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Palosopo

Tecnología Electrónica

2º Grado en Ingeniería Electrónica Industrial

Escuela Politécnica Superior

Universidad de Sevilla

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 Tipo de Especificaciones Técnicas de fabricación
diodo
▪ Aleación
- Trabajan en la polarización inversa. - La unión P-N se forma poniendo una impureza de
- Se fabrican con su ruptura inversa conocida. tipo P o N en un sustrato de tipo P o N y
Zener - Tiene una tensión cte. calentándolos.
- Su resultado es una unión P-N entre aleación y
sustrato.

- Su tamaño aumenta a medida que la tensión de polarización inversa ▪ Difusión

aumenta y por tanto su capacidad disminuye. - Es más lento, pero más barato y preciso.
Varicap - Aplicaciones - Se difunde un vapor de tipo P o N sobre un
▪ Filtros variables monocristal de un semiconductor con una impureza
▪ Sintonizadores de tipo P o N.

- Funciona como un diodo normal, pero al ser atravesado por una corriente ▪ Diodo con puntas de contacto
emite luz. - Una sección del semiconductor tipo N se pone en
- Son uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada contacto con una punta aguda de metal, una parte
impurificación. del metal pasará al semiconductor creando el tipo P.
- Su longitud de onda variará dependiendo del material.
Led - Tipos
▪ Optoacoplador: proporcionan una corriente debido a los fotones.
▪ Fotodiodos: función inversa al LED. La cantidad de corriente
inversa será proporcional a la intensidad incidente al polarizarse en
inversa y recibir energía luminosa.
▪ Láser: unión PN de grandes dimensiones con las caras exteriores
perfectamente paralelas y reflectantes. Su luz posee una gran
pureza espectral.
- Tiene una unión P-N donde se produce el efecto túnel.
Túnel - Se crea una resistencia negativa en un cierto intervalo.
- Esta carga negativa permite su uso como componente activo.
- Formados por la unión de un semiconductor tipo N y un metal
- Conducen más rápidamente (trr<1ns) (Vy<0.35V).
Schottky - Su inconveniente es que su corriente de fuga es mucho más alta que la de
los otros diodos.
- Se usan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida.

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