XP301 -Electronica de Potencia

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Captulo 2


El Diodo de Potencia



Los diodos semiconductores de potencia son fabricados con silicio y presentan una resistencia
electrica que vara con la temperatura.
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tension y de
corriente, permite el flujo de corriente en un solo sentido. Detalles de funcionamiento, general-
mente despreciados para diodos de senal, pueden ser significativos para componentes de mayor
potencia, caracterizados por una mayor area (para permitir mayor corriente) y mayor longitud
(para ser capaz de soportar altas tensiones). La siguiente figura muestra de manera simplificada,
la estructura interna de un diodo.


Figura 2.1: Estructura basica de un diodo semiconductor


Al aplicar una tension entre las regiones P y N, la diferencia de potencial aparecera en la
region de transicion, una vez que la resistencia en esta parte del semiconductor es mucho mayor
que en las otras regiones del componente (debido a la concentracion de portadores).
Cuando se polariza inversamente un diodo (es decir, se aplica una tension negativa en el anodo
-region P - y una positiva en el catodo - region N -) mas portadores positivos (lagunas) migran
para el lado N, y viceversa, de tal forma que la longitud de la region de transicion aumenta,
elevando la barrera de potencial.
Por difusi on o efecto termico, cierta cantidad de portadores minoritarios entra en la region
de transicion. Luego, son acelerados por el campo electrico, yendo hasta la otra region neutra
del dispositivo. Esta corriente inversa es independiente de la tension inversa aplicada, variando
principalmente, con la temperatura.
Si el campo electrico en la region de transicion es demasiado intenso, los portadores en transito
tendran una gran velocidad y, al chocar con los atomos de la estructura, produciran nuevos
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portadores, las cuales, tambien viajan a gran velocidad causando un efecto avalancha. Debido al
aumento de la corriente, sin reduccion significativa de la tension en la union, se produce un pico
de potencia que destruye el componente.
Una polarizacion directa produce un estrechamiento de la region de transicion y una reduccion
de la barrera de potencial. Cuando la tension aplicada supera el valor natural de la barrera (cerca
de 0.7V para diodos de silicio), los portadores negativos del lado N seran atradas por el potencial
positivo del anodo y viceversa, haciendo que el componente este en conduccion.
En realidad, la estructura interna de un diodo de potencia es un poco diferente a la que se
acaba de presentar. Existe una region N intermedia, con bajo dopaje. La funcion de esta region
es permitir que el componente soporte tensiones inversas mas altas ya que reducira el campo
electrico en la region de transicion (que sera mas amplia, para mantener el equilibrio de carga).
Esta region de pequena densidad de dopaje dara al diodo una significativa caracterstica
resistiva en polarizacion directa, la cual se acentuara mas cuanto mayor sea la tension soportada
por el componente. Las capas que forman los contactos externos son altamente dopadas, con
el fin de obtener un contacto con una caracterstica ohmica y no del tipo semiconductor (como
veremos mas adelante en los diodos Schottky).
El contorno redondeado entre las regiones del anodo y el catodo tiene como funcion crear
campos electricos mas suaves (evitando el efecto de puntas). En el estado bloqueado, se puede
analizar la region de transicion como un capacitor, cuya carga es aquella presente en la propia
region de transicion. En la conduccion no existe tal carga, sin embargo, debido al alto dopaje de
la capa P+, por difusion, existe una penetracion de lagunas en la region N-. Adem as, a medida
que crece la corriente, mas lagunas son inyectadas en la region N-, causando que los electrones
vengan de la region N+ para mantener la neutralidad de carga. De esta manera, se crea una carga
espacial en el catodo, la cual tendra que ser removida (o recombinada) para permitir el paso para
el estado bloqueado.
El comportamiento dinamico de un diodo de potencia, es en realidad, muy diferente al de una
llave ideal, como se puede observar en la siguiente figura. Suponga que se aplica una tension Vi
al diodo, alimentando una carga resistiva (cargas diferentes podran alterar algunos aspectos de la
forma de onda).


Figura 2.2: Estructura tpica de diodo de potencia y formas de onda tpicas de conmutacion de
un diodo de potencia.

Durante t1, se elimina la carga acumulada en la region de transicion. Como aun no hubo una
significativa inyeccion de portadores, la resistencia de la region N- es elevada, produciendo un pico
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de tension. Inductancias parasitas del componente y de las conexiones tambien colaboran con la
sobretension.
Durante t2 se tiene la llegada de los portadores y la reduccion de la tension para cerca de
1V. Estos tiempos son, tpicamente, del orden de cientos de ns. Al desconectar la carga espacial
presente en la region N- debe ser eliminada antes que se reinicie la formacion de la barrera
de potencial en la union. Mientras existan portadores transitando, el diodo se mantiene en
conduccion. La reduccion en Von se debe a la disminucion de la cada ohmica. Cuando la
corriente alcanza su pico negativo se ha retirado el exceso de portadores, iniciando de esta forma,
el bloqueo del diodo. La tasa de variacion de la corriente, asociada a la inductancia del circuito,
provoca una sobretension negativa.
Diodos rapidos poseen trr del orden de maximo, pocos microsegundos, mientras que en los
diodos normales es del orden de decenas o cientos de microsegundos.
El regreso de la corriente a cero, despues del bloqueo, debido a su elevada derivada y al hecho
de que en este momento el diodo se encuentra desconectado, es una fuente importante de sobre-
tensiones producidas por inductancias parasitas asociadas a los componentes por donde circula tal
corriente. Con el fin de minimizar este fenomeno fueron desarrollados los diodos soft-recovery,
en los cuales esta variacion de corriente es suavizada, reduciendo los picos de tension generados. La
siguiente figura muestra resultados experimentales de un diodo de potencia lento(rectificador)
en un circuito como el de la figura anterior, en el cual la inductancia es despreciable, como se
puede observar en la figura (a), por la inversion casi inmediata de la polaridad de la corriente.
La corriente inversa es limitada por la resistencia presente en el circuito. Por otro lado en la
entrada en conduccion, la tension aplicada al circuito aparece instantaneamente sobre el propio
diodo, lo que contribuye para limitar el aumento de la corriente. Cuando la tension cae, la
corriente va alcanzando su valor de regimen.


Figura 2.3: Resultados experimentales de las conmutaciones de diodos: (a) desconexion de diodo
lento; (b) entrada en conduccion de diodo lento; (c) desconexion de diodo rapido.



2.1 Caractersticas Ideales

Las caractersticas estaticas ideales del diodo son:

Para una tension directa VF tal que VF < 0 presenta resistencia infinita, siendo capaz de
bloquear tensiones infinitas;
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Para VF > 0 presenta resistencia nula, permitiendo el paso de corriente sin cada de tension.
As, si el diodo ideal es polarizado directamente, el mismo conduce la corriente electrica sin
perdida de energa (efecto Joule).

Sin embargo, tales caractersticas son ideales ya que los diodos reales presentan una pequena
resistencia a la circulacion de corriente cuando son polarizados directamente ademas de no blo-
quear tensiones muy altas cuando son polarizados inversamente.


Figura 2.4: (a) Simbologa, (b) Caractersticas estaticas del diodo ideal.



2.2 Potencia Disipada en la Conduccion

En conduccion el diodo disipa parte de la energa electrica que lo atraviesa bajo la forma de
calor. Tal potencia electrica puede ser calculada por la siguiente expresion:

P = E0 ID
med
+ rf IDef
2
(2.1)

Esta expresion es generica, pudiendo ser empleada para cualquier forma de onda. Existen
tambien las perdidas durante los procesos de entrada en conduccion y bloqueo (perdidas de conmu-
tacion) sin embargo, para frecuencias menores que 40kHz tales perdidas son despreciables frente
a las perdidas en conduccion.


Figura 2.5: Caracterstica Est atica de un diodo bipolar.
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Figura 2.6: Circuito equivalente del diodo en conduccion.


2.2.1 Clasificaci on de las perdidas:

1. Conduccion;


P = V (T 0) ID
med
+ rt IDef
2
(2.2)

2. Conmutacion:

Entrada en conduccion;

P1 = 0, 5(VF P VF ) I0 t
rf
f (2.3)

Bloqueo.


P2 = Qrr E f (2.4)


2.3 Diodo Real

Existen dos tipos de diodos de potencia: el diodo bipolar (basado en una union semiconductora
pn) y el diodo Schottky.

