UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL(AD)

V1(t) y V2(t) señales

Q1 = Q21=2=
Características:
➢ Alta simetría (“B-E”), acoplo directo.
➢ 2 fuentes Dl (polarización).
➢ 2 input.
➢ 2 out + 1 opcional.
➢ Ejecuta operación aritmética.
➢ Funciona con filtro c/ruido (CMRR)
➢ Parte de todo opamp.

Vo =K(V1-V2)

CMRR(factor de rechazo al modo común (ruido).

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

➢ Análisis en DC

Io
VE1 = - V - RB
2

VE1 = VE2 = - V
hie1 = hie2 = hie

➢ Análisis en AC

Se puede llevar al siguiente

circuito equivalente:

1. Modo Común(V1 = V2 = Vc)

VC
 ib1 = = ib 2 ................(1)
hie + Rb + 2 RE (  + 1)

 Vo = -ib2 Ro
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

2. Modo diferencial.( V1 = Vd y V2 = -Vd).

Vd
 ib1 = −ib 2 =
Rb + hie

 Vo = -ib2 Ro
Vd
Vo = Ro
R b + h ie
Cuando existe carga flotante

Q1 = Q21=2=

1. Modo Común(M.C)
VC
ib1 = = ib 2 ................(1)
hie + 2 RE (  + 1)
2. Modo diferencial.(M.D).
Vd
ib1 = −ib 2 = .......................(2)
hie
Out:

<>
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

R0
V0 = ( RC i b2 − RC i b1 )
(R 0 + 2 RC )

RC R 0
V0 = (i b2 − ib1 ) ........(3)
R0 + 2 RC

Luego:
En Modo comun (M.C.) ib1 = ib2
 reemplazando en (3) Vo(M.C.) = 0
Si hay alto rueido este no pasa

AMPLIFICADOR DARLINGTON
( super grande 104)

Q1= Q2 1=2=

Darlington Equivalente
D = (+2) = (+1)2  2
 ICD = IED  IBD2
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Ademas:
25mv 25mv 25mv
hie1 = ; hie2 = =
I I2 (  + 1) I 

hie1
 hie2 = ........(*)
(  + 1)
➢ Análisis en AC:

ib2 = (+1)ib1
Vi = hie1ib1 + hie2ib2
 h 
Vi = 2hie1 +  ie1 (  + 1)ib1 
 ( + 1) 
Vi = 2hie1i b1 ......(1)
Vi
Zin = - = 2hie1
ib1
Out:
Vo = -Ro(ib1 + ib2)
Vo = -Roib1(+2)........(2)
De (1) en (2)
Vo  (  + 2) Ro
= Av = −
Vi 2hie1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

AMPLIFICADOR CASCODE

➢ Análisis en DC:

Condicion de polarizacion:
I>>> IB1, IB2 (A)
I  10 IB1, IB2
R1, R2, R3 estan en “serie”


VCC R1 25mv
V1 = hie1 =
R IC / 

VCC (R1 + R2 ) 25mv

V1 = hie2 =
R IC / 

hie1 = hie2
V E1
VE1 = V1 - V  IC1  IC2 = IC
RE

VE2 = V2 - V
Con estas ecuaciones se puede determinar VCE1 Y VCE2.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

➢ Análisis en AC:

hie2
hie1 = Resistencia bajisima en 
 +1

Vo  Vo  ie 2  ib1 
=     .........(*)
Vi  ie 2  ib1  Vi 

Vo
Vo = ie2Ro  = Ro
Vi
ie 2
Ie2 = -ib1  = −
ib1

Vi ib1 1
Ib1 =  =
hie1 Vi hie1
En (*)
Av = (Ro)( -)(1/hie1)

Ro
Av = − 1
hie1   = gm
hie1

 Av = - gmRo

<>
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

TRANSISTORES UNIPOLARES
(FET/ MOSFET)
1. FET:
El control es por tensión

VGS Io
0 # max
-1
IG = 0 VG  0
-1.5
 
 0

Zonas del FET:

1) Zona saturación: (Q amplifica)

VDS SAT < VDS < VDSO
VPo : voltaje Pinch-off (voltaje de estrangulamiento)→ ID =0
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Ecuaciones básicas

2
 V 
ID = IDSS 1 − GS 
 VPo 

 todo FET “n” o “p”

VPo (-)(+)
IDSSS
U → Factor de amplificación[u]= 1
gmQ → Transconductancia de los FET’s, (no siempre los dan pero se puede averiguar)

Ia 2
g mQ = = IDIDSS
VGs VPo

 = gmQ rDS = gmQ ro

rDS = ro = resistencia de salida

2) Zona ohmica: (el FET se comporta como resistencia activa)

0<VDS<VDS SAT

  VGS  VDS  VDS  

2

ID = IDSS 21 −  −   
  VPo  VPo  VPo  

Para que un FET se encuentre en la zona ohmica

 VDS →0
VDS
2IDSS  V 
Si VDS --> 0 ID = 1 − GS 
VPo  VPo 

ID I  V 
 gd = = 2 DSS 1 − GS  conductancia dinámica en zona ohmica
VDS VPo  VPo 
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Si VGS = 0
2IDSS
ID = Vds
VPo

