Electronica Potencia Semiconductores

Repaso Semiconductores I :
Bandas de energía:
Contenido
• Naturaleza del átomo.
• Naturaleza del fotón de luz.
• Niveles de energía.
• Mecánica ondulatoria.
• Principio de exclusión de Pauli.
• Estructura electrónica de los elementos.
• Teoría de las bandas de energía.
• Aislantes, semiconductores y metales.
Naturaleza del Átomo
Modelos Atómicos
Modelo de Dalton
Modelo de Thompson
Modelo de Rutherford
Modelo de Böhr
Modelo de Schrödinger
Modelo de Dalton
El modelo de Dalton considera a los átomos como pequeñas

esferas extremadamente pequeñas, considerando que todos los
átomos de un mismo elemento tienen igual tamaño, masa y
propiedades químicas. Que estos átomos no se pueden dividir. Y
que pueden combinarse en diferentes proporciones para formar
compuestos.
Inconvenientes
H
O Este modelo no explica
fenómenos como la ionización
al no considerar la existencia
de partículas como neutrones,
protones o electrones.
Modelo de Thompson
El modelo de Thompson considera a los átomos como una nube

de carga positiva en cuyo interior se encuentran incrustadas los
electrones, partículas de carga negativa. Este modelo permitió
explicar el fenómeno de la ionización
e- e-
Inconvenientes
e-
+
e- Este modelo no explica presencia de
e -
radiaciones.
e-
Modelo de Rutherford
El modelo de Rutherford considera a los átomos como un

modelo planetario donde existe un núcleo formado por neutrones
sin carga y protones de carga positiva orbitados por electrones
de carga negativa.
e-
Inconvenientes
e -
pn- -
np Este modelo no cumple las leyes de
Maxwell. Una partícula como el
electrón, orbitando un núcleo debería
irradiar energía en forma de un campo
magnético, disminuyendo su energía
hasta caer al núcleo. No explica
espectros atómicos.
•
Efecto Fotoeléctrico
Una importante observación hecha por Planck es que la radiación de
un cuerpo calentado se emite en unidades discretas de energía,
llamados cuantos. Estas unidades de energía estaban descritas por
hv, donde v es la frecuencia de la radiación y h es la constante de
Planck.
• Einstein interpretó los resultados de un importante experimento que
demuestra claramente la naturaleza discreta (cuantización) de la luz.
Una placa de metal con carga electrostática libera electrones al ser irradiada con luz de
determinada frecuencia.
Al graficar la máxima energía cinética de los electrones expulsados vs.

La frecuencia de la luz irradiada se obtiene una línea recta.
Efecto Fotoeléctrico y naturaleza
del fotón
• Einstein propone la existencia de cuantos de luz o fotones, que se
propagan como ondas pero interactúan con la materia como partículas.
Así se explica que los electrones del metal, absorben al cuanto de luz
y, luego, son expulsados del metal.
• La energía cinética de un fotón E esta relacionada con su frecuencia v

mediante la constante de Plank h.
E  hv  
  h /(2 )
h  6.63 1034 J ·s
Espectro Atómico
Cuando se somete un gas a una descarga eléctrica, éste emite radiación a
frecuencias características de cada gas. Al medir la intensidad de la luz emitida
como función de la longitud de onda se obtienen líneas verticales a lo largo del
espectro.
Bandas Emisión Hidrogeno
Bandas Absorción Hidrogeno

Consecuencias
Uso espectrografía permite determinar elementos constitutivos
de estrellas, determinación de zonas con falta de agua en
cultivos o presencia de metales para explotación.
Espectro Luminoso
Luz infrarroja, luz ultravioleta:
El color de menor energía que percibe un ser humano es el rojo
y el de mayor energía el violeta, lo que es una parte muy
reducida del espectro electromagnético. .
Series de Lyman, Balmer y
•
Paschen
Las líneas en el espectro del hidrogeno aparecen en diversos grupos denominados series de
Lyman, Balmer y Paschen.
• Una vez que el espectro de hidrogeno estaba establecido, los científicos notaron varias
relaciones interesantes entre las líneas del espectro.
• Las series en el espectro del hidrógeno seguían ciertas formulas empíricas:
1 1 
Lyman : v  cR  2  2  , n  2,3, 4,...
1 n 
 1 1 
Balmer : v  cR  2  2  , n  3, 4,5,...
2 n 
1 1 
Paschen : v  cR  2  2  , n  4,5, 6,...
3 n 
Modelo de Bohr
El modelo de Bohr es un modelo orbital del átomo de hidrogeno,

donde se postula una naturaleza discreta de las partículas que
puede ser descrita en función de algunos parámetros (números
quánticos).
e-
p+
Modelo de Bohr
Primer Postulado:
El electrón gira alrededor del núcleo en órbitas circulares sin
emitir energía radiante.
e-
Consecuencias
p+ Al no emitir radiación
electromagnética no pierde energía ni
cae al núcleo.
Modelo de Bohr y niveles de energía
Segundo Postulado:
Los electrones pueden saltar de un nivel electrónico a otro sin
pasar por estados intermedios.
e-
Consecuencias
El electrón no puede estar a cualquier distancia
p+ del núcleo, sino que sólo hay unas pocas
órbitas posibles, las cuales vienen definidas por
los valores permitidos para un parámetro que se
denomina número cuántico, n. Se introduce
concepto de niveles de energía.
Tercer Postulado:
El salto de un electrón de un nivel cuántico a otro implica la
emisión o absorción de un fotón, cuya frecuencia viene dada por
la diferencia de energía entre dos niveles y la constante de
Fotón
Planck:
v =(Ea - Eb )/ h ·
e- Consecuencias
p+ Cuando el átomo absorbe (o emite)

una radiación, el electrón pasa a una
órbita de mayor (o menor) energía, y
la diferencia entre ambas órbitas se
corresponderá con una línea del
espectro de absorción (o de emisión).
Fotón
e-
e-
p+ p+
Modelo de Bohr
Cuarto Postulado:
Las órbitas permitidas tienen valores discretos o cuantizados del
momento angular orbital L de acuerdo al número cuántico n,
denominado número cuantico principal o número cuantico
angular, con n =h1,2,3,…
Ln h
L  mvr mvr  n
2 2
Donde
L: Momento angular
n: Número cuantico principal
h: Constante de Planck (0.626x10.34 Joule*s).
m: masa del electrón (9.11 × 10−31 kg )
v: velocidad asociada al electrón.
Modelo de Bohr
• En un átomo la fuerza electrostática es igual a la fuerza centrípeta del electrón:
q2 mv 2
 2 
Kr r
• Donde K =4πε0, m es la masa del electrón y v es su velocidad. Del modelo de Bohr se tiene que el
momento angular es:
h
Ln  n  mvr
q- 2
• Como n toma valores discretos, entonces el radio de cada orbita se denotara por rn,
r así se llega a:
q+ 2 2
n 
m2 v2  2
rn
Modelo de Bohr
•
De las ecuaciones anteriores se llega a puede obtener que
2 2 2
:
q 1 n Kn 2  2
2
  2  rn  2

Krn mrn rn mq
• Ahora se debe encontrar la expresión para le energía total del electrón.
n n q 2 q2
v  2 2

mrn Kn  Kn
• La energía cinética será:
1 2 mq 4
Ec  mv 
2 2 K 2n 2  2
Modelo de Bohr
• La energía potencial se calcula como el producto de la fuerza electrostática y la distancia entre las cargas.
q2 mq 4
Ep    2 2 2
Krn K n
• La energía total del electrón en la orbita n es:
mq 4
En  Ec  E p  
2 K 2n 2  2
• La diferencia de energía entre las orbitas n1 y n2 será:
mq 4  1 1 
En 2  En1  2 2  2
 2
2 K   n1 n 2 
• La frecuencia de la luz asociada a una transición será entonces:
 mq 4   1 1 
v21   2 2   2  2 
 2 K  h   n1 n 2 
Modelo de Bohr
Mecánica Ondulatoria
Correcciones al modelo de Bohr

El modelo de Bohr no indica porque de enlaces electrónicos y solo incluía el
número cuántico principal n (asociado al momento angular, es decir a los
niveles de energía), posteriormente se agregan tres números cuánticos
adicionales.
El número cuántico secundario o azimutal (l):Toma valores desde 0 hasta n-1.

