Transistores

Transistores de
de efecto
efecto campo
campo

• Transistor de efecto campo de unión

(JFET)

• Transistor de efecto campo metal-

óxido-semiconductor (MOSFET)

Presentación por José Quiles Hoyo

 Definición
Definición

• El transistor efecto de campo es un dispositivo

semiconductor unipolar en el cuál la corriente
eléctrica es llevada por un solo tipo de portador
de carga (huecos o electrones) y es controlada
por la variación de un campo eléctrico
establecido por la aplicación de un voltaje en la
terminal llamada compuerta.

Presentación por José Quiles Hoyo

 Clasificación
Clasificación de
de los
los FET
FET

• JFET: Transistor efecto de campo de unión.

» nJFET (FET canal n)
» pJFET (FET canal p)

• MOSFET: Transistor efecto de campo metal

óxido semiconductor (de compuerta aislada).
– De enriquecimiento: canal n y canal p
– De empobrecimiento: canal n y canal p

Presentación por José Quiles Hoyo

 Transistor
Transistor Efecto
Efecto de
de Campo
Campo

• Es un dispositivo de tres terminales llamadas:

Fuente o Surtidor (Source) S

Drenaje o Drenador (Drain) D
Compuerta o Puerta (Gate) G

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistores
Transistores de
de efecto
efecto de
de campo
campo de
de unión
unión
(nJFET)
(nJFET)

Contactos óhmicos
Drenador D

Región de agotamiento

p n p Compuerta G

Fuente S

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistor
Transistor de
de efecto
efecto campo
campo de
de unión
unión (JFET)
(JFET)

a) G Puerta
b) G

S p D S n D
n p
p n
Drenador
Fuente

+VDD -VDD

IG IG
D D

G G
VG
VG
S S

Canal n Canal p
Presentación por José Quiles Hoyo
 de
campo de

n p
D
de campo

S ID ID

p VDD
efecto de
de efecto

G
unión
unión

ID IDSS
Al aumentar la tensión entre
Drenador y Fuente VDS, la
Transistores de

intensidad ID aumenta, al tiempo

que se estrecha el canal debido a
Transistores

la polarización inversa de la
unión PN y la ampliación de la
región de agotamiento.
El canal se cierra para VDS = VP;
tensión para la que ID deja de
aumentar.
VP Voltaje de estrechamiento
VDS
Presentación por José Quiles Hoyo
Transistores
Transistores de
de efecto
efecto de
de campo
campo de
de unión
unión
(JFET)
(JFET)

D D
p ID p
S n ID S n ID ID

p VDD p VDD
VGS=0
G G

Manteniendo nula la tensión entre la fuente y G, VGS, al aumentar la

tensión entre Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta, al
tiempo que se estrecha el canal debido a la polarización en inversa de
la unión PN y a la ampliación de la región de agotamiento.

Presentación por José Quiles Hoyo

 Estrechamiento
Estrechamiento del
del canal
canal
D
Para
S n ID p ID
VGS=0
Corriente de saturación, IDSat
p VDD
ID IDSS

Estrechamiento del canal, G

aumento de la resistencia

Al aumentar la tensión entre

Región de comportamiento óhmico
Voltaje de estrechamiento, VP
VP
IDSS = Corriente de saturación Drenaje- Fuente para
VGS=0 Presentación por José Quiles Hoyo
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el canal debido al
incremento en la pol. Inversa de
VDS la unión PN y la ampliación de la
región de agotamiento
El canal se cierra para VDS = VP
 Estrechamiento
Estrechamiento del
del canal
canal
D
Con valores negativos de VGS el S n ID p ID
canal se cierra antes, siendo la
corriente de saturación menor p VDD

IDSS G
ID VGS= 0 V
VGS< 0

IDSat3 Característica de Transferencia

VGS= -1 V
2
 VGS 
IDsat  IDSS 1  
 VP 
IDSat2 VGS= -3 V
IDSat1 VGS= -VP
VPP (para VGS=0) VDS
V
Presentación por José Quiles Hoyo
 Intensidad
Intensidad de
de saturación
saturación IIDS =f(V GS))
D
DS=f(VGS
G

