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CIENCIA E INGENIERIA DE
MATERIALES
Captulo 3 Arreglos atmicos y inicos
1
Objectivos del Captulo 3
Estudiar la clasificacin de los
materiales basado en los arreglos
atmicos y inicos.
Describir los arreglos en los slidos

cristalinos de acuerdo con las
estructuras de la red, base y
cristalina.
2
Contenido
3.1 Orden de corto alcance Vs. orden de
largo alcance.
3.2 Materiales amorfos, principios y
tecnologa de aplicacin
3.3 Redes, celdas unitarias, bases y
estructuras cristalinas
3.4 Tranformaciones alotrpicas o polimorfas
3.5 Puntos, direcciones y planos en la celda
unitaria.
3.6 Sitios intersticiales.
3.7 Estructuras cristalinas de los materiales
inicos.
3.8 Estructuras covalentes
3
Seccion 3.1
Orden de corto alcance Vs. Orden
de largo alcance
SRO Un material tiene orden de corto alcance si el
arreglo espacial de los tomos solo se extiende a su
vecindad .
LRO El arreglo tomico espacial abarca escalas de
longitud mayores a 100 nm, formando un patron regular
y repetitivo.
Condensado de Bose-Einstein (BEC) Predijeron la
existencia de este estado de la materia, donde un grupo
de tomos enfriados a temperaturas muy bajas (justo
arriba de 0 K, mediante lseres y trampas magnticas,
tiene el mismo estado cuntico fundamental. Uno de sus
usos podra ser lseres atmicos
4
Figura 3.1 Niveles de
ordenamiento tomico
en los materiales:
(a)Los gases
monotomicos inertes
no tienen
ordenamiento regular
de tomos. (b y c)
algunos materiales
que incluyen vapor de
agua, nitrogeno
gaseoso, silicio
amorfo y vidrios de
silicato, tienen orden
de corto alcance. (d)
Metales,aleaciones y
muchas cermicas, as
como polmeros,
tienen ordenamiento
regular de tomos o
iones que se extiende
a travs del material.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
5
Figura 3.2 Tetraedro
bsico de Si-O en el
vidrio de silicio.
6
Figura 3.3 Arreglo
tetradrico de los
enlaces C-H en el
polietileno.
7
Figura 3.4 (a) Fotografa de un
monocristal de silicio. (b)
Micrografa de un acero
inoxidable policristalino, donde
se ven los granos y los lmites de
grano (Cortesia de los Dr. M. Hua,
Dr. I. Garcia, y Dr. A.J. Deardo.)
8
Figura 3.5 Pantalla de cristal lquido, estos materiales
son amorfos en un estado y sufren cristalizacin
localizada como respuesta a un campo elctrico externo
se usan mucho en las pantallas de cristal lquido (LCD).
(Cortesia de Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
9
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figura 3.7 Clasificacin de los materiales con base en la clase

de orden atmico.
10
Seccin 3.2
Materiales amorfos: Principios y
aplicaciones tecnolgicas
Materiales amorfos
Vidrios
Vitroceramicas
11
Figura 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y
estirado para fabricar una botella de dos litros de PET
(tereftalato de polietileno) a partir de una pre forma. El
esfuerzo inducido en la cristalizacin causa la formacin de
cristales pequeos que contribuyen a reforzar el resto de la
matriz amorfa.
12
Learning
Figura 3.10 Arreglos atmicos en el silicio cristalino y en el

silicio amorfo. (a) silicio amorfo. (b) Silicio cristalino.
Obsrvese la variacin en la distancia interatmica en el
silicio amorfo.
13
Seccin: 3.3
Celdas unitarias,bases y estructuras cristalinas
La red Es una coleccin de puntos llamados puntos de