1 I DSS
rd = gd ON
=2
gd VPo

 VGS 
 gd = gd ON
1 − 
 VPo 

Aquí el FET no amplifica se comporta como una resistencia a controlada por tensión,
mejor dicho una carga efectiva. Los FET’s no consumen su consumo → 0

CONFIGURACIONES NOTABLES

1. Surtidor común: (s.c.)

➢ Análisis en DC:

2
 V 
ID =IDSS 1 − GS  ...... (1)
 VPo 

VGS = -RS ID ............. (2)

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

De (1) y (2) se obtendrán dos soluciones para ID

ID1 e ID2 y para cada una de esta se obtendrán valor para v GS ➔ VGS1 Y VVGS2 y de
estas respuestas solo una cumple. También comprobar si VDS cumple la condición de
zona de saturación.
 con la respuesta anterior calculamos:

2
g mW = IDIDSS
VPo

➢ Análisis en AC:

VGS2 = Vi .................... (1)

-gmQVGSRO = Vo ...... (2)
VO
 = A v = −g mQR o
V1

2. Drenador Común:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

➢ Análisis en DC:
“Q” → zona de saturación (amplifica)

2
 g mQ = I d .I DSS
VP

VPo
IDSS
V
 = gmQ . rdS = ro (saturación) =
I DQ

V  Early I D  id

➢ En AC:
RS//RL=R0

Por su equivalente Thévenin.

Pero R Ri
 R0 
 VG 5 = Vi − V5 V5 = V0 =  VG5  
 R0 + rds 
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

R0
 VG 5 = V − VG5
R0 + rrds

  R0 
 VG 5 1 +  = Vi
 R 0 + rds 

 R (  + 1) + rds 
VG 5  0  = Vi ...............(1)
 R 0 + rds 
 R0 
VG 5   = V0 ......................(2)
 0
R + rds 
(2) entre (1)
V0  R0
= AV = +
Vi R 0 (  + 1) + rds
pero:
 = g ma rds
 + 1  g ma rds Para fines prácticos.
 En Ar y simplificando.
g ma R 0
AV =
g ma R 0 + 1
Se observa que:
AV = 1

Zin =R
V0
Z0 = cuando Vi = 0
i0
 en el circuito:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

2
 g ma = I D .I DSS
V po

V0  V0 −  VG5 
i0 = + 
R  rds 
Pero: VG 5 = VG − V5

Pero: VS = V0
 VG5 = -V0
V0 V0 −  V0
 I0 = +
R0 rds

V0 1+  
 i0 = + V0  
R0  rds 
1+ 
= g mQ
rds
V0
i0 = + V0 g mQ
R0

 1 
i0 = V0  + g mQ 
 R0 
 
 
V0
= Z0 =  1 
i0  1 
 + g mQ 
 R0 
1
haciendo g 
R0

 Z0  1 Muy bajo.
g mQ

3. Puerta común (G-C)

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

➢ Análisis en DC:
gmQ (saturado)RD
➢ Análisis en AC:

Vi = (Vds + R0 ) i +  VG5

VG 5 = −Vi

Vi = (rds + R0 ) i +  (-Vi )

Vi (  + 1) = (rds + R0 ) i ....................(1)

V0 = R0 i ........................................(2)

(2)entre (1)
V0 R0 V
=  0 = AV
Vi (  + 1) R0 + rds Vi
(  + 1) R 0
AV =
R0 + rds
Pero:
rds  R0
(  + 1) R0
AV 
rds
 AV = + gmQ R 0

Vi rds + R0
Zin = = ; R 0  rds
i  +1
1
 Zin = (bajo)
g mQ

Z out = rds // R 0  R 0
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

MOS-FET

1. Mosfet canal fijo.

2
 V 
I D = I DSS 1 − G 5 
 VP 0 

2
g mQ = I D .I DSS
VP 6

Datos del fabricante: (VP0, IDSS, )

Símbolos:

Ó
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

2. Mosfet canal inducido.

Símbolo:

Datos de fabricante.
k = mA V 2 A V2
VT numero de voltios (Pinch-off).

Zonas del MOSFET

1) Zona de saturación.
VG 5  VG5 − VT

 iD
gmQ = = 2k (VG 5 − VT )
 VG5

W   C
K =  R
L 2
2) Zona Ohmica:
VDS  (VG 5 − VT )


I D = K 2(V6 − VT ) VDS − VDS
2

VDS = (VG 5 − VT )  ID = k VDS
2
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

CARGAS ACTIVAS

Nota: Se puede encontrar alta ganancia y estable (muy buenos).

El uso de cargas activas es para elevar la ganancia (con una sola etapa) transitor con carga
tipo espejo.
Nota: Estable en integrados no es discreta es decir armarlo con dispositivos independientes.