Determina la forma espacial de la zona en la cual probablemente se encuentra un
determinado electrón. A estas zonas se las denomina orbítales.
El número cuántico magnético (m): Indica la orientación de los orbítales en los

ejes cartesianos. Toma valores desde -l pasando por cero hasta +l.
El número cuántico de spin (s): Indica el sentido de giro del electrón sobre si
mismo. Puede tomar dos valores: + 1/2 y - 1/2.
Definiciones importantes:
Bosones: Familia de partículas elementales de momento angular intrínseco (o número de

spin) entero que transmiten fuerzas como la fuerza electromagnética (foton), fuerza nuclear
fuerte (gluones) y fuerza nuclear débil (Z0, W+,W-). No cumplen el principio de exclusión de
Pauli y siguen la estadística de Bose-Einstein.
Fermiones: Familia de partículas elementales de número de spin “entero+1/2” (1/2, 3/2)

que componen la materia. Los fermiones de primer nivel se agrupan en tres familias cada
una. Con partículas de análoga al electrón, neutrino electrónico, quark u y quark d, aunque
de distinta masa, El principio de exclusión de Pauli indica que no pueden haber dos
fermiones con idénticos números cuanticos.
Fotón como partícula: El foton es un boson que transmite fuerza electromagnética. Tiene
un spin 1 y no tiene carga eléctrica. Al ser un bosón muchos fotones pueden tener los
mismos números cuanticos y actuar como un foton de mayor energía (Laser).
Electrón como partícula: El electrón es un fermión de primer nivel con masa 0.51 Mev/c2 ,
spin ½, carga eléctrica negativa.
El modelo de Schrödinger extiende el modelo de Bohr al considerar el principio de dualidad

onda partícula de Louis-Victor de Broglie y el principio de incertidumbre de Heisenberg.
Generar un modelo donde los electrones existen como ondas estacionarias confinadas a
orbítales discretos.
Consistente con experimentos que muestran electrón como partícula (Franck y Hertz) y
como onda (difracción del electrón al pasar por ranuras cercanas)
Principio de Broglie
Toda partícula clásica microscópica se le puede asignar una
onda.
Explica dualidad onda-corpúsculo del fotón y se extiende a otras partículas como el electrón
(naturaleza dual del fotón).
Se comprueba experimentalmente en 1927 al observar la difracción del electrón.
De Broglie asocia a cada partícula libre con energía E y una cantidad de movimiento p =m·v,
una frecuencia v (efecto fotoeléctrico descrito por Einstein) y una longitud de onda λ :
h h
Ek  hv  
Efecto fotoeléctrico
p mv
descrito por Einstein Relación momento y longitud de onda
Principio de indeterminación de Heisenberg
No se puede determinar en forma exacta ciertos pares de variables físicas, como

por ejemplo la posición y cantidad de movimiento de una partícula.
Donde:
h  x: indeterminacion en posición.
x  p  
4 2 p: indeterminacion en momento.
h: constante de Plank
Al hacer una partícula más pequeña, la hacemos más sensible a perturbaciones.
Para “ver” una particula otra particula debe llegar, chocar con ella y volver, entregando parte
de su energia y cambiando el momentum y por lo tanto la velocidad de la particula
observada.
En este modelo los electrones se describen por una función de onda (la función de
Schröedinger) Esta función de onda depende de los números cuánticos n, l, m y s. El cuadrado
de la función de onda representa la probabilidad de existencia del electrón en una zona que
denominaremos orbital.
2 2 
    V   j
2m t
Donde h

Constante de dirac
2
: Función de onda
h: Constante de Planck (0.626x10.34 Joule*s).
m: masa del electrón
V: Energía del electrón.
La resolución de la ecuación de schrödeinger permite ir

completando los orbítales desde las capas internas a las capas
mas externas. Estos orbítales tienen diferentes formas y
estados de energía.
Los orbítales se van llenando de modo de tener estados de

mínima energía.
Los orbítales s (l=0) tienen forma esférica. La extensión de este

orbital depende del valor del número cuántico principal, así un
orbital 3s tiene la misma forma pero es mayor que un orbital 2s.
Niveles de Energía Atómica
Los orbítales p (l=1) están formados por dos lóbulos idénticos

que se proyectan a lo largo de un eje. La zona de unión de
ambos lóbulos coincide con el núcleo atómico. Hay tres orbítales
p (m=-1, m=0 y m=+1) de idéntica forma, que difieren sólo en su
orientación a lo largo de los ejes x, y o z.
Los orbítales d (l=2) también están formados por lóbulos. Hay

cinco tipos de orbítales d (que corresponden a m=-2, -1, 0, 1, 2)
Los orbitales f (l=3) también tienen un aspecto multilobular.

Existen siete tipos de orbitales f (que corresponden a m=-3, -2,
-1, 0, +1, +2, +3).
Principio de Exclusión de Pauli
Los electrones no pueden solaparse uno sobre otro, se
excluyen mutuamente, y si se intenta presionar a dos
electrones en la misma órbita para que se unan, se repelen.
Un orbital atómico determinado puede ser ocupado por sólo

dos electrones, pero con el requisito de que los espines de
ambos deben ser opuestos. Estos electrones de espines
opuestos se consideran apareados. Electrones de igual espín
tienden a separarse lo máximo posible. Esta tendencia es el más
importante de los factores que determinan las formas y
propiedades de las moléculas.
En general los fermiones (electrones, protones, neutrones) no

pueden tener los mismos estados cuanticos. En un átomo
neutro, con igual cantidad de protones y electrones estos últimos
deben ocupar consecutivamente estados de mayor energía.
Estados Permitidos
Estados permitidos en la Estados permitidos en la capa
n l m s
subcapa completa
1 0 0 ±½ 2 2
0 0 ±½ 2
1 -1 ±½
2 8
0 ±½ 6
1 ±½
0 0 ±½ 2
1 -1 ±½
0 ±½ 6
1 ±½
3 2 -2 ±½ 18
-1 ±½
0 ±½ 10
1 ±½
2 ±½
Estos orbítales se van completando

desde niveles de menor energía a
niveles de mayor energía, Por ejemplo,
en el nivel n=1 tenemos 1 orbital (l=1-
1=0) de tipo s que puede alojar dos
electrones. Para el nivel n=2 (l=0,1) se
puede tener 2 orbítales s, cada uno con
la capacidad de alojar 2 electrones. Y
así sucesivamente.
Estructura electrónica de los
elementos
elementos
Considerando el principio de exclusión de Pauli tenemos que elementos sucesivos generan
capas de energías más y más altas. Se observa que las propiedades químicas de un
elemento dependen del número de electrones en su capa externa (electrones de valencia),
lo que lleva a agruparlos por familias en la tabla periódica de los elementos.
Por regla general se forman enlaces cuando de este fenómeno resultan niveles de energía
menores al de los átomos libres (explicación mecánica cuantica).
Observación química tradicional indica que átomos encuentran estructuras estables al

formar octetos, como el de red cúbica del carbono (diamante).
elementos
Teoría de las Bandas de Energía
• Los electrones en un átomo poseen niveles de energía discretos y
específicos.
• En un sólido un electrón tiene un rango o banda de energía permitida.
• Esto porque las funciones de onda de electrones en átomos vecinos se

cruzan de modo que un electrón no esta necesariamente localizado en
un átomo en particular. En otras palabras, el campo eléctrico producido
por los electrones de los átomos vecinos modifica los niveles
energéticos de los electrones de los átomos de sus alrededores.
• División energética de dos niveles de energía para seis átomos en función de su
separación:
• Si tenemos N átomos idénticos agrupados, cada nivel del átomo aislado se divide en N
niveles energéticos distintos pero muy próximos.
• En un sólido macroscópico hay del orden de 10 23 átomos, luego cada nivel energético se
divide en un casi continuo de niveles que constituyen lo que se llama una banda.
Átomos de carbono y bandas de energía:
Bandas de valencia: El más alto de los intervalos de energías
electrónicas que se encuentra ocupado por electrones en el cero
absoluto.
Bandas de conducción: intervalo de energías electrónicas que,

estando por encima de la banda de valencia, permite a los
electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo
eléctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes
eléctricas.
Banda prohibida (gap): es la diferencia de energía entre la

parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la
banda de conducción en el cero absoluto.
Metales Semiconductores y
Aislantes
En un conductor metálico las bandas de valencia y las de conducción se
traslapan. Un elemento metálico se considera que esta constituido por cationes
metálicos distribuidos regularmente e inmersos en un mar de electrones de
valencia que mantienen unidos a los cationes metálicos.
En un aislante la banda prohibida tiene una energía grande >> 10 eV a 0ºK.
En un semiconductor la banda prohibida tiene una energía baja < 1 eV a 0ºK,

de modo que es mas fácil arrancar un electrón que contribuya a la conducción. (a
300 °K el voltaje de gap es de 1.12 V para el silicio y 0.66V para el germanio )
Ejemplos
Ejemplo 1. Calcule la expresión para el radio de cada orbita

permitida en un átomo de hidrogeno, expresados en
Amstrong.
Datos:
εr =1
ε0 = 8.84 x10-12 F/m
qe = -1,6021x 10-19 C
h = 6.626 x10-34 J*s
me = 9,1091x10-31 kg
Ejemplos
Primero identificamos las fuerzas que actúan sobre el electrón. La
gravedad se desprecia y solo se considera la atracción electrostática
entre el protón y el electrón. El modulo de esta fuerza queda dado por:
2
1 q
F  e
(1)
  4 r
c 2
r 0
Esta fuerza tiene dirección radial y atrae al electrón. En un orbita
circular esta fuerza se iguala a la masa por la aceleración centrípeta,
cuyo modulo es función del radio de giro y la velocidad tangencial de la
partícula y cuya dirección es radial dirigida hacia el núcleo.
2
v
ac  (2)
r
Ejemplos
Igualando (1) y (2):
2 2
1 qe v
 me (3)
 r  0 4 r 2
r
Conocemos que el momento p del electrón esta dado por la ecuación de
Broglie y por la expresión general de mecánica clásica.
h p  mv
p (4)
(5)

