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Electrnica de Potencia Dispositivos Semiconductores

Andrade Burgueo Alan Flores Ibarra Luis Enrique Tirado Zatarain Jorge Adolfo Velarde Soto Roberto de Jess Zepeda Urea Silvestre Alonso

Dispositivos Semiconductores
No controlados Semicontrolados Totalmente Controlados

Dispositivos semicontrolados
Tiristores

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de estado solido de potencia. Para muchas aplicaciones en electrnica de potencia se puede suponer que son conmutadores ideales. Requieren de circuitos externos para controlar su activacin y desactivacin. Controlan voltajes y corrientes en el orden de los kV y kA respectivamente.

Tipos de Tiristores
Rectificador Controlado de Silicio (SCR).
De conmutacin rpida.

Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). Triodo de Corriente Alterna (TRIAC). Diodo Bidireccional de corriente Alterna (DIAC) Tiristores de conduccin inversa (RTC). Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).

Silicon Controlled Rectifier


Activacin por pulsos de compuerta. Posee corrientes de enganche y mantenimiento (IL e IH) VAK viene dado por IG.

Gate Turn Off


Mximo 5kV, 4kA. Mecanismo de disparo similar al SCR Seales positivos en Gate desactivan al tiristor.

TRIAC
Tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales A1 y A2 Puede dispararse con tensiones de puerta de ambos signos, pero solo tiene un Gate en el exterior, es decir un solo circuito de control. Funciona como dos SCR en antiparalelo Mximo 1000v, 15 A, 15kW, 50/60 Hz.

DIAC
Diodo de corriente alterna de dos terminales (A1 y A2) Comportamiento bidireccional y de dos terminales. Funciona nicamente al superarse la tensin de disparo. Despus del disparo entra en la zona de resistencia negativa dinmica.

Tiristores de conduccin inversa (RTC).


El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v. La corriente llega hasta 500 A. El voltaje inverso es tpicamente de 30 a 40v. La corriente directa pasa a travs del tiristor y la corriente inversa a travs del diodo

Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)).


LASCR son de alto voltaje y corriente El voltaje puede llegar a 4kv a 1500A La potencia de disparo es menor a 100 mw. Se activa con luz mediante radiacin directa sobre el disco de silicio.

Dispositivos totalmente Controlados


Transistores

Tipos
BJT

MOSFET

IGBT

BJT
Interruptores de potencia controlados por corriente.

Ventajas
Fciles de controlar por el terminal de base Su principal ventaja es la baja cada de tensin Tres zonas de funcionamiento: corte, activa y saturacin.

Conexin de Darlington

MOSFET
Transistor controlado por tensin.

Tres zonas de funcionamiento


Corte: Interruptor abierto.

hmica: Interruptor cerrado.

Saturacin: Fuente de corriente constante.

Tipos
MOSFET Empobrecimiento

MOSFET Enriquecimiento

Ventajas
Amplifica seales bajas Amplificador separador casi ideal debido a su resistencia de entrada

Excelentes propiedades de bajo ruido

Aplicaciones
Uso en microprocesadores y memorias de computadoras funcionando como interruptor Para el control de motores de mediana potencia

Frecuentemente usado como amplificador de potencia

IGBT
Transistor controlado por tensin.

Funcionamiento
El IGBT enciende aplicado un voltaje VGE a la puerta. El terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E.

Se apaga removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G

Caractersticas
Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin Soportan hasta 400 o 600 Amp. Trabaja a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones
Control de motores

Sistemas de alimentacin ininterrumpida


Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia