1

PREPARACIN Y CARACTERIZACIN DE
RECUBRIMIENTOS Y LAMINAS DELGADAS





TEMA 7:



TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA
EN FASE VAPOR (CVD)











DR. J.M. ALBELLA

2


TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA
EN FASE VAPOR (CVD)




CONTENIDO:


1.- ASPECTOS GENERALES

2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD
2.1. FUNDAMENTOS DE LA TCNICA DE CVD
3. CINTICA DE LAS REACCIONES DE CVD

4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD
4.1. CVD ACTIVADO TERMICAMENTE (APCVD y LPCVD)
4.2. CVD ASISTIDO POR PLASMA (PACVD)
4.3. CVD ASISTIDO POR LASER (LCVD)
5. EQUIPOS DE CVD PARA LA PRODUCCION
5.1. REQUERIMIENTOS BSICOS DE UN EQUIPO DE CVD
5.2. REACTORES DE CVD ASISTIDAS POR PLASMA
6. ALGUNAS VARIANTES DE LAS TCNICAS DE CVD
6.1. EPITAXIA DE CAPAS ATMICAS (ale)
6.2. CVD DE METALORGNICOS (mocvd)
6.3. CVD DE LECHO FLUIDIZADO (cvd-fb)
7. EJEMPLO DE DEPOSICIN DE MEDIANTE LA TCNICA DE
CVD: CAPAS DE SIO
2


8. RESUMEN Y CONCLUSIONES


3


1.- ASPECTOS GENERALES


Caractersticas:

Se trata de una tcnica de sntesis de materiales en capa delgada
mediante reaccin qumica en fase vapor partiendo de gases o
lquidos precursores.
Existe una gran variedad de materiales que pueden ser depositados
mediante las tcnicas de CVD, fundamentalmente metales y
compuestos metlicos
nica tcnica posible para depositar algunos materiales
compuestos.
Posibilidad de controlar la composicin de materiales (sntesis de
compuestos " a medida" ).
Recubrimiento uniforme y " conforme" (piezas en tres dimensiones)
en una gran variedad de substratos.
Tecnologa simple cuando se trabaja a P atmosfrica
Deposicin a temperaturas relativamente bajas (cuando existe
activacin de los gases, p.e. lser, plasma, etc.)
Ampliamente utilizada en la tecnologa para la sntesis de
materiales en capa delgada:
Dispositivos Electrnicos y Magnticos (a-Si, Clulas Solares,
Sensores, Superconductores, etc.)
Microelectrnica (capas conductoras, semiconductoras y
aislantes)
Recubrimientos pticos (Fibras Opticas, Pelculas Selectivas y
Antirreflectantes, etc.)
Recubrimientos Cermicos (Herramientas, Reactores, Piezas
mecnicas, barreras trmicas, pilas de combustible, etc)

4

1.- ASPECTOS GENERALES (Contn)

APLICACIONES DE LOS RECUBRIMIENTOS CERAMICOS
OBTENIDOS POR CVD

APLICACIONES MATERIALES TPICOS
a) Mecnicas:
Resistencia al desgaste





Baja friccin

Reduccin de la corrosin


Proteccin trmica

C(diamante y cuasi-diamante)
BN, B
4
C, SiC, AIN, Si
3
N
4

TiN, TiC, TiB
2
,
CrSi
2
, MoSi
2
, Mo
2
C,
Al
2
O
3
, ZrO
2
, BeO

MoS
2
, BN, BaF
2
/Ca
2


Cr
2
O
3
, Al
2
O
3
, Si
3
N
4
, SiO
2

CaSi4, MgAI
2
O
4
, MgO,

ZrO
2
(estabilizado, Mg o Ca)
b) Elctricas y magnticas:
Ferro- y piezoelctricos

Ferrimagnticos


BaTiO
3
, PbTiO
3
, LiNbO
3

FeO
3
, Fe
2
O
3
, CrO
2


c) Opticas:
Absorcin selectiva

Antirreflexin

Guas de onda y fibras pticas

Sensores


BaF2/ZnS, CeO
2
, CdS, SnO
2


SiO
2
, Si
3
N
4
, Al
2
O
3
, Ta
2
O
5


SiO
2


SiO
2
, SnO
2
, ZrO
2

d) Electrnicas
Semiconductores
Aislantes
Conductoras


Si, GaAs, GaP, CdS
SiO
2
, Si
3
N
4

Al, Cu, Au, W, SiTi
2
,
SiCo
2
, SiCr, SiTa
2



5
1.- ASPECTOS GENERALES (Contn)


Tabla II


MATERIALES OBTENIDOS POR CVD PARA APLICACIONES
DIVERSAS (Electrnicas, Opticas, Cermicas, etc.)


