Campos Electromagnéticos en

Sistemas Electrónicos

ELEL-174
Semestre 01 - 2015
IEE - UACH

Gustavo Schleyer Daza

 Campos Electromagnéticos en
Dispositivos y Circuitos Simples

 • Una aplicación importante del análisis del campo electromagnético es a componentes

electrónicos simples tales como resistores, capacitores e inductores. A frecuencias altas
cada uno de éstos presenta características de los otros. Tales estructuras pueden ser
analizadas en términos de:

1. Comportamiento estático: para el cual podemos fijar en las ecuaciones de Maxwell.

2. Comportamiento cuasiestático: para el cual no es despreciable, pero no
consideramos términos del orden .
3. Comportamiento dinámico: para el cual términos del orden también son
despreciables.

• Debido a que la mayoría de estos dispositivos tienen geometrías planas o cilíndricas, sus
campos y comportamientos son generalmente fáciles de entender. Esta comprensión
puede extrapolarse a dispositivos más complejos.

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 Campos Electromagnéticos en
Dispositivos y Circuitos Simples

• Todos los elementos físicos exhiben grados variados de resistencia, capacitancia e

inductancia; dependiendo de la frecuencia. Esto sucede debido a que:

1. Esencialmente todos los materiales conductores exhiben alguna resistencia.

2. Todas las corrientes generan campos magnéticos y por lo tanto contribuyen en alguna
medida de inductancia.

3. Todas las diferencias de voltaje generan campos eléctricos y por lo tanto contribuyen
en alguna medida de capacitancia.

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 Resistores
• Los resistores son dispositivos pasivos, lineales, de 2 terminales y caracterizados por
su resistencia R [ohms].

• El resistor mostrado en la figura está compuesto por dos placas conductoras perfectas
paralelas, entre las cuales se ha colocado un medio de conductividad σ, permitividad
ε, permeabilidad μ y grosor d. Las dos placas y el medio tienen una sección transversal
A[m2] en el plano x-y. Asumamos que un voltaje estático existe alrededor del resistor
R, y que la corriente I fluye a través de éste.

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 Resistores

 • Las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico de cualquier placa

conductora perfecta sea perpendicular a ésta , y la ley de Faraday requiere que la
integral de línea de desde una placa iso-potencial a la otra debe igualar al voltaje v
independientemente de la ruta de integración. Debido a que la conductividad σ
[Siemens/m] es uniforme dentro de las paredes paralelas a , estas restricciones son
satisfechas por un campo eléctrico estático uniforme en todos lados dentro del medio
conductor. Por lo tanto:


0
E   dz  E d  v
z 0

•  Donde

 • Este campo eléctrico dentro del medio conductor induce una densidad de corriente ,
donde:
 A
J  E  2 
m 
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 Resistores
• La corriente total i fluyendo por el resistor es:

i   E0 A  v A / d
 • Pero , y por lo tanto, la resistencia estática de un resistor simple en el plano es:

v d
R   ohms 
i A

 • La potencia instantánea p [W] disipada en un resistor es , y el promedio de la potencia

disipada en el tiempo en un estado sinusoidal permanente es watts.
Alternativamente, la densidad de potencia instantánea local puede integrarse sobre el
volumen del resistor para obtener la potencia instantánea disipada total:

 Av 2 v 2  
2
p   E  J dv   E   E dv   E Ad   W
V V d R
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 Resistores

•  Corrientes de superficie residen en las placas donde el campo eléctrico es

perpendicular al conductor perfecto. La condición de borde sugiere que la densidad
de carga de superficie en la cara adyacente al medio conductor de la placa positiva es:

C 
 s   E0  2 
m 

 • La carga estática total Q en la placa positiva del resistor es coulombs. Una densidad
de carga de superficie de igual magnitud pero negativa reside en la otra placa del
resistor.

• La carga total almacenada , donde C es la capacitancia del dispositivo.

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 Resistores

•  Las corrientes estáticas y voltajes en este resistor producirán campos fuera del resistor,
pero éstos no producirán corrientes o voltajes adicionales en los terminales y no son
de preocupación inmediata aquí.

• Similarmente, y no afectan el valor estático de R. A frecuencias más altas, sin

embargo, la resistencia R varía y aparece una capacitancia y una inductancia.

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 Capacitores

• Los capacitores son dispositivos lineales pasivos de dos terminales que almacenan
carga Q y están caracterizados por su capacitancia C. Lo anterior se define mediante:

Q  Cv  Coulombs 

• Donde v(t) es el voltaje en el capacitor. Es decir, un volt estático alrededor de un

capacitor de 1 Faradio almacena 1 Coulomb en cada terminal. Esto define a un Faradio
como a 1 Coulomb por Volt.

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 Capacitores

•  La estructura resistiva mostrada en la figura se convierte en un capacitor a frecuencias

bajas si la conductividad del medio .

• Aunque algunos capacitores están llenos de aire con , usualmente se usan rellenos
dieléctricos con permitividad .

• Valores típicos para la constante dieléctrica usados en capacitores son .

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 Capacitores

•  En todos los casos las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico sea
perpendicular a las placas conductoras perfectas, es decir, debe estar en la dirección ,
y la ley de Faraday requiere que cualquier integral de línea de desde una placa iso-
potencial a la otra, debe igualar al voltaje v en el capacitor. Estas restricciones son
satisfechas por un campo eléctrico estático dentro del medio que separa a las placas,
el cual es uniforme y libre de cargas.