red ordenados en un patrn peridico de manera que los
alrededores de cada punto de la red son idnticos.
Base Son un grupo de tomos asociados con un punto
de la red. Estructura cristalina = red + base
Celda unitaria Es la sub divisin de una red que sigue
conservando las caractersticas generales de toda la red.
Radio Atomico El tamao aparente del tomo en una
celda unitaria se calcula en base al radio de un tomo.
Factor de empaquetamiento Es la fraccin de espacio
ocupada por tomos, suponiendo que son esferas que
tocan a su vecino cercano.
14
Figura 3.11 Los
catorce tipos de
redes de Bravais,
agrupados en
siete sistemas
cristalinos. En las
figuras 3.12 y 3.16
se muestra la
celda unitaria real
para un sistema
hexagonal.
15
Tabla 3.1 Caractersticas de los siete sistemas cristalinos
16
Figura 3.12
Definicin de
los parmetros
de la red y su
aplicacin en
los sistemas
cristalinos
cbico,
ortorrmbico y
hexagonal.
17
Figura 3.13 (a)
Ilustracin de la
distribucin de los
tomos en caras y
vrtices. (b) Los
modelos de celdas
unitarias cbica
simple (SC), cbica
centrada en el
cuerpo (BCC), y
cbica centrada en
las caras (FCC)
asumiendo que hay
un solo tomo por
punto de red.
18
Ejemplo 3.1 Determinacin de la cantidad de puntos
de red en sistemas cristalinos cbicos
Calcule los puntos red por celda en los sistemas cristalinos
cbicos. Si solo hay un tomo en cada punto de red, calcule la
cantidad de tomos por celda unitaria.
SOLUCION
En la celda unitaria SC : puntos de red / celda unitaria = (8
vrtices)1/8 = 1
En BCC : puntos de red / celda unitaria
= (8 vrtices)1/8 + (1 centro)(1) = 2
En FCC : Puntos de red / celda unitaria
= (8 vrtices)1/8 + (6 caras)(1/2) = 4
Como se supone que solamente hay un tomo en cada punto
de red, la cantidad de tomos por celda unitaria sera 1, 2, y
4,para las celdas unitarias cbica simple, cbica centrada en el
cuerpo y cbica centrada en las caras, respectivamente.
19
Ejemplo 3.2
Determinacin de la relacin entre el radio
atmico y los parmetros de red.
Determine la relacin entre el radio atmico y el

parmetro de red en las estructuras SC, BCC, y FCC
cuando se tiene un tomo en cada punto de red.

Learning
Figura 3.14 Relaciones entre el radio atmico y el parmetro
de red en sistemas cbicos.
20
Ejemplo 3.2 SOLUCION
De la figura 3.14, vemos que los tomos se tocan a lo
largo de la arista del cubo en las estructuras SC.
a0 2r
En BCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del
cuerpo, que tiene una longitud a03, hay 4 radios
4r
a0
3
En FCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal
de la cara del cubo, su longitud es a02 y hay 4 radios
4r
a0
2
21
Learning
Figura 3.15 Nmeros de coordinacin en celdas unitarias (a)

SC y (b) BCC . En SC seis tomos tocan a cada tomo,
mientras que en la celda unitaria BCC son 8.
22
Ejemplo 3.3: Clculo del factor de empaquetamiento
Calcular el factor de empaquetamiento de una celda FCC
SOLUCION
Hay 4 puntos de red por celda, si hay un tomo por punto de red,
tambin hay 4 tomos por celda. El volumen es 4r3/3 y el
volumen de la celda unitaria es :
3
a 4 3
(4 atoms/cel. )( r )
0
Factor empaquet. 3
a0
3
Como para FCC a 0 4r/ 2

4 3
(4)( r )
3
Factor de empaquet. 3
0.74
( 4r / 2 ) 18
23
Ejemplo 3.4
Determine la densidad del hierro BCC
El hierro BCC , tiene un parmetro de red de 0.2866 nm.
SOLUCION
Atoms/cel = 2, a0 = 0.2866 nm = 2.866 10-8 cm
masa a. = 55.847 g/mol
Volumen = (2.866 10-8 cm)3 = 23.54 10-24 cm3/cell
3
Avogadro NA = 6.02
a10
0 23 atoms/mol
(numer de atoms/cel) ( masa del hierro)

Densidad
(volume cel. unit )(Nm. Avogadro)
(2)(55.847)
7.882 g / cm 3
(23.54 10 24 )(6.02 10 23 )
24
Learning
Figura 3.16 La estructura hexagonal compacta HCP

