Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniería Electrónica Análoga II

Estudiante: Práctica 1. Caracterización

Jhon Edison Rios Fonseca de transistores MOSFET.

Figura 1: Circuito para la caracterización en DC del transistor MOSFET.

1. Trabajo previo
El circuito de la Figura 1 permite obtener un valor aproximado para el voltaje umbral Vt del
dispositivo. Haga un análisis en su bitácora, por medio de las ecuaciones de corriente del transistor
NMOS, que permita validar esta afirmación.

Solución:
En primer lugar, la configuración que se presenta en el circuito tiene la característica de que el
transistor siempre que haya un canal inducido estará en modo de saturación ya que VGS = VDS y
por consiguiente se cumple la condición VDS ≥ VGS − Vt que indica que el transistor se encuentra en
saturación y para el modo de saturación se emplea la ecuación de corriente
1 0 W
 
iD = Kn (VGS − Vt )2 (1)
2 L

1
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de la cual se puede despejar Vt :

2iD 2iD
v
u
= (VGS − Vt )2 ⇒ ±t = VGS − Vt
u
   
0 W 0 W
Kn L
Kn L

2iD
v
u
Vt = VGS ± t (2)
u
 
0 W
Kn L

Del mismo circuito se obtiene una ecuación de corriente por medio de la malla

V dd − RiD − VGS = 0 (3)

de la cual podemos despejar iD y reemplazar en la ecuación (1):

V dd − VGS
iD =
R
u 2(V dd − VGS )
v
u
Vt = VGS ± t 0
 
W
(4)
R · Kn L

Si la resistencia (Rmult) es muy grande, lo que se encuentra dentro de la raíz en la ecuación (4)
tiende a cero por lo tanto tendríamos que

Vt ≈ VGS si R → ∞ (5)

0
1.1. Valores de Vt y kn utilizando el modelo spice
Algunos de los datos proporcionados por el fabricante del modelo spice que serán útiles para hacer
los cálculos y comparar resultados posteriormente son los siguientes:

ALD 1106
0
Kn = 225 [µA/V 2 ]
λ = 0,029 [1/V ]
Vto = 0,7 [V ]
W/L = 2

ALD 1107
0
Kp = 100 [µA/V 2 ]
λ = 0,0304 [1/V ]
Vto = −0,82 [V ]
W/L = 2

2
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Figura 2: Tensión VGS y corriente iD en función de la resistencia obtenidos en la simulación del circuito
de la figura 1.

El valor Vt para el transistor de canal N aproximado al valor proporcionado por el fabricante al

modelo spice se ha obtenido asignando una resistencia R1 = 10M Ω y con la configuración de la figura
1, VD será un valor muy cercano al teórico al tomar un valor de R1 que tienda a infinito, para este caso
el voltaje obtenido es de V t = 0, 743V .
0
Para obtener el valor de Kn lo despejamos de la ecuación 1:
0 2iD
Kn = W
L
(VGS−Vt )2
para obtener un valor más preciso agregamos el termino correspondiente al voltaje Early:
0 2iD
Kn = (6)
W
L
(VGS−Vt )2 · (1 − λVDS )
Asignamos diferentes valores de R para obtener diferentes pares de VGS e iD , los cuales se reemplazan
0
en la ecuación 6 y de este modo obtenemos el respectivo Kn

R1 = 10KΩ; iD = 314,7µA; VGS = 1,85V

0 314,7µA µA
Kn = = 243,7 2
(1,85 − 0,743) · (1 − 0,029 · 1,85)
2 V

R1 = 1KΩ; iD = 1,685mA; VGS = 3,314V

0 1,685mA µA
Kn = = 232,5
(3,314 − 0,743)2 · (1 − 0,029 · 3,314) V2

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R1 = 100Ω; iD = 3,9mA; VGS = 4,61V

0 3,9mA µA
Kn = = 230
(4,61 − 0,743)2 · (1 − 0,029 · 4,61) V2

R1 = 10Ω; iD = 4,65mA; VGS = 4,95V

0 4,65mA µA
Kn = = 230 2
(4,95 − 0,743) · (1 − 0,029 · 4,95)
2 V

2. Trabajo de laboratorio

2.1. ALD 1106

Para cada uno de los cuatro transistores contenidos en el circuito integrado ALD1106 se realizó
un procedimiento similar al de la simulación expuesto anteriormente, con la diferencia de que
para medir Vt aplicamos la resta entre V dd = 5,094V y la caída de tensión en la resistencia del
multímetro.
0
A continuación se presentan estos datos y el cálculo para determinar Vt y Kn