• Despreciaremos temporalmente los efectos de todos los campos producidos afuera

del capacitor si su separación entre placas d es pequeña en comparación con su
diámetro, una configuración común. Por lo tanto, . La densidad de carga superficial en
la cara adyacente al medio conductor de la placa positiva es , y el total de carga
estática Q en la placa positiva con área A es:

Q  A s  A E0  A v / d  Cv  C 

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 Capacitores

• Por lo tanto, para un capacitor de placas paralelas:

C   A / d  Faradios 

•  La densidad de energía eléctrica instantánea entre las placas del capacitor está dada
por el teorema de Poynting:
2
 E  J 
We 
2  m3 

 • La energía eléctrica total almacenada en un capacitor es la integral sobre el volumen

Ad del dieléctrico:

we    E
V
 2

2 dv=  Ad E
2
2 =  Av 2 2d = Cv 2 2  J 

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 Capacitores

•  La expresión correspondiente para el promedio en el tiempo de la energía

almacenada en un capacitor en estado sinusoidal estacionario es:

4  J
2
we  C V

• Podemos analizar otras geometrías de capacitor, tales como el capacitor cilíndrico

ilustrado en la figura. El radio interno es a, el radio externo es b, y la longitud D; su
interior tiene permitividad .

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 Capacitores

•  El campo eléctrico debe tener divergencia y rotacional cero en la región libre de carga
entre los dos cilindros, y debe ser perpendicular a los cilindros internos y externos en
sus paredes conductoras perfectas. La solución puede ser cilíndricamente simétrica e
independiente de (el ángulo fasorial). Un campo eléctrico puramente radial tiene las
siguientes propiedades:

E  r   rE

0 r

• El potencial eléctrico es la integral del campo eléctrico, así que la diferencia de

potencial v entre el conductor externo e interno es:

b
E0 b  
v   a  b  
b
dr  E0 ln r a  E0 ln   V
a
r a

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 Capacitores

•  Este voltaje en el capacitor produce una densidad de superficie de carga en los

conductores internos y externos, donde . Si , entonces el cilindro interno está
positivamente cargado, el cilindro externo está negativamente cargado, y es positivo.
La carga total Q en el cilindro interno es:

Q   s 2 aD   E0 2 D   v 2 D ln  b a    Cv  C 

• Por lo tanto, la capacitancia de este capacitor cilíndrico puede calcularse mediante:

 2 D  
C F
ln  b a 

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 Inductores Solenoidales

• Podemos calcular la intensidad de campo magnético en el solenoide de placas

paralelas mediante la ley de Ampere:

 H  d s  i  t   H 0W
C2

H  yH 0  y i  t  W  A m  entre las placas

•  y en otro lado.

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 Inductores Solenoidales
• El voltaje v(t) a través de los terminales del inductor mostrado en la figura puede
calcularse con la ayuda de la forma integral de la ley de Faraday, obteniéndose
finalmente:
 Dd di  t  di  t 
v t  L
W dt dt
 • Donde se define la inductancia L [Henrios] de cualquier inductor. Por lo tanto, L1 para
un lazo de corriente de una vuelta teniendo una longitud y área es:
 Dd  A  
L1   H Inductor de una Vuelta
W W

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 Inductores Solenoidales

• Debido a que asumimos que campos magnéticos en el borde pueden ser despreciados
porque W>>d, grandes inductores de una vuelta requieren estructuras muy grandes.
El enfoque estándar para incrementar la inductancia L en un volumen limitado es usar
vueltas múltiples, tal como se aprecia en la figura.

 • La bobina de N vueltas de la figura, duplica el flujo de corriente en las geometrías

vistas en las diapositivas anteriores, pero con N veces la intensidad por la misma
corriente de terminal i(t), y por lo tanto el campo magnético y el flujo también son N
veces más intensos que antes.
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 Inductores Solenoidales

 • Al mismo tiempo, el voltaje inducido en cada vuelta es proporcional al flujo a través

de ésta, que ahora es N veces mayor que para una bobina de una vuelta , y el voltaje
total a través del inductor es la suma de los voltajes a través de las N vueltas.

• Por lo tanto, siempre y cuando W>>d, el voltaje total a través de un inductor de N

vueltas es veces el valor correspondiente a una vuelta, y la inductancia de una bobina
de N vueltas es también veces mayor que para una bobina de una vuelta.

di  t  di  t 
v  t   LN  N L1
2

dt dt

A  
LN  N 2 H Inductor Solenoidal de N Vueltas
W

 • Donde A es el área de la bobina y W es su longitud; .

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 Inductores Solenoidales

 • La ecuación anterior también se aplica a bobinas cilíndricas con W>>d, la cual es la

forma más común de inductor. Para conseguir valores grandes de N, las vueltas de
cable pueden ser enrolladas encima de otras con pocos efectos adversos.

• Las expresiones anteriores también pueden simplificarse mediante la definición del

enlace de flujo magnético como el flujo magnético enlazado por N vueltas de la
corriente i, donde:

  N m  N  Ni  A / W    N 2  A / W  i  Li Enlace de Flujo

 • Esta ecuación es el dual de la expresión para capacitores. Además, el voltaje v a

través de N vueltas de una bobina es:

di d 
vL 
dt dt
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