Ejemplos
De (4) y (5) se llega a:
v  h /  m (6)
El modelo impone que el perímetro de la orbita debe contener un

número entero de veces la longitud de onda asociada al electrón.
2 r
 (7)
n
Ejemplos
Reemplazando (7) en (6) se obtiene la expresión para la velocidad del

electrón:
hn
v (8)
2 r  m
Reemplazando (8) en (3) y despejando el radio se obtiene la expresión
requerida:
 r 0h n 2 2
r 2
 qe  me 
(9)
Ejemplos
Despejando r con valores numéricos:
r  0.53 x1010 n 2  m 
 (10)
r  0.53n 2  A 
n distancia
1 0,53 Å
2 2,12 Å
3 4,76 Å
4 8,46 Å
5 13,22 Å
Ejemplos
Ejemplo 2. Determine la expresión para calcular las función de
onda de Schrödinger en un átomo de hidrógeno.
La solución de la ecuación de Schröedinger para un átomo de

hidrógeno es un problema complejo de resolver en forma analítica. Sin
embargo es menos complicada al utilizar coordenadas esféricas, las
que permiten realizar una separación de variables de modo que la
función de onda se pueda representar como un producto.
Ejemplos
Ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo, en

coordenadas esféricas:
 2 2
j    V 
t 2me
 (r, t ) 2 2
j   r   (r, t )   V  r   (r, t )  H ( (r, t ))
t 2me
(14)
Energía del sistema Energía cinética Energía potencial Operador

del sistema del sistema Hamiltoniano
Ejemplos
Ecuación de onda en un campo invariante en el tiempo, si el campo

eléctrico no cambia en el tiempo entonces podemos escribir la
ecuación de Schrödinger en función de la energía del electrón.
(15)
E (r )  (r, t )  H (  (r, t ))
Energía del Operador

sistema Hamiltoniano
Ejemplos
Gradiente en coordenadas esféricas

Los elementos diferenciales de las
coordenadas se definen en la dirección
del radio (dr), en la dirección tangente
de  (r·sin()d) y en la direccion
tangente de  (r·sin()d) al definir
estas direcciónes se puede definir el
operador gradiente cuadrado en
variables esfércicas
1    2       1  2 
 2r  2 sin( )  r   sin( )   
r sin( )  r  r      sin    2   (16)
Ejemplos
La ecuación de Schödringer queda definida por la siguiente expresión:
2 1    2       1   2  
 sin( )  r   sin( )      V  r   (r, t )  E  (r , t ) (17)
2me r 2 sin( )  r  r      sin    2  
Se define como solución una ecuación de onda separable en tres

funciones dependiente cada una de una variable espacial.
 (r, t )  R(r ) P ( ) F ( )
(18)
En el caso del átomo de hidrogeno se desprecia la atracción
gravitatoria entre el electrón y el protón de modo que la función
“potencial” en un atomo de un solo electron solo incluye el potencial
electrostatico. Zqe 2
V  r   (19)
4 0 r
Ejemplos
Reemplazando.
2  P ( ) F ( )   2 R(r )  R(r ) F ( )   P( )  R(r ) P( )  2 F ( )  

  r  2  sin( )  2 2   
2me  r 2
r  r  r sin(  )     r sin ( )   2

Zqe2
 R(r ) P( ) F ( )  E ( r ,  ,  ) R( r ) P( ) F ( ) (20)
4 0 r
Simplificando, se llega a:
 
 sin ( )   R(r )  sin( )  
2
P( )  1   F ( )   2me r 2 sin 2 ( ) 
2
Zqe 2 
   sin( )     E (r ,  ,  )  0
2
r 
 R ( r ) r  r  P ( )    F ( )  
        
2
  4 r
0 
  constante 

(21)
Ejemplos
En esta expresión la componente en  esta separada y no interviene en el resto de las ecuaciones,
por lo que el termino dependiente de  debe ser constante para que la ecuación no cambie cuando
cambia . Llamamos a esta constante m2 ( es el cuadrado del número cuantico magnético). Al
separar esta expresión se obtiene la ecuación azimutal de (22).
1  d 2 F ( ) 
   m 2
(22)
F ( )  d 
2
Una solución normalizada (integral de F()=1) de esta ecuación diferencial esta dada por
1
F ( )  sin(m ) (23)

Cualquier valor de m es solución de la ecuación de Schrödinger, físicamente un punto en el espacio
tiene que tener un valor único, es decir una función debe tener el mismo valor cada 360 grados. Esto
se cumple solo si ml es entero.
Ejemplos
Podemos seguir separando variables, reemplazando 22 y 23 en 21 y dividiendo por el cuadrado del
seno de 
  (24)
 
 1   r 2 R (r )   1   P( )  m 2  2me r 2  Zqe 2 
 R(r ) r    sin( )    E (r ,  ,  )  0
r  sin( ) P( )     sin 2 ( )    4 0 r 
                
  l  l 1 
En esta expresión la componente en r esta separada y no interviene la componente dependiente de

, por lo que cada componente debe ser igualada a una constante para que no afecte a la otra con
los cambios de r o , por conveniencia, se elige que los términos dependientes de  se igualen a la
constante -l(l+1) .
Ejemplos
Así tenemos las ecuaciones diferenciales (25) y (26),denominadas
ecuación angular y radial respectivamente. Observe que +m y –m
permiten la misma solución.
1   P( )  m 2 P( )
 sin( )   l  l  1 P( ) (25)
sin( )     sin ( )
2
  2 R (r )  2me r 2  Zqe 2 
r   E (r ,  ,  )   R (r )  l  l  1 R(r ) (26)
r  r    4 0 r 
Ejemplos
La ecuación de (25) coincide con el problema de los armónicos
esféricos de una partícula sobre una esfera. Así la solución de (25) se
puede obtener a partir de las funciones asociadas de Legendre.
P( )  N l ,m Pl ,m (cos  )
N l ,m 
 2l  1 (l  m)!
2(l  m)!
1 dl (27)
l 
cos   1
l
Pl ,0 (cos  )  j 2
2 l ! d cos 
m m
d
Pl ,m (cos  )   1  cos 2   2 P (cos  )
d cos  m l ,0
donde l = 0,1,2,... y ademas 0  m  l

Ejemplos
La ecuación radial puede reescribirse como:
 2 R (r ) 2 R(r )  2me  Zqe 2  l  l  1  (28)

   E (r ,  ,  )    R (r )  0
r 2
r r    4 0 r  2
r 
Bajo las restricciones del problema la solución de (28) son las funciones de Laguerre los que
introducen un número entero n que corresponden al número cuántico principal. Se restringe l a
números menores que n.
r
R(r )  r l Ln ,l ( x )e  x ; x 
na0
xl e x d n nl  x (29)
n 
Ln ,l ( x)  x e 
n ! dx

a0  2
 0.0529[nm]
me qe
Ejemplos
Finalmente tenemos para los primeros niveles

n l m F() P(θ) R(r)
1 1 2 
r
1 0 0 2 a0
e
2 2 a3/ 2
0
1 1 1  r   2 a0
r
2 0 0
3/ 2 
2 e
2 2 2 2a0  a0 
r
1 6 1 r 
2 a0
2 1 0 cos  e
2 2 2 6a0 a0
3/ 2
r
1  j 3 1 r  2 a0
2 1 ±1 e sin  e
2 2 2 6a0 a0
3/ 2
Ejemplos
Finalmente tenemos para los primeros niveles

n l m F() P(θ) R(r)
r
1 1 2  r r 2   3a0
3 0 0
3/ 2 
27  18  2 2  e
2 2 81 3a0  a0 a0 
r
1 6 4  r  r  3a0
3 1 0 cos  3/ 2 
6  e
2 2 81 6a0  a0  a0
r
1  j 3 4  r  r  3a0
3 1 ±1 e sin  3/ 2 
6  e
2 2 81 6a0  a0  a0
2 r
1 10 4 r 
3 2 0
2 4
 3cos 2   1
81 30a0 a0
3/ 2 2
e 3 a0
Convertidores Estáticos : Repaso
II semiconductores
I) Física de los semiconductores:
• Electrones y Huecos
• Electrones y huecos en un semiconductor intrínseco
• Movilidad y Conductividad.
• El enlace covalente
• Impurezas donadoras y receptoras.
• Generación y recombinación de cargas.
• Función de Fermi-Dirac.
• Nivel de Fermi en los semiconductores con impurezas
• Efecto hall.
• Difusión.
• La ecuación de continuidad.
Electrones y Huecos
• Como la temperatura de un semiconductor es mayor a 0ºK, algunos electrones reciben suficiente
energía térmica para cruzar la banda prohibida hacia la banda de conducción.
• El resultado es un material con algunos electrones en la banda de conducción y algunos
espacios vacíos (huecos) en la banda de valencia.
Ec
Eg
Ev
•
Electrones y Huecos
Al aplicar un campo eléctrico a una banda de valencia completa, la corriente neta es cero. Así la
densidad de corriente para una banda de valencia llena con N electrones será:
N
J    q   vi
i
• Ahora, si se crea un hueco al remover el electrón j , la densidad de corriente neta en la banda de
valencia será:
N
J    q   v i    q  v j  qv j
i
• Esta condición es equivalente al tener una partícula positivamente
cargada. Por simplicidad se trataran los estados vacíos en la banda
de valencia como partículas portadoras con carga y masa positivas.
Electrones y huecos en un semiconductor intrínseco
Es un semiconductor sin ningún tipo de dopaje
Estructura de un semiconductor intrínseco
Estructura estable, formada por enlaces covalentes.
Banda de valencia separada de banda de conducción.
Salto de energía entre bandas de valencia y conducción (gap) menor al de un aislador:
Enlace Electrones
Covalente de Valencia
Semiconductores intrínsecos:
Familia IV
Si, Ge, SiC, SiGe:
Aleación familias III-V

AlP, AlAs, AlSp, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs,InSb :
Aleación familias II-VI
ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdS, CdTe
Estructura de un semiconductor intrínseco:
Ruptura del enlace

covalente
A cero absoluto aislantes y semiconductores no tienen electrones en la banda de conducción.

