REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIN UNIVERSITARIA INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGA AGRO INDUSTRIAL

PNF ELECTRICIDAD

LA ELECTRONICA INDUSTRIAL SECCION ES1

AUTOR: COLMENARES JUAN C.I. 14941123 SAN CRISTBAL, Febrero 2011

INTRODUCCION La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos. La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requerido e el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de energa elctrica. La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores-microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que puede compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder de la inteligencia del cerebro.

HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Todo comienza en el ao 1900 con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa hasta la dcada de 1950

La primera revolucin de la electrnica se inici en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en este descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un Tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).

La Segunda revolucin de la electrnica empez en 1957 con el desarrollo del Tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor.

LOS TIRISTORES Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V, 3000A.

El SCR.

Smbolo del SCR

Curva caracterstica En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una cantidad de potencia elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes. Siempre es posible controlar la cantidad de potencia elctrica que se entrega a una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida variables. Sin embargo, para grandes potencias, los transformadores variables son fsicamente grandes y costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres factores hacen que los transformadores variables sean poco utilizados. Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entrega a una carga, es intercalar un restato en serie con la carga, para as controlar y limitar la corriente. Nuevamente para grandes potencias, los restatos resultan de gran tamao, costosos, necesitan mantenimiento adems, desperdician una cantidad apreciable de energa. Los restatos no

son la alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control de potencia industrial. Desde 1960 est disponible un dispositivo electrnico, el cul no adolece de las fallas antes mencionadas. El SCR es pequeo y relativamente barato, no necesita mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeo. Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en circuitos que operan a voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en el campo del control industrial moderno. Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores, recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase. En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia. Operacin Bsica del Rectificador Controlado de Silicio Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms. Activacin del SCR: Un scr se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas:

TERMICA. Si la temperatura de un SCR es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. y pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita. LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un SCR, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el SCR. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el SCR. Un valor alto de corriente de carga puede daar el SCR por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores. CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un SCR est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al SCR. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4 y adems se proporcionan las caractersticas de un SCR para diversos valores de corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes ms usados se indican en las caractersticas.

Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la regin de conduccin Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conduccin a la regin de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas. Aplicaciones del SCR. Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes: Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Cicloconversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

Disparo De Un Scr

EL GTO

Smbolo de gto

Curva caracterstica Un tiristor gto o simplemente gto (del ingls gate turn-off thyristor) es un dispositivo electrnico de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (g), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (g). El proceso de encendido es similar al del tiristor. las caractersticas de apagado son un poco diferentes. cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (g) y ctodo (c o k), la corriente en la puerta (ig), crece. cuando la corriente en la puerta (g) alcanza su mximo valor, igr, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (vak), comienza a crecer. el tiempo de cada de la corriente de nodo (ia) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (ia/igr) de la corriente de nodo ia a la mxima corriente negativa en la puerta (igr) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. por ejemplo, para un voltaje de 2500 v y una corriente de 1000 a, un gto normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 a para el apagado. Estructura De Funcionamiento

La estructura del gto es esencialmente la misma que un tiristor convencional. existen 4 capas de silicio (pnpn), 3 uniones (p-n, n-p y p-n) y tres terminales: nodo (a), ctodo (c o k) y puerta (g). la diferencia en la operacin radica en que una seal negativa en la puerta (g) puede apagar el gto. mientras el gto se encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (ia leak) existe. con un voltaje de bias en directa el gto se bloquea hasta que un voltaje de ruptura vak = vb0 es alcanzado. en este punto existe un proceso dinmico de encendido., vak = 3v y la corriente ia es determinada por la carga. cuando el gto se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (ia leak) existe. una polarizacin en inversa vak puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. el valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta g (gate), el gto se enciende y permanece de esa forma. para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. una forma es reduciendo la corriente de nodo ia por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. la segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. como el gto tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los mosfet's, tbj's e igbt's no pueden ser utilizados. a bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. en la conversin de ac - dc, los gto's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Smbolo del transistor BJT

Curva caracterstica

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas bjt) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones pn muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. la denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa ttl o bicmos. Un transistor de unin bipolar est formado por dos uniones pn en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. de esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. en su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. el transistor

posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C); el emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base, en la base se gobiernan dichos portadores en el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor. Unin colector: es la unin pn entre la base y colector. Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector. Definicin De Los Modos De Trabajo Del Bjt Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo diferente, segn la tabla. En la regin Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente controlada. (Amplificacin) En el modo Corte nicamente circulan las corrientes inversas de saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto. En Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea, y se puede asemejar a un interruptor cerrado. Activo - inverso, no tiene utilidad en amplificacin. El bjt En Conmutacin Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la zona activa. Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los multivibradores y la bscula de Schmitt. Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc. Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico detectado por el sensor. El bjt En Corte Y Saturacin Corte: El bjt en corte tiene su Ib a cero amperios. La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K)

 La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la corriente de fugas. El bjt se comporta como un interruptor abierto. Saturacin: En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios. La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias en la malla de colector emisor. Se comporta como un interruptor cerrado. El tiempo de conmutacin de un estado a otro limita la frecuencia mxima de trabajo.