Se logra estabilidad

➢ Análisis en AC:
−  R 0 activo
AV = = − gm R0
hie bipolar activa

ejemplo:
R=1,4k
V =100
 =170
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Sol:
15 − 0,6
I0 = I L =  I 0 = I L = 10ml
1,4
25mv 25mv
 hiei = = = 446
iB (10 170)
V 100v
r0 = = = 10k
I C 10mA
−  R 0activa − g m1 R 0activa
 AV = =
hie1 Bipolar

 AV = −1938 (excelente)

Nota:Los espejos de corriente nunca se saturan.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

RESPUESTAS EN FRECUENCIAS

Redes pasivas

1)

<>

0<w<
1 VD(S) 1
SC SC 1
V0(S) = Vi(s)  = H(S) = =
(
R + 1SC VI(S) ) (1 + RC)
SC
1 + S

1
1 
H(S) = = no existen cero s; polos : w = − 1
S + 1 S + 1 ( )
1
H (W ) = 
( jw + 1 ) = M (w) (w)
1
M(W ) =  y (w ) = −arctg( )
W2 + 1 ( )
2

Tabulando
 M() ()
0 1 0
1 1 2 -45°

  
 0 -90°

Filtro “Pasa bajas”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

2)

<>

R VO RSC S
Vo = Vi H(S) = = =
R+ 1 VI RSC + 1 S + 1
SC
polo = − 1 cero:

jw
H(w) = = M(w)(w)
jw + 1
W
 M(W) = y (w) = 90 − arctg(w)
1 + (W )2

Tabulando:
W M(W) (W)
0 1 90°
w = 1 1 2 45°
  
 1 0°
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

RESPUESTA EN FRECUENCIA AMPLIFICADOR

(MÉTODO DEL POLO DOMINANTE)

1. Low freeq (baja frecuencia)

Ci ,Co en corto circuito
1 1
Z= L =
RE C E REQ C E

“REQ” es la resistencia equivalente al

cortocircuitar la fuente

hie h
REQ = // RE = ie
 +1  +1

2. Freq medias:
Ci,C0,Ce (corto circuito)
AV = − g m R 0 = cte

g m =  hie
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

3. High freq (alta frecuencia)

Co,CE,Ci (corto circuito)

Circuito equivalente en alta frecuencia del bipolar.

Nota:Cb´e y Cb´e son datos del fabricante
Circuito II híbrido.

hie
rbb1 = → 0 (cero)
 +1
rb1e = r  hie

Teorema de Miller.

Amplifica: V2 =KV1........(1)
V1 − V2 = ZI ......................(2)
De (1) y (2)
Vt − KVI = ZI

V1 Z
 =
I 1− K
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Z
Zn =
1− K
V2
V1 =
K
V2
− V2 = ZI
K
1  V  Z ZK
V2  − 1 = ZI ;  2  = =
K   I  1 K −1 1− K
V2 ZK
= Z 1M =
I 1− K
o también:
ZK
Z 1M =
1− K
Pero K 1
Z 1M = − Z
Aplicando MILLER:

En nuestro circuito:

Nota: K= ganancia del amplificador a frecuencia media (cte.)

K = AV = − g m R 0

CM = Cb ' c(1 + g m R 0 )
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

 h 
 H   ie  (Cb1e + CM )
  +1
1
WH =
H
(  + 1)
WH =
hie (Cb1e + C )
 +1
WH =
hie .Ctotal
(  + 1)
WH =
r (C + CH (1 + g m R o ))
Determinación de Ci (diseño).
CE , Co (cortos circuitos)

 i = ( RB // hie ) ; h ie  RB
 i = Ci h ie Por diseño.
1 1 W
W1 = =  L
i Ci h ie 10
Puede ser mayor que “10”.
Se denomina Ci.
Determinación de C0.
CE, Ci(corto circuito)
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

 0 = C0 ( RC + RL )
1 1 WL
W0 = = 
 C0 ( RC + RL ) 10
Se determina C0.

TRANSITORES UNIPOLARES.

1. Low freq: (Ci , C0 corto circuito)

RS
ZS =
( RS C ) S + 1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

(1 CS )
ZS =
 1 
 S + 
 RS CS 
VG 5  Vi R  R i

VS = g m VG5 ZS

VG 5 (1 + g m Z(s)) = Vi ....................(1)

en (1)
VG 5 1
=
Vi 1 + g m ZS(S)

VG 5 1
=
Vi  1 CS 
1 + gm  
 S + 1 RL 
VG 5 ( S + 1 RS CS ) S + 1 RS CS
= =
Vi  1 g mQ  1  1 
 S + +  S +  + g mQ 
 RS CS CS  CS  RS 
Pero:
−1
Z=
RS CS

−1 1 
p = WL =  + g mQ 
2S  RS 
2. Freq media.
CS, Ci, C0 (corto circuito)
AV = − gmQ R 0

3. High freq.
CS, Ci, C0→ C.C

CG´D (C), CG´S (C) → por el fabricante.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Aplicando MILLER

C = CM (1 + g m R0 )

 H = ( Ri // R) (C + C M (1 + g m R 0 ) )
1 1
WH = =
H Ri Ctotal

➢ Determinación de Ci.

 i = ( Ri + R)C L
1 WL
Wi = 
i 10

➢ Determinación de C0.

 0 = C 0 ( RD + RL )
1 WL
W0 = 
0 10
WL
W0 

Por diseño min=10