(izquierda) y su celda unitaria.
25
Tabla 3.2 Propiedades de la estructura Cristalina de algunos
metales
26
Seccin 3.4
Transformaciones alotrpicas o
polimorfas
Alotrpicas Los elementos que tienen mas de una
estructura cristalina se llaman alotrpicos. Este trmino
suele reservarse para los elementos puros, donde el
efecto de la presin o la temperatura hace que cambie la
estructura.
Poliformismo Se emplea el mismo concepto pero para
materiales compuestos.
27
Figura 3.17 Los sensores de oxgeno
gaseoso que se usan en automviles y
otras aplicaciones se basan en
composiciones de zirconia estabilizada.
(Cortesa de Bosch Robert Bosch GmbH.)
28
Ejemplo 3.5
Clculo de cambios de Volumen en
polimorfos de zirconia
Calcular el cambio de volumen porcentual cuando la
zirconia pasa de una estructura tetragonal a una
estructura monoclinica.[9] la constante de red para
estructuras unitarias monoclinicas son: a = 5.156, b =
5.191, y c = 5.304 , respectivamente. El ngulo de la
celda monoclinica es 98.9. Para la celda tetragonal las
constantes de red son: a = 5.094 y c = 5.304 ,
respectivamente. [10] durante la transformacin se
expande o se contrae la zirconia? Cuales son los efectos
de esta transformacin sobre las propiedades mecnicas
de la cermica de la zirconia?
29
El volumen de una celda unitaria tetragonal
V = a2c = (5.094)2 (5.304) = 134.33 3.
El volumen de una celda unitaria monoclnca es

V = abc sin = (5.156) (5.191) (5.304) sin(98.9) = 140.25 3.
Entonces hay una expansin de la celda unitaria conforme el

ZrO2, se transforma de tetragonal a monoclnico. El cambio
porcentual de volumen es:
= (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100

= (140.25 - 134.33 3)/140.25 3 * 100 = 4.21%.
La mayoria de los cermicos son muy frgiles y no pueden

resistir un cambio de volumen mayor al 0.1%.La conclusin es
que los cermicos de ZrO2 no pueden usarse en su forma
monoclnica por que cuando la zirconia pase a su forma
tetragonal, casi con seguridad se rompe.Por lo tanto, el ZrO2 se
estabiliza con frecuencia en una forma cbica, usando diversos
aditivos, como CaO, MgO, and Y2O3.
30
Ejemplo 3.6 Diseo de un sensor para
medir el cambio de volumen
Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas
elevadas, nos gustaria disear un instrumento que pueda
detectar , con exactitud del 1%, el cambio de volumen de un
cubo de hierro de 1-cm3 cuando se calienta pasando por su
temperatura de transformacin polimrfica. A 911oC, el
hierro es BCC, con un parmetro de red de 0.2863 nm. A
913oC, el hierro es FCC, con un parmetro de red de 0.3591
nm. Determine la exactitud que se requiere en el
instrumento medidor.
SOLUCION
El volumen de una celda unitaria del hierro BCC antes de
transformarlo es:
3
VBCC = a0 = (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
31
Ejemplo 3.6 SOLUCION (Continuacin)
El volumen de una celda unitaria de hierro FCC :
VFCC = 3 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
a0
Pero este es el volumen que ocupa 4 tomos de hierro en
FCC, en consecuencia se deben comparar 2 celdas BCC,
con un volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3, con
cada celda FCC, El cambio porcentual de volumen
durante la transformacin es:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen 100 1.34%
0.046934
El cubo de hierro de 1-cm3 se contrae a 1 - 0.0134
= 0.9866 cm3 despues de la transformacin;en
consecuencia, para asegurar una exactitud de 1% el
instrumento debe detectar un cambio de:
V = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
32
Seccin 3.5:Puntos, direcciones y
planos en la celda unitaria.
Indices de Miller - Es la notacin abreviada para
describir las direcciones y planos metalogrficos. Las
direcciones se denotan con corchetes [ ] y los planos con
parntesis ( ). Los nmeros negativos se representan con
una barra encima del nmero.
Direcciones de una forma o familia Grupo de
direcciones equivalentes forman familias, se usa los
parntesis especiales.
Distancia de repeticin. Es la distancia entre puntos de
la red a lo largo de la direccin.
Densidad lineal Es la cantidad de puntos de la red por
unidad de longitud, a lo largo de la direccin.
Fraccin de empaquetamiento Es la fraccin realmente
ocupada por tomos.
33
Figura 3.18 Coordenadas de puntos
seleccionados en la celda unitaria. El
nmero indica la distancia al origen,
en trminos de parmetros de red.
34
Ejemplo 3.7 Determinacin de Indices de
Miller de direcciones
Determine los ndices de Miller en las direcciones A,
B, y C en la figura 3.19.
Figura 3.19 Direcciones y