A temperatura ambiente algunos electrones son excitados con suficiente energía para pasar a banda
de conducción.
Ejemplo
En un cristal de germanio
a temperatura ambiente
hay un electrón libre por
Hueco Electrón
cada 1.7x109 átomos.
Libre
Enlace Electrones
Covalente de Valencia
Como los electrones y huecos se generan en pares, la concentración de electrones en la banda de

conducción n (electrones por cm3) es igual a la concentración de huecos en la banda de valencia p
(huecos por cm3): . n pn i
El proceso de generación y
recombinación de pares electrón
hueco es continuo.
La vida media de un par electrón
hueco (PEH) va de microsegundos
a milisegundos.
El equilibrio requiere que el radio
de generación gi y recombinación ri
sean idénticos. Este proceso
depende de la concentración
intrínseca de portadores y una
variable  dependiente del
mecanismo especifico de
recombinación.
ri  gi   ni 2
Impurezas donadoras y receptoras
Los semiconductores intrínsecos tienen igual número de electrones y huecos. Al
agregar algunas impurezas (de valencia II, III, V o VI) al cristal este queda con
un exceso de uno de los portadores cambiando sus características de
conducción.
Semiconductor tipo n Semiconductor tipo p

con exceso de electrones con exceso de huecos
Impurezas donadoras y receptoras,
material tipo n.
Los semiconductores intrínsecos a los que se le agrega una concentración Nd de
impurezas del tipo V presentan enlaces en los que se forma un estado valido cerca de la
banda de conducción. Estas impurezas pueden donar fácilmente un electrón a la banda
de conducción.
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo n a 0°K

material tipo n.
Así, a temperatura ambiente (300 °K) prácticamente cada uno de los los átomos de valencia 5
han donado un electrón a la banda de conducción de modo que semiconductor tipo n tiene
mas electrones que huecos (Atomo donador ionizado positivo).
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo n Semiconductor tipo n a 300°K

material tipo p.
Los semiconductores intrínsecos a los que se le agrega una concentración Nd de impurezas
del tipo III presentan enlaces en los que se forma un estado valido cerca de la banda de
valencia. Estas impurezas pueden aceptar fácilmente un electrón de la banda de conducción
generando un hueco en el cristal.
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo p a 0°K

material tipo p.
Así, a temperatura ambiente (300 °K) prácticamente todos los átomos de valencia 3 han
aceptado un electrón de la banda de conducción de modo que semiconductor tipo P tiene mas
huecos que electrones (Átomo aceptor ionizado negativo).
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo p Semiconductor tipo p a 300°K

con exceso de huecos
Movilidad y Conductividad
En un metal los cationes flotan en un “mar de electrones”.
Descripción
Los electrones están en

constante movimiento, la
dirección de su movimiento
cambia con cada colisión con
los electrones pesados. La
distancia media de estos
movimientos se denomina
recorrido libre medio.
El movimiento es aleatorio por

lo que la corriente media por
unidad de área es CERO.
¿Que pasa cuando se aplica un campo eléctrico constante E ?
- E
V=µE
+
-
+
+
-
De no ser por las colisiones de los electrones con los átomos entonces los electrones se
acelerarían en forma indefinida.
En cada colisión inelástica el electrón pierde energía y se establece una velocidad de

desplazamiento finita v, de dirección contraria a la del campo eléctrico. Entre cada choque la
partícula se acelera a=qeE/me. Asi, la velocidad media es proporcional al campo E y a una
constante de movilidad  [metro cuadrado/volt-segundo] que depende del material. Del mismo
modo la densidad de corriente J es proporcional al campo E y a una constante de
conductividad del material.
v  E (1)
J E
¿Y como definimos esta movilidad?
Expresemos la densidad de corriente J [ ampere/metro cuadrado] en función de la velocidad
media de los electrones v [metro/segundo], la concentración de electrones n [numero
electrones/metro cúbico] y la carga de los electrones q e [coulomb].
J  qn V  qn E   E (2)
 [1/(ohm-metro)] es la conductividad .
qtˆ
 Constante de Movilidad
mn
Expresando la velocidad media en función del momentum lineal
de un grupo de N electrones.
p
v (3)
Nme
Aproximando p como una expansión de primer orden de dF/dt
tenemos.

p  Nqe E t (4)
De donde se obtiene

qe t
v E (5) J   E (6)
me
donde:
qe : carga electrón
me : masa electrón

t :tiempo medio entre colisiones
 : densidad carga electrica
 : movilidad
Definimos movilidad y conductividad en un metal

 
2

qe t qe t
me
(7)
    n (8)
me
donde: Observación
qe : carga electrón
me : masa electrón La conductividad de un material
 es proporcional a su constante
t :tiempo medio entre colisiones n concentración de electrones
n : concentración electrones libres.
Enlace covalente: el enlace covalente se forma al compartir

electrones entre los átomos que forman una molécula. La diferencia
de electronegatividad entre los átomos no permite la transferencia
completa de los electrones como en un enlace iónico .
En el enlace covalente los átomo comparte un par de electrones en

un orbital, cada uno con diferente spin. .
Huecos y electrones en un semiconductor intrínseco,
Efectos de un campo Eléctrico
Ante la presencia de un campo eléctrico se produce una densidad
de corriente producto del transporte de electrones y de huecos.
 
J  q  n n  p  p  E

E

vn Donde:
e-
q : Carga electrón
h+  n : Concentración electrones
vp p . Concentración huecos
n : Mobilidad electrón
p : Mobilidad hueco
Movilidades electrones y huecos es diferente ¿porque?
Movilidades electrones y huecos es diferente ¿porque?
Porque a diferencia de los electrones, de los cuales algunos

pueden ser arrastrados directamente por el campo eléctrico los
huecos están obligados a viajar por saltos de átomo en átomo.
La movilidad de electrones y huecos en un semiconductor
intrinseco a temperatura ambiente es un valor característico de
cada material.
Movilidad a Ge Si AsGa
temperatura
ambiente
n
3900 1350 8500
p
1900 480 400
Masas efectivas de electrón y huecos
La masa efectiva de los electrones en los semiconductores no es igual al
masa de los electrones en vacio
Donde la masa del electrón en el vacio es mo= 9,1095 x 10^-31 kg

Ecuación de Fermi-Dirac
La ecuación de Fermi-Dirac permite predecir la probabilidad de que un electrón se encuentre

en un estado determinado de energía en un sólido a una determinada temperatura a ºK.
1
F (E)  ( E  EF ) / kT
1 e
Donde:
E : Nivel de energía.
Ef : Nivel de Fermi
k : 8,62x10^-5 eV/ºK Constante de Boltzman.
T : ºK Temperatura absoluta.
Observaciones importantes
• El nivel de Fermi indica el nivel de energía donde la probabilidad de encontrar un electrón
es de ½. En un conductor intrínseco esta a medio camino entre la banda de valencia y la
de conducción
• Esta ecuación es dependiente de la temperatura, a cero grados kelvin es la función
ventana.
F(E)
0ºK
1 T1< T2
1/2
EV Ec
Ef E
Observaciones importantes
• Veamos el comportamiento de f(E) a una temperatura de 0ºK.
1 1 1
f (E)  ( E E f )
Si E  E f f (E)  
 0
1 
1  e kT 1 e 0
1 1 1
f (E)  ( E E f )
Si E  E f f (E)  
 1
1 0
1 e kT 1 e 0
Para un semiconductor intrínseco se cumple que f(E c)=1-f(Ev), esto es valido porque
el nivel de fermi esta ubicado en la mitad de la banda gap o prohibida
Nivel de Fermi en los semiconductores con
impurezas.
En el caso de semiconductores de tipo n el nivel de Fermi se
:desplaza a niveles mas cercanos a la banda de conducción.
F(E)
0ºK
1 T1< T2
1/2
EV Ec
Ef E
impurezas.
En el caso de semiconductores de tipo p el nivel de Fermi se :desplaza a niveles mas
cercanos a la banda de valencia.
F(E)
1 0ºK
T1< T2
1/2
EV Ec
Ef E
La función de fermi es simétrica alrededor de Ef para todas las temperaturas esto es la

probabilidad f(Ef+∆E) de que exista un electrón en el nivel Ef+∆E es igual a la probabilidad 1-
f(Ef+∆E) de que el estado Ef+∆E este vacio.
impurezas.
La distribución de Fermi puede ser utilizada para encontrar la concentración de portadores
en un semiconductor. Por ejemplo la concentración de electrones y huecos en equilibrio
están dadas por:

n0   f ( E ) N ( E )dE  N c f ( Ec )
Ec
Ev
p0   (1  f ( E )) N ( E )dE  N v (1  f ( E ))
0
Donde:
N(E)d(E) :densidad de estados que existen en el rango de energía dE
Nc :densidad efectiva de estados, localizada en la banda de conducción.
Nv :densidad efectiva de estados, localizada en la banda de valencia.
impurezas.
Para temperatura ambiente el producto de kT es pequeño, de modo que la exponencial es
varias veces mayor que la unidad. Por lo que podemos aproximar la distribución de Fermi
por :
1
f (E )  ( E E f )
1 e kT
Se asume que Ec  Ev kT , ya que a temperatura ambiente es de 0.026[eV ]

