UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

“TRANSISTORES”
FACULTAD:
INGENIERÍA CIVIL Y MECÁNICA
CARRERA:
INGENIERÍA MECÁNICA
CÁTEDRA:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
CATEDRÁTICO:
ING. SUSANA VALENCIA MG.
INTEGRANTES:
ERICK MIGUEL ACOSTA PÉREZ
PAUL ALEXANDER BARRAGÁN MÍGUEZ
TRANSISTOR (TEORÍA)

• Esun dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
• El término “Transistor" (“Resistencia de Transferencia").
• Actualmente se les encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y
vídeo, hornos de microondas, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.
CONFIGURACIÓN DEL TRANSISTOR

• El transistor consta de un cristal (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite electrones,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El transistor es
un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada.
CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES
“TRANSISTOR BIPOLAR O BJT”

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN:
• El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
“TRANSISTOR BIPOLAR NPN” UTILIDAD: FOTO REAL
• Amplificador con
ganancia
variable y
control
electrónico.

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

El transitor NPN esta compuesto por tres capas
de materiales semi-conductores, este arreglo es
como un pastel de tres capas, Capa N-P-N.
Estos materiales son cristales de silicio que se
encuentran dopados de forma distinta.
• Base para el desarrollo de sistemas
digitales como compuertas lógicas.
• Debe de operar en las zonas llamadas
corte y saturación.
“TRANSISTOR PNP” UTILIDAD: FOTO REAL
Un transistor PNP en un
radio aumenta la señal
relativamente pequeña
de una antena, lo que te
permite sintonizar
emisoras a muchos
kilómetros de distancia.

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

• Un transistor PNP es uno que controla el
flujo de corriente principal, alterando el Un transistor PNP gira sobre la conexión
número de agujeros en lugar del número de su emisor-colector si la tensión en la
de electrones en la base. Tiene una caja
base es menor que en el emisor.
de metal o de plástico de
aproximadamente el tamaño de una
arveja.
DIFERENCIA ENTRE TRANSISTOR PNP Y NPN
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el
terminal del colector. Este voltaje positivo al colector
permite que la corriente fluya a través del colector al
emisor, dado que hay una suficiente corriente base
para encender el transistor.
Un transistor PNP recibe tensión positiva en el
terminal emisor. El voltaje positivo al emisor permite
que la corriente fluya desde el emisor al colector,
dado que hay una corriente negativa a la base
(corriente que fluye desde la base a tierra).
“TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO (FET)”

CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:
• Está formado por una barrita de material p
ó n, llamada canal, rodeada en parte de
su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN:
p-n.
Estos transistores eliminan la impedancia
• En los extremos del canal se hacen de entrada bastante baja y pertenece a la
sendas conexiones óhmicas llamadas familia de dispositivos en los que existe un
respectivamente sumidero (d-drain) y solo tipo de portador de cargas, y por tanto,
fuente (s-source), más una conexión son unipolares.
llamada puerta (g-gate) en el collar.
 “MOSFET” UTILIDAD: FOTO REAL
• Conmutación y
amplificación de
señales.

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

• Significa Transistor de efecto de campo de • Es un interruptor que se activa por tensión.
semiconductor de óxido de metal.
• Un transistor MOSFET consiste en un sustrato
de material semiconductor dopado en el que,
mediante técnicas de difusión de dopantes, se
crean dos islas de tipo opuesto separadas por
un área sobre la cual se hace crecer una capa
de dieléctrico culminada por una capa de
conductor.
“JFET”
CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN:
El transistor JFET es un dispositivo mediante el
cual se puede controlar el paso de una cierta
cantidad de corriente haciendo variar una
tensión; existen 2 tipos de JFET los de canal n y
los de canal p.
La diferencia entre el canal n y p será el sentido
de las corrientes y las tensiones sobre el JFET.
FOTO REAL
CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:
La potencia de control es nula, es decir, no se
absorbe corriente por el terminal de control.
Una señal muy débil puede controlar el
dispositivo.
La tensión de control se emplea para crear un
campo eléctrico.
 APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
separador (buffer) alta y de salida baja receptores
Amplificador de Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo
RF para comunicaciones
Mezclador Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para Receptores, generadores de
CAG controlar ganancia señales
Usos de transistores Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medición,
cascodo entrada equipos de prueba
JFET
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas
de control de dirección
Resistor variable Se controla por voltaje Amplificadores operacionales,
por voltaje órganos electrónicos, controlas
de tono
Amplificador de Capacidad pequeña Audífonos para sordera,
baja frecuencia de acoplamiento transductores inductivos
Oscilador Mínima variación de Generadores de frecuencia
frecuencia patrón, receptores
Circuito MOS Pequeño tamaño Integración en gran escala,
digital computadores, memorias
TRANSISTOR UJT
CANAL N Y P
“UJT TRANSISTOR CANAL P Y N” UTILIDAD: FOTO REAL
• Generador de
pulsos en diente de
sierra. estos pulsos
resultan muy útiles
para controlar el
disparo de la puerta
de TRIACS y SCR.

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

• Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su • La resistencia entre las dos bases
estructura un número elevado de huecos. sea muy alta cuando el diodo del
sin embargo, al cristal N se le dopa con
emisor no conduce.
muy pocas impurezas, por lo que existen
muy pocos electrones libres en su
estructura.
Transistores de potencia
“IGBT TRANSISTOR” UTILIDAD:
FOTO REAL
• Para tensiones de 400
a 1200 V, los IGBT
ofrecen ventajas
sustanciales frente a
los transistores
bipolares de potencia

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

• Un híbrido entre los transistores bipolares
y los MOSFET para aprovechar tanto la
• “Modulación de la Conductividad" y
sencillez de ataque de los últimos, como la puede contribuir a incrementar la
capacidad para conducir altas corrientes y capacidad de conducción de corriente
baja resistencia en conducción de los hasta 10 veces más.
primeros.
“TIRISTOR” UTILIDAD: FOTO REAL
• Se emplea
generalmente
para el control
de potencia
eléctrica.

CONCEPTO Y DESCRIPCIÓN: CARACTERÍSTICA PRINCIPAL:

Nos materiales de los que se compone son de
tipo semiconductor, es decir, dependiendo de
• Utiliza realimentación interna para
la temperatura a la que se encuentren pueden producir una conmutación.
funcionar como aislantes o como conductores.
son dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (TRIAC) o (DIAC).
REFERENCIAS

• http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm
• http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/
• http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
• https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
• https://www.ecured.cu/Transistor_MOSFET
• https://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npn-pnp/