UNIDAD 3.

ELEMENTOS SEMICONDUCTORES
DIODO SEMICONDUCTOR IDEAL
EL DIODO ES UN DISPOSITIVO DE DOS TERMINALES QUE IDEALMENTE
SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR. TIENE UN ESTADO
“CONECTADO” EN EL CUAL APARECE SOBRE UNA BASE IDEAL
SIMPLEMENTE COMO UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS TERMINALES,
Y UN ESTADO “DESCONECTADO” DONDE SUS CARACTERÍSTICAS SON
SIMILARES A LAS DE UN CIRCUITO ABIERTO.

FIGURA. DIODOS: a)
SÍMBOLO; b)
CARACTERÍSTICAS
DEL DISPOSITIVO
IDEAL.
MATERIALES TIPO N Y TIPO P
LAS CARACTERÍSTICAS DE LOS
MATERIALES SEMICONDUCTORES
PUEDEN ALTERARSE DE MANERA
IMPORTANTE MEDIANTE LA ADICIÓN DE
CIERTOS ÁTOMOS DE IMPUREZA AL
MATERIAL SEMICONDUCTOR
PRÁCTICAMENTE PURO.

MATERIAL TIPO N
EL MATERIAL TIPO N SE CREA AL INTRODUCIR ELEMENTOS IMPUROS
QUE CUENTAN CON 5 ELECTRONES DE VALENCIA (PENTAVALENTES)
COMO ES EL CASO DEL ANTIMONIO, EL ARSÉNICO O EL FÓSFORO.
 FIGURA. IMPUREZA DE
ANTIMONIO EN UN MATERIAL
DE TIPO N.

LAS IMPUREZAS DIFUNDIDAS QUE CUENTAN CON CINCO ELECTRONES DE

VALENCIA SE DENOMINAN ÁTOMOS DONADORES.
MATERIAL TIPO P

ESTE MATERIAL SE FORMA

MEDIANTE EL DOPADO DE UN
CRISTAL PURO DE GERMANIO O
DE SILICIO CON ÁTOMOS DE
IMPUREZA QUE CUENTEN CON
TRES ELECTRONES DE VALENCIA.
LOS ELEMENTOS QUE SE UTILIZAN
DE FORMA MAS FRECUENTE PARA
ESTE PROPÓSITO SON: EL BORO,
EL GALIO Y EL INDIO.
LAS IMPUREZAS DIFUNDIDAS QUE
CUENTAN CON TRES ELECTRONES
DE VALENCIA SE DENOMINAN
ÁTOMOS ACEPTORES.
FIGURA. IMPUREZA DE BORO EN UN MATERIAL TIPO P.
TIPOS DE DIODOS
DIODO SEMICONDUCTOR
ESTE DIODO SE FORMA UNIENDO LOS
MATERIALES TIPO N Y TIPO P. EN EL
MOMENTO EN QUE SE UNEN, LOS
ELECTRONES Y HUECOS EN LA REGIÓN
DE UNIÓN SE COMBINARÁN, COMO
CONSECUENCIA SE ORIGINARÁ UNA
CARENCIA DE PORTADORES EN LA
REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN.

ESTA REGIÓN DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS SE DENOMINAN

REGIÓN DE AGOTAMIENTO DEBIDO A LA DISMINUCIÓN DE PORTADORES
EN ELLA.
SIN APLICACIÓN DE POLARIZACIÓN (VD = 0 V)
EN AUSENCIA DE UN VOLTAJE DE POLARIZACIÓN APLICADO, EL FLUJO
NETO DE LA CARGA EN CUALQUIER DIRECCIÓN PARA UN DIODO
SEMICONDUCTOR ES CERO.

FIGURA. UNIÓN P-N SIN POLARIZACIÓN FIGURA. SITUACIÓN SIN

EXTERNA. POLARIZACIÓN PARA UN DIODO
SEMICONDUCTOR
SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA (VD < 0 V)
ESTA POLARIZACIÓN SUCEDE CUANDO SE APLICA UN POTENCIAL
EXTERNO DE V VOLTS A TRAVÉS DE LA UNIÓN P-N DE TAL FORMA QUE
LA TERMINAL POSITIVA SE CONECTA AL MATERIAL TIPO N Y LA
TERMINAL NEGATIVA AL MATERIAL TIPO P.

FIGURA. UNIÓN P-N BAJO FIGURA. SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN

POLARIZACIÓN INVERSA. INVERSA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR.
SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA (VD > 0 V)
SE ESTABLECE UNA SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA O DE
“ENCENDIDO” CUANDO SE APLICA UN POTENCIAL POSITIVO A UN
MATERIAL TIPO P Y UN POTENCIAL NEGATIVO A UN MATERIAL TIPO N.