( Ec  E f )  ( Ec  E f )
e kT
1  f ( Ec )  e kT
impurezas.
De donde se obtiene:
 ( Ec  E f ) / kT  ( E f  Ev ) / kT
n0  N c e p0  N v e
Estas expresiones obtenidas son validas para materiales intrínsecos o dopados,
provistos de un equilibrio térmico que es mantenido.
Así para un material intrínseco Ef estará a un nivel llamado Ei, luego la concentración de
electrones y huecos es…
 ( Ec  Ei )  ( Ei  Ev )
ni  N C e kT
pi  NV e kT
impurezas.
El producto de no y po en el equilibrio es constante para cada material particular y
temperatura, aun si el material es dopado
 ( Ec  E f )  ( E f  EV )  Eg
n0 p0  ( N C e kT
)( NV e kT
)  NC NV e kT
 ( Ec  Ei )  ( Ei  EV )  Eg
ni pi  ( N C e kT
)( NV e kT
)  NC NV e kT
La concentración intrínseca de electrones y huecos es igual, debido a que estos son

formados en pares, PEH o EHP, por lo tanto.
n0 p0  ni2
impurezas.
La concentración intrínseca queda definida por
 Eg
ni  N C NV e 2 kT
La concentración de equilibrio de un semiconductor dopado referido a la
concentración intrínseca depende de la diferencia entre el nivel de fermi y el nivel de
energía intrínseco (Ejercicio, mostrar).
( EF  Ei ) / kT
n0  ni e
( Ei  E f )/ kT
p0  pi e
impurezas.
Las densidades de estado efectivas de la banda de conducción
queda dada por:
3 3
 2m kT  * 2  2m kT  * 2
N  2  N  2 
n p
c 2 v  h  2
 h   
Donde :
mn* : masa efectiva electrón
mn* : masa efectiva hueco
K : constante de Boltzman
T : temperatura grados Kelvin
h : constante de Plank
Problema 1
Si tenemos un material semiconductor de Si dopado 10^17
átomos/cm^3 de As
Cual es la concentración de huecos en el equilibrio a una
temperatura de 300ºK?
Donde esta Ef relativo a Ei?
Dato: ni  pi  1,5  10
10
Nota: Comúnmente elementos como Sb, As y P generan un semiconductor

extrinseco tipo n, en semiconductores como Si y Ge.
Como Nd es mucho mayor a ni, podemos aproximar no=Nd
ni2 2,25  1020 3

p0    2, 25  10 3
cm
n0 1017
Problema 1
 n0   1017 
E f  Ei  kT ·ln    0.0259·ln  10 
 0, 407  eV 
 ni   1,5  10 
Problema 2
Si tenemos un material semiconductor de Si dopado con
cierta cantidad de impurezas a una temperatura de 300ºK, de
donde solo sabemos que la banda de conducción esta a 0.9
eV por sobre el nivel de fermi, se pide…
a) Dibujar diagrama de bandas

b) Determinar que tipo de impurezas se agrego
c) Calcular no y po y las impurezas si se cumple Nc/Nv=47
Problema 2
a) Dibujar diagrama de bandas
1. Debemos saber cual es la energía de la banda gap o banda prohibida, para el
caso del Si es de 1,1 eV.
2. Como el material esta dopado, el nivel de fermi no esta ubicado al medio de la
banda gap
b) Determinar que tipo de impurezas se agrego

Se agrego un tipo de impureza del tipo p. Nivel de energía
aceptador
impurezas.
Masa efectiva electrón:
El modelo del electrón libre no tiene en cuenta los efectos debidos a interacciones de
los electrones con la red cristalina.
Cuando un electrón pasa cerca de un átomo es acelerado, y cuando se aleja es

desacelerado hasta que entra dentro del campo de acción del próximo átomo,
estableciéndose niveles de energía potencial que delimitan el movimiento del electrón a
través de la red.
Desde el punto de vista de la mecánica cuántica un electrón en un cristal se encuentra en un

potencial periódico
Una aproximación utiliza un modelo de potencial periódico (Kronig-Penney) formado por un

arreglo de pozos y barreras rectangulares de potencial que tienen la periodicidad de la red,
Este problema implica resolver la ecuación de Schroedinger.
impurezas.
La resolución de esta ecuación da un modelo de electrón donde
existen valores de la función de Fermi fuera de la banda [-1 1] y
que por lo tanto
f(E)no están permitidos. Banda permitida
Banda prohibida
k = 2/L k = 2/L k = 4/L

k=0
+1
0 E E E E E E E E
E
1 2 3 4 5 6 7 8
-1
k = /L k = /L k = 3/L k = 3/L

impurezas.
El electrón se representa como un grupo de ondas centradas en torno a un nivel de energía
E que viajan en una dirección (representación unidimensional) a una velocidad de grupo v,
con un número de onda k (2/) y un vector de onda k.
1 dE (1) Se define la velocidad del electrón como la velocidad de grupo de

v  un grupo de ondas viajeras de energía E, numero de onda k, vector
 dk de onda k, y momentum p
 dE  (2) Se define un elemento diferencial de

dE  Fvdt    dk energía en función de la velocidad, la fuerza
 dk  y un diferencial de tiempo.
impurezas.
Reemplazando(1) en (2) podemos expresar la fuerza en función de
la constante de dirac y la derivada de k.
dk 1 dk
Fvdt  vdk Fh F
dt
dt 
Diferenciando la velocidad respecto al tiempo tenemos que:
dv v dk 1 d 2 E dk 1 d 2E
a     2 2 F
dt k dt  dk dt
2
  dk

1/ m*
impurezas.
Así tenemos la definición de la masa equivalente del electrón.
2

m*  2
dE
2
dk
Donde :
E : energía del electrón
k : vector onda
Una explicación extendida de cómo se deduce la masa

efectiva de un electrón se puede visualizar en el sitio… de la
universidad de ….
impurezas.
Efecto de la temperatura:
3
 2 kT 
m m 
2
* 3/ 4  Eg / 2 kT
ni (T )  2  2  *
n p e
 h 
La concentración intrínseca, por lo tanto las de equilibrio

depende de la temperatura.
Compensación de Material Extrínsecos
Cuando es introducido el concepto de dopaje, se asume que el material contiene una mayor
cantidad de donadores, Nd o de aceptores Na, donde la concentración del portador
mayoritario se puede asumir como no≈Nd o po≈Na, para un material tipo n o tipo p
respectivamente.
Pero puede pasar que un semiconductor contenga ambos

dopajes.
A pesar que Ef esta sobre Ei, la
concentración de huecos en la banda
de valencia, es menor que la del nivel
aceptador.
Compensación en un semiconductor
de tipo n, donde Nd > Na
El llenado de los estados de Ea ocurre a expensa de los electrones de la banda de
conducción.
Como ocurre esto?
Asumamos que el nivel aceptador esta lleno por electrones de la banda de banda de
valencia, generando huecos en la banda de valencia.
Luego estos huecos son llenados mediante

recombinación con los electrones que se
encuentran en la banda de conducción
Aceptación de electrones de la banda de

valencia, generando huecos en ella.
Extendiendo la lógica hacia todos los átomos del material aceptador, podemos esperar que
la concentración de electrones en la banda de conducción es de Nd-Na, en lugar de solo Nd.
Este proceso es llamado compensación. Por este proceso es posible que un semiconductor
del tipo n se le agregue aceptadores hasta que Nd=Na y los electrones donadores vuelvan
a la banda de conducción.
Donde no=ni=np y la condición intrínseca es obtenida
Si el material es electrostaticamente neutral la suma de las cargas positivas, (huecos y

atomos donadores ionizados) deben ser igual a la suma de las cargas negativas (electrones
y atomos aceptadores ionizados).
 
po  N  no  N
d a
Para el caso mostrado, se tiene que… no  po   N  N 

d

a 
Como el material es de tipo n… no  N  N 
d

a 
Efecto hall
El efecto Hall consiste en la aparición de un campo eléctrico en un conductor cuando es
atravesado por un campo magnético. A este campo eléctrico se le llama campo Hall.
F  q (E  v  B )
Cuando por un material conductor o semiconductor, circula una corriente eléctrica, y estando
este mismo material en el seno de un campo magnético, se comprueba que aparece una fuerza
magnética en los portadores de carga que los reagrupa dentro del material, esto es, los
portadores de carga se desvían y agrupan a un lado del material conductor o semiconductor,
apareciendo así un campo eléctrico perpendicular al campo magnético y al propio campo
eléctrico. Este campo eléctrico es el denominado campo Hall (EH), y ligado a él aparece la
tensión Hall, que se puede medir mediante un voltímetro.
Efecto hall
Los portadores sujetos a esta fuerza van a ser desviados

lateralmente provocando un gradiente de carga en el
sólido, gradiente que a su vez genera un campo que
compense la fuerza de Lorentz
Ey  vx  Bz
Efecto hall
Por ejemplo en un material de tipo p con p0 concentración de

huecos tenemos que
 Jx   1 
Ey     Bz    J x  Bz
 qp0   qp
 0 
Rh
Con Rh coeficiente de Hall

Efecto hall
• Aplicaciones: sensados de corrientes alternas y continuas,

• Sensor de velocidad y posición en motores.
• Generación de campos en fluidos.
Difusión
Corriente de difusión: Las corrientes de difusión se pueden expresar en función de la

derivada de la concentración de portadores en el material y a una constante de difusión
expresada en m2/seg dependiente del material.(Dp para los electrones y D p para los huecos),
J n  qDn n
J p  qD p p
Difusión
En un semiconductor las concentraciones de portadores están inicialmente distribuidas

espacialmente en forma no uniforme. Esta variación espacial en n y p genera un gradiente
de portadores desde zonas de alta concentración a zonas de baja concentración provocando
una corriente de difusión que se mantiene hasta que la concentración de portadores n(x) o
p(x) es relativamente constante,
x
Difusión
Relación de Einstein: las constantes de movilidad y las

constantes de difusión son fenómenos estadísticos que no
son independientes.
Dn D p
  Vt
n  p
Donde: Vt es el potencial térmico equivalente determinado por la
temperatura, la constante de Boltzman y la carga del electrón
(0.026 V a 300 ºK): KT
Vt 
q
Difusión
Cuando esta presente un campo eléctrico están presentes tanto

las corrientes de difusión y arrastre, siendo la suma de ambas la
corriente total.
J n  q n nE  qDn n
J p  q p pE  qD p p
J  J p  Jn
Difusión
Cual es la condición para que las corriente neta sea 0 ????
Dnn n
J n  0  q n nEx  qDnn  E    Vt
n n n
D p p
n
J p  0  q p pEx  qD p p  E   Vt
p p p
Se produce equilibrio entre corrientes por difusión y por arrastre

