su curva
tanto internas a él como externas,
característica tuviera una tendencia muy
y estas resistencias se ven
específica de manejo.
ligeramente mayores cuando
● La practicidad de un transistor depende
están expuestas a un aumento de
mucho de su análisis circuital o mejor
temperatura.
dicho del circuito que esté conectado y de
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la forma que lo haga, en este caso la curva

característica fue distinta debido a ya sea
errores en el circuito o en el osciloscopio,
pero su característica es muy confiable.
● Observamos la alta resistencia interna en
un transistor y pudimos destacar que
mediante a esta es que se lleva a cabo la
activación de este y su funcionamiento.
● El transistor se comporta como una fuente
de corriente controlada por corriente, es
decir, una fuente de corriente que no es de
valor fijo; sino que, varía produciendo
más o menos corriente en la medida en
que hay más o menos corriente en la base.

IV. BIBLIOGRAFÍA
http://ares.cnice.mec.es/gtm/web/index_es_re
sultado_final.php?num=239870%7C&Buscar
=Factor%20de%20Rizado%7C&volver=Fact
or%20de%20Rizado&cual=0&gtm=733ea06
9987e91dbc4d2eff6cc729bbd
https://bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/1604
/1/CD-2320.pdf