Estudio de

semiconductores
 Agenda
Tema uno : Cuáles son las diferencias entre las
fuentes de tensión y corriente?

Tema dos:Cuál ha sido la evolución de los

semiconductores y su importancia en la
Electrónica?

Tema tres:Clasificación de los diodos.

Tema cuatro:Clasificación de los transistores

Tema cinco:conclusiones de aprendizaje

Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 2

 • El análisis de las propiedades químicas y físicas de los materiales semiconductores y de
sus amplias aplicaciones en la realización técnica de equipos eléctricos, nos muestran
uno de los desarrollos científico – tecnológicos de mayor influencia sobre la sociedad

Introducción
actual.

• Contextualizando la magnitud de este desarrollo, tomemos como ejemplo los

transistores, quienes son la aplicación electrónica más importante de los
semiconductores. Cualquier persona del mundo se encuentra todos los días con
millones de transistores. Están en el televisor, en los equipos de música, en las
lavadoras, relojes, celulares, teléfonos, etc.

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Tema uno
Diferencias entre las fuentes de tensión y
corriente

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• Una fuente de voltaje ideal tiene un voltaje constante y la corriente de salida dependerá de la
resistencia de lo que esté conectado. Una fuente de corriente ideal tiene una corriente de
salida constante. Entonces, el voltaje de salida cambiará para que obtenga esa corriente con la
resistencia conectada.

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Tema dos
Cuál ha sido la evolución de los
semiconductores y su importancia en la
Electrónica?

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El chip es el "alimento" de la industria, la industria básica básica que apoya el desarrollo de toda la sociedad y el desarrollo
económico, y el elemento vital de la economía nacional. Como la "CPU" de la energía de Internet de las cosas, los
semiconductores de energía son puentes entre el control de corriente débil y la operación de alta potencia, permitiendo la
transmisión, conversión y control de energía. Los semiconductores de potencia tienen estructuras, mecanismos y procesos
de fabricación únicos que incorporan más y más procesos de fabricación microelectrónicos que difieren de los chips de
circuitos integrados que encontramos en nuestra vida diaria.

Los dispositivos semiconductores de potencia son inseparables del soporte de los materiales. Los materiales
semiconductores han experimentado tres generaciones desde la década de 1940: la primera generación son
semiconductores elementales, los materiales principales son germanio (Ge), silicio (Si); la segunda generación son
semiconductores compuestos, el material principal es arseniuro de galio (GaAs) sulfuro de estaño (InP); la tercera
generación es un semiconductor de banda ancha, los materiales principales son carburo de silicio (SiC), nitrurado (GaN),
que tiene un intervalo de banda más amplio, un campo eléctrico de ruptura crítica más alto y mayor conductividad térmica
lo hace ideal para alta presión, Aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia. Los semiconductores compuestos de
segunda generación se utilizan principalmente en radiofrecuencia de microondas, y los materiales utilizados en los
semiconductores de alta potencia son principalmente la primera generación y la tercera generación.

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Desde la invención de los dispositivos semiconductores de potencia en los Estados Unidos en la década de 1940, la
evolución tecnológica también ha pasado por tres generaciones: la primera generación incluye colectores, diodos de silicio
y tiristores, representados por tiristores a base de silicio. La característica principal es el semi-control, que solo puede
controlar la conducción. La segunda generación se basa principalmente en materiales de silicio, incluidos MOSFET, GTO,
IGBT e IGCT. La característica principal es que no solo puede controlar el encendido, sino que también tiene la capacidad
de apagarse de forma autónoma, lo que puede permitir una conmutación libre y una frecuencia más alta. La tercera
generación de semiconductores, principalmente materiales de banda ancha, incluidos los materiales de SiC, GaN, etc.
Aunque los materiales y dispositivos de SiC comenzaron a estudiarse en la década de 1980, el desarrollo realmente rápido
aún es posterior a 2000, aunque hay productos SiC SBD y MOSFET, pero la tecnología aún no está madura.