AISLANTES SEMICONDUCTORES CONDUCTORES

Oxidos:
SiO
2

Al
2
O
3

Ta
2
O
5







Nitruros:
Si
3
N
4

Si
x
N
y
H
z

SiO
x
N
y

BN



Carburos:

SiC
TiC


Vidrios de Si:
PSG
PBSG
BSG

Elementos:
C (diamante, grafito, etc.)
Si (policrist, amorfo, etc.)
Ge






Compuestos III-V:
GaAs
GaP
AlP
AlAs
AlGaAs
AlAsSb

Compuestos II-VI:
ZnS
CdS
CdTe


Oxidos:
SnO
2

ZnO
In
2
O
3

V
2
O
3


Metales:
W
Mo
Al
Cr
Ni
Ta
Si dopado


Siliciuros:
WSi
2

TiSi
2

TaSi
2

MoSi
2




Superconductores:
NbN
Nb
3
Sn
YBaCuO
etc.

Ferro-electricos y
Magnticos:
Niobatos,
Ga:YIG
GdIG

6


2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD


2.1. FUNDAMENTOS DE LA TCNICA DE CVD:

Reaccin de uno o varios compuestos en forma de gas o vapor para
dar un producto slido (recubrimiento).


Esquema del proceso:





















Tipos de reaccin por CVD:


Homognea: fase gas polvo cermico
reaccin CVD
Heterognea: superficie recubrimiento







Activacin gases:
- trmica
- plasma
- fotones
Distinto a PVD (no hay reaccin qumica!)
reaccin
Substrato
Recubrimiento
Gases

7

2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD (Contn)



Tabla II


EJEMPLOS DE DIFERENTES TIPOS DE REACCIONES DE CVD:




TIPOS REACCIONES


Pirlisis SiH
4
(g) Si(s) + 2H
2
(g)

Reduccin WF
6
(g) + 3H
2
(g) W(s) + 6HF

Oxidacin SiH
4
(g) + 4N
2
O(g) SiO
2
(s) + 4N
2
+2H
2
O

Hidrlisis Al
2
Cl
6
(g) + 3CO
2
(g) +3H
2

Al
2
O
3
(s)+6ClH(g)+3CO(g)

Formac. nitruro 3SiH
4
(g) + 4NH
3
(g) Si
3
N
4
(s) + 12H
2
(g)

Formac. carburo TiCl
4
(g) + CH
4
(g) TiC(s) + 4HCl(g)

Desproporcin 2GeI
2(
g) Ge(s) + GeI
4
(g)

Reac. Organomet. (CH
3
)
3
Ga(g) + AsH
3
(g) GaAs(s) +3CH
4
(g)

Transporte 6GaAs(s) + 6ClH(g)
As(g)+As
2
(g)+GaCl(g)+3H
2
(g)











8


3. CINTICA DE LAS REACCIONES DE CVD:


Influencia de la capa lmite (con velocidad cero) en el transporte de
gases hacia la superficie del substrato Ver esquema:




















Etapas de la reaccin:


(a) Transporte de los reactantes hacia la capa lmite

(b) Difusin de los reactantes a travs de la capa

(c) Adsorcin/difusin en la superficie del substrato y reaccin
qumica

(d) Nucleacin de la pelcula sobre el substrato

(e) Desorcin de los subproductos

(f) Transporte de los subproductos hacia el exterior.







b) Difusin en
la capa lmite
(e) Desorcin
Difusin Reaccin
Flujo gas
(f) Transporte al
exterior
(d) Nucleacin
Capa
Lmite
adtomo
Substrato
(a) Transporte
hacia el sustrato
(c)
Adsorcin
9


3. CINTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (contn):




Posibles etapas determinantes:


(a) Control de transporte de gas hacia el sustrato:
V
dep
= vel. de difusin de los gases en la capa lmite

(b) Control por la cintica de reaccin en superficie:
V
dep
= vel. de absorcin/desorcin o reaccin en superficie

(c) Control por el proceso de nucleacin:
V
dep
= vel. de nucleacin de la pelcula (poco frecuente)














La velocidad de deposicin es igual a la velocidad de la
etapa ms lenta, pero por efecto de la temperatura o de la
presin de los gases se puede pasar de una etapa a otra:


T baja : Vel. reaccin baja < vel. difusin
control etapa (b)

T alta: Vel. reaccin alta > vel. difusin
control etapa (a)

10


3. CINTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (contn):


Efecto en la influencia de la temperatura y de la presin en la velocidad
de deposicin, v
dep
del recubrimiento (diagrama de Arrhenius)










Notar: Al disminuir la presin, se favorece la difusividad de los gases a
travs de la capa lmite, y por tanto el control por efecto de la difusin
aparece a temperaturas ms altas. Esto permite adems ampliar el
margen de temperaturas de trabajo y favorece la reaccin en la
superficie














De este modo es posible puede obtener recubrimientos
homogneos sobre piezas con geometra compleja,
llevando a cabo la reaccin de deposicin a presiones
bajas (< 1 mbar) con objeto de que los gases se difundan
con facilidad a las regiones menos accesibles y el control
de la reaccin sea la cintica de superficie.
Inverso de la temperatura (1/T)
Control de
superficie
P
1

P
2

P
3

log v
dep
Difusin
P
1
< P
2
< P
3

11


4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD



Con objeto de aumentar la velocidad de reaccin de los gases es
preciso llevar las molculas a un estado ms energtico y por tanto
ms reactivo. Este proceso, denominado activacin de los gases se
puede llevar a cabo aportando energa extra a la reaccin bien sea
mediante temperatura, descargas elctricas o radiacin
electromagntica (fotones):




TIPO DE
ACTIVACIN
EQUIPO UTILIZADO
DENOMINACIN
(*)
TERMICA
Calentamiento por resistencia,
induccin de RF, radiacin IR,
etc.
CVD LPCVD
PLASMA
(+ calor)
Descarga elctrica en cc o ca
(RF, microondas, etc.)
PACVD
FOTONES
(+ calor)

Lser, lmpara de Hg, etc. LCVD



(*) LPCVD = Low Pressure CVD

PACVD = Plasma Assisted CVD

LCVD = Lser Assisted CVD




12

4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD (Contn)


4.1. CVD ACTIVADO TERMICAMENTE (APCVD Y LPCVD)


Fundamento: Activacin de los gases de reaccin por calentamiento,
generalmente bien sea mediante un horno externo (hot-wall reactor) o
situado en el interior del reactor (cold-wall reactor). Las temperaturas
de reaccin suelen ser elevadas (> 500 C) para dar velocidades
apreciables


La presin de los gases en el reactor tiene una influencia enorme en la
cintica de reaccin:


Presiones altas (APCVD):


Presin de los gases p. atmosfrica
Reaccin en fase gaseosa con velocidad alta
Problema: Formacin de polvo (con tamao de grano fino)
Fcil de implementar (no necesita equipo de vaco)


Presiones bajas (LPCVD):


Difusin de gases alta:
Acceso de los gases a zonas no directamente
situadas en la lnea de flujo

Reaccin de los gases en superficie (control cintico):
Recubrimientos muy homogneos
Posibilidad de recubrimiento de piezas en 3D
Posibilidad de depositar sobre un gran nmero de
piezas o en superficies grandes
Economa del proceso (problemas de agotamiento
de gases en algunas regiones del reactor)





13
4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD (Contn)


Tabla III


DATOS COMPARATIVOS DE DIFUSIVIDAD Y DE ESPESOR
DE LA CAPA LIMITE EN LAS TECNICAS DE APCVD Y LPCVD
(magnitudes relativas)


PARMETRO PRESIN BAJA PRESIN ALTA
Presin, P 1 1000
Difusividad, D 1000 1
Velocidad gases, v 10-100 1
Densidad gases, 1 1000
Espesor capa lmite, x 3-10 1
Velocidad depos., v
dep
comparables
Consumo reactantes bajo Alto
Recubrimiento conforme ?


Modelo:












x = (d/v)
1/2


( = viscosidad
gases)

Veloc., v
d
Perfil de
velocidades
Flujo Laminar
Capa lmite, x
Gases
Reactor
Muestras
14

4. CLASIFICACIN DE LAS TCNICAS DE CVD (Contn)


4.2. CVD ASISTIDO POR PLASMA (PACVD)


Fundamento: Activacin de los gases de reaccin mediante una
descarga elctrica en forma de plasma, debido a la excitacin de las
especies presentes en el plasma (iones, radicales, molculas, etc.).