FIGURA. UNIÓN P-N BAJO FIGURA. SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN

POLARIZACIÓN DIRECTA. DIRECTA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR.
 FIGURA. CARACTERÍSTICAS
DEL DIODO SEMICONDUCTOR
DE SILICIO.
DIODO ZENER
ES UN DISPOSITIVO DE SILICIO CON UNIÓN PN DISEÑADO PARA
OPERAR EN LA REGIÓN DE RUPTURA EN INVERSA. CUANDO UN DIODO
ALCANZA LA RUPTURA EN INVERSA SU VOLTAJE PERMANECE CASI
CONSTANTE AUN CUANDO LA CORRIENTE CAMBIE DRÁSTICAMENTE.

Figura.
Región Zener

FIGURA. DIRECCIÓN DE
LA CONDUCCIÓN. (a)
DIODO ZANER; (b) DIODO
SEMICONDUCTOR.
DIODOS EMISORES DE LUZ

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) ES UN DIODO QUE ES CAPAZ DE

EMITIR LUZ VISIBLE CUANDO SE ENERGIZA. EN TODAS LAS UNIONES
DE SEMICONDUCTORES P-N CIERTA CANTIDAD DE ESTA ENERGÍA SE
DESPRENDERÁ EN FORMA DE CALOR Y OTRA EN FORMA DE FOTONES.
EN EL CASO DEL SILICIO Y DEL GERMANIO, EL PORCENTAJE MAYOR
DE ENERGÍA QUE SE DESPRENDE ES EN FORMA DE CALOR Y EN UNA
MEDIDA INSIGNIFICANTE, SE DESPRENDE LUZ EMITIDA. EN OTROS
MATERIALES, COMO EL FOSFURO DE ARSENIURO DE GALIO (GAASP) O
EL FOSFURO DE GALIO (GAP), EL NÚMERO DE FOTONES DE ENERGÍA
LUMINOSA EMITIDA ES SUFICIENTE COMO PARA CREAR UNA FUENTE
DE LUZ ALTAMENTE VISIBLE.
AL PROCESO DE EMISIÓN DE LUZ MEDIANTE LA POLARIZACIÓN
DE UNA FUENTE DE ENERGÍA ELÉCTRICA SE LE DENOMINA
ELECTROLUMINISCENCIA.

FIGURA. (A) PROCESO DE

ELECTROLUMINISCENCIA EN EL
LED; (B) SÍMBOLO GRÁFICO.
ES POSIBLE ESPERAR UNA CORRIENTE DE OPERACIÓN TÍPICA DE 10 -
20 mA A 2.5 V PARA UNA BUENA EMISIÓN DE LUZ. EN GENERAL, LOS
LEDS OPERAN EN RANGOS DE VOLTAJE DE 1.7 A 3.2 V. SUS
REQUERIMIENTOS DE POTENCIA SON TÍPICAMENTE DE 10 A 150 mW.
PUEDEN CONSIDERARSE DE FORMA APROXIMADA LOS SIGUIENTES
VALORES DE DIFERENCIA DE POTENCIAL:

ROJO 1.8 A 2.2 V

NARANJA 2.1 A 2.2 V
AMARILLO 2.1 A 2.4 V
VERDE 2 A 3.5 V
AZUL 3.5 A 3.8 V
BLANCO 3.6 V
 TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR BJT
SON DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES FORMADOS POR UNA CAPA
DE MATERIAL TIPO P ENTRE DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO N, O
UNA DE MATERIAL N ENTRE DOS DE TIPO P. EN EL PRIMER CASO SE
TIENE UN TRANSISTOR NPN Y EN EL SEGUNDO UN TRANSISTOR PNP.
LA CAPA CENTRAL SE LLAMA BASE (B) Y LAS DE LOS EXTREMOS
EMISOR (E) Y COLECTOR (C), RESPECTIVAMENTE.

SE UTILIZAN PARA CONTROLAR CORRIENTES RELATIVAMENTE

GRANDES A PARTIR DE SEÑALES DE CORRIENTE O DE VOLTAJE
MUY DÉBILES, ACTUANDO CON UNA RESISTENCIA O INTERRUPTOR
CONTROLABLES ELECTRÓNICAMENTE. LOS CIRCUITOS QUE
UTILIZAN TRANSISTORES CON RESISTENCIAS VARIABLES SE
DENOMINAN LINEALES O ANALÓGICOS Y LOS QUE UTILIZAN COMO
INTERRUPTORES SE DENOMINAN DIGITALES Ó LÓGICOS.
PENETRA NO PENETRA

APUNTANDO NO
HACIA APUNTANDO
ADENTRO HACIA
ADENTRO

IE = IC + IB
LA GANANCIA DE CORRIENTE DE CD DE UN TRANSISTOR ES EL COCIENTE DE
CD DEL COLECTOR (IC) ENTRE LA CORRIENTE DE CD DE LA BASE (IB) Y SE
EXPRESA COMO BETA DE CD (ΒCD).

LOS VALORES TÍPICOS DE ΒCD VAN DESDE 20 HASTA 200 O MÁS, ΒCD
NORMALMENTE SE EXPRESA COMO UN PARÁMETRO HÍBRIDO (H)
EQUIVALENTE, HFE EN HOJAS DE DATOS DE LOS TRANSISTORES. TODO LO QUE
SE TIENE QUE SABER HASTA AHORA ES QUE
PRÁCTICA 7