COMPORTAMIENTO

ELÉCTRICO DE LA UNIÓN
PN
Subtema 2.2
 Por medio de diagramas de bandas de
energía

Se analiza en tres momentos:

a) En condiciones de equilibrio Vext = 0

b) En polarización inversa Vext < 0
c) En polarización directa Vext > 0
 Ecuación Característica
  𝒆𝑽
𝑰=𝑰𝒐 𝒆 ( 𝒎𝑲𝑻
−1 )
 = <corriente que circula por la unión PN  

 = Corrriente de saturación inversa

 = carga del electrón

  = Voltaje aplicado
 
Ejemplo: Se tienen una unión PN de Silicio la cual presenta una corriente de portadores minoritarios
de 0.1 a temperatura ambiente y con una constante de fabricación de 2 para el SI. Obtener su curva
característica considerando los voltajes siguientes: en polarización directa 0.3, 0.6, 0.8 y 1 V. En
polarización inversa 10, 20 y 30 V.

−𝟏𝟗
  𝟏. 𝟔 𝑿 𝟏𝟎 𝑽
  (
𝑰=𝑰 𝒐 𝒆
𝒆𝑽
𝒎𝑲𝑻
−1 ) 𝑰 =0 .1 𝑋 10
−6
(𝒆 𝒎𝑲𝑻
−1 )

Polarización Voltaje (V) Corriente (A)

0.3 3.83 X 10-5
0.6 1.084 X 10-2
Directa
0.8 5.72 X 10-1
1 24.66
-10 - 1 X 10-7
Inversa
-20 - 1 X 10-7
-30 - 1 X 10-7
FENÓMENOS DE
RUPTURA
Subtema 2.3
  Laecuación característica de de la unión no predice lo que sucede para un
determinado voltaje de polarización en inversa en el cual la corriente crece
bruscamente alcanzando valores críticos. Este comportamiento ha sido
identificado como fenómeno de ruptura.

Región de
Polarización en
Directa

Región de Ruptura Región de

Polarización
en Inversa
 Fenómenos de ruptura

■ Ruptura por multiplicación o Avalancha

■ Ruptura Zener
La ruptura de la unión PN por multiplicación o avalancha es
provocado por la creación en cadena de pares electrón – hueco bajo
condiciones de un campo eléctrico intenso. El fenómeno consiste en
que portadores de alta energía cinética ionizan por impacto átomos
neutros dentro de la zona de vaciamiento, pudiendo los nuevos
portadores así liberados adquirir suficiente energía e ionizar de la
misma forma otros átomos, obteniéndose un efecto de
multiplicación en los portadores de carga y aumentando la corriente
en la unión.
 Paraque el fenómeno por multiplicación o avalancha se presente es necesario que
tanto los electrones como los huecos alcancen suficiente energía para ionizar átomos
neutros por impacto en una distancia del orden del camino libre medio de los
portadores, es decir el campo eléctrico debe cumplir la condición siguiente:
 

 
donde:
 Campo eléctrico critico en la unión PN
 Camino libre medio de los portadores o camino que recorre un portador entre
dos colisiones.
 Ancho de la banda prohibida o energía mínima necesaria para generar un par
electrón –hueco.
 carga del electrón
  Obtención del voltaje de ruptura para una unión PN abrupta
 
De la condición anterior despejamos
 
 

 
 Utilizando la ecuación del campo eléctrico para la unión:
 

Donde:
 

 
 Sustituyendo
 

 
 
Despejando el
 
 

 
 
De la expresión anterior podemos deducir que:

 
 El voltaje de ruptura es mayor a medida que el ancho de banda
prohibida es mayor. Por ejemplo, para las mismas concentraciones
de impurezas las uniones de silicio tienen un voltaje de ruptura
mayor que las uniones de germanio.

 El voltaje de ruptura de una unión PN puede controlarse en el

momento de fabricar la unión, dosificando adecuadamente la
cantidad de impurezas en cada una de las regiones
semiconductoras.
 Se tiene una unión PN de Silicio. El lado N tiene una concentración de impurezas donadoras de 7 X 10 15 cm-3
mientras que el lado P tiene una concentración de impurezas aceptoras de 10 16 cm-3 . Calcular el voltaje de ruptura
de la unión PN considerando un campo eléctrico crítico de 4 x 10 5 V/cm.

  𝐸𝑔
𝑙=
𝑒 𝐸 𝑐𝑟 í 𝑡𝑖𝑐𝑜

  1.12 × 1.6 × 10− 19

𝑙=
¿¿¿

 
 

 
 

𝑉
  𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎 =− 128.27 𝑉