Esquema de un reactor de PACVD:








Notar: Energa e
-
= 1-12 ev (T 10
4
- 10
5
K)
n
e
10
9
-10
12
cm
-3


T gas 500 K = 0.04 eV
N
tomos
3,2 x 10
16
cm
-3
(1 torr)

Grado de ionizacin: 0.001 - 10 %

RF
Plasma
Iones positivos
Electrones
Vaco
Gases de
reaccin
tomos o
molculas neutras
15

4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD (Contn)





Efecto de la frecuencia del campo elctrico aplicado: Los plasmas de
corriente alterna de frecuencia elevada dan lugar a oscilaciones de los
e
-
del plasma, aumentando el grado de ionizacin del plasma. Los
rangos de frecuencia mas utilizados son: radiofrecuencia (13,56 MHz) y
microondas (2,45 GHz).

A veces se aade un campo magntico H para obtener fenmenos de
resonancia en la frecuencia de giro de los e
-
alrededor del campo H
Tcnicas de ECR.



Caractersticas de las tcnicas de PACVD:

Velocidad de deposicin alta, incluso a T bajas
Presin gases en el reactor baja Recubrimiento conforme
Reacciones complejas en la fase gas Atrapamiento de
especies excitadas en la pelcula
Difcil control de la composicin (estequiometra) de la capa
depositada
Dao por radiacin sobre la capa y el substrato.
16

4. CLASIFICACION DE LAS TCNICAS DE CVD (Contn)

4.3. CVD ASISTIDO POR LASER (LCVD)

Fundamento: Deposicin por CVD asistida por fotones
Transferencia de energa a los reactantes mediante iluminacin con lser
o lmpara de UV.


Mtodos de transferencia: - Sustrato: pirlisis (piro-CVD)
- Gas precursor: fotlisis (foto-CVD)


Esquema de un reactor de LCVD:

Caractersticas de las tcnicas de LCVD Similares a las de PACVD:

Velocidad de deposicin alta, incluso a T bajas
Dificultad de adaptar la frecuencia de la radiacin a la energa de
excitacin de las molculas reacciones complejas en fase gas.
Atrapamiento de especies excitadas en la pelcula
Difcil control de la composicin (estequiometra) de la capa
depositada
Problemas de deposicin en las ventanas
Lser
Gases
reaccin
Lser
Vaco
Ventanas
Porta-substratos
Reaccin de
fotlisis
Reaccin de
pirlisis
17

5. EQUIPOS DE CVD PARA LA PRODUCCION


5.1. REQUERIMIENTOS BSICOS DE UN EQUIPO DE CVD


1. Sistema de transporte de los gases de reaccin al reactor
(incluye gases de purga, control del flujo de gases, etc.)

2. Reactor + Sistema de activacin de gases: Horno, descarga, etc.

3. Equipo de medida y control de la presin de los gases,
temperatura, etc. en el reactor.

4. Equipo de vaco (para evitar reaccin de los gases con la
atmsfera del aire y extraccin de subproductos de la reaccin)




Esquema de un sistema de LPCVD para la obtencin de pelculas de
Si
3
N
4
(ver pgina siguiente),







Control T
Aliment. horno
Horno
Vl vula
mariposa
Vl vula
electro-
neumtica
Manmetro
Control
presin
Control flujo
Bomba
Roots
Bomba
rotatoria
SiH
4
NH
3
N
2
H
2
N
2

(purga)
Vl vulas
todo/nada
Rotmetro
Flujmetros
Filtro
partculas
Muestras
Reactor
18
































Sistema de LPCVD para la deposicin de capas delgadas
















19


6. ALGUNAS VARIANTES DE LA TCNICA DE CVD

Las tcnicas de CVD son ampliamente utilizadas en la obtencin de una
gran variedad de compuestos en capa delgada. En muchos casos es
preciso introducir variaciones en la tcnicas convencionales para
conseguir capas con una estructura especfica. Entre estas variantes
se encuentran las denominadas como:
Epitaxia de capas atmicas (Atomic Layer Epitaxy o ALE)
CVD de organometlicos (Metal organic CVD o MOCVD)
CVD de lecho fluidizado (Fluidised Bed CVD o FBCVD)