Diseo De Un Circuito De Conmutacin Para BJT Suponiendo que el del transistor es de 200 y la carga en pleno consumo ba a necesitar una corriente de 500 mA, se realizan los clculos en la siguiente forma: Saturacion Corte

Vbe= 0.7V

Vbe= 0V

Ic= 500mA

Ic= 0A

Vce= 0V

Vce= VCC

TRANSISTOR MOSFET Es un dispositivo controlado por voltaje, este solo requiere una mnima corriente de entrada, su velocidad de conmutacin es muy alta. Este transistor est formado tanto por un material del tipo P como tipo N y dos islas el material opuesto al primero. Entre estas dos islas se sita una pequea regin en la cual hay una capa de oxido sobre la que se encuentra una parte metlica. A las dos islas se les llama Fuente) y Drenado, mientras que la parte intermedia se le conoce como gate.

Smbolo del Mosfet

Curva Caracterstica Diferencia entre los transistores BJT y los MOSFET La diferencia que presenta estos dos transistores es que el BJT nesecita una corriente de base inferior a la que se requiere en el colector , a diferencia del mosfet que acta solo con la presencia de tensin en la puerta. La puerta del Mosfet solo requiere corriente para cargar y descargar las capacidades presentes. Adems su conexin mosfet se facilita mas para conexiones tipo paralelo , los bjt presentan menos cadas de tensin a comparacin de un mosfet las cuales son mayores.

El Mosfet en conmutacin

Cuando la tensin de puerta (G) supera un cierto umbral VT se induce un canal conductivo entre drenador (D) y fuente (S). Si se aplica una tensin VDS hay flujo de portadores (e-) desde S a D intensidad ID circulando desde D a S Si VDS ID. Si VDS es suficientemente alta, el canal se estrangula e ID se satura. La conductividad del canal est modulada por la tensin de puerta: Si VG > VT y VG ID

Si VG < VT, no hay canal Transistor en corte (ID = 0, corte)

Diseo De Un Circuito De Conmutacin Para Un Mosfet En este caso se puede decir que el diseo de este tipo de circuito es aun mas sencillo que el del bjt debido a que este transistor es de seal es decir que la corriente de disparo es muy pequea por lo tanto no es necesario la resistencia en la puerta para hacerlo conmutar. La corriente en la carga depende directamente de la carga y por lo tanto el dispositivo se selecciona segn la potencia a disipar en el circuito.

TRANSISTOR IGBT

Smbolo del igbt

Los IGBT son dispositivos utilizados generalmente como interruptores de potencia, el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, robtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Curva Caracteristica Aplicaciones tpicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja potencia (<100 kHz)

Caractersticas De Conmutacin El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:

Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd)

La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la regin n-). Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico. Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un compromiso. En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la ncon una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente. Caractersticas Y Valores Lmite Del Igbt IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.

Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura Se pueden conectar en paralelo fcilmente Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

CONCLUCIONES Una vez finalizado esta investigacin se puede concluir que con la llegada de los dispositivos semiconductores para la aplicacin de controles en la industria estos fueron

sustituyendo de manera progresiva la aplicacin de los relevadores por lo que es bueno destacar las ventajas y desventajas de estos sistemas entre las cuales tenemos: Los semiconductores proveen; menor costo, menor tamao mayor rapidez de conmutacin libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior) capacidad en manejo de altas corrientes operacin silenciosa no necesitan de sistemas de enfriamiento fuertes resistencias a los choques y aceleraciones ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico) insensibilidad a las sobrecargas. Los semiconductores tambin tinen sus inconvenientes o desventajas como son que: no provee aislamiento elctrico (los relevadores s), requiere de cuidado en su conexin, les puede afectar la alta temperatura, fciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones, requieren voltajes regulables, mientras que los relevadores Mientras que los relevadores ofrecen; Proveen aislamiento elctrico, Capacidad de manejar altas corrientes (tambin los Tiristores tienen capacidad de manejar corrientes altas), en contra posicin tienen Costo elevado, Son voluminosos, Lentos en la conmutacin o funcin, Ruidos al trabajar, Requieren de sistemas de enfriamiento, Requieren del efecto de rebote elctrico