Tambin es llamado diodo de contacto puntual.

Consiste en una placa de un cuerpo semiconductor de tipo P o tipo N

en contacto con un alambre delgado puntiagudo. La regin de contacto
puede considerarse como una unin P-N.

La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo
de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto
puntual conduce algo mas de corriente.
Dispositivo de 2 terminales que tienen una cada de voltaje directa
(VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos.
Tambin diodo de barrera de superficie, de portadores calientes o diodos de
recuperacin rpida (Fast recovery)
Instrumentacin y detectores en equipo de
comunicacin
Resultando una regin de unin
ms uniforme y un nivel de solidez
ms alto.
Rango de frecuencias muy altas, por su rpido
tiempo de respuesta y figura de ruido bajo.
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y
alta corriente
Convertidores de AC a DC y de
analgico a digital
Unin metal-semiconductor.
Semiconductor: Silicio tipo-n, usando
varios metales como molibdeno,
platino, cromo, o tungsteno.
Se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un
semiconductor el metal se deposita generalmente en un tipo de material
N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.
Solamente los electrones (portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en
trnsito. Su conmutacin es ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez
que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de
potencial (tpicamente de 0,3V).
Los electrones del semiconductor tipo N
migran haca el metal, creando una regin de
transicin en la ensambladura.

La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida
de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de
diodo est alrededor de los 100V.

El electrn es el portador mayoritario en ambos materiales. En el metal
el nivel de portadores minoritarios, huecos, es insignificante. Cuando
los materiales se unen, los electrones en el material semiconductor de
silicio tipo-n fluyen inmediatamente hacia el metal adjunto,
estableciendo un flujo intenso de portadores mayoritarios. Los
portadores inyectados son conocidos como portadores calientes, debido
a que tienen un nivel de energa cintica muy alto en comparacin con
los electrones del metal. La conduccin es realizada por portadores
mayoritarios.

El nivel de V
T
para el diodo de portadores calientes se controla en gran
medida por el metal empleado. Existe un compromiso requerido entre el
rango de temperatura y el nivel de V
T
. Un incremento en uno parece
corresponder a un incremento resultante en el otro. Entre menor sea el rango
de niveles de corriente permitidos, menor ser el valor de V
T
.