6.1. EPITAXIA DE CAPAS ATMICAS (ALE)

En la tcnica de ALE, los gases de reaccin (p.e.: A y B, para dar un
producto AB), se alimentan en el reactor de forma secuencial en un
proceso intermitente: i) primero uno de ellos, el gas A, con objeto de
que las molculas queden adsorbidas sobre el substrato. ii) A
continuacin se hace una purga del reactor con un gas inerte para
eliminar del reactor las molculas no absorbidas. iii) Finalmente, se
aade despus el gas B con objeto de que reaccione con las molculas
A adsorbidas en la superficie del sustrato para dar el compuesto AB.
La repeticin continuada de este proceso permite el crecimiento de
capas con una composicin muy homognea y con una estructura
cristalina de tipo epitaxial.
La figura adjunta muestra un ejemplo del proceso de deposicin capas
de ZnS a partir de HS y ZnCl
2
como gases precursores.


Un aspecto crtico del proceso es la dosificacin de cada uno de los
precursores, A y B, ya que tiene que ser la adecuada para formar una
monocapa de la superficie de la capa en crecimiento. Se dice que la
tcnica es autolimitante en lo que se refiere a la ritmo de crecimiento
del depsito, ya que est limitada por la cantidad de reactante
suministrada en cada ciclo. En cualquier caso, la duracin de un ciclo
completo suele ser del orden de 0,1 s, y se pueden conseguir un ritmo
de crecimiento de 500 nm/h
ZnCl
2
ZnS

H
2
S

20
Se trata de una reaccin en superficie en condiciones casi ideales (no
hay reaccin en fase gas, por lo que el depsito puede crecerse en
condicione de epitaxia. Sin embargo, muy a menudo las capas
resultantes son cristalinas o amorfas.


6.2. CVD DE METALORGNICOS (MOCVD)

El uso de compuestos orgnicos en forma de radicales de hidrocarburo
unidos a un metal ha sido usado frecuentemente en la tecnologa de
circuitos integrados para el depsito de materiales metlicos y
semiconductores en capa delgada, como alternativa a los
correspondientes hidruros metlicos que presentan serios problemas
de seguridad debido a su carcter txico explosivo.
Tanto en el caso de los metales como los semiconductores, los
compuestos ms usados son aquellos que contienen un radical alquilo
(metil, etil, isopropil, etc). Normalmente se presentan en estado lquido
y tienen una alta presin de vapor. Aunque son relativamente
econmicos, sin embargo es preciso purificarlos a niveles altos (sobre
todo en las aplicaciones en microelectrnica) y presentan serios
problemas de manejo, ya que tienen una alta afinidad por el oxgeno y
el vapor de agua. Por ello, el transporte del precursor al reactor se
hace a travs de un frasco burbujeador empujando con un H
2
.
Es frecuente utilizar tambin combinar los precursores con otros
precursores de elementos dopantes para formar el semiconductor.
Una reaccin tpica de MOCVD para la obtencin de GaAs mediante
trimetilgalio (TMGa) y AsH
3
es la siguiente:
(CH
3
)
3
Ga + AsH
3
= GaAs + 3CH
4

Los reactores de MOCVD son muy similares a los que se utilizan en las
tcnicas convencionales de LPCVD, trabajando adems en condiciones
muy similares (rango de presiones medias o bajas). Sin embargo,
cuando se pretende obtener capas epitaxiales es preciso trabajar en
niveles de alto vaco.


6.3. CVD DE LECHO FLUIDIZADO (CVD-FB)

Las tcnicas de APCVD presentan ciertos problemas de homogeneidad
cuando se trata de recubrir grandes piezas de geometra compleja. El
uso de baja presin (LPCVD) tampoco resulta adecuado para grandes
series debido al elevado coste de la operacin en vaco. Como
alternativa surgen las llamadas tcnicas de CVD en lecho fluidizado
(CVD-fluidized bed, o CVD-FB), que operan tambin a presin
atmosfrica.
21
Segn se muestra en la figura, la muestra se encuentra suspendida en
el interior de un reactor vertical que contiene un lecho de partculas
que pueden se inertes a los gases de reaccin (Al
2
O
3
, en el ejemplo) o
participar en la reaccin para dar un depsito del mismo material. En la
parte inferior del reactor existe una placa porosa que permite el paso
de la mezcla de gases de reaccin al interior distribuyndose de forma
homognea.
La transferencia de calor a travs de las partculas del lecho permite
que el sistema alcance rpidamente la temperatura de equilibrio, con lo
se pueden obtener recubrimientos muy uniformes, y con espesores
elevados
La tcnica es muy verstil, y puede ser utilizada para la obtencin de
un gran nmero de recubrimientos. La tcnica ha sido tambin
utilizada para el recubrimiento de polvos.

















