“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra

Independencia, y de la conmemoración de las heroicas

batallas de Junín y Ayacucho”

UNP
Universidad Nacional
ESCUELA
PROFESIONAL DE
ELECTRÓNICA
de Piura

Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones

Estudios experimentales de la respuesta en frecuencia de
amplificadores MOSFET de pequeña señal

Integrantes:
Ancajima Yangua Adrian
Facundo Peña Daniel José
Docente:
Cesar Humberto Estrada Crisanto
Curso:
Circuitos Analógicos II
Ciclo:
VI
 Estudios experimentales de la respuesta en
frecuencia de amplificadores MOSFET de
pequeña señal

Objetivo General
✓ investigar y analizar experimentalmente la respuesta en frecuencia de
amplificadores MOSFET de pequeña señal, con el propósito de comprender su
comportamiento en diferentes rangos de frecuencia y establecer las condiciones
óptimas para su funcionamiento en diversas aplicaciones electrónicas.
Objetivos Específicos
✓ Evaluar la respuesta en frecuencia de los amplificadores MOSFET de pequeña
señal para identificar su comportamiento ante señales de entrada de diferentes
frecuencias y garantizar su adecuado funcionamiento en aplicaciones prácticas.
✓ Optimizar el diseño de circuitos de polarización y compensación para mejorar la
respuesta en frecuencia y la estabilidad de los amplificadores MOSFET de
pequeña señal en aplicaciones específicas.
✓ Caracterizar la ganancia de los amplificadores MOSFET de pequeña señal en
función de la frecuencia, determinando la respuesta en frecuencia en el rango de
interés.
✓ Emplear simulaciones en MATLAB para investigar cómo cambia la capacitancia
en diversas condiciones de funcionamiento.

1. Introducción

A lo largo de este informe, exploraremos los principios teóricos subyacentes que rigen
el comportamiento de los amplificadores MOSFET de pequeña señal, así como los
métodos experimentales empleados para evaluar su respuesta en frecuencia. Mediante la
utilización de técnicas de medición adecuadas y la implementación de circuitos de prueba
específicos, se llevarán a cabo análisis detallados para determinar parámetros cruciales
como la ganancia de banda ancha, la frecuencia de corte y la estabilidad del amplificador
ante variaciones en la frecuencia de la señal de entrada. El conocimiento obtenido a partir
de estos estudios experimentales no solo proporcionará una comprensión más profunda
de los amplificadores MOSFET de pequeña señal, sino que también servirá como base
para el diseño y la optimización de circuitos electrónicos de alta frecuencia con
aplicaciones prácticas en áreas como la electrónica de consumo, las comunicaciones
inalámbricas y la instrumentación científica. En última instancia, este informe aspira a
contribuir al avance continuo en el diseño y la implementación de sistemas electrónicos
de vanguardia mediante la aplicación de principios de circuitos analógicos en el ámbito
de los amplificadores MOSFET de pequeña señal. El estudio de la respuesta en frecuencia
de los amplificadores MOSFET de pequeña señal es esencial para comprender su
comportamiento en diferentes rangos de frecuencia y garantizar su rendimiento óptimo
en aplicaciones prácticas. Este informe se centra en la realización de estudios
experimentales para analizar la respuesta en frecuencia de estos amplificadores, con el
objetivo de caracterizar sus capacidades de amplificación y su estabilidad en función de
la frecuencia de la señal de entrada.

2. Marco Teórico

Amplificadores MOSFET de Pequeña Señal. -

Los amplificadores MOSFET son ampliamente utilizados en aplicaciones de
electrónica debido a su alta impedancia de entrada, baja potencia de polarización y alta
velocidad de conmutación. En el contexto de pequeña señal, se analizan los
comportamientos lineales del MOSFET, donde las variaciones de señal son lo
suficientemente pequeñas como para considerar al transistor en un punto de operación
estático.
Características Clave:
✓ Alta Impedancia de Entrada: Los MOSFET tienen una alta impedancia de entrada,
lo que significa que requieren muy poca corriente para excitar la compuerta y
controlar la corriente de drenaje. Esto los hace ideales para aplicaciones donde se
necesita una carga mínima en la fuente de señal.
✓ Baja Potencia de Polarización: Debido a la alta impedancia de entrada, los
amplificadores MOSFET de pequeña señal requieren una potencia de polarización
relativamente baja para operar en su punto de funcionamiento óptimo.
✓ Amplificación Lineal: En el régimen de pequeña señal, la respuesta del MOSFET
es aproximadamente lineal, lo que significa que la relación entre la señal de
entrada y la señal de salida es proporcional.
✓ Alta Velocidad de Conmutación: Los MOSFET son conocidos por su alta
velocidad de conmutación, lo que los hace adecuados para aplicaciones de alta
frecuencia y alta velocidad.

