Anlisis a pequea seal para FET

Los amplificadores con transistores de efecto de campo

proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada.
Adems son considerados como configuraciones de bajo
consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia y
un tamao y peso mnimos.

Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental pueden emplearse para disear amplificadores
que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo el
circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de
entrada mucho mayor que la de una configuracin JFET
similar.
Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FETs
el modelo equivalente de AC para de alguna forma ms simple que el
utilizado por los BJTs. mientras que el BJT cuenta con factor de
amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de
transconductancia gm.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un
dispositivo digital en circuitos lgicos. De hecho el MOSFET
incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente
en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy
bajo. Los dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de circuitos de
interfaz para computadoras.

La A
V
en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT,
pero la Z
i
es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z
0
de salida
son equivalente para ambos. La A
i
ser una cantidad indeterminada
debido a que la corriente de entrada en los FETs es 0A.

Modelo de pequea seal para el FET
2
1
(

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
V gm I
D
A = A
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de
drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje
compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:
gm=transconductancia
DETERMINACION GRAFICA DE gm
GS
D
V
I
gm
A
A
=
Pendiente en el
punto Q
Pto Q=(-2.5 ; 3)
ms gm
V
I
gm
GS
D
8 . 1
1
8 . 1
=
=
A
A
=
I
D
(mA)
V
GS

I
DSS

V
p

Q
3 2
2
4
I
D

V
GS

Curva obtenida mediante
2
1
|
|
.
|

\
|
=
p
GS
DSS D
V
V
I I
DEFINICION MATEMATICA DE gm
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
= =
A
A
=
P
GS
P
DSS
P P
GS
DSS
P
GS
GS
DSS
P
GS
DSS
GS GS
D
PtoQ
GS
D
V
V
V
I
gm
V V
V
I gm
V
V
dV
d
I
V
V
I
dV
d
dV
dI
V
I
gm
1 2
1
1 2
1 2 1 |
Donde |V
p
| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm
Cuando V
GS
=0 gm alcanza su valor maximo gm
0
, entonces:

0
2 0
1
2
gm
V
I
V V
I
gm
P
DSS
P P
DSS
=
(

=
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Y
fs
donde
Y parmetro de admitancia.
f parmetro de transferencia directa (forward)
s revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo
FS
Y gm =
Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 1-5 ms
Grafica de gm en funcin de V
GS
(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Si V
GS
=0 gm=gm
0
Si V
GS
=V
P
gm=O

(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Por lo tanto
gm(s)
V
p
V
GS
(V)
gm
0

(

P
GS
V
V
1


Debido a que el factor es < 1 para cualquier V
gs
0, la magnitud

de gm disminuir a medida que V
gs
se aproxime a V
p
y que el cociente se

incremente en magnitud.

p
gs
V
V

IMPACTO DE I
D
SOBRE gm

DSS
D
P
GS
P
GS
DSS
D
P
GS
DSS D
I
I
V
V
V
V
I
I
V
V
I I
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
1 1
1
2
2

Ec. de SHOCKLEY:
Entonces
DSS
D
I
I
gm gm
0
=
Se puede graficar gm(s) en funcin de I
D
(mA) con los siguientes datos:

a) Si I
D
= I
DSS

0 0
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/2
0 0
707 . 0
2
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/4
0 0
5 . 0
4
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
Ejemplo :
Con I
DSS
=8mA y V
p
=-4V. Graficar gm Vs. I
D
mS
V
I
gm
P
DSS
4
4
8 * 2 2
2
0
= = =
Con I
DSS
=4; gm=2.83ms
Con I
DSS
=2; gm=2ms
gm(ms)
I
D
(mA)
gm
0
=
IMPEDANCIA DE ENTRADA Z
i
DEL FET

En forma de ecuacin:
O = o
i
Z
Para un JFET se tom un valor tpico de 10
9
(1000M), mientras
que a los MOSFETs se tom un valor tpico de 10
12
a 10
15

IMPEDANCIA DE SALIDA Z
0
DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como Y
S.