coordenadas cristalogrficas,
para el ejemplo 3.7.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Thomson Learning
35
Direccin A
1. Los puntos son 1, 0, 0, y 0, 0, 0
2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que
reducir
4. [100]
Direccin B
1. Los puntos son 1, 1, 1 y 0, 0, 0
2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1
reducir
4. [111]
Direccin C
1. Los puntos son 0, 0, 1 y 1/2, 1, 0
2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1
3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [ 1 22]
36
Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalogrficas

de una forma, en sistemas cbicos.
37
Tabla 3.3 Direcciones de la familia 110 en sistemas cbicos
38
Figura 3.21
Determinacin
de la distancia
de repeticin,
densidad lineal
y fraccin de
empaquetamien
to para una
direccin [110]
en el cobre FCC.
39
Ejemplo 3.8, Determinacin de los Indices
de Miller de planos
Determine Los ndices de Miller de los planos A, B, y C en la

figura 3.22.
Figura 3.22 Planos

cristlograficos y sus
intersecciones (para el
ejemplo 3.8)

Thomson Learning
40
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano nunca cruza el plano z por lo que x = 1, y = 2, y
z=
2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminar fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar origen, por que el plano pasa 0, 0, 0.
Mover en direccin y, entonces, x = , y = -1, and z =
2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0
3. No hay fracciones que eliminar.
4. (0 1 0)
41
Tabla 3.4 Planos de la familia {110} en los sistemas cbicos
42
Ejemplo 3.9 Clculo de la densidad planar
y la fraccin de empaquetamiento
Calcule la la densidad planar y la fraccin de

empaquetamiento planar para los planos (010) y (020) en
el Polonio cbico, cuyo parmetro de red es 0.334 nm.
Figura 3.23 Las

densidades
planares de los
planos (010) y
(020) en celdas
unitarias SC no
son idnticas
(para el Ejemplo
3.9).
Thomson Learning
43
El total de tomos en cada cara es uno. La densidad

planar es:
atoms por cara 1 atom por cara
Densidad planar (010)
rea de cara (0.334) 2
8.96 atoms/nm 2 8.96 1014 atoms/cm 2
rea de atoms por cara (1 atom) (r 2 )

Fraccin de Emp. (010)
rea de cara (a 0) 2
r 2
2
0.79
( 2r )
Sin embargo no hay tomos con centros en los planos
(020). Por consiguiente la densidad planar y la fraccin
de empaquetamiento planar son cero. Los planos (010) y
(020) no son equivalentes!.
44
Ejemplo 3.10 trazado de direccin y plano
trazar (a) [1 2 1] direccin y (b) el plano [ 2 10] en una celda

unitaria cbica.
Figura 3.24
Construccin
de a (a)una
direccin y (b)
un plano
dentro de una
celda unitaria
(para el
ejemplo 3.10)

Learning
45
Example 3.10 SOLUCION
a. Como sabemos que hay que moverse en la direccin
negativa, ubiquemos el origen en 0, +1, 0. La cola de
la direccin estar en el nuevo origen. Se determina un
segundo punto de la direccin avanzando +1 en la
direccin x, -2 en la direccin y, y +1 en la direccin z
(Figura 3.24(a)].
b. Para dibujar el [plano,
2 10] se determinan primero los
recprocos de los ndices para obtener las intercepciones:
x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 =
Como el cruce en x esta en una direccin negativa y se
desea trazar el plano dentro de la celda unitaria, se
cambia el origen +1 en la direccin x hasta 1, 0, 0.
Entonces se puede ubicar la interceccin con x en - 1/2 y
con y en +1. El plano ser paralelo al eje Z [Figura
3.24(b)].
46
Figura 3.25 Indices de Miller-
Bravais en celdas unitarias
HCP usando un sistema
coordenado de 4 ejes. Los
planos identificados con A y
B y las direcciones
identificadas con C y D son
del ejemplo 3.11.

Learning
47
Figura 3.26 Direcciones comunes en la celda unitaria HCP
usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las lneas punteadas

muestran que la direccin [1210] es equivalente a una
direccin [010].
48
Ejemplo 3.11 Determinacin de los Indices
de Miller-Bravais para planos y direcciones
Determine los ndices de Miller-Bravais para los planos A

y B y para las direcciones C y D en la Figura 3.25.
Figura 3.25 Los Indices

Miller-Bravais son
obtenidos usando un
sistema de coordenadas de
4 ejes. Los planos
identificados con A y B, y
las direcciones con C y D
son del ejemplo 3.11.

Thomson Learning
49
Plano A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (1121)
Direccin C
1. Dos puntos son 0, 0, 1 y 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = -1, 0, 1
reducir.
4. [1 01] [2113]
50
Example 3.11 SOLUCION (Continuacin)
Direccin D
1. Dos puntos son 0, 1, 0 y 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No fracciones que eliminar ni enteros quereducir
4. [ 1 10] [ 1 100]
51
Tabla 3.5 Planos y direcciones compactas
52
Figura 3.27 La
secuencia de
apilamientoABABAB
de planos
compactos produce
la estructura HCP.

Learning
53
Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC

de planos compactos produce la estructura FCC.
54
Seccin 3.6 Sitios Intersticiales
Sitios Intersticiales En cualquiera de las estructuras

cristalinas hay pequeos huecos entre los tomos
normales, y en ellos se pueden ubicar tomos ms
pequeos. Esos huecos reciben el nombre de sitios
intersticiales
El sitio cbico Con un nmero de coordinacin de 8 se
presenta en la estructura simple SC.
Sitios octadricos Producen un nmero de coordinacin
de 6. Los tomos tocan al tomo intersticial y forman un
octaedro y los tomos mayores ocupan los puntos
normales de la red.
Sitios tetradricos Producen un nmero de
coordinacin igual a 4. Un tomo o ion toca 4 tomos o
iones.
55
Figura 3.29 Ubicacin de los sitios intersticiales en las celdas

unitarias cbicas. Solo se muestran sitios reprentativos.
56
Ejemplo 3.12 Clculo de sitios octadricos
Calcule la cantidad de sitios octadricos que pertenezcan

en forma exclusiva a una celda unitaria FCC.
SOLUCION: Los sitios octadricos incluyen las 12 aristas
de la celda unitaria, con las coordenadas:
1 1 1 1
,0,0 ,1,0 ,0,1 ,1,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0, ,0 1, ,0 1, ,1 0, ,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0,0, 1,0, 1,1, 0,1,
2 2 2 2
mas la posicin central, 1/2, 1/2, 1/2.
57
Ejemplo 3.12 Continuacin
Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se

comparte entre 4 celdas unitarias por lo que solo un de
cada sitio pertenece exclusivamente a cada celda unitaria,
entonces la cantidad de sitios que pertenecen
exclusivamente a cada celda :
(12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro

= 4 sitios octadricos
58
59
Ejemplo 3.13 Diseo de una pared
absorbente de radiacin
Se desea producir una pared absorvente de radiacin
formada por 10000 esferas de Pb, cada una de 3 cm de
dimetro, en arreglo FCC. Se decide que habra mejor
absorcin si se llenan con esferas mas pequeas los sitios
intersticiales. Disee el tamao de las esferas de Pb mas
pequeas y determine cuntas se necesitan.
Figura 3.30 Clculo de un

sitio intersticial octadrico,
para el ejemplo 3.13.

Thomson Learning
60
Para este diseo, podemos introducir esferas pequeas de
Pb que quepan exactamente en todos los sitios
intersticiales octadricos. Primero calculamos el dimetro
de los sitios octadrico entre las esferas de 3 cm de
dimetro:
Longitud AB = 2R + 2r =4R/ 2
r = 2 2 R-R = (2 2 -1)R
r/R = 0.414
Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el

radio de la esfera pequea de Pb es :
r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm.
En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios

octadricos en el arreglo FCC que tambien tiene 4 puntos
de red. Entonces se necesita la misma cantidad de esferas
pequeas 10,000.
61
Seccin 3.7
Estructuras cristalinas de los
materiales inicos
Se deben tener en cuenta los siguientes factores para
comprender las estructuras cristalinas de los slidos con
enlaces inicos:
Radios inicos
Neutralidad elctrica
Conexin entre poliedros de anion
Visualizacin de estructuras cristalinas en
computadoras.
62
Learning
Figura 3.31 Conexin entre poliedros de aniones.

