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Módulo 2: UNIDADES DE MEMORIAS

2.2.1 Memoria central o interna: Es la unidad donde están


almacenados las instrucciones y los datos necesarios para poder
realizar un determinado proceso. Esta constituida básicamente por
una multitud de celdas o posiciones de memoria, numeradas de
forma consecutiva, capaces de retener, mientras la computadora
este conectada, la información depositada en ella. Existen varios
tipos de memorias utilizadas en las computadoras como lo son la
memoria RAM, ROM, EPROM, EEPROM, entre otras.

2.2.1.1 Memoria RAM: Es una palabra reducida del idioma ingles


que expresa Random Access Memory o memoria de acceso
aleatorio, esto indica que cualquier posición de ella se puede leer
sin la necesidad de leer las posiciones precedentes. Este concepto
esta en contra posición con una memoria de acceso secuencial en
la que se bebe de leer todas las posiciones que preceden a la
posición que se desea leer.

La memoria central en la mayoría de los computadores es de tipo


RAM, que es utiliza por los usuarios mientras trabajan con las
aplicaciones de software o programas.

Esta memoria necesita alimentación de red eléctrica fija constante,


ya que en el momento en que no esta alimentada desaparecen los
datos.

2.2.1.2 Memoria ROM: Es una palabra reducida del idioma ingles


que expresa Read Only Memory o memoria de solo lectura, como
su nombre lo indica es un tipo de memoria que solo puede leerse, a
diferencia de las memorias en las que se pueden leer y escribir,
como la memoria RAM.

Tiene la información fija en sus celdas de memoria. En las


computadores generalmente se utilizan para almacenar mini
programas fijos. Su contenido se graba en la fabrica o con un
aparato especial externo a la computadora y no se borra auque no
este alimentada eléctricamente.
2.2.1.3 Memoria EPROM: Es una palabra reducida del idioma ingles
que expresa Electrically Programmable Read Only Memory o
memoria programable eléctricamente de solo lectura. Es una
memoria de solo lectura, programables por el usuario, y que pueden
programarse un cierto numero de veces. Una EPROM típica se
graba mediante un programador de memorias electrónico y se borra
por medio de una exposición ultravioleta intensa durante cinco o
diez minutos, pasando al formato binario de ceros todas sus celdas
de memoria después de la exposición.

2.2.1.4 Memoria EEPROM: Es una palabra reducida del idioma


ingles que expresa Electrically Eraser Programmable Read Only
Memory o memoria programable y borrable eléctricamente de solo
lectura. Como su nombre lo indica es una memoria de lectura y
escritura, programables por el usuario, y que pueden programarse
con cierta facilidad. Una EEPROM típica se graba mediante un
programador de memorias electrónico y se borra eléctricamente en
su totalidad mediante pulsos eléctricos digitales, pasando al formato
binario de ceros todas sus celdas de memoria después de realizada
la operación de borrado.

2.2.1.5 Memoria Cache: La cache es un bloque de memoria de alta


velocidad, donde su función principal es copiar instrucciones y
datos desde la memoria RAM para su posterior procesamiento en el
microprocesador. Esto hace que las operaciones se realicen con
mayor agilidad pues la memoria cache no requiere de refresco
continuaos como la memoria RAM, en otras palabras es un tipo de
memoria estática.

La memoria cache puede ser incorporada al microprocesador como


nivel 1 llamado también nivel de ejecución de datos e instrucciones
o puede ser incorporada como nivel 2 también denominada nivel de
transferencia de datos e instrucciones entre la cache y la RAM.

2.2.2 Tipos de encapsulados para memorias.

2.2.2.1 Encapsulado tipo DIP: Es una palabra reducida del idioma


ingles que expresa Dual in Line Package o encapsulado de doble
línea; es un tipo de chip de memoria que posee pines metálicos
organizados en dos zonal lineales simétricas.

2.2.2.2 Encapsulado tipo SIP: Es una palabra reducida del idioma


ingles que expresa Single in Line Package o encapsulado de una
sola línea; es un tipo de chip de memoria que posee pines metálicos
organizados solo en un extremo del empaque.

2.2.3 Módulos de memoria RAM.

2.2.3.1 Modulo de memoria SIMM de 30 pines: SIMM es una


palabra reducida del idioma ingles que expresa Single in Line
Memory Module o modulo de memoria de una sola línea, es decir,
un modulo de memoria SIMM es un conjunto de chips generalmente
DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Este modulo normalmente
trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de
datos de 8 bits.

2.2.3.2 Modulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO


RAM: Este modulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de
30 pines. Normalmente trabaja con una capacidad para el
almacenamiento y lectura de datos de 32 bits. Lo característico de
este modulo de memoria es que permite empezar a introducir
nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (Extended Data
Output) lo que mejora notablemente su velocidad.

2.2.3.3 Modulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología


SDRAM: DIMM es una palabra reducida del idioma ingles que
expresa Dual in Line Memory Module o modulo de memoria de
doble línea. Este generalmente trabaja con una capacidad para el
almacenamiento y lectura de datos de 64 bits. La palabra SDRAM
significa que es un tipo de memoria RAM que trabaja con refrescos
de datos y de manera sincronizada con la velocidad de Bus la
tarjeta electrónica principal del computador (66 MHz, 100 MHz, 133
MHz), lo que en otras palabras se podría expresar como una
memoria de velocidades de 7.5 nano segundos ( 133 MHz) a 10
nano segundos (100 MHz).

2.2.3.4 Modulo de memoria DIMM de 184 pines con tecnología DDR


SDRAM: Este es un nuevo tipo de modulo de memoria sincrona y
dinámica que trabaja con una tecnología denominada DDR (Double
Data Rate) lo que significa que trabaja con una doble velocidad que
la normal SDRAM cerca de los 266 MHz y lo mejor es que consume
menos energía.

2.2.3.5 Modulo de memoria RIMM de 184 pines con tecnología


RDRAM: Este es un tipo de modulo de memoria que trabaja con
chips de tecnología RDRAM o lo que es el equivalente a Rambus
Dynamic Random Access Memory. Desarrollado por empresa
Rambus Corporation, es un tipo de memoria con una arquitectura y
un protocolo diseñado para mantener una alta eficiencia en la
transmisión y recepción de datos, unos 1.6 Giga Bytes por segundo
en cada canal de 32 bits, gracias a que usa una arquitectura de
canales en paralelo.

Instalación de un modulo de memoria DIMM en el Slot de la


Mainboard

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