1. Transistor 1.

Vt = 0,475V

• R1 = 150KΩ; VGS = 0,944V ; iD = 27,67µA

0 27,67µA µA
Kn = = 122,44 2
(0,944 − 0,475) · (1 + 0,029 · 0,944)
2 V

• R2 = 68KΩ; VGS = 1,084V ; iD = 58,97µA

0 58,97µA µA
Kn = = 154,15
(1,084 − 0,475)2 · (1 + 0,029 · 1,084) V2

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• R3 = 51KΩ; VGS = 1,144V ; iD = 77,45µA

0 77,45µA µA
Kn = = 167,49
(1,144 − 0,475)2 · (1 + 0,029 · 1,144) V2

• R4 = 10KΩ; VGS = 1,696V ; iD = 340mA

0 340µA µA
Kn = = 217,37 2
(1,696 − 0,475) · (1 + 0,029 · 1,696)
2 V

• R5 = 1KΩ; VGS = 3,284V ; iD = 1,81mA

0 1,81mA µA
Kn = = 209,44 2
(3,284 − 0,475) · (1 + 0,029 · 3,284)
2 V
2. Transistor 2.

Vt = 0,4803V

• R1 = 150KΩ; VGS = 1,674V ; iD = 22,8µA

0 22,8µA µA
Kn = = 15,26 2
(1,674 − 0,4803) · (1 + 0,029 · 1,674)
2 V

• R2 = 68KΩ; VGS = 1,594V ; iD = 51,47µA

0 51,47µA µA
Kn = = 39,66 2
(1,594 − 0,4803) · (1 + 0,029 · 1,594)
2 V

• R3 = 51KΩ; VGS = 1,654V ; iD = 67,45µA

0 67,45µA µA
Kn = = 46,73 2
(1,654 − 0,4803) (1 + 0,029 · 1,654)
2 V

• R4 = 10kΩ; VGS = 1,944; iD = 315µA

0 315µA µA
Kn = = 139,18
(1,944 − 0,4803)2 (1 + 0,029 · 1,944) V2

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• R5 = 1kΩ; VGS = 3,228V ; iD = 1,866mA

0 1,866mA µA
Kn = = 226 2
(3,228V − 0,4803V ) (1 + 0,029 · 3,228)
2 V

3. Transistor 3.

Vt = 0,498V

• R1 = 150KΩ; VGS = 2,512V ; iD = 17,21µA

0 17,21µA µA
Kn = = 3,9548 2
(2,512 − 0,498) (1 + 0,029 · 2,512)
2 V

• R2 = 68KΩ; VGS = 2,45V ; iD = 38,88µA

0 38,88µA µA
Kn = = 9,527 2
(2,45 − 0,498) (1 + 0,029 · 2,45)
2 V

• R3 = 51KΩ; VGS = 2,58V ; iD = 49,29µA

0 49,29µA µA
Kn = = 10,5794
(2,58 − 0,498)2 (1 + 0,029 · 2,58) V2

• R4 = 10KΩ; VGS = 1,58V ; iD = 351,4µA

0 351,4µA µA
Kn = = 287 2
(1,58 − 0,498) (1 + 0,029 · 1,58)
2 V

• R5 = 1KΩ; VGS = 3,274V ; iD = 1,82mA

0 1,82mA µA
Kn = = 215,7 2
(3,724 − 0,498) (1 + 0,029 · 3,274)
2 V
4. Transistor 4.

Vt = 0,46V

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• R1 = 150KΩ; VGS = 0,164V ; iD = 32,87µA

0 32,87µA µA
Kn = = 373 2
(0,164 − 0,46) (1 + 0,029 · 0,164)
2 V

• R2 = 68KΩ; VGS = 0,564; iD = 66,62µA

0 66,62µA mA
Kn = = 6,06
(0,564 − 0,46)2 (1 + 0,029 · 0,564) V2

• R3 = 51KΩ; VGS = 0,144 V ; iD = 97,06 µA

0 97,06µA µA
Kn = = 967,96 2
(0,144 − 0,46) (1 + 0,029 · 0,144)
2 V

• R4 = 10KΩ; VGS = 1,084; iD = 401µA

0 401µA µA
Kn = = 998,46 2
(1,084 − 0,46) (1 + 0,029 · 1,084)
2 V

• R5 = 1KΩ; VGS = 3,224; iD = 1,82mA

0 1,82mA µA
Kn = = 217,86 2
(3,224 − 0,46) (1 + 0,029 · 3,224)
2 V

ALD 1106
Vt 150KΩ
 51 KΩ 10 KΩ  1 KΩ

0 0 0 0
T (V) ∆ est Kn µA
V2
∆ est Kn µA V2
∆ est Kn µA
V2
∆ est Kn µAV2
∆ est
Tr. 1 0.475 -0.32 122.44 -0.45 167.49 -0.25 217.37 -0.03 209.44 0.07
Tr. 2 0.4803 -0.31 15.26 -0.93 46.73 -0.79 139.18 -0.38 226 0.004
Tr. 3 0.498 -0.29 3.95 -0.98 10.58 -0.95 287 0.27 215.7 0.04
Tr. 4 0.46 -0.34 373 0.66 967.96 3.30 998.46 3.39 217.86 0.03

Cuadro 1: Resultados obtenidos para cada transistor del circuito integrado ALD 1106 con su respectico
error estimado.

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2.2. ALD 1107

Para el circuito integrado de canal p se realizó el mismo proceso implementado en el circuito
integrado de canal n obteniendo los siguientes resultados.

1. Transistor1.

Vt = −0,554V

R1 = 150KΩ; VGS = 1,134V ; iD = 26,4µA

0 26,4µA µA
Kp = = 81,28 2
(−1,134 + 0,554)2 · (1 + 0,0304 · (−1,134)) V

R2 = 68KΩ; VGS = −1,334V ; iD = 55,29µA

0 55,29µA µA
Kp = = 94,72
(−1,334 + 0,554)2 · (1 + 0,0304 · (−1,334)) V2

R3 = 51KΩ; VGS = −1,432V ; iD = 71,8µA

0 71,8µA µA
Kp = = 97,38 2
(−1,432 + 0,554)2 · (1 + 0,0304 · (−1,432)) V

R4 = 10KΩ; VGS = −2,203V ; iD = 289,1µA

0 289,1µA µA
Kp = = 113,95 2
(−2,203 + 0,554)2· (1 + 0,0304 · (−2,203)) V

2. Transistor 2.

Vt = −0,575V

R1 = 150KΩ; VGS = 1,134V ; iD = 26,4µA

0 26,4µA µA
Kp = = 87,5 2
(−1,134 + 0,575)2 · (1 + 0,0304 · (−1,134)) V

R2 = 68KΩ; VGS = −1,334V ; iD = 55,29µA

0 55,29µA µA
Kp = = 100,03 2
(−1,334 + 0,575)2· (1 + 0,0304 · (−1,334)) V

R3 = 51KΩ; VGS = −1,424V ; iD = 71,96µA

0 71,96µA µA
Kp = = 102,44
(−1,432 + 0,575)2 · (1 + 0,0304 · (−1,434)) V2

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R4 = 10KΩ; VGS = −2,205V ; iD = 288,9µA

0 288,9µA µA
Kp = = 116,55 2
(−2,205 + 0,575)2· (1 + 0,0304 · (−2,205)) V

3. Transistor 3.

Vt = −0,568V

R1 = 150KΩ; VGS = 1,142V ; iD = 26,35µA

0 26,35µA µA
Kp = = 82,85 2
(−1,142 + 0,568)2· (1 + 0,0304 · (−1,142)) V

R2 = 68KΩ; VGS = −1,346V ; iD = 55,12µA

0 55,12µA µA
Kp = = 94,95 2
(−1,346 + 0,568)2· (1 + 0,0304 · (−1,346)) V

R3 = 51KΩ; VGS = −1,442V ; iD = 71,61µA

0 71,61µA µA
Kp = = 98,04 2
(−1,442 + 0,568)2· (1 + 0,0304 · (−1,442)) V

R4 = 10KΩ; VGS = −2,202; iD = 289,2µA

0 289,2µA µA
Kp = = 116,09 2
(−2,202 + 0,568)2· (1 + 0,0304 · (−2,202)) V

4. Transistor 4.

Vt = −0,548V

R1 = 150KΩ; VGS = −1,128V ; iD = 26,44µA

0 26,44µA µA
Kp = = 81,39 2
(−1,128 + 0,548)2· (1 + 0,0304 · (−1,128)) V

R2 = 68KΩ; VGS = −1,335V ; iD = 55,28µA

0 55,28µA µA
Kp = = 93,03 2
(−1,335 + 0,548)2· (1 + 0,0304 · (−1,335)) V

R3 = 51KΩ; VGS = −1,431V ; iD = 71,82µA

0 71,82µA µA
Kp = = 96,30
(−1,431 + 0,548)2 · (1 + 0,0304 · (−1,431)) V2

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R4 = 10KΩ; VGS = −2,194V ; iD = 290µA