(a) tetraedros con vrtices compartidos, (b) tetraedros con
aristas compartidas y (c) tetraedro con cara compartida
63
Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda

unitaria SC con dos iones (Cs+ y CI-) por punto de red. (b)
La estructura del cloruro de sodio,una celda unitaria FCC
con dos iones (Na+ + CI-) por punto de red. Nota: los
tamaos de los iones no estan a escala.
64
Ejemplo 3.14 Relacin de radios del KCl
Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el

compuesto tiene la estructura del cloruro de cesio y (b)
calcular el factor de empaquetamiento de este compuesto.
SOLUCION
a. De tablas, rK+ = 0.133 nm y rCl- = 0.181 nm, entonces:
rK+/ rCl- = 0.133/0.181 = 0.735
Como 0.732 < 0.735 < 1.000, El nmero de coordinacin
de cada clase de ion es 8 y la estructura del CsCl es la mas
probable.
65
Ejemplo 3.14 continuacin de la SOLUCION
b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

de la celula unitarial,entonces:
a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm

a0 = 0.363 nm
4 3 4 3
rK (1 K ion) rCl (1 Cl ion)
Factor de empaquetam iento 3 3
a03
4 4
(0.133) (0.181)3
3
3 3
3
0.725
(0.363)
66
Ejemplo 3.15 Ilustracin de una estructura
cristalina y clculo de su densidad
Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del

cloruro de sodio y calcule la densidad del MgO.
SOLUCION
De tablas, rMg+2 = 0.066 nm y rO-2 = 0.132 nm, entonces:
rMg+2 /rO-2 = 0.066/0.132 = 0.50
Como 0.414 < 0.50 < 0.732, el nmero de
coordinacin de cada ion es 6, y es posible la estructura del
cloruro de sodio.
67
Las masas atmicas son 24.312 y 16 g/mol para el
magnesio y oxgeno respectivamente. Los iones se tocan
a lo largo de la arista del cubo, entonces:
a0 = 2 rMg+2 + 2rO-2 = 2(0.066) + 2(0.132)
= 0.396 nm = 3.96 10-8 cm
(4Mg 2 )( 24.312) (4O-2 )(16)

4.31g / cm
3
(3.96 108 cm) 3 (6.02 1023 )
68
Figura 3.33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.
69
Ejemplo 3.16 Clculo de la densidad
terica del GaAs
La constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) es

5.65 . Demuestre que la densidad terica del GaAs
es 5.33 g/cm3.
SOLUCION
En la celda unitaria de la blenda de zinc GaAs hay
cuatro tomos de Ga y cuatro de As. De acuerdo a la
Tabla Peridica:
Cada mol (6.023 1023 atoms) de Ga tiene una
masa de 69.7 g. entonces la masa de 4 tomos sera:
(4 * 69.7/6.023 1023) g.
70
3.16 SOLUCION (Continuacin)
Cada mol de As (6.023 1023 atoms) tiene una masa de
74.9 g.
Entonces en 4 atomos de As se tiene:
(4 * 74.9/6.023 1023) g. Estos tomos ocupan un
volumen de (5.65 10-8)3 cm3.
masa 4(69.7 74.9) / 6.023 1023

densidad
volumen (5.65 108 cm) 3
Entonces la densidad terica del GaAs es 5.33 g/cm3.
71
Learning
Figura 3.34 (a) Celda Fluorita, (b) vista de planta.
72
Learning
Figura 3.35 Celda unitaria de la perovskita mostrando los

cationes en sitio A y B y los iones de oxgeno que ocupan las
posiciones de centro de cara de la celda unitaria. Nota: Los
Iones no se muestran a escala.
73
Figura 3.36 Estructura cristalina de un nuevo super conductor
cermico de alta Tc basado en un oxido de cobre, bario e itrio.
Estos materiales son excepcionales por ser cermicos cuya
resistencia elctrica, desaparece a bajas temperaturas. (Fuente:
ill.fr/dif/3D-crystals/superconductor.html; M. Hewat 1998.)
74
Figura 3.37 Estructura del corindon de almina alfa (-AI203).
75
Seccin 3.8 Estructuras covalentes
Materiales con enlaces covalentes Con frecuencia tienen