(drift).
Difusión
Exceso de portadores fuera de equilibrio
n  n  no
p  p  po
Exceso de portadores fuera de equilibrio

Polarización
Generación de pares E-H por luz
Inyección de portadores en uniones
Difusión
Ecuación de continuidad:
n n n 1
   J n
t t termico t otros q
p p p 1
   J p
t t termico t otros q
Difusión
Aproximaciones ecuación de continuidad:
n( x) 1 n
 J n 
t q n
p ( x) 1 p
  J p 
t q p
Repaso Semiconductores III:
Juntura PN y Diodos
• Unión PN en circuito abierto.
• Componentes de corriente en un diodo pn.
• La unión PN como rectificador.
• Ecuación del diodo de unión y modelo de circuito.
• Ecuación del diodo
• Características tensión-corriente.
• Capacidad de la carga espacial o de transición.
• Modelo del control de carga de un diodo.
• Tiempo de conmutación del diodo de unión.
• Tipos de diodos
Universidad de Concepción - 124 -

Departamento de ingeniería
Eléctrica
Unión PN en circuito abierto
Unión PN en circuito abierto.
Analizaremos el caso más simple de una

juntura P-N con el mismo semiconductor
intrínseco, concentración uniforme de
donadores y aceptores en los cristales n y p y
mayor concentración de impurezas que de
portadores intrínsecos a temperatura ambiente.

Departamento de ingeniería Eléctrica
Antes del contacto
p p  n p p n nn  pn
pp  Na
nn  N d
n 2 Ec p Ec n
np  i ni 2
pp pn 
Efp Ecn nn
Ev n Ev n

Unión PN en circuito abierto Primero ocurre el proceso de difusión de
portadores creando un campo eléctrico.
Despues del contacto
Este campo eléctrico crea corrientes de
E arrastre que se oponen a las corrientes de
difusión.
p - + n
Flujo Portadores Corrientes

w E  hvtv
w: Ancho región de transición + difusión
E : campo electrico generado por + desplazamiento
difusion portadores
e difusión
dV 1 dE e desplazamiento
E 
dx q dx
Corriente
Neta =0
En equilibrio la corriente debido a
desplazamiento de portadores cancela
Despues del contacto exactamente a la corriente de difusión, de
E donde se tiene que el campo eléctrico crece
hasta que la corriente neta es CERO.
p - + n
Se asume que el campo electrico es cero fuera
de la región w (zona de agotamiento), es decir
w dV/dx=0 o lo que es lo mismo, existe un
w: Ancho región de transición potencial constante vp y vn fuera de la región w
y una diferencia vn – vp = V0 fuera de la región
E : campo eléctrico generado por w.
difusion portadores
dV 1 dE
E 
dx q dx

Despues del contacto
E
El nivel de Fermi en equilibrio es constante a
p - + n través de la juntura
w ¿Cómo calculamos el voltaje que se provoca

Ec p
en la juntura?
Ecn
Efp
Evn Ecn ¿Por qué afirmamos que el nivel de Fermi es
qV0 Ev n
constante a través de la juntura?
vn
vp

¿Cómo calculamos el voltaje que se provoca en la juntura?
Si no hay un campo externo entonces las corrientes de difusión y las corrientes
de arrastre son las mismas
 dp 
J p  q   p pE  D p 0
 dx 
De donde se obtiene que
dp
 p pE  D p
dx

Recordando la relación entre campo y voltaje

dV
E  q
dx
Y la relación de Einstein
Dp KT
  Vt
p q

Reemplazando la expresión del campo eléctrico y reordenando

 p dV 1 dp
q 
D p dx p dx
Reemplazando la relación entre las constantes de movilidad y de difusión
q dV 1 dp
 
KT dx p dx

Integrando
q Vn pn 1

KT 
Vp
dV  
pp p
dp
Resolviendo
q Vn Pn
 V V  ln( p ) p
KT p p

Despejando
q  pn 
  Vn  V p   ln 
KT     
pp 
V0

Reordenando
q  pp 
 Vo   ln  
KT  pn 

Finalmente la expresión del voltaje
KT  p p 
Vo  ln  
q  pn 
• A medida que se aumenta la concentración de impurezas
donadoras y aceptoras aumenta el voltaje de juntura.
• El voltaje en la juntura es proporcional a la temperatura.
• Si se asume que las concentraciones de impurezas son mucho
mayores a las concentraciones de portadores intrínsecas
tenemos que: KT  N N 
Vo  ln  a 2 d 
q  ni 
¿Cómo podemos demostrar que el nivel de Fermi en equilibrio es constante?
Despejemos el valor de la razón entre las concentraciones de huecos y electrones en

los cristales p y n.
pp q
 Vo 
e KT
pn
Recordemos la ecuación que nos permite calcular la concentración de huecos en
función de la densidad de estados equivalentes, el nivel de Fermi, el nivel de energía
superior de la banda de valencia la constante de Boltzman y la temperatura.
 
 E f  EV / KT
p  Nve

Buscamos el equivalente a esta razón en función de los niveles de energía.
pp  
 E fp  EVp / KT
Nve

pn  
 E fn  EVn / KT
Nve
Despejando
pp  
 E fp  EVp / KT  E fn  EVn  / KT
e e
pn

Despejando.
pp  E fn  E fp  / KT  EVp  EVn  / KT
e e
pn
Recordando la relación entre el voltaje del gap V0 y la diferencia de energía entre los
cristales..
EVp  EVn    q  V V   qV
p n 0

Despejando.
pp  E fn  E fp  / KT
e eV0q /KT
pn pp
pn
Recordando la relación entre el voltaje y la diferencia de concentración de huecos

tenemos que
pp  E fn  E fp  / KT p p
e
pn pn

De donde se obtiene que.
 E fn  E fp  / KT
1 e
Que solo se cumple si
E fn  E fp

¿Qué pasa con las distancias?
La distancia W se divide en dos, la distancia en que los electrones difunden hacia el
cristal p y los huecos difunden hacia el cristal n
E
p - + n W=xp0+xn0
-xp0 xn0
0
Si existe diferente concentración de impurezas Nd y Na entonces x p0 es distinto de xn0
pues las cargas en ambas regiones de la zona de agotamiento deben ser iguales
Na Nd
qN a Ax p 0  qN d Axn 0  
xn 0 x p 0

Se define ecuación de Poisson
dE q
  p  n  N d  N a 
dx ò
Despreciando el aporte de portadores minoritarios y resolviendo en cada lado de la

juntura se obtiene que el campo en la juntura esta dado por
q q Na Nd
E0   N a x p 0   N d xn 0  
ò ò xn 0 x p 0

Finalmente después de algún desarrollo matemático (Ver
Streetman pp. 145 147) tenemos que
2òV0  1 1 
W   
q  Na Nd 

La unión PN como rectificador
La unión PN presenta diferentes características cuando se le aplica un campo que se
suma al campo interno en la zona de agotamiento (depletion).
E E E
p -- +
+n p -- ++n p-- +n
+
w w w
+V=0 +V V+
qV0 q(V0-Vf) q(V0+Vf)

La unión PN como rectificador
La unión PN presenta diferentes características cuando se le aplica un campo que se
suma al campo interno en la zona de agotamiento (depletion).
E E E
p -- +
+n p -- + n
+ p-- +n
+
w w w
+V=0 +V V+
+ difusión
+ desplazamiento
e difusión
e desplazamiento
Corriente nula Corriente alta Corriente baja

Ecuación del diodo de unión y
modelo de circuito.
En equilibrio y sin campo externo la corriente de difusión y la corriente de arrastre

generada por el campo producto de la difusión se anulan.
I diff  I gen
¿Qué pasa cuando el voltaje directo aumenta?

modelo de circuito.
Expresamos la concentración de los portadores minoritarios que aparecen en los bordes de
la zona de deplexión, consideramos V=Vext-V0
pn  p  xn 0   pn  pn  e qV / kt
 1
n p  n   x p 0   n p  n p  e qV / kt  1

modelo de circuito.
Ahora expresamos las concentraciones de estos portadores en los cristales p y n en función
de las distancias desde xp0 y xn0.
 np  e  1 e
 x p / Ln  x p / Ln
n( x)  n p e qV / kt
 pn  e  1 e
 xn / L p  xn / L p
p ( x)  pn e qV / kt

modelo de circuito.
Calculando la difusión de huecos en una distancia xn tenemos
d pn ( xn ) Dp
I p ( xn )   qADp  qA pn ( xn )
dxn Lp
Calculando la difusión de electrones en una distancia xp tenemos
d n p ( x p ) Dn
I n ( x p )  qADn  qA n p ( x p )
dx p Ln

modelo de circuito.
Calculando la corriente total
I  I p ( xn  0)  I n ( x p  0)
Dp Dn
I  qA pn ( xn  0)  qA n p ( x p  0)
Lp Ln
 Dp Dn   kTq V 
I  qA  p  e  1
 L p n Ln p  
n
           
I0

modelo de circuito.
Voltaje de ruptura
Las características de tensión-corriente descritas por la ecuación

anterior no reflejan la característica de ruptura de un diodo real.
Cuando el voltaje inverso aumenta, la corriente se mantiene
constante hasta que se llega al voltaje de ruptura, en este punto el
diodo comienza a conducir una alta corriente que puede destruir
el dispositivo.
La ruptura se produce por dos mecanismos, avalancha en diodos

con baja concentración de impurezas y efecto Zener en diodos con
alta concentración de impurezas.