Respuesta de Frecuencia. -
La respuesta de frecuencia de un amplificador describe cómo varía su ganancia en
función de la frecuencia de la señal de entrada. Es esencial comprender este
comportamiento para diseñar amplificadores que funcionen adecuadamente en el rango
de frecuencias deseado.
Componentes que Afectan la Respuesta de Frecuencia:
Componentes Pasivos en el Circuito: Componentes pasivos como resistencias y
capacitores en el circuito también pueden influir en la respuesta de frecuencia del
amplificador al introducir polos y ceros adicionales en el sistema.
Topología del Circuito: La topología del circuito, incluida la configuración del
amplificador y la disposición de los componentes, puede afectar la respuesta de frecuencia
al influir en la ganancia, la fase y la estabilidad del amplificador en diferentes frecuencias.
La respuesta de frecuencia es crítica en una amplia gama de aplicaciones, que incluyen
sistemas de audio, comunicaciones inalámbricas, instrumentación y procesamiento de
señales. La capacidad de un amplificador para reproducir fielmente señales de diferentes
frecuencias es fundamental para el rendimiento y la calidad del sistema en su conjunto.
Compensación de Ganancia. -
La compensación de ganancia es una técnica utilizada en amplificadores MOSFET
para mantener una ganancia estable en un rango amplio de frecuencias. La ganancia de
un amplificador puede variar significativamente con la frecuencia debido a las
características intrínsecas de los dispositivos activos y los componentes pasivos en el
circuito. La compensación de ganancia busca minimizar estas variaciones y garantizar un
rendimiento consistente del amplificador en todo el rango de frecuencias de interés. Los
tipos de Compensación son:
Compensación de Polos Dominantes: Esta técnica se basa en introducir componentes
pasivos o activos adicionales en el circuito para controlar los polos dominantes del
amplificador. Al ajustar la ubicación de estos polos, se puede lograr una ganancia más
plana en un rango de frecuencias deseado.
Compensación de Miller: La capacitancia de Miller es una capacitancia efectiva que
aparece entre el terminal de entrada y salida de un amplificador debido al efecto de
realimentación. En los amplificadores MOSFET, la capacitancia de Miller puede afectar
significativamente la respuesta de frecuencia. La compensación de Miller implica el uso
de capacitores adicionales para contrarrestar este efecto y mejorar la estabilidad del
amplificador.
Compensación de Ganancia con Redes de Realimentación: Se utilizan redes de
realimentación para ajustar selectivamente la ganancia en diferentes frecuencias. Estas
redes pueden consistir en resistencias, capacitores o inductores dispuestos de manera que
proporcionen una ganancia más uniforme en todo el rango de frecuencias de interés.
Realimentación y Estabilidad. -
La realimentación es una técnica utilizada para mejorar las características de
rendimiento de los amplificadores, como la ganancia, la impedancia de entrada y salida,
y la linealidad. Sin embargo, un mal diseño de realimentación puede conducir a la
inestabilidad del amplificador, manifestada en oscilaciones no deseadas. Es importante
considerar cuidadosamente la realimentación en el diseño de amplificadores MOSFET.
Capacitancias Parasitarias. -
Las capacitancias parasitarias son componentes no deseados que se presentan en los
amplificadores MOSFET debido a la estructura física del transistor y la disposición del
circuito. Estas capacitancias pueden afectar significativamente la respuesta de frecuencia
del amplificador y deben tenerse en cuenta durante el diseño y la optimización del
circuito.
Capacitancia de Compuerta a Drenaje (Cgd): Esta capacitancia se produce debido a la
proximidad física entre la compuerta y el drenaje del MOSFET. Cgd actúa como una
capacitancia de realimentación que afecta la ganancia y la estabilidad del amplificador.
Capacitancia de Compuerta a Fuente (Cgs): Cgs es la capacitancia entre la compuerta y
la fuente del MOSFET. Esta capacitancia puede influir en la respuesta de frecuencia del
amplificador y afectar la velocidad de conmutación del transistor.
Capacitancia de Drenaje a Fuente (Cds): Aunque menos común, Cds es la capacitancia
entre el drenaje y la fuente del MOSFET. Esta capacitancia puede influir en la linealidad
y la estabilidad del amplificador, especialmente en configuraciones de alta frecuencia.
Análisis de Ganancia. -
La ganancia de un amplificador se define como la relación entre la amplitud de la señal
de salida y la amplitud de la señal de entrada. En el caso de pequeña señal, esta ganancia
se puede expresar como la derivada de la tensión de salida respecto a la tensión de entrada,
evaluada en el punto de operación estático del transistor.