estructuras complicadas para satisfacer las restricciones
direccionales que imponen los enlaces.
Estructura cbica del diamante Los elementos como el
Si, el Ge, el alfa Sn y el carbono (en su forma de
diamante) estan unidos por cuatro enlaces covalentes
que producen un tetraedro.
76
Figura 3.38 (a) Tetraedro y (b) Celda unitaria cbica del
diamante (DC) . Se produce esta estructura abierta por
los requerimientos del enlace covalente.
77
Ejemplo 3.17 Determinacin del factor de
empaquetamiento para el silicio cbico
tipo diamante.
Determine su factor de empaquetamiento.
Thomson Learning
Figura 3.39
Determinacin de la
relacin entre el
parmetro de red y el
radio atmico en una
celda cbica de
diamante. (para el
ejemplo 3.17).
78
Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del

cuerpo de la celda. Aunque no hay tomos en todos los
lugares de la diagonal hay huecos que tienen el mismo
dimetro que los tomos, en consecuencia:
3a 0 8r
4
(8 atoms/cel. )( r 3 )
Factor Enpaquetam iento 3
a03
4
(8)( r 3 )
3
(8r / 3 ) 3
0.34
Comparado con el valor de tablas es el mismo valor.
79
Ejemplo 3.18 Clculo del radio y la
densidad del silicio
La constante de red del silicio es 5.43 . Cual ser el radio y
la densidad del silicio?. La masa atmica del silicio es 28.1
gm/mol.
SOLUCION
Tenemos que a = 5.43 , remplazando en la ecuacin
tenemos que el radio del silicio es R = 1.176 .
3a0 8r
Si hay 8 tomos por cada celda unitaria entonces la densidad:
masa 8(28.1) / 6.023 1023

densidad 2.33 g / cm 3
volumen (5.43 108 cm) 3

80
Learning
Figura 3.40 Tetraedro Silicio-Oxgeno y la forma
cristobalita de silice resultante.
81
Figura 3.41 Celda unitaria del polietileno cristalino
82
Ejemplo 3.19 Clculo de la cantidad de tomos de
carbono e hidrgeno en el polietileno cristalino.
Cuntos tomos de carbono e hidrgeno hay en cada celda

unitaria de polietileno cristalino? Hay el doble de tomos de
hidrgeno que de carbono en la cadena. La densidad
aproximada del del polietileno es 0.9972 g/cm3.
SOLUCION
Si x es la cantidad de tomos de carbono, entonces, 2x es la
cantidad de hidrgeno. De acuerdo con los parmetros de
red en la figura 3.41:
( x)(12 g / mol) (2 x)(1g / mol)

(7.41 10 8 cm)( 4.94 10 8 cm)( 2.55 10 8 cm)(6.02 10 23 )
x = 4 tomos de carbon por celda
2x = 8 tomos de hidrgeno por celda.
83
Seccin 3.9 Tcnicas de difraccin
para el anlisis de la estructura
cristalina
Difraccin La estructura de un material se puede
analizar refractando Rx o difraccin de electrones.
Ley de Bragg Cuando los Rx se difractan, o el haz se
refuerza esta cumpliendo el enunciado de la Ley de
Bragg, esto es:Sen = / 2dhkl
En un difractmetro un detector mvil registra los
ngulos 2 con los cuales se difracta el haz y se
obtiene una figura caracterstica de difraccin, figura
3.45b.
84
Figura 3.43 Interacciones
(a) Destructiva y
(b)Constructiva entre Rx y
el material cristalino. El
refuerzo, o interaccin
constructiva, sucede en
ngulos que satisface la

Ley de Bragg.
85
Figura 3.44 Fotografa de un
difractmetro de Rx. (Cortesia
de H&M Analytical Services.)
86
Figura 3.45 (a) Diagrama
de un difractmetro donde
se observan la muestra en
polvo y los haces incidente
y difractado. (b) Figura de
difraccin obtenida con una
muestra de polvo en oro.
87
Ejemplo 3.20 Anlisis de la difraccin de Rx.
Los resultados de una difraccin de Rx utilizando

