Transistores de Potencia

Capitulo 4
Transistores

 Trabajan en encendido - apagado

 Velocidad de conmutación mucho mayor que tiristores

 Voltaje y Corriente menores que tiristores.

 5 Categorias
 Transistores Bipolares de Union (BJT)
 Transistor de efecto de campo de meta oxido semiconductor (MOSFET)
 Transistores de Inducción estatica (SIT)
 Transistor Bipolar de compuerta aislada (IGBT)
 COOLMOS
 (1)
BJT

Dispositivo controlado por

corriente
BJT
TRES REGIONES

1. Corte : Abierto o apagado

2. Activa : Amplificador / Ganancia
3. Saturación : Corriente en la base
suficientemente alta
Punto Q
 Punto estático de operación
Acción Amplificadora
Modelo de Transistor NPN

 Bf = ganancia

(2)
Limites de Conmutación
 Segunda avalancha : se produce debido a efectos térmicos SB
 Área de operación segura en polarización directa (FBSOA ) : indica los limites de Ic – VCE ,en condiciones de activación.
 Área de operación segura en polarización inversa (RBSOA ) : indica los limites de Ic – VCE ,durante el apagado.
 Pedida de disipación de potencia :

 Voltajes de ruptura : voltaje absoluto máximo entre 2 terminales , con la tercera terminal abierta
 Vebo: voltaje máximo entre emisor y base

 Vcev o Vcex : voltaje máximo entre colector y emisor a un voltaje negativo aplicado entre la base y el emisor.

 Vceo(SUS) : voltaje máximo entre colector y emisor con la base en circuito abierto.

 https://www.youtube.com/watch?v=WeeoOV4LSNA
MOSFET DE POTENCIA

 Requiere una pequeña corriente de entrada

 Velocidad de conmutación muy alta
 Tiempo de conmutación ns
 No sufren segunda avalancha
 Problemas de descarga electrostática

Dispositivo controlado por

voltaje
 Capacidad baja en sentido inverso
 Alta resistencia en sentido directo
 Ganancia de corriente ID/IG
Regiones de Operación

 Región de corte VGS <Vt

 Región de saturación VDS=VGS-VT
 Región Lineal VDs<VGS-VT
Características de Conmutación

 https://www.youtube.com/watch?v=GrvvkYTW_0k
COOLMOS

 Desarrollo del Mosfet

 Perdidas de conducción cinco veces menor
 Maneja de 2 a 3 veces mas potencia
SIT

 Alta Potencia y Alta Frecuencia

 Bajo Ruido
 Baja Distorsion
 Tiempos de encendido y apagado 0,25us
IGBT
 BJT + MOSFET
 Alta Impedancia de Entrada
 Pocas perdidas en conducción
 No tiene problemas de 2da avalancha
 Controlado por voltaje
 Mas rápido que BJT y menor a MOSFET
Operación en serie y Paralelo