En la actualidad, la corriente principal, los dispositivos semiconductores más utilizados, uno es el tiristor, que puede
generar una potencia mayor, pero la frecuencia es relativamente baja, se utiliza principalmente para la transmisión de CC y
la fuente de alimentación de baja frecuencia de alta potencia; el segundo es IGCT, que es GTO y puerta El circuito de
accionamiento está integrado de manera de baja sensibilidad, lo que puede mejorar el rendimiento de
apagado. Actualmente, el dispositivo se usa principalmente para motores de alta potencia, incluidos motores de barcos,
energía eólica marina, etc. El tercero es IGBT, que ha superado el cuello de botella técnico desde la década de 1990. La
industrialización y la aplicación a gran escala se han realizado. En la actualidad, los IGBT de alta potencia pueden alcanzar
hasta 6500 V, y sus métodos de aplicación son amplios, incluido el tránsito ferroviario, la generación de energía
fotovoltaica, la electrónica automotriz, etc., que son los dispositivos de conmutación convencionales actuales.

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Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 9
Tema tres
Clasificación de los diodos.
Tipos de diodos,

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¿Qué son los diodos?
El diodo es un semiconductor cuya principal función es dejar pasar la corriente solo en una dirección, es decir, en un solo sentido y bloquear la
corriente en el otro sentido. De esta manera, el diodo se encuentra formado químicamente por una unión llamada PN y, generalmente, estos son
fabricados con metal compuesto de Silicio.

Se usa el Silicio con el objetivo de hacerlo un elemento activo, lo cual, para lograr eso, deberá doparse. Es decir, se añadirán impurezas a los materiales
de fabricación del diodo y es aquí donde ocurre la unión tipo PN.
En un material tipo P encontramos escasez de electrones. También estará presente un material tipo N que tiene un exceso de ellos. Teniendo en cuenta
que esos elementos tienen faltantes, ambos se unen para generar un comportamiento electrónico.

Los diodos se clasifican en las siguientes categorías

• Detector o de baja señal
• Rectificador
• Zener
• Varactor
• Emisor de luz
• Láser
• Estabilizador
• Túnel
• Pin
• Back Ward
• Schottky
• Fotodiodos.

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¿Cómo distinguir un diodo gráficamente?
En general, el diodo se representa de la siguiente manera:
De lado izquierdo se encuentra la entrada positiva llamado ánodo y de lado derecho se encuentra la salida negativa llamada cátodo, obsérvalo en la
siguiente imagen.

Tipos de diodos, características y su símbolos

Ahora que ya conoces la definición, te contaremos sobre las características de los diferentes tipos de diodos que existen en el mercado.
1. Diodo Rectificador 2. Diodo Zener 3. Diodo Túnel o Esaki 4. Diodo Schottky 5. Diodo Vericap

6. Fotodiodo 7. Diodo LED

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Tema cuatro
Clasificación de los transistores

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Transistor de contacto puntual: Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor
capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que
se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil
(un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 14

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de material
semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las
de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos
uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de
electrones, como el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o «huecos») se logran
contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la región de la
base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre
ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de
tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 15

Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se
producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el
surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de
entrada.
• Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
• Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
• Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y
está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

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Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
•Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
•Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminación).

Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 17

 En conclusión, este tipo de fuentes son ideales para usarse en circuitos
muy pequeños con alimentación dependiente, para alarmas por ejemplo,
las cuales deben estar encendidas las 24 horas y adicionalmente requieren

conclucion ocupar pequeños espacios para que no sean tan visibles. Personalmente
recomendamos tanto por tamaño, precio y comportamiento eléctrico, la
fuente basada en un puente rectificador, por supuesto, usando un circuito
integrado para el puente de diodos; pero si necesitan algo supremamente
pequeño dentro de las posibilidades el circuito resistivo es la siguiente
opción a tener en cuenta, sugerimos la que tiene protección.

Martes, 2 de febrero de 20XX Ejemplo de Texto de pie de página 18

Gracias
Luis Felipe Cobo Canal

lfcobo0405@gmail.com

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