= 0.7107 (radiacin obtenida con un blanco de
molibdeno, Mo) indican que los picos de difraccin
estan en los ngulos 2 siguientes:
Determine la estructura cristalina, los ndices

del plano que produce cada pico y el parmetro de
red del material.
88
Primero se determina sin2 para cada pico y despues se

divide entre el valor mnimo, 0.0308.
89
Ejemplo 3.20 SOLUCION (Continuacin)
Para calcular la distancia entre planos se puede usar
cualquiera de los valores de 2 de los picos y luego el
parmetro de la red.Si escogemos el pico 8:
2 = 59.42 o = 29.71
0.7107
d 400 0.71699
2 sin 2 sin( 29.71)
a 0 d 400 h k l
2 2 2
(0.71699)( 4) 2.868
Este es el parmetro de red del hierro BCC
90
Figura 3.46 Fotografa de un
microscopio electrnico de
transmisin (TEM) usado para el
anlisis de la microestructura de
materiales. (Cortesia de JEOL
USA, Inc.)
91
Figura 3.47 Micrografa electrnica de transmisin de
una muestra de aleacin de Al. La figura de difraccin
de la derecha muestra manchas luminosas grandes que
representan la difraccin de los principales granos de la
matriz de aluminio, las manchas ms pequeas se
originan en cristales de nanoescala de otro compuesto
que esta presente en esa aleacin. (Cortesa del Dr.
Jrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)
92
Figura 3.48 Determine los ndices de Miller, para las
direcciones mostradas
93
Figura 3.49
Determine los
ndices para las
direcciones en la
celda unitaria.
94
Figura 3.50 Determine los ndices para los planos en la
celda unitaria cbica.
95
Figura 3.51 Determine los ndices para los planos de la celda
unitaria cbica.
96
Figura 3.52
Determine los
ndices para las
direcciones en la red
hexagonal, usando
el sistema de 3 y 4
dgitos.
97
Figura 3.53 Determina

los ndices para las
direcciones en la red
hexagonal, usando 3 y
4 dgitos.
98

los indices para los
planos mostrados.
99

los ndices para los
planos mostrados.
100
Figura 3.56 Si se usaron Rx longitud de onda de = 0.15418nm
Determine:La estructura cristalina,parmetro, los ndices de los
planos que produce cada pico.
101
Figura 3.57 Si se usaron Rx de = 0.07107 nm, determine:
Estructura cristalina, los indices de los planos y el parmetro del metal.
102

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CIENCIA E INGENIERIA DE

Captulo 3 Arreglos atmicos y inicos

Describir los arreglos en los slidos

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

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Figura 3.7 Clasificacin de los materiales con base en la clase

Figura 3.10 Arreglos atmicos en el silicio cristalino y en el

La red Es una coleccin de puntos llamados puntos de

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Determine la relacin entre el radio atmico y el

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

Figura 3.15 Nmeros de coordinacin en celdas unitarias (a)

Como para FCC a 0 4r/ 2

(numer de atoms/cel) ( masa del hierro)

Figura 3.16 La estructura hexagonal compacta HCP

El volumen de una celda unitaria monoclnca es

Entonces hay una expansin de la celda unitaria conforme el

= (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100

La mayoria de los cermicos son muy frgiles y no pueden

Figura 3.19 Direcciones y

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalogrficas

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Determine Los ndices de Miller de los planos A, B, y C en la

Figura 3.22 Planos

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Calcule la la densidad planar y la fraccin de

Figura 3.23 Las

El total de tomos en cada cara es uno. La densidad

rea de atoms por cara (1 atom) (r 2 )

trazar (a) [1 2 1] direccin y (b) el plano [ 2 10] en una celda

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(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las lneas punteadas

Determine los ndices de Miller-Bravais para los planos A

Figura 3.25 Los Indices

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC

Sitios Intersticiales En cualquiera de las estructuras

Figura 3.29 Ubicacin de los sitios intersticiales en las celdas

Calcule la cantidad de sitios octadricos que pertenezcan

mas la posicin central, 1/2, 1/2, 1/2.

Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se

(12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro

Figura 3.30 Clculo de un

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el

r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm.

En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios

Figura 3.31 Conexin entre poliedros de aniones.

Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda

Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el

b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm

Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del

(4Mg 2 )( 24.312) (4O-2 )(16)

(3.96 108 cm) 3 (6.02 1023 )

Figura 3.33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.

La constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) es

masa 4(69.7 74.9) / 6.023 1023