S
d
y
r Z
u
1
0
= =
Q Pto
d
ds
d
I
V
r
.
A
A
=
Con V
GS
constante

En forma de ecuacin:
I
D
(mA)
Q
I
D

V
ds

V
ds

V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
=-3V
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET
gm V
GS
r
d
G

S

D

S

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET
POLARIZACIN FIJA
Datos:
V
DD
=20v
R
D
=2k
R
G
=1M
V
G
=2V
I
DSS
=10mA
V
P
=-8V
Asumiendo que el Pto Q:
s Y
mA I
V V
S
DQ
gs

u
40
625 . 5
2
=
=
=
Pto. Q
Z
i
Z
0
Vi

V
DD
C
i
R
D
V
G
R
G
Del anlisis DC
mS
V
I
gm
P
DSS
5 . 2
8
10 * 2 2
0
= = =
mS
V
V
gm gm
P
GS
88 . 1
8
2
1 5 . 2 1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
S
d
25
40
1 1

u
Anlisis AC
MO = = 1
G i
R Z
D d
R r Z //
0
=
Si r
d
10R
D
Z
0
=R
D
2510(2) 1
Z
0
=2k Z
0
=25k//2k= 1.85k
Z
i Z
0
Vi

R
D
R
G
V
0
+
-
G

D

( )
0
0
//
V gs d D
i
V
A V gmV r R
V
= =
Como Vgs = Vi
( )
0
//
i d D
V gmV r R =
Reemplazando valores
( )( )
1.88 1.85
V
A mS k =
( )
D d
i
V
R r gm
V
V
A //
0
= =
( )( )
1.88 2 3.76 3.48
V D V V
A gmR A A = = = ~ =
Autopolarizacin
D d
R r Z //
0
=
i G
Z R =
D d
R r Z //
0
=
; si r
d
10R
D

( )
//
V d D V D
A gm r R A gmR = =
Z
0
V
i
R
D
R
G
V
0
+
G

D

Z
i
-
G

i G
Z R =
0
0
0
i
i
V V
V
Z
V
=
=
Con V
i
=0VV
RG
=0V (cortocircuito)

( )
;
gs D gs gs D
gmV I I V gmV R
u
= + =
( )( )
gs D S
V I I R
u
= +
Por lo tanto en 1: gmVgs=I
D
+I
0
( )( )
D D S
I I gm I I R
u u
+ = +
0 0 D D S S
I I gmI R gmI R + =
| | | |
0
1 1
S D S
I gmR I gmR + = +
0 D
I I =
0
0 0
0
D D
V
Z V I R
I
= =
Y como I
D
=-I
0
0 0 D
V I R =
0
0
0
D
V
Z R
I
= =
Sin considerar r
d
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

D

S

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Vi

R
D
V
0
G

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Considerando el efecto de r
d
0
0
0
0
i
D D
i
V V
V I R
Z
V I
=
= =
0
d
r
D gs
d
V
I I gmV I I
r
' '
+ = + =
0 0
0
d d
gs r r gs
gmV V V V V V + = = +
0
0 0
0
0 0
gs
gs
d
gs
gs
d d
V V
I gmV I
r
V
V
I gmV I
r r
+
= +
= + +
Z
i
Z
0
Vi

R
D V
0
G

D

S

+
-
R
S
I
0
I
D
S

R
G
+
-
I

I
0+
I
D

( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
0
0 0
0 0
0 0
0
0 0
0
0 0
1
1
1
1 1
D D
gs D
d d
D D
D S D
d d
D D
S D S D
d d
D D
S D S D
d d d
D D S D D
S D S D
d d d
D
S
I R
I V gm I
r r
I R
I gm I I R I
r r
I R
I gm I R I R I
r r
I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R I R I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R
I gm I R
r
(
= +
(

(
= + +
(

(
= + + + +
(

( (
= + + + + +
( (

= + + + + +

( )
0
1 1
D S D D
D S D
d d d
S S D
S D S
d d d
I R I R
gm I R I
r r
R R R
I gmR I gmR
r r r
= + + +
( (
+ + = + + +
( (

0
1
1
S D
D S
d d
S
S
d
R R
I gmR
r r
I
R
gmR
r
(
+ + +
(

=
(
+ +
(

0
0 0
1
1
1
1
1
S D
S
D D S
S
d d
d
D
S D
i
S D
S
D S
d d
d d
S
S
d
R R
R
I R gmR
gmR
r r
V r
Z Z R
R R
V
R R
gmR
I gmR
r r
r r
R
gmR
r
(
+ + +
+ +
(

