La unión P-N

Ing. Alex Yanqui Constancio

 La unión P-N

La unión P-N en equilibrio

- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 La unión P-N

Polarización de la unión P-N:

Polarizar un dispositivo o componente electrónico

es aplicar un campo eléctrico o una diferencia de
potencial entre sus terminales.

Generalmente la diferencia de potencial aplicada es

corriente directa (DC).
 La unión P-N
La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

- +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay

circulación de corriente.
 La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

+ -

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.
 La unión P-N

La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unión.
 La unión P-N

Conclusiones:

➢Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente.

➢Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación

de corriente eléctrica.

P N

DIODO SEMICONDUCTOR
 Diodos rectificadores
Son un grupo importante de diodos semiconductores, se
conocen también como diodos de propósito general. Su
funcionamiento se explica por medio de una curva V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batería Fuente
Corriente
 Diodos rectificadores
Curva V-I característica de los diodos

iD [mA]
 VKDTq 
I D = I S   e − 1
 
VD [Volt.]
IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman (1.38x10-23J/K)
VD = Voltaje diodo
q = carga del electrón
T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 Diodos rectificadores
Curva V-I característica para el Silicio y el Germanio
i [mA]
1

Ge: mejor en conducción Ge Si

Si: mejor en bloqueo

V [Volt.]

-0.25 0
0.25 0.5

i [A] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 -0.5 0

Si
Ge
-0.8 -10
 Diodos rectificadores
Diodo ideal
Polarización Directa:
El ánodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje y el cátodo se
conecta al negativo, con esta configuración el diodo actúa como un
interruptor cerrado. Una consideración importante dentro de esta
configuración es que el diodo provoca una caída de voltaje de 0.6 a 0.7v.
 Diodos rectificadores
Diodo ideal
Polarización Inversa:
El ánodo se conecta al negativo de la fuente de voltaje y el cátodo al
positivo, en esta configuración la resistencia del diodo aumenta en
grandes cantidades y esto hace que actué como un interruptor abierto.
 Diodos rectificadores
Aproximaciones del diodo

Diodo ideal

Ideal

V
 Diodos rectificadores
Aproximaciones del diodo

Potencial de barrera

V
Sólo Voltaje
de codo
Ge = 0.2
Si = 0.6
 Diodos rectificadores
Aproximaciones del diodo

Modelo completo

V
voltaje de codo y
Resistencia directa
 Diodos rectificadores
Aproximaciones del diodo

Modelo completo Vs curva real

I I
Curva real
(simuladores,
análisis gráfico)

V V
voltaje de codo y
Resistencia directa
 Diodos rectificadores
Restricciones de los diodos
Corriente máxima
I
Voltaje inverso
Límite térmico,
máximo
sección del conductor
Ruptura de la Unión
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 Diodos rectificadores
Parámetros encontrados en hojas de fabricante
id

IOmax

VR
VR = 1000V Voltaje inverso máximo
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de voltaje directa
iS Vd
IR = 50 nA Corriente inversa

VR = 100V Voltaje inverso máximo

IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de voltaje directa
IR = 25 nA Corriente inversa