3. Análisis y Calculo
En este estudio, se emplearon tres transistores MOSFET de canal n diferentes
(designados como MOS-1, MOS-2, MOS-3) fabricados por Motorola Inc. bajo el modelo
2N700. La ganancia máxima varió dependiendo de la frecuencia y los valores de
capacitancia; por ejemplo, para MOS-1 fue de aproximadamente 4, mientras que para
MOS-3 fue de 14. Se utilizaron señales de entrada con una amplitud fija de 100-140 mV
pico a pico en el experimento, siendo comúnmente de 131 mV pico a pico a una
frecuencia de 1 kHz. Al ajustar los valores de los condensadores, se modificó la
frecuencia de corte de los amplificadores, lo que resultó en una señal de salida inferior al
valor teórico esperado para la banda de paso. Esto se debe a que la señal fue parcialmente
atenuada por las redes de filtrado RC mientras atravesaba el amplificador. Se emplearon
resistencias R1 y R2 de gran valor (del orden de megaohmios) para el divisor de tensión,
asegurando así que toda la pequeña señal de entrada se aplicara al terminal puerta-fuente,
con una corriente de puerta insignificante.
❖ Configuración Gate común.

Circuito equivalente pequeña señal para amplificador compuerta común

Ganancia de voltaje 𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 (RD//RL)

Circuito en simulink

❖ Configuración Saturador Común

Ganancia de voltaje
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚( 𝑟0||𝑅𝐷||𝑅𝐿)

Circuito en simulink
❖ Configuración drenaje Común

Amplificador MOS en configuración drenaje común

Forma hibrida del transistor D-C
Ganancia de voltaje:
𝑅𝑙 𝑅𝑝 1
𝐴𝑣 = ( + 𝐺𝑚 )
(𝑅𝑃 + 𝑅𝑆𝐺 ) 𝑆𝐶𝐺𝑆

Circuito en simulink

Simulación

• Drenador Común
4. Conclusión

Se ha realizado una investigación experimental exhaustiva para examinar el impacto

de diversas capacitancias en los amplificadores MOS de una sola etapa. Al igual que en
estudios previos sobre la influencia de distintas capacitancias en amplificadores BJT de
una sola etapa, el presente estudio señala que al diseñar amplificadores MOS de pequeña
señal, no se debe suponer que los capacitores de acoplamiento y derivación funcionan
como cortocircuitos y no tienen efecto en el voltaje de entrada y salida de corriente
alterna. Los capacitores son componentes pasivos que presentan impedancia tanto a la
corriente alterna como a la continua, lo que afecta los niveles de voltaje observados en
los puertos de entrada y salida del amplificador. Por consiguiente, se puede inferir que
los valores de capacitancia seleccionados para las funciones de acoplamiento y derivación
determinan la verdadera ganancia de voltaje del amplificador a una frecuencia específica
de la señal de entrada.

Referencias
[1] Horenstein MN. Circuitos y dispositivos microelectrónicos. Englewood Cliffs, Nueva
Jersey: Prentice Hall; 1996 [capítulo 9].
[2] Manku TS. Circuitos de estado sólido IEEE J 1999; SSC-34:277.
[3] Enz CE, Cheng Y. IEEE J Circuitos de estado sólido 2000; SSC-35:186.
[4] Das MB. IEEE Trans Electron Dev 1969; ED-16:1049.
[5] Abou-Allam E, Manku TS, IEEE Trans Comp-Aid Des1997;16:437.
[6] Estaño SF, Osman AA, Mayaram K, IEEE Trans Comp-Aid Des 1998;17:372.
[7] Fahmi MME, Sayed ElAhl AMH, Mohammad SN, Solid-Estado Electrónico, en
prensa.
[8] Sedra AS, Smith KC. Circuitos microelectrónicos. 3ª edición. Nueva York: Oxford
University Press; 1991. pág. 354–61.
[9] Neamen DA. Análisis y diseño de circuitos electrónicos. chicago: Irwin; 1996. pág.
399.
[10] Motayed A, Brown TE, Onuorah AI, Mohammad SN. Electrón de estado sólido
2001;45:325.