El ejemplo de la figura muestra un sistema de CVD-FB para la
deposicin de recubrimientos de Al sobre aleaciones de Ti a partir de
una mezcla de gases precursores de HCl y H
2
, utilizando Ar como
portador. El lecho est formado por partculas metlicas de Al. La
reaccin del HCl con las partculas de Al produce un producto
intermedio, AlCl
3
, que posteriormente se descompone sobre el
substrato para dar el depsito de Al

Control flujo
Salida gases
Sistema
lavado
gases
Sistema
lavado
Placa
porosa
Sustrato
Horno
Lecho fluidizado
(partculas de Al)
Control T
Ar

HCl

H
2

22


7. EJEMPLO DE DEPOSICIN DE MEDIANTE LA
TCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO
2




Caractersticas de las capas de SiO
2
:



PROPIEDADES APLICACIONES

Aislante elctrico Aislante de circuitos integrados
Estabilidad qumica Recubrimientos protectores sobre
metales
Indice de refraccin bajo Pelculas antireflectantes
Bajo coeficiente de difusin Mscaras para implantacin
Empaquetamiento circuitos
Membranas cermicas




Mtodos de deposicin:


Baja temperatura (300-500
o
C):

SiH
4
+O
2
SiO
2
+2H
2
(CVD)
SiH
4
+N
2
O SiO
2
+2N
2
+H
2
(PACVD)


4 PH
3
+ 5 O
2
2 P
2
O
5
+ 6 H
2





Temperatura media (500-800
o
C)

Si(OC
2
H
5
)
4
SiO
2
+ subproductos (MOCVD, LPCVD)


Temperatura alta (900
o
C)

SiCl
2
H
2
+N
2
O SiO
2
+ 2N
2
+ 2HCl (LPCVD, PECVD)
Adicin de
dopante
23
6. EJEMPLO DE DEPOSICIN DE MEDIANTE LA TCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO
2







Tabla IV




DATOS COMPARATIVOS DEL SiO
2
OBTENIDO POR CVD A DIFERENTES
TEMPERATURAS






Parmetro Oxido trmico
(100 C)
SiH
4
+O
2

(450C)
TEOS
(700C)
SiCl
2
H
2
+N
2
O
(900C)
Composicin SiO
2
SiO
2
(H) SiO
2
SiO
2
(Cl)
Densidad (grcm
-3
) 2.2 2.1 2.2 2.2
Indice refraccin 1.46 1.44 1.46 1.46
Ruptura Dielctr.
(10
6
Vcm
-1
)
>10 8 10 10
Veloc. ataque
(HF) (min
-
')
440 1200 450 450
Recubrimiento
escalones
- no conforme conforme conforme





24

7. RESUMEN Y CONCLUSIONES




Tcnicas de CVD bien establecidas en Cl de VLSI y ULSI (la
experiencia ganada se exporta a otras reas tecnolgicas).



Caractersticas positivas:

Versatilidad (aislantes, conductores, etc.)
Compatibilidad con otros tratamientos y procesos
Posibilidad de escalado a nivel industrial
Posibilidad de controlar la composicin del producto y obtener
capas de composicin prefijada
Homogeneidad de espesor


Limitaciones:

Factibilidad de la reaccin
Cintica de reaccin compleja
Formacin de subproductos, reaccin homognea (polvo)
Dao por radiacin (PECVD, lser)
Manejo de gases peligrosos:
Substitucin por fuentes lquidas ?















25







BIBLIOGRAFA


MOROSANU, C. E.: Thin Films by Chemical Vapour Deposition ,
Elsevier

SHERMAN, A.: Chemical Vapor Deposition for Microelectronics .
Noyes Publications

PIERSON, H. O.: Handbook Of Chemical Vapour Deposition . Noyes
Publications,

HUIMIN, L.: Diamond Chemical Vapour Deposition . Noyes
Publications

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SCHUEGRAF, K. K.: Handbook Of Thin-film Deposition Processes and
Techniques , Noyes Publications