= = =
(
+ + +
+ + +
(

(
+ +
(

Si r
d
10R
D
, entonces
0 D
Z R =
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
Para ganancia de voltaje
0
V
i
V
A
V
=
0 D D
V I R =
RS D S
V I R =
;
d
RS
gs gs D
d
RS
gs S D RS i gs RS gs i
r
V V
gmV I gmV I
r
V V
I
V R I Vi V V V V V V

+ = + =

=
= = =
0
0
'
'
0
Sustituyendo tenemos
| |
( ) ( )
i
d
S
d
D
S D
d
S
D
d
D
D S D i D
d
S D D D
S D i D
gmV
r
R
r
R
gmR I
r
R
I
r
R
I R gmI mgV I
r
R I R I
R I V gm I
=
(

+ + +
=

+ =
1
d
S D
S
D i
D D
d
S D
S
i
D
r
R R
gmR
R gmV
R I V
r
R R
gmR
gmV
I
+
+ +
=
+
+ +
=
1
1
0
d
S D
S
D
i
r
R R
gmR
gmR
V
V
+
+ +
=
1
0
; Si r
d
10(R
D
+R
S
)

S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
3) Divisor de voltaje
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
R
S
R
1
R
2
R
S
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
; Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Con desvo
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

R
1
R
2
+

S

( )
( )
D d V
gs
D d
V
R r gmVgs A
V
R r gmVgs
A
//
//
=

=
D d
R r 10 >
Si
D V
gmR A =
i
V
V
V
A
0
=
( )
D d gs gs i
R r gmV V V V //
0
= . =
Sin Desvo
2 1
// R R Z
i
=
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de
d
r
D
d
D
d
S
S
d
S
S
R
r
R
r
R
gmR
r
R
gmR
Z
+ + +
+ +
=
1
1
0
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0 G

R
1
R
2
+

S

R
S
D

Si
; entonces
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
D
R Z =
0
d
D S
S
D
V
r
R R
gmR
gmR
A
+
+ +
=
1
D d
R r 10 >
Si ( )
S D d
R R r + >10
; entonces
S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Fuente Seguidor (Drenaje Comn)
G i
R Z =
Z0 al hacer V
i
=0V
se obtiene el
siguiente circuito.
gs
V V =
0
LCK en el nodo S
S d
R r
R
V
r
V
gmVgs I
I I gmVgs I
S d
0 0
0
0
+ = +
+ = +
Z
i
Z
0
Vi

R
S
V
0 G

R
G
+

S

D

+

-

V
gs
V
0
+

-

Z
0
R
S
r
d
gmV
gs
V
gs
I
0
+

-

S

(

+ + =
=
(

+ =
gm
R r
V I
V Vgs gmVgs
R r
V I
S d
S d
1 1
;
1 1
0 0
0 0 0
gm
R r
gm
R r
V
V
I
V
Z
S d
S d
1
1 1 1
1
1 1
0
0
0
0
0
+ +
=
(

+ + /
/
= =
La cual tiene el formato que la
resistencia total de 3 resistencias
en paralelo
;
gm
R r Z
S d
1
// //
0
=
;Si r
d
10R
S


gm
R Z
S
1
//
0
=
i
V
V
V
A
0
=
( )
( )( ) ( ) ( )
( ) | | ( )
S d i S d
S d S d i S d i
i
S d
R r gmV R r gm V
R r gmV R r gmV R r V V gm V
V V Vgs
R r gmVgs V
// // 1
// // //
//
0
0 0 0
0
0
= + =
= =
=
=
( )
( )
S d
S d
i
V
R r gm
R r gm
V
V
A
// 1
//
0
+
= =
Si no hay r
d
r
d
10R
S
S
S
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Compuerta Comn
Impedancia de entrada Z
i
I
V
Z
'
'
=
'
V V Vgs
i
'
= =
;
d
Ir gmVgs I = +
'
gmVgs Ir I
d
=
'
gmVgs
r
R I V
I
d
D

'

'
=
'
| | V gm
r
R I
r
V
I
d
D
d
'

'