S
Curvas características de salida
ID (mA) IDSS
Curva de
VGS= 0 V
Trasconductancia
2
 V 
IDsat  7,81  GS 
 5  5
VGS= -1 V

VGS= -2 V
VP
1
VGS= -3 V
VGS (V) -5 -4 -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V)
VP = 5 V
VGS= -VP

VP = Vpinch-off = VGS off Voltaje de apagado del canal

Presentación por José Quiles Hoyo
 Parámetros
Parámetros importantes
importantes del
del JFET
JFET

• IDSS = Corriente de saturación Drenaje- Fuente. La corriente a la cual

el canal se estrangula cuando la compuerta esta cortocircuitada.
• VP = Vpinch-off = VGS off Es el voltaje compuerta fuente al cual el canal de
drenaje fuente esta cortado o estrangulado o apagado y no existe
ninguna corriente de drenaje.
• IGSS = Corriente de saturación compuerta – fuente. Es la corriente
de saturación inversa entre la compuerta y fuente y se mide con la
fuente y el drenaje en cortocircuito.
• gm = Transconductancia de transferencia directa de fuente
común. Es una medida de que tanto cambia la corriente de drenaje
debido a un voltaje aplicado entre la compuerta fuente. Mide la
eficiencia de la compuerta para controlar la corriente de drenaje. Se
mide con el drenaje fuente cortocircuitado.

Presentación por José Quiles Hoyo

 metal-
Metal
campo metal-
(MOSFET)
S G D S G D
óxido-semiconductor(MOSFET)
Óxido

Semiconductor
n n
efecto campo

n n
p p

Metal
óxido-semiconductor

de enriquecimiento de agotamiento
de efecto

Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de óxido del semiconductor -
por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Posee cuatro electrodos:

•Compuerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la placa metálica.

•Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simétricos, que se internan en el sustrato.
•Sustrato (Body), generalmente conectado eléctricamente con la fuente.
Transistor de

D D D D
Transistor

G sustrato G sustrato G sustrato G sustrato

p n p n

nMOS-FET pMOS-FET nMOS-FET pMOS-FET

S S S S
de enriquecimiento de enriquecimiento de agotamiento de agotamiento

Presentación por José Quiles Hoyo

MOSFET
MOSFET de
de enriquecimiento
enriquecimiento nn D

G sustrato
p

G S

Contactos metálicos

S SiO2
D

n n

Presentación por José Quiles Hoyo

 MOSFET
MOSFET de
de enriquecimiento
enriquecimiento

• Se comporta como un interruptor normalmente abierto, es decir, para

una polarización de compuerta nula no hay conducción entre drenaje
fuente, ya que no cuenta con un canal físicamente construido.
• La compuerta de estos transistores debe polarizarse de tal manera que
favorezca la atracción de los portadores necesarios para la
construcción del canal.
• La aplicación del voltaje adecuado en la compuerta repelerá a los
portadores mayoritarios a la región del sustrato bajo la compuerta
dejando una región de agotamiento.
• La aplicación del una polarización adecuada en la compuerta atraerá a
los portadores minoritarios en la región de agotamiento haciéndolos
actuar como un canal entre drenaje y fuente.
• Se crea el canal debido a la capa de inversión establecida.

Presentación por José Quiles Hoyo

Formación
Formación del
del canal
canal en
en el
el MOSFET
MOSFET de
de D

enriquecimiento
enriquecimiento nn G sustrato
p

VGS>VT e atraídos por la puerta +

-
G Capa de inversión tipo n
ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Región de agotamiento
Presentación por José Quiles Hoyo
Formación
Formación del
del canal
canal en
en el
el MOSFET
MOSFET de
de D

enriquecimiento
enriquecimiento nn G sustrato
p

VGS>VT G
ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Al aumentar VDS, se estrecha el canal, alcanzándose la I de

saturación, IDS
Presentación por José Quiles Hoyo
 En ausencia de canal para VGS = 0, no hay corriente ID. Es necesario un valor
mínimo de voltaje umbral VT positivo de VGS para que se forme el canal.
Aumentando VGS aumenta el valor de la corriente de saturación