0 290µA µA
Kp = = 114,69
(−2,194 + 0,548)2 · (1 + 0,0304 · (−2,194)) V2

ALD 1107
Vt 150KΩ
 68 KΩ 51 KΩ 10 KΩ
0 0 0 0
T (V) ∆ est Kp µA
V2
∆ est Kp µAV2
∆ est Kp µA
V2
∆ est Kp µAV2
∆ est
Tr. 1 -0.554 -0.32 81.28 -0.19 94.72 -0.05 97.38 -0.03 113.95 0.14
Tr. 2 -0.575 -0.30 87.5 -0.12 100.03 0.00 102.44 0.02 116.55 0.16
Tr. 3 -0.568 -0.31 82.85 -0.17 94.95 -0.05 98.04 -0.02 116.09 0.16
Tr. 4 -0.548 -0.33 81.39 -0.19 93.03 -0.07 96.30 -0.04 114.69 0.14

Cuadro 2: Resultados obtenidos para cada transistor del circuito integrado ALD 1107 con su respectico
error estimado.

3. Análisis de resultados.
3.1. Valores de Vt
Si bien el valor de Vt del modelo spice es de 0,7V para el ALD 1106 y de −0,82V para el ALD 1107,
se obtuvieron resultados muy diferentes a estos valores en la práctica, sin embargo entre los cuatro
transistores de cada circuito integrado la diferencia de estos voltajes es considerablemente pequeña
(de máximo 38mV ) y además, todos estos voltajes se encuentran dentro del rango especificado por el
fabricante. Estas pequeñas diferencias se deben al proceso de fabricación, pues si bien es preciso, no lo
es lo suficiente como para obtener exactamente el mismo valor en cada transistor.

Por otro lado, la diferencia tan grande con el modelo spice puede deberse a la fabricación y al he-
cho de que para obtener el Vt exacto se necesita una resistencia infinita, lo cual por el momento es
imposible realizar una medición con un equipo de esas características. Sin embargo, si se aumentara
la resistencia, el Vt no tendería a aumentar sino a disminuir hasta llegar al valor real, y lo que se
necesita en este caso para que se acerque al modelo es que aumente y no que disminuya, por lo tanto
esa diferencia se debe en mayor medida a la fabricación.

0
3.2. Valores de Kn
0
En la simulación se evidenció que al disminuir el valor de la resistencia, el valor de Kn se acercaba
más al indicado por el fabricante, por lo que seguimos este mismo patrón para obtener los valores de
0
Kn en los circuitos integrados.

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0
Los valores obtenidos de Kn para el circuito integrado estuvieron muy próximos, pues el valor es-
0
perado era de Kn = 225 µA
V2
y como se puede ver en el cuadro 1, los valores obtenidos con resistencias
de 1KΩ fueron los que más cerca estuvieron del valor proporcionado por el fabricante.

Las diferencias con el valor real se deben a que para obtener el valor real, la resistencia debe ser
más pequeña y también se debe a pequeñas diferencias de fabricación.

Para corregir este problema habría que realizar de nuevo la medición de forma más minuciosa y en
dado caso de que el problema continúe, la solución sería cambiar el circuito integrado.
0
3.3. Valores de Kp
0
Para este caso, los valores de Kp son más congruentes y cercanos al valor esperado que los anteriores.

Las diferencias con el valor dado por el fabricante se pueden deber a la elaboración al igual que
las diferencias entre sí, como se puede ver en el cuadro 2 la máxima diferencia entre los resultados
con la resistencia de 10KΩ es de 1,02 µA
V2
, lo cual es un punto positivo para la elaboración de ciertas
configuraciones que requieren que los transistores estén en similares condiciones.

Para mejorar estas mediciones se podría reducir la resistencia, ya que como se evidenció en la
simulación, al disminuirla, el valor de la constante tiende a acercarse más al proporcionado por el
fabricante, sin embargo, preferimos no realizar este proceso para evitar corrientes muy elevadas y que
el circuito integrado se dañe.

4. Conclusiones
1. Teóricamente vemos casos en los que ciertas configuraciones con transistores de iguales caracte-
rísticas nos permiten hacer un trabajo preciso, sin embargo en la práctica es complicado obtener
esos transistores de iguales características por lo que se requieren otros métodos o modificaciones
para lograr un resultado parecido.
2. Pequeñas diferencias iniciales pueden resultar en abismales disparidades finales, por lo que es
importante tener en cuenta cada detalle en los cálculos y mediciones.
3. Siempre es importante verificar los valores de cada componente electrónico, pues aunque el fa-
bricante los especifique, existe la tolerancia que no indicará que probablemente o sea el valor
exacto.

Referencias
[1] Sedra Adel S., Smith Kenneth C..Circuitos microelectrónicos. 5a ed. Mc Graw Hill. México, 2006.

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