'
=
'
(

+
'
=
(

+
'
gm
r
V
r
R
I
d d
D
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
'
1
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
1
1
1
Si r
d
10R
S


gm
Z
i
1
=
'
gm
R Z
S i
1
// =
.
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
Impedancia de salida

d D
r R Z //
0
=
Si rd 10RS
D
R Z =
0
GANANCIA DE VOLTAJE
i
V
V
V
A
0
=
- +
r
d
gm V
GS
R
D
Z
0
Z
i
R
S
G

-S

D

+
-
V
0
V
i
d
i
r
i r
D D
gs i
r
V V
I
V V V
R I V
V V
d
d

=
=
=
=
0
0
0
(

+ =
(

+ =
+ =
(

=
+

=
(

=
= + +
D
d
D
i
d
D
d
D
i
d
D i
D i
d
i
i
d
i
sg
d
i
D
D gs r
gmR
r
R
V
r
R
V
r
R V
gmV
r
R V
R gmV
r
V V
V
gmV
r
V V
gmV
r
V V
I
I gmV I
d
1
0
0
0 0
0
0 0
d
D
d
D
D
i
V
r
R
r
R
gmR
V
V
A
+
+
= =
1
0
Si r
d
10R
D
+
-
+
-
A
v
=gmR
D

MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL
El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los
MOSFETs de tipo decremental da por resultado una misma ecuacin
para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFETs
decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FETs.

La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que V
GS

que puede ser positivo para los dispositivos de canal n y negativo para
los de canal p. El resultado de esto es que gm puede ser mayor que
gm
0.


El rango de r
d
es muy similar al que se encuentra para los JFETs

gm V
GS
G

S

+
-
Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE
18V
110M
10M 150
1.8K
Z
i
Z
0
Datos:
I
DSS
=6mA
V
P
=-3V
Y
OS
=10S

Del anlisis DC:
V
BSQ
=0.35V
I
DQ
=7.6mA


mS
V
I
gm
P
DSS
4
3
6 * 2 2
0
= = =
mS mS gm
V
V
gm gm
P
BSQ
47 . 4
3
35 . 0
1 4
1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
OS
d
100
10
1 1

Anlisis AC:
V
i
1.8K
10M
110M
Z
i
100K
-
+
-
+
-
V
0
G

S

D

4.47*10
-3
V
gs
MO =
M M =
17 . 9
10 // 110
i
i
Z
Z
0 0
0
8 . 1 77 . 1
8 . 1 // 100
Z R k k Z
k k Z
D
= = ~ O =
=
Porque r
d
10R
D
100k 10(1.8k) 1
( )
05 . 8
8 . 1 47 . 4
=
=
=
V
V
D V
A
k mS A
gmR A
MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL
CANAL P
CANAL N
G
fs
gm = ;
os
d
y
r
1
=
gm V
GS
Del anlisis DC: | |
2
th
gs gs D
V V k I =
Como:
gs
D
V
I
gm
A
A
=
| | ( )( ) 0 1 2
2
= =
th
gs gs
th
gs gs
gs
V V k V V k
dV
d
gm ( )
th
gs
Q
gs
V V k gm = 2
1) Configuracin de Retroalimentacin en Drenaje
Z
i
Z
0
V
0
Vi

R
D
R
F
V
DD
C
2
C
1
Z
i
V
i
V
0
Z
0
S

R
D
gm V
GS
+
-

+

I
i
I
i
R
F
G
D

Impedancia de entrada:
i
i
i
I
V
Z =
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ =
( )( ) gmVi I R r V
R r
V
gmV I
i D d
D d
i i
= = //
//
0
0
;
i gs
V V =
( )( )
( ) ( )
( ) | | ( ) | |
D d i D d F i
i D d i D d i F i
F
i i D d i
F
i
i
R r gm V R r R I
gmV R r I R r V R I
R
gmV I R r V
R
V V
I
// 1 //
// //
//
0
+ = +
+ =

=

( )
( )
D d
D d F
i
R r gm
R r R
Z
// 1
//
+
+
=
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D


