DISPOSITIVOS UNIPOLARES

EL J-FET Y EL MESFET

Árbol de la familia de los transistores de efecto de campo.

Multicanal
JFET
Ranurado en V
Difuso
GaAs JFET De crecimiento
De heterounion
Si MESFET
De una compuerta
FET MESFET GaAs MESFET De doble compuerta
De estructura interdigital

InP MESFET

MESFET de Heteroestructura

Si MOSFET
DIMOS, VMOS, SOS, SOI
MOSFET
GaAs MOSFET
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EL J-FET Y EL MESFET

Características Básicas.

Modelo Schockley de una unión

del transistor de efecto de campo
Curva característica básica I-V del JFET. Se
muestra las regiones lineal, de saturación y de
ruptura. Vp es la tensión de Pinch-Off. Para
una tensión dada VG, la corriente y la tensión
a partir de la cual se genera la saturación se
describen como:
Curva característica de transferencia de IDSAT y VDSAT.
un JFET de canal largo para dos
específicas distribuciones de carga. Se
ha agregado un corte transversal de la
parte superior de un JFET. Y1 es la
anchura de la región de vaciamiento y
Y2 describe los terminales de fuente y
drenaje
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EL J-FET Y EL MESFET

La Distribución De Carga Arbitraria

Ecuaciones del efecto de campo para una distribución de carga específica en una estructura rectangular de un
JFET de tipo reflexión.

Factor de multiplicación para una distribución específica

Parametros
Factor comun A: todas las cargas para y=2a B: uniforme
C: todas las cargas para y=0
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EL J-FET Y EL MESFET

El Fet En Modo De Enriquecimiento

Tipo

Modo Tipo n Tipo p

Normalmente
ON

Normalmente
OFF

Símbolo un JFET y MESFET tipo n y tipo p

normalmente ON y normalmente OFF

Comparación de las curvas características I-V, a- MESFET

Normalmente ON, b- MESFET Normalmente OFF.
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Movilidad Dependiente Del Campo

Velocidad de arrastre en función del campo

eléctrico para Si, GaAs y InP.

Aproximaciones de las curvas de

velocidad del campo
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Movilidad Dependiente Del Campo

Gráficos de la corriente de drenaje normada en función de la tensión de drenaje con la tensión de compuerta
como parámetro para (a) el caso de movilidad constante, (b) movilidad dependiente del campo z=3.
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El Modelo De Dos Regiones

La Región I muestra constante movilidad y la región II muestra velocidad

saturada. La velocidad inicia la saturación para la anchura de la región de
vaciamiento YC.
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El Modelo De La Velocidad Saturada

Característica de transferencia de diferentes distribuciones de carga

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El Modelo De La Velocidad Saturada

Perfiles de dopado medidos

Curva característica de
transferencia de FETs dopados
uniformemente y gradualmente
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Comportamiento Bidimensional

Perfil del campo eléctrico y curva característica

corriente-tensión de un MESFET de Si
para diferentes condiciones de polarización de
compuerta y drenaje.
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Comportamiento Bidimensional

Corte transversal del canal, campo eléctrico,

velocidad de arrastre y
distribución de carga espacial en el canal de un
MESFET de GaAs
operando en la región de saturación de corriente.
Incremento pico de la velocidad del electrón al entrar
en la región
de alta intensidad de campo (E>EP) bajo la compuerta
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EL J-FET Y EL MESFET

El Circuito Equivalente De Pequeña Señal.

Circuito equivalente de un MESFET

Origen físico de los elementos del circuito

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Limitaciones De Potencia Y Frecuencia

Frecuencia teórica de corte en función de la longitud

de compuerta para Si, GaAs y InP
Desarrollos de las Salidas de Potencia en
función de la frecuencia para MESFETs de
GaAs
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Comportamiento Al Ruido

Circuito equivalente para el análisis de ruido.

Figura de ruido opcional teórica y experimental en función de

la frecuencia en MESFETS de GaAs con diferentes longitudes y
anchuras de canal