+ VG + VG + VDS=VDsat
Característica MOSFET de

+ VD + VDS
enriquecimiento de canal n

G G D G D
S D S S
+ + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
- - - - - - - - -
n+ -- -- -- -- -- -- -- -- -
n+ n+ n+ n+ n+
p p p

ID (mA) ID (mA)
VGS= 7 V

ID Sat  K (VGS  VT )2
VGS= 6 V

VT VGS= 5 V
VGS= 4 V

1 2 3 4 5 6 7 8 VGS= VT VDS
Presentación
V (V) por José Quiles Hoyo
GS
MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn
D

G sustrato
p

S
D

n n n

Presentación por José Quiles Hoyo

 MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento

• Se comporta como un interruptor normalmente cerrado o en

conducción
• Presentan un canal normalmente cerrado tal que en condiciones de
polarización de compuerta nula VGS = 0 existe un delgado canal debajo
que establece un camino conductivo entre drenaje y fuente.
• Cuando la compuerta se polariza de tal manera que los portadores
mayoritarios del canal sean rechazados provoca una zona desierta de
portadores de carga que angosta o estrecha el canal. La conducción
puede cortarse por completo para una polarización de suficiente
magnitud.
• Con una polarización de compuerta adecuada pueden inducirse
portadores de carga adicionales en el canal y aumentar su área
conductiva.

Presentación por José Quiles Hoyo

MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn
D

G sustrato
p

VGS = 0 G
ID
S
D
- - - - - - - - -n
--------
n n
VDS
p

Con VGS=0 ya existe canal y los e- del canal son

atraídos porPresentación
D por José Quiles Hoyo
MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn
D

G sustrato
p

VGS < 0 G-
ID
S ——————
D

n - -- -- -- -- -- -- -n- - - - - - - n
- - - - - -
+ + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ + + +
VDS
p

Con VGS<0, los e- del canal son repelidos hacia la zona p,

recombinándose con huecos. La corriente de saturación
disminuye. Presentación por José Quiles Hoyo
 agotamiento
deagotamiento
- VG + VDS=VDsat
+ VDS D
G G D
S D S
- - - - - - - G sustrato
- - - - - - - - - p
n+ n n+ n+
- - - - - - - - -
n+
p p S
MOSFETde
canalnn
CaracterísticaMOSFET
de canal

ID (mA) ID (mA)
2 VGS= 1 V
 VGS 
ID  IDSS 1  
 Vp  10 10
de

 
IDSS
 V 
2 VGS= 0 V
Característica

ID  81  GS 
 4 
5 5
VGS= -1 V
VP
VGS= -2 V
VGS= -3 V
-4 -3 -2 -1 0 1 VGS (V) 5 10 15 VDS (V)
Presentación por José Quiles Hoyo
 Del
Del vacío
vacío al
al CMOS
CMOS

1950: Abandono de las válvulas de vacío y sustitución

por transistores individuales

1960: Circuitos integrados en sustrato de silicio

1980: Transistores de efecto campo

1993: Tecnología CMOS

Presentación por José Quiles Hoyo

Aplicaciones:
Aplicaciones: circuitos
circuitos lógicos
lógicos
tecnología
tecnología CMOS
CMOS

Inversor (NOT)
Presentación por José Quiles Hoyo
 Aplicaciones:
Aplicaciones: memorias
memorias RAM
RAM

DRAM BIT
Se almacena un “1” en la celda cargando el
D condensador mediante una VG en fila y VD en bit
G
La lectura se hace aplicando VG en fila y midiendo la
S corriente en la línea bit

La lectura es un proceso destructivo. Hay que

FILA restaurar el valor leído

SRAM

Presentación por José Quiles Hoyo

Aplicaciones:
Aplicaciones: memorias
memorias ROM
ROM

EPROM

MOSFET ROM

Presentación por José Quiles Hoyo