( )
D d
F
i
R r gm
R
Z
// 1+
=
Si r
d
>> 10R
D

D
F
i
gmR
R
Z
+
=
1
Impedancia de Salida
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
A gmV V V
gs gs
0 0 = . =
Z
0
R
D
R
F
r
d
V
i
=V
p
=0V
D d F
R r R Z // //
0
=
Como: R
F
>> r
d
//R
D

D d
R r Z //
0
=
Y si r
d
>>10R
D
D
R Z =
0
Ganancia de Voltaje
?
0
= =
i
V
V
V
A
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ = ;
i gs
V V =
e
F
i
i
R
V V
I
0

=
(

+ =
(

+ =
+ =

F D d F
i
D d
i
F F
i
D d
i
F
i
R R r
V gm
R
V
R r
V
gmV
R
V
R
V
R r
V
gmV
R
V V
1
//
1 1
//
//
0
0 0
0 0
F D d
F
i
V
R R r
gm
R
V
V
A
1
//
1
1
0
+

= =
Como: gm >> 1/R
F

D F d
V
R R r
gm
A
1 1 1
+ +

=
( )
D d F V
R r R gm A // // =
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D
y r
d
>> 10R
D

D V
gmR A =
2) Configuracin de Divisor de Voltaje
D d
i
R r Z
R R Z
//
//
0
2 1
=
=
; si >>10
d
r
D
R Z =
0
) // (
0
D d
i
V
R r gm
V
V
A = =
; si
>>10
d
r
D V
gmR A =
Z
i
V
i
Z
0
V
0
G

S

r
d
R
D
R
1
R
2
gm
V
GS
+
Z
i
Z
0
R
1
R
2
V
0
C
1
C
S
R
S
DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET
Disee la red de polarizacin fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de R
D
Debido a
que:

0
0 gm gm V V
gs
= =
( )
k r R
r R
mS
r R gm A
d D
d D
d D V
2 //
//
5
10
//
0
=
=

=
mS
V
I
gm
p
DSS
5
4
10 * 2 2
0
= = =
I
DSS
=10mA
V
p
=-4V
y
OS
=20S

V
DD
=30V
Vi
R
D
10M
0.1F
O =
= =
k r
S y
r
d
os
d
50
20
1 1

( )
k
R k
R k
D
D
2
50
50
=
+
k kR
kR k kR
D
D D
100 48
2 100 50
=
=
O = k R
D
08 . 2
( )( )
MO =
O = =
10
2 10 30
i
D D DD DSQ
Z
k mA R I V V
k k R r Z
D d
50 // 2 //
0
= =
O = ~ O = k R k Z
D
2 92 . 1
0
EJERCICICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCIOS
SON AMPLIFICADORES EN
MULTIETAPA LOS CUALES
TIENEN LOS TRES TIPOS DE
TRANSISTORES VISTO EN
CLASE
20V
150k
V
i
8.6M
R
E
1k
Q
1
Q
2
I
D
I
D
Z
i
Z
0
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: I
DSS
=4mA ; V
p
=-5V
Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V

Calcule:
a) Puntos de Operacin,
b) Expresin literal para A
V
, Z
i
, Z
0
c) Evale del literal b
EJEMPLO
Anlisis DC:

Se obtiene:
Q
3
: I
BQ
=92.4A
Q
1
: V
gs1
=-1.44V
Q
2
: V
gs2
=0V

Anlisis AC:
150k
V
i
8.6M
Z
Mi
1k
R
3
R
1
R
E
G

B

S

D

C

E

V
0
Z
M0
I
BQ
gm V
gs1
hie
h
fe
+
-
V
B
Q
1
AV
1
AV
2
Q
1
mv
mA
gm
mv
mA
gm
V
V
V
I
gm
p
gs
p
DSS
6 . 1
5
0
1
5
4
2
2 . 3
4
44 . 1
1
4
10
2
1
2
2
1
=
(

=
=
(

=
(
(

=
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
BQ
279 . 0
4 . 92
26 26

En Q
2
: V
gs2
=0 ; V
s2
=0
V
gs2
=0 ; gmV
gs
=0 Abierto
2
1
0
1
R Z
V
V
A
M
i
B
V
=
~ =
M = 2
0
M
Z
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: k=0.3mA/V
2
; V
TH
=1V ; V
gsq
=8V


Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V ; I
bq
=10A

i
V
i
V
V
V
A
V
V
A
02
1
01
1
=
=
i
Z
0
Z
; ;
R
1
+V
cc
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