modelo de circuito.
Ruptura por avalancha
Una ruptura por avalancha se produce cuando un electrón acelerado
entra en el cristal p y colisiona un átomo con suficiente energía para
arrancar a lo menos un electrón de este átomo y seguir su viaje, los
portadores generados son a su vez acelerados por el campo eléctrico
incrementando la probabilidad de nuevas colisiones con creación de
portadores provocando una “avalancha de portadores”. Esta avalancha
puede ser controlada por circuiteria externa
I
p n
V- V+

modelo de circuito.
Ruptura por avalancha
Si la probabilidad de una colisión con ionización del átomo es P entonces

se define un factor de multiplicación de electrones M definida por:
nout 1 1
M  
nin 1  P V 
n
1  
 Vbr 
Con n entre 3 y 6.

modelo de circuito.
Ruptura Zener
Cuando se tienen diodos altamente dopados, los niveles de fermi estan
muy cerca de las bandas de valencia (p) y conducción (n) de modo que
un pequeño potencial inverso produce un traslape entre las bandas de
valencia del material p y la banda de conducción del material n (la banda
de valencia del material p se encuentra en un nivel energético superior a
la banda de conducción del material n).
Bc Algunos electrones que participaban

en los enlaces covalentes en el
-e material p son arrancados y
lanzados a la banda de conducción
del material n aumentando el
Bv número de portadores y por lo tanto
la corriente inversa.
modelo de circuito.
Modelos ideales y reales del diodo

modelo de circuito.
Modelo ideal del diodo

modelo de circuito.
Modelo mejorado del diodo

modelo de circuito.
Modelo de control de la carga de un circuito
Q  I

modelo de circuito.
Capacidad en la juntura en polarización inversa
Un condensador polarizado en forma inversa tiene cargas

separadas por la zona de agotamiento, es en esencia un
condensador, cuya carga y distancia entre las cargas varían con el
voltaje.
A A 2q N d
Ct   
W 2 Vo  V

modelo de circuito.
Capacidad de carga espacial en polarización directa
En un condensador polarizado en forma directa aumenta la

cantidad de portadores minoritarios en ambos lados y con esto la
carga distribuida Q. Se expresa esta capacidad en función de la
conductancia dinámica del sistema.
dQ dI
Cs     p n     p   n  Gs
dV dV 
q
I
kT

modelo de circuito.
Encendido/apagado de un diodo
Cuando un diodo esta en conducción, y el voltaje cae

abruptamente no deja de circular corriente hasta que toda las
cargas se han recombinado. Esto limita las velocidades de
encendido y apagado

modelo de circuito.
Encendido/apagado de un diodo

Repaso Semiconductores III:
Dispositivos Utilizados en
Aplicaciones de Conmutación
I. Introducción
II. Características de Interruptor Ideal
III. Clasificación
IV. SCR
V. GTO
VI. GCT/IGCT/SGCT
VII. IGBT
Introducción
El desarrollo de interruptores de estado

sólido comienza con la invención del
transistor por Bardeen, Brattain y Shocley
en los laboratorios Bell en 1947.
Desarrollo convertidores estáticos comienza

a fines de la década del 50 con el
desarrollo del diodo rectificador y se
consolida en la década del 60
Semiconductores
Características Interruptor Ideal
I Características V-I
Encendido
Características V-I Características V-I

Tensión Inversa Apagado
Semiconductores
Características V/I Switch Ideal
• Encendido y apagado instantáneo (Tiempos de encendido y apagado)
• Caída de tensión cero durante conducción (voltaje de saturación).
• Resistencia de fuga infinita en estado de no conducción (Corrientes de
fuga)
• Gran capacidad de corriente estado encendido (Corriente Nominal)
• Gran capacidad de bloqueo de voltaje en estado apagado (Tensión
Bloqueo)
• Señales de control de baja potencia.
Semiconductores
Características V/I Switch Real
• Tiempo de encendido y apagado, perdidas de conmutación
proporcionales frecuencia conmutación.
Apagado Encendido Apagado

V
P=V*I
Semiconductores
• Perdidas por voltaje saturación proporcionales a la corriente.
Apagado Encendido
V
P=V*I
Semiconductores
• En general la resistencia de fuga es alta y se puede
considerar infinita en operaciones normales.
• Máxima corriente nominal depende del tipo de semiconductor.

Cada año fabricantes aumentan rangos de voltaje y corriente
para estos.
• La energía requerida para encender o apagar un semiconductor

cambia según semiconductor. Los que necesitan menor
potencia son los MOSFET e IGBT y los que necesitan pulsos de
mayor potencia son los tiristores.
Semiconductores
Al momento de elegir un semiconductor se debe tener en

cuenta algunos parámetros como la potencia, características
de encendido/apagado, velocidad, confiabilidad y la
complejidad de los circuitos anexos necesarios para la
conmutación.
Semiconductores
Clasificación
• Semiconductores con conmutación natural.
– Diodos
– SCR
• Semiconductores con conmutación forzada.

– BJT
– MOSFET
– IGBT
– GTO/GCT/IGCT/SGCT
Diodo Rectificador
K
Id
A K
P N
A Voltaje
de
ruptura
Voltaje vd
de
umbral
El diodo rectificador es un semiconductor de silicio de dos

capas P-N que en forma normal solo permite el paso de
corriente en una dirección.
Diodo Rectificador
P E N
A K - -
A + + - + +- + - K
- -
+ + - + +- +-
En zona de difusión algunos electrones salen de átomos silicio tipo N
y pasan a silicio tipo P generando campo eléctrico que se opone al
movimiento Electrones
E
- - +- + - - - ++ +
+ + - + -
- +- +- +- +- - - - ++ +
+ -
-
+ +
Polarización directa campo Polarización inversa campo
eléctrico acerca portadores a eléctrico aleja portadores de
zona difusión la zona de difusión.
Diodo: Características.
• Encendido cuando diferencia de voltaje entre
terminales es mayor a voltaje de saturación.
Id
• Apagado natural cuando corriente se extingue.
vd
• Voltaje saturación 0.6 a 1 V.

• Características importantes:
– Corriente forward IF
– Corriente forward IFRMS
– Corriente máxima un ciclo no repetitivo IFSM
– Voltaje Umbral VF
– Resistencia directa rF
– Característica de corriente tiempo para selección de fusibles
I2t
– Temperatura juntura TJ
– Voltaje ruptura inverso VRRM
Semiconductores
D1
(1)
• Con una carga resistiva la corriente se
(2) extingue al momento que el voltaje se
(1) hace cero.
AC R
D1
• Con una carga inductiva la corriente se
extingue cuando la energía almacenada
en el inductor se hace nula
(1) L
AC
(2)
R
Semiconductores
D1
• Diodo volante permite la corriente
circulando por el inductor cuando
voltaje se hace negativo.
(1)
L
AC D2 • Energía del inductor se disipa en
(2) resistencia.
R
Semiconductores
Transistores
Semiconductores que se usan como

interruptores controlados tanto en el
encendido como en el apagado.
Semiconductores
BJT
Colector Emisor
N P N
Base
Transistores controlados por corriente,

encendidos mientras exista corriente
entre base y emisor. Se utilizan en zona
de corte y saturación.
Semiconductores
BJT
Curvas Operación BJT

FET
Ecuación de Shockley
VGS<
VD 2
0  VGS 
S I D  I DSS 1  
 VP 
D G S
P
Donde:
N ID: Corriente Drenaje
IDSS: Corriente Drenaje Saturación
VGS:Voltaje gate – source
VP: Voltaje pitch o ruptura
FET Tensión de Contracción
• La tensión de contracción o de estrangulamiento (pitch voltage) es
aquella en la cual la región de agotamiento de la juntura inversa cubre
todo el canal.
• Cuando el voltaje G-S es cero, se produce una corriente para un voltaje

SD dado hasta cierto nivel que corresponde a la situación donde el
voltaje interno del FET llega al voltaje de Pitch.
• Cuando se polariza la unión VGS el voltaje interno alcanza el voltaje

pitch VGS volts antes, disminuyendo la corriente máxima ID.
FET Tensión de Contracción
Zona ID
Agotamiento
IDS
+
I S
d
G
VDD
P N P
Gradiente voltaje
+ Vgs
S VP VDS
Características corriente/voltaje
de un JFET
• La polarización del FET requiere conocer el Vp, las curvas
características del mismo y la ecuación de Shockley .
2
 VGS  I ID Limite potencia
I D  I DSS 1   rds on
 VP 
D
Limite voltaje
VGS 0
VP VDS
Zona Ohmica Zona saturacion
Semiconductores
MOSFET
Transistores controlados por voltaje,

encendidos mientras exista voltaje entre
gate y drain. Se utilizan en zona de corte
y saturación
Semiconductores
MOSFET
Curvas operación MOSFET

FET de puerta aislada MOSFET
Condensador MOS
• Capa metal-oxido aislante-semiconductor forma condensador.

