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Captulo 5. Transistores de efecto de campo

iD JFET o MOSFET de deplexin Canal n Canal p MOSFET de acumulacin de canal n vGS

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MOSFET de acumulacin de canal p

Figura 5.49. Corriente de drenador en funcin de vGS para varios tipos de FET. iD se referencia como entrante en el drenador en los dispositivos de canal n, y como saliente del drenador en los dispositivos de canal p.

Tabla 5.1. Resumen de dispositivos FET.

Canal n MOSFET de acumulacin MOSFET de deplexin JFET MOSFET de acumulacin Canal p MOSFET de deplexin JFET

Smbolo de circuito

Vto K j Regin de corte Regin hmica Regin de saturacin 1 2

. IDSS/V2 to 1 2

! IDSS/V2 to

1 knCox(W/L) % KP(W/L) 2 ! vGS m Vto iD % 0 vGS n Vto, y 0 m vDS m vGS . Vto

1 kpCox(W/L) % KP(W/L) 2 . vGS n Vto iD % 0 vGS m Vto, y 0 n vDS n vDS . Vto

iD % K[2(vGS . Vto)vDS . v ](1 ! jvDS)

2 DS

iD % K[2vGS . Vto)vDS . v2 DS](1 ! jvDS) vGS m Vto, y vDS m vGS . Vto iD % K(vGS . Vto)2(1 ! jvDS)

vGS n Vto, y vDS n vGS . Vto iD % K(vGS . Vto) (1 ! jvDS)

2

gm (suponiendo gm % 2 KIDQ funcionamiento en saturacin gm % 2KP(W/L)IDQ y j % 0) VTO % Vto KP % knCox L W LAMBDA % j

gm % 2 KIDQ gm % 2 IDSSIDQ 8Vto8 VTO % Vto BETA % K LAMBDA % j

gm % 2 KIDQ gm % 2KP(W/L)IDQ VTO % Vto KP % kpCox L W LAMBDA % 8j8

gm % 2 KIDQ gm % 2 IDSSIDQ 8Vto8 VTO % Vto BETA % K LAMBDA % 8j8

Parmetros de SPICE