B

A

2
2
2
1
1
1
2k

1k

V
01
V
02
Z
i
Z
0
V
g1
=0
V
s1
=0


V
gs1
=0
Q
3
EJEMPLO
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
bq
6 . 2
10
26 26

| |
( )| | mv gm
V V k gm
T gs
2 . 4 1 8 3 . 0 2
2
2
2
= =
=
mv
mA
gm
V
I
gm
V
V
gm gm
p
DSS
p
gs
5
4
0
1
4
10
2
2 1
1
0 0 1
=
(

=
=
(
(

=
V
01
R
1
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

A

2k

1k

V
02
Z
0
B

G
2
D
2
S
2
gmV
gs2

gmV
gs1

C
3
b
3
V
gs1

hie
h
fe
I
b3
e
3
I
b3
R
1
R
2
R
3
V
i
8M

150M

2M

A

B

gmV
gs2
V
gs2

+
-
I
i
I
1
I
2
I
3
V
01
R
4
2k

V
02
C
3
b
3
hie
h
fe
I
b3
e
3
i
A
A i
V
V
V
V
V
V
V
A = =
01 01
1
LCK nodo A

( )
( )
( )
(
(

+ +
+ = +
+ +
+ = +

+ = +
5 3
2 2
2 2
5 3
2
2
3
2
2 2
1
1 1
1
3
R h hie R
V V gm V gm
R
V
R
V
R h hie
V
R
V
V V gm
R
V V
I I V gm I
fe
A A i
A
fe
A A
A i
A i
b gs
i
I
b3
R
5
1k

+
-
V
A

(
(

+ + + =
|
|
.
|

\
|
+ gm
R RR R
V gm
R
V
b
A i
2 3
2
2
1 1 1 1
3
RR
b3
2
2 3
2
2
1 1 1
1
3
gm
R RR R
gm
R
V
V
b
i
A
+ + +
+
=
( )( ) 994 . 0 853 . 1
1 1 1
1
1
3
3
1
2
2 3
2
2
4
=
+ + +
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
RR
gm
R R
gm
R
RR
R h
A
853 . 1
1
=
V
A
( )
( )
( )
( )
( )
853 . 1
01
3 3 3
3
01
3 3
3
01
4 4
4
=

=
=
=
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe
994 . 0 =
i
A
V
V
Evaluando
( )
( )
( )
( )
( )
951 . 0
1 1
1
02
3 3 3
3
02
3 3
3 3
02
5 5
5 5
=
+
=
+
=
=
+ = =
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h R I V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe e
( )
( )( ) 994 . 0 951 . 0
1 1 1
1
1
2
3
3
2
2 3
2
2
5
=
+ + +
+
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
gm
RR R R
gm
R
RR
R h
A
945 . 0
2
=
V
A
Impedancia de Entrada:
i
i
i
Z
V
Z =
LCK nodo B

M M M R
A
R R i
i
VA
i i
VA i i i
i
V
R
V
V
i i A i i
i
A i i
i
i
VA
i
i
A
I
V
R
A
R R
V I
R
A V
R
V
R
V
I
R
V
R
V
R
V
R
V
R
V
I
R
V V
R
V
I
I I I
2
994 . 0
2
1
8
1 1 1
2 2 1
2 2 1
2 1 2 2 1
2 1
2 1
1 1
1 1
2 2 1
2
+
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+ =
+ =
+ = + =

+ =
+ =
| | MO = 8125 . 7
i
Z
Impedancia de Salida:
'
'
0
0
0
Z
V
Z =

cc
CA
I
V
Z
0
0
=
( )
i CA
A
CA
V
i
V V
V
V
A
V
V
853 . 1
0
0 01
1
= = =
3
'
b fe cc
I h I =
( ) ( ) 1
994 . 0
1
994 . 0

5 5
3
+ +
=
+ +

=
fe
i
fe
i A
b
h R hie
V
h R hie
V V
I
;
( )
( )
Evaluando
RR
h
RR
V
h
V
Z
b
fe
b
i
fe
i
994 . 0
853 . 1
994 . 0
853 . 1
3
3
0
=

=
k Z 999 . 1
0
=