• Controlando el voltaje en este condensador se atraen o repelen
cargas desde el semiconductor.
• Este principio se utiliza para atraer o repeler electrones o huecos y
construir FET de puerta aislada.
Metal
Oxido Aislante Capacitor
Semiconductor
Diagramas de banda
Metal
Oxido Aislante
Semiconductor
MOSFET Canal N empobrecimiento
S G D
• Tres o cuatro terminales
• Sustrato puede estar con terminal P Canal P
aparte o terminal unido a source de
fabrica. N
• Curvas equivalentes a FET de canal
N SS
• Alta impedancia de entrada
MOSFET Canal N empobrecimiento
S + G D
• Al aplicar un voltaje GS el campo ++ + +

electrico en el capacitor MOS atrae Canal
P e-e- e- e- P
electrones al canal P
recombinando las cargas y N
debilitando el canal.
SS
ID ID +
IDSS
0 VP VGS Vp VD
S
MOSFET Canal P empobrecimiento
S G D
• Sustrato puede estar con terminal N Canal N
fabrica. P
• Curvas equivalentes a FET de canal
P SS
MOSFET Canal P empobrecimiento
S+ G D
• - G- - - D
Al aplicar un voltaje GS el campo
eléctrico en el capacitor MOS atrae N Canal N
h h- h
huecos al canal N recombinando h
las cargas y debilitando el canal. P
SS
ID ID
IDSS
VP 0 VGS Vp VD
S
MOSFET Canal N enriquecimiento
S G D
• Sustrato puede estar con terminal P Canal P
fabrica. N
• Curvas dependen de nuevo
parámetro Vt (voltaje umbral) SS
• Corrientes de drenaje 0 para voltaje
gate source mayores que cero
MOSFET Canal N enriquecimiento
S+ G D
• Al aplicar un voltaje GS el campo - - - -

eléctrico en el capacitor MOS atrae P h h h P
huecos al condensador MOS
creado un canal P. N
SS
ID ID
VT 0 VGS Vp VD
S
MOSFET Canal P enriquecimiento
D G S
• Sustrato puede estar con terminal N Canal N
fabrica. P
• Curvas dependen de nuevo
parámetro Vt (voltaje umbral) SS
• Corrientes de drenaje 0 para voltaje
gate source mayores que cero
MOSFET Canal P enriquecimiento
S+ G D
• - G- - - D
Al aplicar un voltaje GS el campo
eléctrico en el capacitor MOS atrae N e-Canale- N
electrones al condensador MOS Canal
crenado un canal N. P
SS
ID ID
0 VT VGS Vp VD
S
Semiconductores
IGBT
Transistores que tiene las características

de conducción del BJT y de disparo del
MOSFET. Interruptor más utilizado en
convertidores de potencias bajas y
medias.
Semiconductores
IGBT
Curvas operación IGBT

Semiconductores
IGBT: Características.
• Autoprotección contra cortocircuitos.
• Puede operar sin snubbers.
• Tecnologías de baja y media tensión.
• Componente preferida para aplicaciones de baja y

media potencia
Semiconductores
• Constructivamente un IGBT es la conexión de varios componentes individuales en
paralelo, por ejemplo se necesitan 60 chips y 450 conexiones para un IGBT de
3.3KV y 1.2KA.
Semiconductores
– Voltaje Colector Emisor
– Voltaje Colector Emisor saturación
– Voltaje Emisor Colector
– Voltaje Gate emisor
– Corriente Colector
– Pulso corriente Colector
– Corriente Emisor
– Pulso corriente colector
– Disipación máxima colector
– Temperatura juntura TJ
– Retardo encendido
– Tiempo subida
– Retardo apagado
– Tiempo bajada
Semiconductores
Semiconductores
Tiristores
Familia de semiconductores de 4 capas,

de alta confiabilidad y capacidad de
conmutación de corriente .
Semiconductores
SCR
K A K
G P N P N
Voltaje On G
de
A ruptura A
K
Off
G Voltaje G
de
A umbral K
El rectificador controlado de silicio es un semiconductor de cuatro

capas P-N-P-N que comienza a conducir con un pulso de corriente
y se apaga cuando la corriente baja de un mínimo.
Semiconductores
SCR: Características.
• Encendido cuando un pulso de corriente circula
entre gate y catodo.
On
• Apagado natural cuando corriente baja mínimo.
Off
Semiconductores
– Voltaje directo ruptura VBO
– Tensión reversa máxima VFBR
– Temperatura operación máxima TJ
– Corriente ánodo máxima IAmax
– Máximo dv/dt
– Máximo di/dt
– Característica de corriente tiempo para selección de fusibles
I2t
– Corriente de disparo IL
– Tiempo de encendido Ton
– Corriente de recombinación inversa irqm
Semiconductores
Semiconductores
Semiconductores
D1 • La corriente circula cuando se produce
un disparo en el ángulo  y la tensión
(1)
de ánodo es mas positiva que la de
cátodo y termina cuando la corriente se

(1) L  extingue.
AC
(2) (2)
R
 
Semiconductores
GTO: Características.
• Encendido con pulso de corriente idéntico a SCR.
On • apagado con pulso de corriente inverso entre

cátodo y gate entre 3 y 5 veces la corriente
circulando entre ánodo y cátodo.
Off
• apagado limitado a 500-1000 A/s requiere grandes
circuitos snubbers.
Semiconductores
GTO: Características.
Dibujo creado por el Dr. Leopoldo García Franquelo, Departamento de Ingeniería Electrónica escuela Superior de Ingenieros
Universidad de Sevilla.
Semiconductores
GCT/IGCT/SGCT: Características.
• GCT/IGCT GTO mejorados logran
apagado rápido, 4000 A/s. No
requieren Snubber de apagado. Menor
corriente inversa necesaria para
apagado (ganancia 1).
• SGCT es un IGCT con voltajes de

bloqueo simétrico, utilizado en
convertidores fuente de corriente.
Semiconductores
Cuestionario.
• Mencione las características de un interruptor ideal y discuta las diferencias con
cada uno de los interruptores reales presentados.
• Explique con sus palabras cuales son las principales limitaciones que se imponen
con las perdidas de conmutación.
• Explique con sus palabras cuales son las principales limitaciones que se imponen
con las perdidas de conducción.
Semiconductores
Cuestionario.
• ¿Qué componente utilizaría para diseñar un interruptor electrónico de 4000V y
100KW, 1MW, 10MW? ¿porqué?
• Que importancia tiene en el diseño los tiempos de encendido y apagado de los

semiconductores
• En los semiconductores de encendido y apagado por corriente ¿de que niveles de

corriente de Gate estamos hablando?

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Repaso Semiconductores I :

El modelo de Dalton considera a los átomos como pequeñas

El modelo de Thompson considera a los átomos como una nube

El modelo de Rutherford considera a los átomos como un

Al graficar la máxima energía cinética de los electrones expulsados vs.

• La energía cinética de un fotón E esta relacionada con su frecuencia v

Bandas Absorción Hidrogeno

El modelo de Bohr es un modelo orbital del átomo de hidrogeno,

p+ Cuando el átomo absorbe (o emite)

El número cuántico secundario o azimutal (l):Toma valores desde 0 hasta n-1.

El número cuántico magnético (m): Indica la orientación de los orbítales en los

Bosones: Familia de partículas elementales de momento angular intrínseco (o número de

Fermiones: Familia de partículas elementales de número de spin “entero+1/2” (1/2, 3/2)

El modelo de Schrödinger extiende el modelo de Bohr al considerar el principio de dualidad

Se comprueba experimentalmente en 1927 al observar la difracción del electrón.

No se puede determinar en forma exacta ciertos pares de variables físicas, como

Al hacer una partícula más pequeña, la hacemos más sensible a perturbaciones.

La resolución de la ecuación de schrödeinger permite ir

Los orbítales se van llenando de modo de tener estados de

Los orbítales s (l=0) tienen forma esférica. La extensión de este

Los orbítales p (l=1) están formados por dos lóbulos idénticos

Los orbítales d (l=2) también están formados por lóbulos. Hay

Los orbitales f (l=3) también tienen un aspecto multilobular.

Un orbital atómico determinado puede ser ocupado por sólo

En general los fermiones (electrones, protones, neutrones) no

Estos orbítales se van completando

Observación química tradicional indica que átomos encuentran estructuras estables al

• En un sólido un electrón tiene un rango o banda de energía permitida.

• Esto porque las funciones de onda de electrones en átomos vecinos se

Bandas de conducción: intervalo de energías electrónicas que,

Banda prohibida (gap): es la diferencia de energía entre la

En un aislante la banda prohibida tiene una energía grande >> 10 eV a 0ºK.

En un semiconductor la banda prohibida tiene una energía baja < 1 eV a 0ºK,

Ejemplo 1. Calcule la expresión para el radio de cada orbita

Igualando (1) y (2):

De (4) y (5) se llega a:

El modelo impone que el perímetro de la orbita debe contener un

Reemplazando (7) en (6) se obtiene la expresión para la velocidad del

Despejando r con valores numéricos:

La solución de la ecuación de Schröedinger para un átomo de

Ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo, en

Energía del sistema Energía cinética Energía potencial Operador

Ecuación de onda en un campo invariante en el tiempo, si el campo

Energía del Operador

Gradiente en coordenadas esféricas

Se define como solución una ecuación de onda separable en tres

2  P ( ) F ( )   2 R(r )  R(r ) F ( )   P( )  R(r ) P( )  2 F ( )  

En esta expresión la componente en r esta separada y no interviene la componente dependiente de

donde l = 0,1,2,... y ademas 0  m  l

 2 R (r ) 2 R(r )  2me  Zqe 2  l  l  1  (28)

Finalmente tenemos para los primeros niveles

Finalmente tenemos para los primeros niveles

Estructura de un semiconductor intrínseco

Estructura estable, formada por enlaces covalentes.

Banda de valencia separada de banda de conducción.

Salto de energía entre bandas de valencia y conducción (gap) menor al de un aislador:

Aleación familias III-V

Ruptura del enlace

A cero absoluto aislantes y semiconductores no tienen electrones en la banda de conducción.

Como los electrones y huecos se generan en pares, la concentración de electrones en la banda de

Semiconductor tipo n Semiconductor tipo p

Semiconductor tipo n a 0°K

Semiconductor tipo n Semiconductor tipo n a 300°K