Sn dopado con GaSb creci a 260C mediante epitaxia en fase liquida.

El experimento se realiz para determinar si el Sn podra cambiar sus tipos de impurezas. Se encontr que el Sn se comporta como aceptor independientemente de la temperatura de crecimiento o de la concentracin del Sn. GaSb ofrece grandes ventajas para dispositivos ptico-electrnicos operando en el infrarrojo medio, como fotodetectores, lseres y celdas solares. Pero esto no ha tenido un gran xito debido principalmente, a la dificultad de controlar la transportacin en la concentracin del GaSb (este factor es esencial para la industria de electrnicos). Esto surge debido a que la concentracin de los huecos libres intencionalmente no dopados y u temperatura de fusin es alta.