GRUPO #3

IXEL FLORES
ENRIQUE MENCIA
VICTOR FUENTES

EFECTO FOTOELCTRICO
El efecto fotoelctrico fue descubierto y descrito por Heinrich
Hertz en 1887.

Sirve de ayuda para comprender como funcionan algunos

componentes elctricos.

La explicacin terica fue hecha por Albert Einstein, quien

public en 1905 el revolucionario artculo Heurstica de la
generacin y conversin de la luz.

FOTORRESISTENCIA
Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya
resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz.
Puede tambin ser llamada:

Fotorresistor
Fotoconductor
LDR

FOTOTRANSISTOR
El fototransistor no es muy diferente a untransistornormal, es decir, est
compuesto por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas
tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un
elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que
posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese
hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico.

Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es posible regular su

corriente de colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus
caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o
menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

 El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:

Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo,
generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la regin
activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso,
reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que
a menudo el terminal correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms
sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un
slo dispositivo.

Construccin de los fototransistores

Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de transistor
bipolar. Existen fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiacin es la que dispara la base
del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente, usualmente el terminal correspondiente a
la base no se incluye en el transistor. El mtodo de construccin es el de difusin. Este consiste en
que se utiliza silicio o germanio, as como gases como impurezas o dopantes. Por medio de la
difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la
cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de
dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado
epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor.

APLICACIONES
Su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en
que su ganancia propia puede eliminar la necesidad de
amplificacin posterior. De hecho, el mayor mercado para el
fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad
donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms
ganancia que unfotodiodo, con lo cual se elimina la
necesidad de una amplificacin posterior.

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T/OPTOT.HTM

FOTODIODO
Essemiconductorconstruido con unaunin PN. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se producir una cierta circulacin de corriente cuando
sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los
fotodiodos se comportan comoclulas fotovoltaicas, es decir,
iluminados en ausencia de una fuente exterior de energa
generan una corriente muy pequea con el positivo en
elnodoy el negativo en el ctodo.

Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indiogalioarsnico(InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

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