2.3.1 Diodos Schottky

Cuando se realiza la union entre un terminal metalico y un material semiconductor, el contacto
tiene, tpicamente, un comportamiento ohmico, es decir, la resistencia del contacto controla el flujo
de la corriente. Cuando este contacto es hecho entre un metal u una region semiconductora con
densidad de dopaje relativamente bajo, el efecto dominante deja de ser el resistivo, teniendo
tambien un efecto rectificador.
Un diodo Schottky se forma mediante la colocacion de una pelcula metalica en contacto
directo con un semiconductor, como se indica en la figura 8. El metal es depositado normalmente
sobre un material tipo N, debido a la mayor movilidad de los portadores en este tipo de material.
La parte metalica sera el anodo y el semiconductor, el catodo.
En una deposicion de Al (3 electrones en la ultima capa), los electrones del semiconductor
tipo N migraran para el metal, creando una regi on de transicion en la union. Observe que solo
electrones (portadores mayoritarios en ambos materiales) estan en transito. Su conmutacion es
mucho mas rapida que el de los diodos bipolares, una vez que no existe carga espacial almacenada
en el material tipo N, siendo necesario solo hacer de nuevo la barrera de potencial (tpicamente
de 0.3V). La region N tiene un dopaje relativamente alto, con el fin de reducir las perdidas de
conduccion, de tal modo, la maxima tension soportada por estos diodos es cerca de 100V.
La aplicacion de este tipo de diodos se da principalmente en fuentes de baja tension, en las
cuales las cadas sobre los rectificadores son significativas.
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Figura 2.7: Diodo Schottky construido a traves de tecnica de CIs y formas de onda tpicas en la
desconexion.



2.4 Proteccion del diodo

Un diodo de potencia debe ser protegido contra sobretension, sobrecorriente y transitorios.


2.4.1 Sobretensi on

Cuando un diodo esta directamente polarizado, la tension en sus terminales es baja, por lo
tanto, no habiendo grandes problemas. Sin embargo, un diodo inversamente polarizado, actua
como un circuito abierto. Si la tension en las terminales excede su tension de ruptura, este dispara
y resulta en una alta corriente. Con esa corriente, y con la alta tension en las terminales, es bien
probable que la disipacion en la union exceda su valor maximo, danando el diodo. En la practica
se selecciona el diodo con un valor nominal de la tension pico inversa 1.2 veces mayor del que se
esperar durante las condiciones normales de operacion.

2.4.2 Sobrecorriente

Las especificaciones del fabricante proporcionan valores nominales de corriente segun la tem-
peratura maxima de union, derivada de perdidas durante la conduccion en los diodos. Para
un circuito dado, se recomienda que la corriente se mantenga debajo de ese valor. La proteccion
contra sobrecorriente se proporciona mediante el uso de un fusible, el cual asegura que la corriente
del diodo no exceda un nivel que eleve la temperatura mas alla del valor maximo.

2.4.3 Transitorios

Los transitorios pueden llevar el diodo a tensiones mayores que la nominal. La proteccion
contra este tipo de transitorios a menudo se obtiene por medio de circuitos RC en serie conectados
en paralelo con el diodo. Este arreglo, como se muestra en la siguiente figura, anula o reduce la
tasa de variacion de la tension y es denominado comunmente como circuito snubber.


Figura 2.8: Circuito snubber.
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2.5 Prueba de diodo

La prueba de diodos con un multmetro en la escala de resistencia es uno de los mas conocidos.
En general, se utiliza la escala Rx10 o Rx1 y, como se ilustra en la siguiente figura, la resistencia
es baja en polarizacion directa y alta en polarizacion inversa.


Figura 2.9: Prueba de diodos.


De esta forma, es posible verificar si el diodo esta abierto o si esta en corto. El mismo
procedimiento puede ser utilizado para transistores bipolares comunes.

2.5.1 Diodos en circuitos DC

El analisis de circuitos con diodos requiere, en primer lugar, la verificacion del estado del
diodo (conectado o desconectado). Puede ser substituido por el circuito-llave equivalente. Sin
embargo, en algunos circuitos no es tan facil descubrir que tipo de llave equivalente debe ser
utilizada (en circuitos con mas de una fuente o mas de un diodo en serie). En estos circuitos lo
ideal es substituir, mentalmente, los diodos por un elemento resistivo y luego observar la direccion
de la corriente resultante, debido a la tension aplicada. Si la corriente resultante esta en la misma
direccion que la flecha en el smbolo, entonces el diodo se encontrara conectado.

2.5.2 Diodos en circuitos AC

Los circuitos AC tienen una tension que vara con el tiempo. Por lo tanto, puede haber ins-
tantes en que la tension AC polariza el diodo directamente y otros en que lo polariza inversamente.
El analisis del circuito puede ser echo separadamente para los semi-ciclos positivo y negativo. Sin
embargo, debe notarse cuando la polaridad de la tension en el diodo es directa o inversa. El diodo
puede entonces, ser substituido por un circuito-llave equivalente.