FACULTAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA ELECTRÓNICA II

M.g. GIANINA GARRIDO SILVA

DOCENTE
gianinagarrido@usta.edu.co
BJTs y Mosfets: análisis en continua y
EXAMEN 19 03 2024
pequeña señal
ESTUDIANTE

GENERALIDADES CALIFICACIÓN
El examen parcial es INDIVIDUAL.

Cualquier intento de copia será Anulado

RESPONDER LAS SIGUIENTES PREGUNTAS

1. Valor (3.0) Para el modelo en pequeña señal de la figura 1, y su respectiva curva característica representada en
la figura 2.

Figura 1.

Figura 2.
Determine:
a. Valor (1.0) La ecuación matemática de la ganancia (demostrar y justificar mediante un método de circuitos la
ecuación).
b. Valor (0.2) El valor de la transconductancia.
c. Valor (0.2) El valor de 𝜷
d. Valor (0.8) El valor de 𝑹𝑪
e. Valor (0.4) Represente la topología del circuito con los valores de cada componente.
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f. Valor (0.4) Compruebe que, para la ganancia dada, el circuito esté trabajando en la región activa
𝒗
Nota: Tenga en cuenta los siguientes datos: 𝒗𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟑[𝑽], 𝑽𝑻 = 𝟐𝟓𝒎[𝑽], 𝑹𝑬 = 𝟏𝒌[𝛀], 𝒗 𝒐 = −𝟏𝟎[𝑽/𝑽]
𝒊𝒏

2. Valor (2.0) De acuerdo con el circuito de la figura 3, responda las siguientes preguntas:
a. Valor (1.0) ¿Qué condición matemática puede plantear para calcular el valor de la transconductancia cuando la
ganancia es de -10[V/V], para una RL=1k[Ω]?

b. Valor (1.0) Para cumplir la condición en donde la transconductancia sea positiva y al no conocer los valores de RD y
RS, ¿Cuál de estas dos resistencias debe ser mayor? Justifique su respuesta demostrando la afirmación que crea
correcta.

Figura 3.
Nota: Los apartados a y b se deben demostrar y justificar mediante dos métodos: circuital y matemático.

Nota:
• Los valores posibles de evaluación están sujetos a tres criterios según el porcentaje de cada punto:
Nulo (0 %), medio (50 %) y completo (100 %).

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